各向异性导电膜及其制备方法

各向异性导电膜及其制备方法
【专利摘要】各向异性导电膜含有导电粒子和间隔物。间隔物在膜的宽度方向中央部排列。膜的宽度方向中央部为膜的总宽度的20～80％。各向异性导电膜的厚度方向的间隔物的高度为高于5μm且低于75μm。所述各向异性导电膜具有第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构造，导电粒子分散于第1绝缘性粘接层中，间隔物在第1绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列。
【专利说明】
各向异性导电膜及其制备方法
技术领域 [0001] 本发明设及各向异性导电膜及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 在玻璃基板等的IC忍片的倒装忍片安装中广泛使用各向异性导电膜。适用于所述 情形的多数IC忍片具有矩形的形状，而且在背面的相对的2边的端部，多个凸点（パシク， bump) W规定间距形成在一条直线上，在IC忍片的背面中央部未形成凸点。因此，进行各向 异性导电连接时存在IC忍片中央部向玻璃基板一侧弯曲的问题。若产生该弯曲，则进行各 向异性导电连接时，对于所有凸点难W均匀压入导电粒子，特别是，沿着IC忍片长边的凸点 列中的导电粒子的压入容易变得不均匀。于是，为了解除所述问题，提案了：在IC忍片的背 面中央部设置假凸点（夕''ミ一パシク，dummy bump)(专利文献1)或者在各向异性导电膜中使 比导电粒子的粒径大的间隔物（乂八一哥)均匀分散(专利文献2)。
[0003] 现有技术文献 专利文献 专利文献1:特开2005-203758号公报； 专利文献2:特开2000-323523号公报。

【发明内容】

[0004] 发明所要解决的课题 但是，将假凸点设置于IC忍片上存在着下述的问题:导致IC忍片的制备工序数增加，且 IC忍片的设计变更上的自由度降低。另外，使间隔物均匀分散于各向异性导电膜时，存在间 隔物夹入IC忍片的凸点与玻璃基板的端子之间的情形，且存在无法获取导通的情形或导通 可靠性降低的问题。
[0005] 本发明的目的是解决上述的现有技术的问题，在IC忍片上不设置假凸点、且不使 间隔物在各向异性导电膜中均匀分散的情形下，使进行各向异性导电连接时IC忍片的中央 部向玻璃基板一侧弯曲的问题或者由于该弯曲而对于各凸点的导电粒子的压入的均匀性 受损的问题的解除，能够得到解决。
[0006] 用于解决课题的手段 本发明人发现了：在各向异性导电膜中，通过在IC忍片的凸点不相对的区域选择性地 配置间隔物，可实现本发明的目的，从而完成了本发明。
[0007] 目P，本发明提供各向异性导电膜，其是含有导电粒子和间隔物的各向异性导电膜， 其中，间隔物在该各向异性导电膜的宽度方向中央部排列。
[0008] 另外，本发明提供作为优选方案的W下的方案A、方案B、方案C、方案D。
[0009] (方案 A) 所述方案如下：各向异性导电膜具有第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构 造，导电粒子分散于第I绝缘性粘接层中，间隔物在第I绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接层一 侧的表面上规则性地排列。
[0010](方案 B) 所述方案如下：各向异性导电膜具有第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构 造，导电粒子分散于第1绝缘性粘接层中，间隔物在第2绝缘性粘接层的第1绝缘性粘接层一 侧的表面上规则性地排列。
[00川（方案C) 所述方案如下：各向异性导电膜具有第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构 造，导电粒子和间隔物分别在第1绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地 排列。
[0012] (方案 D) 所述方案如下：各向异性导电膜具有第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构 造，导电粒子在第1粘接层的第2绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列，间隔物在第2粘 接层的第1绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列。
[0013] 而且，本发明提供各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用于收容 间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型 (转录型）的该开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的绝缘性粘接层压入到转印型的 第1开口形成面上，使间隔物转贴到绝缘性粘接层上。
[0014] 另外，本发明提供上述方案A的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进 行：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形 成的转印型的该第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝 缘性粘接层压入到转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一 步层叠第2绝缘性粘接层。
[0015] 另外，本发明提供上述方案B的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进 行：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形 成的转印型的该第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的第2绝缘性粘接层压入到 转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第2绝缘性粘接层上，进一步层叠构成各向异 性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接层。
[0016] 本发明提供上述方案C的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用 于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成、且 在其W外的部分形成有用于收容导电粒子的第2开口的转印型的该第1开口处收容间隔物， 接着在第2开口处收容导电粒子，将构成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘 接层压入到转印型的第1和第2开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一步 层叠第2绝缘性粘接层。
[0017] 而且，本发明提供上述方案D的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进 行： 用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形 成的第1转印型的第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的第1绝缘性粘接层压入 到第1转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上， 用于收容导电粒子的第2开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部W外的位 置所形成的第2转印型的第2开口处收容导电粒子，将构成各向异性导电膜的第2绝缘性粘 接层压入到第2转印型的第2开口形成面上，使导电粒子转贴到第2绝缘性粘接层上， 将转贴有间隔物的第1绝缘性粘接层和转贴有导电粒子的第2绝缘性粘接层进行层叠， 使间隔物和导电粒子位于内侧。
[0018] 另外，本发明提供连接构造体，其是通过上述的各向异性导电膜将第1电子部件与 第2电子部件进行各向异性导电连接而得。
[0019] 而且，本发明提供通过上述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行 各向异性导电连接的连接方法，所述连接方法如下进行： 对于第2电子部件，假贴合各向异性导电膜，对于进行了假贴合的各向异性导电膜，搭 载第1电子部件，从第1电子部件一侧进行热胶合。
[0020] 发明效果 在本发明的各向异性导电膜中，间隔物在其宽度方向中央部排列。因此，在进行各向异 性导电连接时，可抑制IC忍片产生弯曲，所W，不会提高初期导通值，且可抑制短路的发生 率。
【附图说明】
[0021] 图1是本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0022] 图2是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0023] 图3A是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0024] 图3B是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0025] 图3C是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0026] 图3D是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0027] 图3E是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0028] 图3F是本发明的各向异性导电膜的上视图。
[0029] 图4是本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0030] 图5是本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0031] 图6是本发明的各向异性导电膜的截面图。
[0032] 图7是本发明的各向异性导电膜的截面图。
【具体实施方式】
[0033] W下，详细地说明本发明的各向异性导电膜的例子。
[0034] <<各向异性导电膜>> 如图1所示，本发明的各向异性导电膜100是：间隔物1在各向异性导电膜100的膜的宽 度方向中央部（即，间隔物配置区域A)排列。通常，该各向异性导电膜100具有导电粒子2分 散于绝缘性粘接层10中的构造。
[0035] (间隔物配置区域A) 间隔物配置区域A是各向异性导电膜的宽度方向中央部。该宽度方向中央部是下述的 区域:为了实现确实的各向异性导电连接且使间隔物凸点不接触，该区域是各向异性导电 膜的总宽度的优选20 % W上且80 % W下、更优选30 % W上且70 % W下。如图2所示，该区域 通常在各向异性导电膜100的长度(纵向）方向（箭头方向）上连续设置。另外，膜长度方向的 间隔物配置区域A的中屯、线优选与各向异性导电膜的长度方向平行。另外，关于该膜长度方 向的间隔物配置区域A的中屯、线，考虑到夹入有IC忍片的凸点列的区域(与间隔物配置区域 A对应)不是IC忍片的中央、且左右均偏离存在的情形，优选自膜幅度方向的端部起存在于 膜幅度的20~50%的区域。
[0036] (间隔物1) 作为间隔物1，可使用氧化侣粒子、氧化娃粒子、氧化锋粒子、聚苯乙締粒子等绝缘粒 子。关于间隔物1的大小，将在IC忍片的凸点高度与布线的端子厚的总计中加入了导电粒子 的平均粒径的30% W上且80% W下的大小设为100时，优选为形成60~140、更优选为形成 80~120的大小。运是由于:与防止在IC的长边一侧的部分接触或、IC的凸点一侧表面的起 伏对应。具体而言，优选为高于如m且低于75皿。
[0037] 间隔物1的形状可示例:球状、楠圆状、圆锥状、角锥状、圆柱状、角柱状、针状等，但 若考虑与导电粒子的重叠难度，则优选球状或圆柱状等具有曲线的形状。另外，希望具有曲 线的部位与膜面相对(对向）。运是由于:与导电粒子重复的情形，在进行各向异性导电连接 时，该重复容易解除。
[0038] 作为间隔物1的高度(各向异性导电膜的厚度方向的大小），优选在IC忍片的凸点 高度与布线的端子厚的总计中加入了导电粒子的平均粒径的30% W上且80% W下的大小。 具体而言，优选为高于如m且低于75皿。
[0039] 间隔物1在各向异性导电膜面上的面积占有率优选为2% W上。另外，间隔物1彼此 之间的粒子间隔优选为导电粒子2的大小的2倍W上。运是由于:不会抑制连接时的树脂流 动。
[0040] 另外，间隔物1的形状为非球状时，在膜平面方向观察时，间隔物1的最长的平均为 导电粒子2的平均粒径的优选10倍W下、更优选5倍W下、特别优选3倍W下。运是由于：间隔 物1位于树脂流动相对最大的位置，因此不会抑制导电粒子2的过度流动。
[0041] 作为间隔物1的排列图案，只要是在间隔物配置区域A排列且为规则性的反复图案 即可，可采用各种的排列图案。例如可举出:直线状、曲线状(波状）、屈曲线状等。间隔物巧 面方向上具有各向异性时（圆柱等情形），通过外切于其上的虚拟圆表示排列的规则性。因 此，各向异性的方向可W是无规的。
[0042] 作为从平面方向观察间隔物1时的优选方案，可举出：如图3A所示，将粒子状的间 隔物IW规定间距单列配置于间隔物配置区域A的长度方向的方案，如图3B所示，将长的棒 状的间隔物1平行配置于膜长度方向的方案，如图3C所示，将微小棒状的间隔物1使间隔物1 的长度方向与膜的长度方向平行W规定间距配置的方案，如图3D所示，将微小棒状的间隔 物1使间隔物1的长度方向与膜的长度方向垂直W规定间距配置的方案，如图3E所示，将微 小棒状的间隔物1使间隔物1的长度方向对于膜的长度方向无规地配置W规定间距(微小棒 状间隔物的外切圆（图中，点线圆）的中屯、基准)配置的方案，如图3F所示，将球状的间隔物1 W规定间距双列配置的方案等，但不限于运些。作为间隔物1的配置位置，希望存在于由位 于IC忍片的端部的线状排列的凸点列夹入的区域的中屯、附近。连接时的弯曲在中屯、附近形 成。凸点列的个数或列数、总面积在IC端部彼此之间形成对称并非一般的配置，因此在间隔 物I的膜平面上的希望位置，不限于必需在中屯、形成，只要是在其附近则可赋予弯曲的减 少。
[0043] (各向异性导电膜的优选方案） W下，显示本发明的各向异性导电膜优选方案A~D，但本发明不限于运些。
[0044] 巧案 A" 方案A是下述的方案:如图4所示，各向异性导电膜100具有第1绝缘性粘接层41和第2绝 缘性粘接层42的层叠构造，导电粒子2分散于第1绝缘性粘接层41中，间隔物1在第1绝缘性 粘接层41的第2绝缘性粘接层42-侧的表面上规则性地排列。
[00例巧案护 方案B是下述的方案:如图5所示，各向异性导电膜100具有第1绝缘性粘接层41和第2绝 缘性粘接层42的层叠构造，导电粒子2分散于第1绝缘性粘接层41中，间隔物在第2绝缘性粘 接层42的第1绝缘性粘接层41 一侧的表面上规则性地排列。
[0046]巧案 C' 方案C是下述的方案:如图6所示，各向异性导电膜100具有第1绝缘性粘接层41和第2绝 缘性粘接层42的层叠构造，导电粒子2和间隔物1分别在第1绝缘性粘接层41的第2绝缘性粘 接层42-侧的表面上规则性地排列。
[0047] 巧案护 方案D是下述的方案:如图7所示，各向异性导电膜100具有第1绝缘性粘接层41和第2绝 缘性粘接层42的层叠构造，导电粒子在第1绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接层一侧的表面上 规则性地排列，间隔物在第2绝缘性粘接层的第1绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排 列。
[0048] 此外，在方案A、方案B、方案C、方案D的各方案中，导电粒子2和间隔物1有在各向异 性导电膜100的厚度方向重复的情形。即使是所述情形，由于进行各向异性导电连接时的加 压和树脂流动，所述重复通常也被解除，因此实际应用上几乎不会产生问题，但从各向异性 导电连接方向观察间隔物1时，若与导电粒子2重复的面积变得过大，则进行各向异性导电 连接时有可能重复不能完全解除，因此导电粒子2的重复面积优选为不足50%、更优选为 30% W下。
[0049] <导电粒子2> 作为导电粒子2,可从用于W往公知的各向异性导电膜的导电粒子中适当选择使用。例 如可举出：儀、钻、银、铜、金、钮等金属粒子、金属包覆树脂粒子等。还可将巧巾W上并用。
[0050] 作为导电粒子2的平均粒径，为了可与布线高度的偏差对应、而且抑制导通电阻的 提高、并且抑制短路的发生，优选为1~10皿，更优选为2~6皿。平均粒径可利用一般的粒度 分布测定装置进行测定。
[0051] 关于导电粒子2在各向异性导电膜100中的存在量，为了抑制导电粒子捕捉效率的 降低、并且抑制短路的发生，优选每1平方mm为50个W上且100000个W下，更优选为200个W 上且70000个W下。此外，导电粒子排列的情形，优选每1平方mm为50个W上且40000个W下。
[0052] "导电粒子2的规则性图案的排列" 导电粒子2的规则性图案的排列中的规则性图案是指，从各向异性导电膜100的表面透 视导电粒子2时能够识别的导电粒子2存在于长方形格子、正方格子、六方格子、菱形格子等 格子点的排列。构成运些格子的虚拟线(假想线)不仅可W是直线，还可W是曲线、屈曲线。
[0053] 相对于全导电粒子2的、W规则性图案排列的导电粒子2的比例是，W导电粒子数 基准计为了各向异性连接的稳定化而优选为90% W上。该比例的测定可利用光学显微镜等 来进行。
[0054] 另外，导电粒子2的粒子间距离、即导电粒子间的最短距离为导电粒子2的平均粒 径的优选0.5倍W上，更优选为1倍W上且5倍W下。
[0055] <绝缘性粘接层10、第1绝缘性粘接层41、第2绝缘性粘接层42( W下，有时仅简称 为绝缘性粘接层）> 本发明的构成各向异性导电膜100的绝缘性粘接层(1〇、41、42)可适当采用在公知的各 向异性导电性膜中使用的绝缘性树脂层。例如，通过使热或光阳离子、阴离子或自由基聚合 性树脂等的热或光聚合性树脂聚合成优选聚合率为50% W上且100% W下，可将导电粒子 固定化，而且即使在各向异性导电连接时进行加热，树脂也难W流动，因此可大幅抑制短路 的发生。因此，可使导通可靠性和绝缘性提高，并且也可使安装粒子捕捉效率提高。特别优 选的绝缘性粘接层是使包含丙締酸醋化合物和光自由基聚合引发剂的光自由基聚合性树 脂层进行光自由基聚合而得的光自由基聚合树脂层。W下，对绝缘性粘接层为光自由基聚 合树脂层的情形进行说明。
[0056] (丙締酸醋化合物） 作为变成丙締酸醋单元的丙締酸醋化合物，可使用W往公知的光自由基聚合性丙締酸 醋。例如，可使用单官能（甲基）丙締酸醋（运里，（甲基）丙締酸醋中包括丙締酸醋和甲基丙 締酸醋）、二官能W上的多官能（甲基)丙締酸醋。本发明中，为了使粘接剂为热固化性，优选 丙締系单体的至少一部分使用多官能（甲基)丙締酸醋。
[0057] 关于绝缘性粘接层中的丙締酸醋化合物的含量，从粘度和固化收缩率的平衡的角 度考虑，优选为2质量％ W上且70质量％ ^下，更优选为10质量％ W上且50质量％ W下。
[0058] (光自由基聚合引发剂） 作为光自由基聚合引发剂，可从公知的光自由基聚合引发剂中适当选择使用。例如，可 举出苯乙酬类光聚合引发剂、苯甲基缩酬类光聚合引发剂、憐类光聚合引发剂等。
[0059] 关于光自由基聚合引发剂的使用量，相对于丙締酸醋化合物100质量份，过少则光 自由基聚合不充分进行，过多则成为刚性降低的原因，因此优选为0.1质量份W上且25质量 份W下，更优选为0.5质量份W上且15质量份W下。
[0060] 根据需要，可在绝缘性粘接层中并用苯氧基树脂、环氧树脂、不饱和聚醋树脂、饱 和聚醋树脂、聚氨醋树脂、下二締树脂、聚酷亚胺树脂、聚酷胺树脂、聚締控树脂等的成膜树 月旨。后述的绝缘性粘接层中也可同样地并用。
[0061] 关于绝缘性粘接层的层厚，过薄则存在安装导电粒子捕捉效率降低的倾向，过厚 则存在导通电阻变高的倾向，因此优选为1皿W上且15皿W下，更优选为2~10皿。
[0062] 根据需要，还可在绝缘性粘接层中含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合 引发剂。由此，可提高层间剥离强度。
[0063] (环氧化合物） 在绝缘性粘接层是含有环氧化合物和热或光阳离子或阴离子聚合引发剂的热或光阳 离子或阴离子聚合性树脂层时，作为环氧化合物，可优选举出：分子内具有2个W上环氧基 的化合物或树脂。它们可W是液状，也可W是固体状。
[0064] (热阳离子聚合引发剂） 作为热阳离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂公知的引发 剂，例如，可使用通过热使阳离子聚合性化合物进行阳离子聚合而发生得到的酸的公知的 舰鐵盐、硫鐵盐、憐鐵盐、二茂铁类等，可优选使用对溫度显示良好的潜在性的芳香族硫鐵 ±h rm. O
[0065] 关于热阳离子聚合引发剂的渗混量，过少则存在固化不良的倾向，过多则存在制 品寿命降低的倾向，因此，相对于环氧化合物100质量份，优选为2质量份W上且60质量份W 下，更优选为5质量份W上且40质量份W下。
[0066] (热阴离子聚合引发剂） 作为热阴离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阴离子聚合引发剂公知的引发 剂，例如，可使用通过热使阴离子聚合性化合物进行阴离子聚合而发生得到的碱的公知的 脂肪族胺类化合物、芳香族胺类化合物、二级或=级胺类化合物、咪挫类化合物、聚硫醇类 化合物、=氣化棚-胺络合物、双氯胺、有机酷阱等，可优选使用对溫度显示良好的潜在性的 胶囊化咪挫类化合物。
[0067] 关于热阴离子聚合引发剂的渗混量，过少则存在固化不良的倾向，过多则存在制 品寿命降低的倾向，因此，相对于环氧化合物100质量份，优选为2质量份W上且60质量份W 下，更优选为5质量份W上且40质量份W下。
[0068] (光阳离子聚合引发剂和光阴离子聚合引发剂） 作为环氧化合物用的光阳离子聚合引发剂或光阴离子聚合引发剂，可适当使用公知的 引发剂。
[0069] <<各向异性导电膜的制备方法>> 其次，简单地说明本发明的各向异性导电膜的制备方法的一个例子。
[0070] (制备方法1) 含有导电粒子和间隔物的各向异性导电膜、且间隔物在该各向异性导电膜的宽度方向 中央部排列的各向异性导电膜，可如下制备：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异 性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的该开口处收容间隔物，将构成各向异 性导电膜的绝缘性粘接层压入到转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到绝缘性粘接 层上。
[0071] (制备方法2) 上述方案A的各向异性导电膜，可如下制备：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各 向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的该第1开口处收容间隔物，将构 成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接层压入到转印型的第1开口形成面 上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一步层叠第2绝缘性粘接层。
[0072] (制备方法3) 上述方案B的各向异性导电膜，可如下制备：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各 向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的该第1开口处收容间隔物，将构 成各向异性导电膜的第2绝缘性粘接层压入到转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到 第2绝缘性粘接层上，进一步层叠构成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接 层。
[0073] (制备方法4) 上述方案C的各向异性导电膜，可如下制备：用于收容间隔物的第1开口在相当于该各 向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成、且在其W外的部分形成有用于收容导电粒 子的第2开口的转印型的该第1开口处收容间隔物，接着在第2开口处收容导电粒子，将构成 各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接层压入到转印型的第1和第2开口形成 面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一步层叠第2绝缘性粘接层。
[0074] (制备方法5) 上述方案D的各向异性导电膜，可如下制备： 用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形 成的第1转印型的第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的第1绝缘性粘接层压入 到第1转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上， 用于收容导电粒子的第2开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部W外的位 置所形成的第2转印型的第2开口处收容导电粒子，将构成各向异性导电膜的第2绝缘性粘 接层压入到第2转印型的第2开口形成面上，使导电粒子转贴到第2绝缘性粘接层上， 将转贴有间隔物的第1绝缘性粘接层和转贴有导电粒子的第2绝缘性粘接层进行层叠， 使间隔物和导电粒子位于内侧。
[0075] <转印型、第1转印型、第2转印型（W下，有时仅称为转印型）> 在运些的制备方法中，作为转印型，例如，对于娃、各种陶瓷、玻璃、不诱钢等金属等的 无机材料或各种树脂等的有机材料等，通过光刻法等公知的开口形成方法形成开口的转印 型。所述转印型可获取板状、漉状等的形状。
[0076] 作为转印型的第1开口 W及第2开口的形状，可分别示例：圆柱状、四角柱等的多角 柱状、四角锥等的角锥状等。
[0077] 作为第1开口 W及第2开口的排列，为分别对应于间隔物W及导电粒子的规则性图 案的排列。
[0078] 此外，转印型的第1开口 W及第2开口的直径和深度可利用激光显微镜进行测定。
[0079] 作为转印型的在第1开口内收容间隔物的方法W及在第2开口内收容导电粒子的 方法，没有特别限定，可采用公知的方法。例如，将所干燥的导电粒子粉末或使其分散于溶 剂中而得的分散液散布或涂布于转印型的开口形成面上之后，可使用刷子或刮板等涂抹开 口形成面的表面。
[0080] (第1开口） 关于第1开口的直径(第1开口直径)与间隔物的平均粒径之比（=第1开口直径/间隔物 平均径），从间隔物的收容容易度、绝缘性树脂的压入容易度等的平衡角度考虑，优选为1.1 W上且2.0^下、更优选为1.2^上且1.8^下、特别优选为1.3^上且1.7^下。
[0081] 另外，关于间隔物的平均粒径与第1开口的深度(第1开口深度)之比（=间隔物平 均径/第1开口深度），从转印性提高、间隔物保持性等的平衡角度考虑，优选为0.4W上且 3.0^下、更优选为0.5^上且1.5^下。
[0082] 此外，关于第1开口的基底侧的底部直径(第1开口基底部直径)与间隔物的平均粒 径之比（=第1开口基底部直径/导电粒子平均粒径），从导电粒子的收容容易度、绝缘性树 脂的压入容易度等的平衡角度考虑，导电粒子的平均粒径的优选为1.1W上2.OW下、更优 选为1.2W上且1.7W下、特别优选为1.3W上且1.6W下。
[0083] (第 2开口） 另一方面，关于第2开口的直径(第2开口直径)与导电粒子的平均粒径之比（=第2开口 直径/导电粒子平均粒径），也从导电粒子的收容容易度、绝缘性树脂的压入容易度等的平 衡角度考虑，优选为1.1 W上且2.OW下，更优选为1.3W上且1.8W下。
[0084] 另外，关于导电粒子的平均粒径与第2开口的深度(第2开口深度)之比（=导电粒 子平均粒径/第2开口深度），也从转印性提高和导电粒子保持性的平衡角度考虑，优选为 0.4W上且3.0^下，更优选为0.5^上且1.5^下。
[0085] 此外，关于第2开口的基底侧的底部直径(第2开口基底部直径)与导电粒子的平均 粒径之比（=第2开口基底部直径/导电粒子平均粒径），从导电粒子的收容容易度、绝缘性 树脂的压入容易度等的平衡角度考虑，导电粒子的平均粒径优选为1.1 W上且2.OW下、更 优选为1.2W上且1.7W下、特别优选为1.3W上且1.6W下。
[0086] 此外，将第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层进行层叠时，优选将第1绝缘性粘接 层进行预固化处理(加热或紫外线照射等）。由此，可将导电粒子或间隔物假固定。
[0087] <<各向异性导电膜的用途>> 如此得到的各向异性导电膜优选适用于通过热或光将IC忍片、IC模块等的第1电子部 件和柔性基板、玻璃基板等的第2电子部件进行各向异性导电连接时。如此得到的连接构造 体也是本发明的一部分。此时，对于布线基板等的第2电子部件，假贴合各向异性导电膜，对 于进行了假贴合的各向异性导电膜，搭载IC忍片等的第1电子部件，从第1电子部件一侧进 行热胶合，运从提高连接可靠性的角度考虑优选。另外，也可利用光固化进行连接。 实施例
[0088] W下，通过实施例更具体地说明本发明。此外，W下的实施例1、5、9的各向异性导 电膜的构造具有W下的方案A的构造(参照图4);实施例2、6、10的各向异性导电膜具有方案 B的构造(参照图5);实施例3、7、11的各向异性导电膜具有方案C的构造(参照图6);实施例 4、8、12的各向异性导电膜具有方案D的构造(参照图7)。
[0089] 实施例1 (方案A) (分散保持有导电粒子的第1绝缘性粘接层的形成） 将苯氧基树脂(YP-50、新日铁化学(株））60质量份、丙締酸醋巧P600、歹^电瓜?哥斗テ ッ夕（株））40质量份、光自由基聚合引发剂（IRGACURE 369、S菱化学(株））2质量份、W及平 均粒径4皿的导电粒子(锻Ni /Au树脂粒子、AUL704、积水化学工业(株））50质量份在甲苯中 制备成固体成分为50质量%的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的聚对苯二甲酸乙二醇 醋剥离膜(PET剥离膜)上，使干燥厚度为6皿，在80°C的烘箱中干燥5分钟，从而形成了光自 由基聚合型的第1绝缘性粘接层。
[0090] (间隔物用转印型） 其次，在图3A所示的图案中，准备了用于间隔物的直径23皿且深度15皿的第1开口 W纵 30WI1间距设置的不诱钢制的转印型。
[0091] 该转印型的第1开口处一个一个地收容了平均粒径（间隔物高度）15wii的球状间隔 物(SSX-115、积水化成品工业(株））。
[0092] (排列有间隔物的第1绝缘性粘接层的形成） 使第1绝缘性粘接层与该转印型的开口形成面相对(对向），通过从剥离膜一侧在60°C、 〇.5MPa的条件下进行加压，将间隔物压入了第1绝缘性粘接层。
[0093] 其次，通过从该导电粒子一侧照射波长365皿、累积光量4000mL/cm2的紫外线，使 间隔物假固定于表面中央部，形成了分散保持有导电粒子的第1绝缘性粘接层。
[0094] (第2绝缘性粘接层的形成） 其次，将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、环氧树脂（jER828、S菱 化学(株））40质量份、W及光阳离子聚合引发剂(SI-60、=新化学工业(株））2质量份在甲苯 中制备成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的PET剥离膜上，使干 燥厚度为12皿，通过在8(TC的烘箱中干燥5分钟，形成了比较厚的第2绝缘性粘接层。
[00%](第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层压） 通过将比较厚的第2绝缘性粘接层在6(TC、0.5MPa的条件下层压到如此得到的第1绝缘 性粘接层上，使间隔物位于内侧，获得了各向异性导电膜。
[0096] 实施例2 (方案B) (分散保持有导电粒子的第1绝缘性粘接层的形成） 与实施例1同样，形成含有导电粒子的第1绝缘性粘接层，而且，通过照射波长365nm、累 积光量4000mL/cm2的紫外线，形成了分散保持有导电粒子的第1绝缘性粘接层。
[0097] (表面上排列有间隔物的第2绝缘性粘接层的形成） 其次，将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、环氧树脂（jER828、S菱 化学(株））40质量份、W及光阳离子聚合引发剂(SI-60、=新化学工业(株））2质量份在甲苯 中制备成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的PET剥离膜上，使干 燥厚度为12皿，通过在8(TC的烘箱中干燥5分钟，形成了比较厚的第2绝缘性粘接层。
[0098] 其次，在图3A所示的图案中，准备了用于间隔物的直径23WI1且深度15WI1的第1开口 W纵30皿间距设置的不诱钢制的转印型。
[0099] 该转印型的第1开口处一个一个地收容了平均粒径（间隔物高度）15wii的球状间隔 物(SSX-115、积水化成品工业(株））。
[0100] 使第2绝缘性粘接层与该转印型的开口形成面相对(对向），通过从剥离膜一侧在 60°C、0.5MPa的条件进行加压，将间隔物压入了第2绝缘性粘接层。
[0101] 其次，通过从该导电粒子一侧照射波长365皿、累积光量4000mL/cm2的紫外线，形 成了表面中央部上假固定有间隔物的第2绝缘性粘接层。
[0102] (第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层压） 通过将表面中央处假固定有间隔物的比较厚的第2绝缘性粘接层在6(TC、0.5MPa的条 件下层压到如此得到的分散保持导电粒子的第1绝缘性粘接层上，使间隔物位于内侧，获得 了各向异性导电膜。
[0103] 实施例3 (方案C) (表面上排列有导电粒子和间隔物的第1绝缘性粘接层的形成） 在图3A所示的图案中，准备了用于间隔物的直径23皿且深度15皿的第1开口 W纵30皿 间距设置、且在其W外的表面上用于导电粒子的直径6皿且深度4皿的第2开口 W4WI1间距二 维性设置的不诱钢制的转印型。
[0104] 该转印型的第1开口处一个一个地收容了平均粒径（间隔物高度）15皿的球状间隔 物(SSX-115、积水化成品工业(株）），其次，在第2开口处一个一个地收容了平均粒径4WI1的 导电粒子(锻Ni /Au树脂粒子、AUL704、积水化学工业(株)）。
[0105] 将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、丙締酸醋化P600、^^ir 瓜?哥^テッ夕（株））40质量份、W及光自由基聚合引发剂（IRGACURE 369、S菱化学(株））2 质量份在甲苯中制备成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的聚对 苯二甲酸乙二醇醋剥离膜(PET剥离膜)上，使干燥厚度为6皿，通过在80°C的烘箱中干燥5分 钟，形成了光自由基聚合型的第1绝缘性粘接层。
[0106] 将不含有该导电粒子的第1绝缘性粘接层从剥离膜一侧在6(TC、0.5MPa的条件下 加压到预先准备的转印型上，由此将间隔物和导电粒子压入到第1绝缘性粘接层上。
[0107] 其次，通过从该导电粒子一侧照射波长365皿、累积光量4000mL/cm2的紫外线，形 成了表面中央部假固定有间隔物，其周围假固定有导电粒子的第1绝缘性粘接层。
[0108] (第2的绝缘性粘接层的形成） 其次，将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、环氧树脂（jER828、S菱 化学(株））40质量份、W及光阳离子聚合引发剂(SI-60、=新化学工业(株））2质量份在甲苯 中制备成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的PET剥离膜上，使干 燥厚度为12皿，通过在8(TC的烘箱中干燥5分钟，形成了比较厚的第2绝缘性粘接层。
[0109] (第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层压） 接着，通过将比较厚的第2绝缘性粘接层在6(TC、0.5MPa的条件下层压到如此得到的表 面上排列有导电粒子和间隔物的第1绝缘性粘接层上，使间隔物位于内侧，获得了各向异性 导电膜。
[0110] 实施例4 (方案D) (表面上排列有间隔物的第2绝缘性粘接层的形成） 在图3A所示的图案中，准备了用于间隔物的直径23皿且深度15皿的第1开口 W纵30皿 间距设置的不诱钢制的转印型1，该转印型的第1开口处一个一个地收容了平均粒径（间隔 物高度)15皿的球状间隔物(SSX-115、积水化成品工业(株)）。
[0111] 将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、环氧树脂（j邸828、S菱化 学(株））40质量份、W及光阳离子聚合引发剂(SI-60、=新化学工业(株））2质量份在甲苯中 审恪成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50皿的PET剥离膜上，使干燥 厚度为12WI1，通过在8(TC的烘箱中干燥5分钟，形成了比较厚的第2绝缘性粘接层。
[0112] 使第2绝缘性粘接层与该转印型的开口形成面相对(对向），通过从剥离膜一侧在 60°C、0.5M化的条件下进行加压，将间隔物压入到第2绝缘性粘接层上。
[0113] 其次，通过从该导电粒子一侧照射波长365皿、累积光量4000mL/cm2的紫外线，形 成了表面中央部假固定有间隔物的第2绝缘性粘接层。
[0114] (表面上排列有导电粒子的第1绝缘性粘接层的形成） 准备了表面上W4WI1间距二维性设置有用于导电粒子的直径6WI1且深度4WI1的第2开口 的不诱钢制的转印型，在第2开口处一个一个地收容了平均粒径4皿的导电粒子(锻Ni/Au树 脂粒子、AUL704、积水化学工业(株)）。
[0115] 将苯氧基树脂(YP-50、新日铁住友化学(株））60质量份、丙締酸醋化P600、^^ir 瓜?哥^テッ夕（株））40质量份、W及光自由基聚合引发剂（IRGACURE 369、S菱化学(株））2 质量份在甲苯中制备成固体成分为50质量％的混合液。将该混合液涂布于厚度50WI1的聚对 苯二甲酸乙二醇醋剥离膜(PET剥离膜)上，使干燥厚度为6皿，通过在80°C的烘箱中干燥5分 钟，形成了光自由基聚合型的第1绝缘性粘接层。
[0116] 将该第1绝缘性粘接层从剥离膜一侧在60°C、0.5MPa的条件下加压到预先准备的 转印型上，由此将导电粒子压入到第1绝缘性粘接层上。
[0117] 其次，通过从该导电粒子一侧照射波长365皿、累积光量4000mL/cm2的紫外线，形 成了表面上假固定有导电粒子的第1绝缘性粘接层。
[0118] (第1绝缘性粘接层和第2绝缘性粘接层的层压） 接着，通过将表面中央处假固定有间隔物的比较厚的第2绝缘性粘接层在6(TC、0.5MPa 的条件下层压到如此得到的表面上排列有导电粒子的第1绝缘性粘接层上，使间隔物位于 内侦U，获得了各向异性导电膜。
[0119] 实施例5~8 除了代替平均粒径(间隔物高度）15皿的球状间隔物而使用平均粒径（间隔物高度)1化 m的球状间隔物(SSX-110、积水化成品工业(株））W外，与实施例1~4同样，获得了各向异性 导电膜。
[0120] 实施例9~10 除了代替平均粒径（间隔物高度）15皿的球状间隔物而使用间隔物高度15WI1且间隔物 长度20皿的玻璃圆柱(7斗夕口 口 yK PF系列、日本电气硝子(株）似外，与实施例1同样，获 得了各向异性导电膜。此外，玻璃圆柱使用了多次过478筛目的筛子而使高度一致的圆柱。 关于玻璃圆柱间隔物，如图3E所示，呈现横向静止的状态，其长度方向是无规的。
[0121] 比较例1 除了不使用间隔物W外，与实施例1同样，获得了各向异性导电膜。
[0122] 比较例2 制作第1绝缘性粘接层时，使间隔物未在第1绝缘性粘接层的表面上排列、并且加入到 导电粒子中且将间隔物10质量份均匀分散于其中，从而制作第1绝缘性粘接层，除此W外， 与实施例1同样，获得了各向异性导电膜。
[0123] < 评价 > 对于各实施例和比较例的各向异性导电膜，分别如下进行试验并评价了（a)初期导通 电阻、（b)导通可靠性、（C)短路发生率、（d)压痕，所得结果示于表1。此外，压痕用于评价对 于凸点的导电粒子的压入均匀性。
[0124] (a)初期导通电阻 将各实施例和比较例的各向异性导电膜夹入初期导通和导通可靠性的评价用IC和玻 璃基板之间，进行加热加压（18(TC、80M化、5秒），获得各评价用连接物，使用数字万用表 7557(横河电气(株））测定了该评价用连接物的导通电阻。运里，该各评价用IC和玻璃基板， 它们的端子图案相对应，尺寸如下。
[0125] 初期导通的评价用IC 外径：1.8 X 20mm 厚度:0.2mm Bump规格:锻金、高度9皿、尺寸30 X 85皿 玻璃基板 玻璃材质:Corning公司制造 外径：30 X 50mm 厚度:0.5mm 电极:ITO布线 (b)导通可靠性 对将(a)初期导通电阻的评价用IC与各实施例和比较例的各向异性导电膜的评价用连 接物放置于溫度85°C、湿度85%畑的恒溫槽中500小时之后的导通电阻，与(a)初期导通电 阻同样进行了测定。此外，若该导通电阻为5 Q W上，则从所连接的电子部件的实用的导通 稳定性的角度考虑不优选。
[0126] (C)短路发生率 作为短路发生率的评价用1C，准备了下面的IC(7.5皿间隔的梳齿TEGUest element group))。
[0127] 外径:1.5 X 13mm 厚度:0.5mm Bump规格:锻金、高度15皿、尺寸25 X 140皿、Bump间Gap7.5皿 将各实施例和比较例的各向异性导电膜夹入短路发生率的评价用IC和对应于该评价 用IC的图案的玻璃基板(供于初期导通电阻测定的玻璃基板)之间，在与(b)同样的连接条 件下进行加热加压，获得连接物，求出了该连接物的短路发生率。短路发生率(ppm)由"短路 的发生数/7.5WI1间隔总数"算出。
[012引（d)压痕 作为压痕的评价用1C，准备了下面的1C。
[0129] 外径:1.4 X 20mm 厚度:0.2mm Bump规格:锻金、高度15WI1、尺寸15 X 1 OOwii、3列交错排列(输出侧凸点：将IC短边方向 外侧作为第1列凸点、将IC短边方向中央侧作为第3列凸点;输入侧凸点:40 X 60皿） 将各实施例和比较例的各向异性导电膜夹入压痕的评价用IC和对应于该评价用IC的 图案的玻璃基板(供于初期导通电阻测定的玻璃基板)之间，在与(a)初期导通电阻试验同 样的连接条件下进行加热加压，获得连接物，对于该连接物的各向异性导电连接部中的第1 列凸点和第3列凸点，任意选择各10个的凸点，从玻璃基板一侧使用光学显微镜研究凸点表 面有无压痕，基于W下的评价基准，进行了评价。实际应用上希望为B评价W上。
[0130] 等级基准 AA:所观察的10个凸点中，观察到压痕的凸点数目为10个的情形 A:所观察的10个凸点中、观察到压痕的凸点数目为8或9个的情形 B:所观察的10个凸点中、观察到压痕的凸点数目为1~7个的情形 C:所观察的10个凸点中、观察到压痕的凸点数目为0个的情形 该1]
由表1可明确，关于实施例1~12的各向异性导电膜，各评价项目均为实际应用上没有 问题的结果。相对于此，比较例1的各向异性导电膜的情形，由于在比较例1中没有间隔物， 因此IC短边方向外侧的第1列凸点中没有观察到压痕。另外，比较例2的各向异性导电膜的 情形，由于间隔物分散于膜全体中，因此在初期导通电阻和导通可靠性的试验中为"open" 的结果，且IC短边方向外侧的第1列凸点和第3列凸点中没有观察到压痕。
[0131] 此外，导电粒子排列的方案(方案C、D)与分散的情形(方案A、B)相比，特别显著地 降低了短路的发生率。另外，关于间隔物的形状和大小，与球状IOwii相比优选球状15WH，更 优选玻璃圆柱15皿。
[0132] 产业上的可利用性 本发明的各向异性导电膜在其宽度方向中央部排列有间隔物。因此，进行各向异性导 电连接时，可抑制IC忍片产生弯曲，所W，初期导通值不会提高，且可抑制短路的发生率。 故，对于IC忍片等的电子部件的布线基板的各向异性导电连接有用。
[0133] 附图标记说明 1间隔物； 2导电粒子； 10绝缘性粘接层； 41第1绝缘性粘接层； 42第2绝缘性粘接层； 100各向异性导电膜； A间隔物配置区域。
【主权项】
1. 各向异性导电膜，其是含有导电粒子和间隔物的各向异性导电膜，其中，间隔物在该 各向异性导电膜的宽度方向中央部排列。2. 权利要求1所述的各向异性导电膜，其中，该膜的宽度方向中央部的宽度为该膜的总 宽度的20%以上且80%以下。3. 权利要求1或2所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜的厚度方向的间隔物 的高度为高于5μηι且低于75μηι。4. 权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜具有第1绝缘 性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构造，导电粒子分散于第1绝缘性粘接层中，间隔物在 第1绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列。5. 权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜具有第1绝缘 性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构造，导电粒子分散于第1绝缘性粘接层中，间隔物在 第2绝缘性粘接层的第1绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列。6. 权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜具有第1绝缘 性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构造，导电粒子和间隔物分别在第1绝缘性粘接层的第 2绝缘性粘接层一侧的表面上规则性地排列。7. 权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜，其中，各向异性导电膜具有第1绝缘 性粘接层和第2绝缘性粘接层的层叠构造，导电粒子在第1绝缘性粘接层的第2绝缘性粘接 层一侧的表面上规则性地排列，间隔物在第2粘接层的第1绝缘性粘接层一侧的表面上规则 性地排列。8. 权利要求1所述的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用于收容间 隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的该 开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的绝缘性粘接层压入到转印型的第1开口形成 面上，使间隔物转贴到绝缘性粘接层上。9. 权利要求4所述的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用于收容间 隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的该 第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接层压入 到转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一步层叠第2绝缘性 粘接层。10. 权利要求5所述的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用于收容 间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成的转印型的 该第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的第2绝缘性粘接层压入到转印型的第1 开口形成面上，使间隔物转贴到第2绝缘性粘接层上，进一步层叠构成各向异性导电膜的分 散有导电粒子的第1绝缘性粘接层。11. 权利要求6所述的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行：用于收容 间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形成、且在其以 外的部分形成有用于收容导电粒子的第2开口的转印型的该第1开口处收容间隔物，接着在 第2开口处收容导电粒子，将构成各向异性导电膜的分散有导电粒子的第1绝缘性粘接层压 入到转印型的第1和第2开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上，进一步层叠第 2绝缘性粘接层。12. 权利要求7所述的各向异性导电膜的制备方法，所述制备方法如下进行： 用于收容间隔物的第1开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部的位置所形 成的第1转印型的第1开口处收容间隔物，将构成各向异性导电膜的第1绝缘性粘接层压入 到第1转印型的第1开口形成面上，使间隔物转贴到第1绝缘性粘接层上， 用于收容导电粒子的第2开口在相当于该各向异性导电膜的宽度方向中央部以外的位 置所形成的第2转印型的第2开口处收容导电粒子，将构成各向异性导电膜的第2绝缘性粘 接层压入到第2转印型的第2开口形成面上，使导电粒子转贴到第2绝缘性粘接层上， 将转贴有间隔物的第1绝缘性粘接层和转贴有导电粒子的第2绝缘性粘接层进行层叠， 使间隔物和导电粒子位于内侧。13. 权利要求9~12中任一项所述的制备方法，其中，在第1绝缘性粘接层的另一面上层 叠另外的绝缘性粘接层。14. 连接构造体，其是通过权利要求1~7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部 件与第2电子部件进行各向异性导电连接而得。15. 通过权利要求1~7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件 进行各向异性导电连接的连接方法，所述连接方法如下进行： 对于第2电子部件，假贴合各向异性导电膜，对于进行了假贴合的各向异性导电膜，搭 载第1电子部件，从第1电子部件一侧进行热胶合。
【文档编号】C09J9/02GK105981150SQ201580009455
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年1月29日
【发明人】荒木雄太, 石松朋之
【申请人】迪睿合株式会社