导电膜、包括导电膜的触摸板及包括导电膜的显示装置的制造方法

文档序号:10625527阅读:581来源:国知局
导电膜、包括导电膜的触摸板及包括导电膜的显示装置的制造方法
【专利摘要】导电膜、包括导电膜的触摸板及包括导电膜的显示装置。一种在触摸板中使用的导电膜,该导电膜包括:基底构件,其内部限定有传感器区和非活动区;形成在基底构件的传感器区和非活动区中的传感器电极,该传感器电极包括限定了网状结构的纳米材料导体;保护层,其被构造成覆盖传感器区和非活动区中的传感器电极;以及配线电极,其形成在非活动区中的保护层上,该配线电极包括电连接到传感器电极的焊盘部分和连接到焊盘部分的配线部分,其中,保护层包括位于传感器电极和配线电极之间并包括凹部的第一部分,该凹部包括穿过保护层形成的穿孔和为第一部分提供比保护层的剩余部分小的厚度的薄膜部分中的至少一个。
【专利说明】
导电膜、包括导电膜的触摸板及包括导电膜的显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种导电膜和包括这种导电膜的触摸板和显示装置。
【背景技术】
[0002]近来,包括透明导电薄膜在内的导电膜已应用于诸如显示器、触摸屏等的各种电子装置。这样的导电膜是通过在塑料基板上形成透明导电(低电阻)薄膜并对该透明导电薄膜进行构图而形成的。
[0003]相关技术的透明导电薄膜通常是经由诸如铟锡氧化物的材料的真空沉积而形成的。但是,使用铟锡氧化物导致高的材料成本,而且真空沉积会导致低产出率。此外,铟锡氧化物不是柔性的,因此很难将它们应用于柔性电子装置。此外,铟锡氧化物的高电阻使得难以将铟锡氧化物应用于大面积的电子装置。

【发明内容】

[0004]因此,鉴于上述问题而提出本发明,并且本发明的一个目的是提供一种导电膜,该导电膜具有优异的性能,并且可以通过简单的工艺来制造,并适用于触摸板、包括导电膜的触摸板和包括导电膜的显示装置。
[0005]根据一个实施方式,本发明提供了一种在触摸板中使用的导电膜,该导电膜包括:基底构件,其中限定有传感器区和非活动区;传感器电极,其形成在所述基底构件的所述传感器区和所述非活动区中,所述传感器电极包括限定了网状结构的纳米材料导体;保护层,其被构造成覆盖所述传感器区和所述非活动区中的所述传感器电极;以及配线电极,其形成在所述非活动区中的所述保护层上,所述配线电极包括电连接到所述传感器电极的焊盘部分和连接到所述焊盘部分的配线部分,其中,所述保护层包括位于所述传感器电极和所述配线电极之间并具有凹部的第一部分,所述凹部包括通孔和薄膜部分中的至少一个,所述通孔穿过所述保护层形成,并且所述薄膜部分为所述第一部分提供比所述保护层的剩余部分小的厚度。
[0006]根据另一个实施方式,本发明提供了一种触摸板,该触摸板包括:上述用于触摸板的导电膜;以及传感器电极,其与所述导电膜的所述传感器电极隔开并被配置为在与所述导电膜的所述传感器电极交叉的方向上延伸。
[0007]根据又一个实施方式,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的触摸板和位于所述触摸板后侧用于显示图像的显示面板。
【附图说明】
[0008]通过以下结合附图进行的详细文字描述,本发明的的上述和其它目的、特征和其它优点将得到更清楚的理解,附图中:
[0009]图1是示出根据本发明实施方式的触摸板的平面图;
[0010]图2是沿图1的I1-1I线截取的剖面图;
[0011]图3是示出用于在图1中所示的触摸板中形成凹部的压力工具的一个例子的立体图;
[0012]图4是示出根据本发明的一个另选实施方式的触摸板的一部分的剖面图。
[0013]图5是示出根据本发明另一另选实施方式的触摸板的一部分的剖视图。
[0014]图6是示出根据本发明又一另选实施方式的触摸板的一部分的平面图。
[0015]图7是示出根据本发明再一另选实施方式的触摸板的一部分的平面图;
[0016]图8是示出根据本发明另一实施方式的触摸板的剖面图;
[0017]图9是示出根据本发明又一实施方式的触摸板的剖面图;
[0018]图10是示出根据本发明再一实施方式的触摸板的剖面图;并且
[0019]图11是示出根据实施方式的显示装置的示意性立体图。
【具体实施方式】
[0020]以下,将参照附图来详细描述本发明的实施方式。然而,本发明并不限定于这些实施方式,可能有多种变型。
[0021]为了对本发明进行清晰和简要的说明,在附图中示出了与描述无关的部件,并且在整个说明书中使用相同的附图标记来指代相同或相相似的部分。另外,在附图为了清楚说明,厚度、宽度等被夸大或缩小,本发明的厚度、宽度等不限于附图中的图示。
[0022]此外,在整个说明书中,当一个元件被称为“包括”另一元件时,措辞“包括”指示另一元件的存在,但不排除其它的附加元件的存在,除非上下文另有明确说明。此外,当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称作“在”另一元件“上”时,所述一个元件可以直接在另一元件上,也可以存在一个或更多个中间元件。相反,当诸如层、膜、区域或板的一个元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在一个或更多个中间元件。
[0023]在下文中,将参照附图详细描述根据本发明实施方式的触摸板和制造该触摸板及包括在触摸板中的导电膜的方法、以及制造导电膜的方法。此外,将详细描述根据本发明实施方式的包括触摸板的显示装置。
[0024]图1是示出根据本发明一个实施方式的触摸板的平面图,图2是沿图1的I1-1I线截取的剖面图。为了清楚和简要说明,在图1中,优先示出了第一传感器电极14和第二传感器电极24以及第一配线电极16和第二配线电极26,没有示出盖基板30、第一明粘合层42和第二透明粘合层44、第一基底构件12和第二基底构件22、第一保护层18和第二保护层28等。
[0025]如图1和2中示例性示出的,根据本实施方式的触摸板100包括活动区AA和环绕活动区AA的非活动区NA。活动区AA是其中设置有传感器电极14和24以感测用户的手或输入设备(如触笔等)的触摸的区域。非活动区NA是布置有连接到外部电路(例如,显示装置的用于控制触摸板100的触摸控制单元)以传输在活动区AA中感测到的信息的柔性印刷电路板(FPCB) 19和29、连接到FPCB 19和29的配线电极16和26等的区域。另外,在非活动区NA中布置有用于物理上保护构成触摸板100的各种层、元件等并覆盖所述各种层、元件和设置在非活动区NA中的其它各种元件的边框、黑色印刷层等。
[0026]根据本实施方式的触摸屏100包括第一导电膜10,第一导电膜10具有第一传感器电极14和连接到第一传感器电极14的第一配线电极16、按照与第一传感器电极14绝缘的方式设置的第二传感器电极24、以及连接到第二传感器电极24的第二配线电极26。
[0027]在本实施方式中,第二传感器电极24和第二配线电极26被设置在第二基底构件22上以构成第二导电膜20。另外,触摸板100还包括盖基板30、使盖基板30和第一导电膜10彼此附接的第一透明粘接层42、以及使第一导电膜10和第二导电膜20彼此附接的第二透明粘接层44。将在下面进行更详细的说明。
[0028]盖基板30可以由可保护触摸板100免受外部冲击并允许光透射过触摸板100的材料制成。例如,盖基板30可以由玻璃制成。然而,本发明不限于此,并且对盖基板30的材料的各种改变是可能的。
[0029]第一透明粘接层42被插入盖基板30与第一导电膜10之间以将它们相互结合,并且第二透明粘接层44被插入第一导电膜10与第二导电膜20之间以将它们相互结合。通过第一透明粘接层42和第二透明粘接层44,构成触摸板100的多个层可以被彼此联接为整体。这种情况下,在第一柔性印刷电路板19和第二柔性印刷电路板29附连到第一导电膜10和第二导电膜20之后,第一导电膜10和第二导电膜20分别结合到第一透明粘接层42和/或第二透明粘接层44。
[0030]第一透明粘接层42和第二透明粘接层44可以由具有粘性以允许位于其两侧的层粘接在一起且具有透光性的材料制成,更具体地,可以由光学胶(OCA)制成。所述光学胶具有优良的粘合力以及高的耐湿性、耐热性、发泡性和可加工性,并防止第一传感器电极14和/或第二传感器电极24和第一配线电极16和/或第二配线电极26的劣化。第一透明粘接层42和第二透明粘接层44可以由各种已知的光学透明胶中的任一种形成。
[0031]第一导电膜10和第二导电膜20被布置在盖基板30上(图中在盖基板30的下表面上)。在本实施方式中,虽然第一传感器电极14形成在第一基底构件12上以构成第一导电膜10并且第二传感器电极24形成在第二基底构件22上以构成第二导电膜20,但是本发明不限于此,并且各种改变是可能的。将在后面参照图8至10更加详细地描述。
[0032]第一导电膜10包括第一基底构件12、形成在第一基底构件12上的第一传感器电极14、覆盖第一传感器电极14的第一保护层18以及形成在第一保护层18上并在非活动区NA处电连接到第一传感器电极14的第一配线电极16。
[0033]第一基底构件12可以为薄膜、片材、基板等形式,并且由具有透光性和绝缘性并保持第一导电膜10的机械强度的材料制成。第一基底构件12可以由聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚-2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、纤维素丙酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯等中的至少一种制成。例如,第一基底构件12可由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成,尽管本发明不限于此,并且第一基底构件12可以由除了上述材料以外的多种其它材料制成。
[0034]形成在第一基底构件12上的第一传感器电极14包括第一传感器部分142和分别将相邻的第一传感器部分142彼此连接的第一连接部分144、布置在活动区AA中的第一传感器部分142和第一连接部分144、以及从位于活动区AA中的第一传感器部分142或第一连接部分144延伸以位于非活动区NA中的第一配线连接部分146。
[0035]第一传感器部分142用于基本上感测输入设备或用户的手指的触摸。附图示出了第一传感器部分142为菱形,并且占据活动区AA中的很大区域,与第二传感器电极24的第二传感器部分242 —起有效地感测触摸。然而,本发明并不限于此,第一传感器部分142可以为任何其它形状,如包括三角形和矩形的多边形、圆形,椭圆形等。第一连接部分144用于将第一传感器部分142在第一方向(图中的水平方向)上彼此连接起来。这样,第一传感器电极14可以在活动区AA内沿着第一方向延伸很长的长度。
[0036]第一配线连接部分146从第一传感器部分142或第一连接部分144延伸到非活动区NA中,并且第一配线连接部分146的某些部分直接连接或电连接到第一配线电极16 (更具体地,第一焊盘部分162)。附图示出了每个第一配线连接部分146都是第一传感器部分142的菱形形状的一部分。通过该构造,第一配线连接部分146可具有与第一传感器部分142相似的图案,并具有相对大的宽度或面积,这确保了第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间容易连接。在这种情况下,第一配线连接部分146被堆叠在第一配线电极16 (更具体地,第一焊盘部分162)上以与第一焊盘部分162稳定连接。将在下面描述第一配线电极16时进行更详细的说明。
[0037]在本实施方式中,第一传感器电极14是由透明且导电的透光材料制成的。例如,第一传感器电极14可以包括具有网状结构的纳米材料导体14a (例如,金属纳米线,诸如银纳米线、铜纳米线、铂纳米线等)。这里,网状结构是诸如纳米线的相邻纳米材料导体在它们的接触点缠绕以形成一个网、网状等的结构,由此通过接触点实现电连接。
[0038]由于第一传感器电极14包括透明且导电的纳米材料导体14a,所以第一传感器电极14可以通过成本比沉积工艺低的湿法涂敷(wet coating)来形成。即,第一传感器电极14可以通过湿法涂敷包含诸如纳米线的纳米材料导体的糊剂、油墨、混合物、溶液等以形成电极层并对该电极层进行构图而形成。在这种情况下,包括在湿法涂敷所使用的溶液、混合物、糊剂等中的纳米材料导体14a的浓度非常低(例如,1%或更少)。因此,所得到的第一传感器电极14的制造成本可以降低,并导致生产率的提高。
[0039]此外,包括纳米材料导体14a的第一传感器电极14在能透射光的同时可以实现低电阻和优异的电特性。例如,银(Ag)纳米颗粒的表面可以有各种晶面,因而容易引起各向异性生长,并且使得能够容易生产银纳米线。银纳米线可以具有大约10 0/1112至400 0/1112的电阻,这给予了第一传感器电极14大约ΙΟΩ/m2至150 Ω/m 2的低电阻。这样,第一传感器电极14可以具有任何不同的电阻。具体地,第一传感器电极14可以表现出比电阻约为200 Ω /m2至400 Ω /m2的铟锡氧化物高的导电性。另外,银纳米线可具有比铟锡氧化物高的透光率(例如,90%或更多)。另外,银纳米线可以是柔性的,因而适用于柔性装置,并且这种材料的供应是稳定的。
[0040]如上所述,纳米线(特别是银纳米线)例如可具有1nm到60nm的半径和10 μ m至Ij 200 μ m的长轴长度。在此范围内,银纳米线可具有高纵横比(例如,1:300至1:20000),这样就形成了网状结构,并有效地屏蔽了第一传感器电极14。但本发明并不限于于此,纳米线的半径、长轴长度和长宽比可以改变。
[0041]在本实施方式中,作为第一传感器电极14包括具有网状结构的纳米材料导体14a的结果,实现了材料成本的降低和各种性能的改进。
[0042]采取了包括上述具有网状结构的纳米材料导体14a的导电层的形式的第一传感器电极14可以被构成使得纳米材料导体14a存在于具有均匀厚度的层中,或者空隙存在于纳米材料的导体14a之间。事实上,第一传感器电极14可以通过应用纳米材料导体14a和极少量的溶剂、粘合剂等的混合物来形成。这样,第一传感器电极14包括由溶剂、粘合剂等形成的残留部分14b,并且残留部分14b具有相对小的第一厚度Tl,使得导体14a延伸出残留部分14b。这样,由导体14a限定的网状结构可具有相对大的第二厚度T2。请注意,在下面的描述中,第一传感器电极14的厚度并不是指残留部分14b的第一厚度Tl,而是指残留部分14b和从残留部分14b向上突出的导体14a所存在的层的总厚度,也就是第二厚度T2。
[0043]根据触摸板100的尺寸、所需的电阻值以及第一传感器电极14的材料,第一传感器电极14的厚度可以改变为不同的值。在这种情况下,当第一传感器电极14包括具有网状结构的金属纳米线时,第一传感器电极14的厚度可以最小化。例如,第一传感器电极14可以具有50nm到350nm的厚度,因为该厚度确保容易形成具有期望电阻的第一传感器电极14。然而,本发明不限于此,并且第一传感器电极14的厚度可以具有任意的其它值。
[0044]覆盖位于第一基底构件12上的第一传感器电极14的第一保护层18用于通过物理和化学的方式保护第一传感器电极14。更具体地,第一保护层18被配置成包围延伸出残留部分14b的整个导体14a,以防止导体14a的损坏或导体14a的氧化。更具体地,第一保护层18可通过物理的方式保护从残留部分14b向上突出的导体14a,以防止导体14a由于外力等而弯曲。
[0045]另外,因为当导体14a长时间暴露于外界空气时会发生氧化,从而表现出降低的电导率,所以可以形成第一保护层18来覆盖导体14a。在本实施方式中,因为第一传感器电极14包括具有网状结构的纳米材料导体14a,所以提供了能够提高导体14a的物理稳定性并防止导体14a被氧化的第一保护层18。
[0046]例如,一些第一保护层18可被引入导体14a之间的空隙以填充这些空隙,并且一些第一保护层18可以存在于导体14a的上方。不同于本实施方式,即使当导体14a被包括在残留部分14a中而不是向残留部分14b的上方突出,第一保护层18也可用于防止导体14a被进入残留部分14a的外部空气所氧化。因此,第一保护层18可以形成为直接接触第一传感器电极14或导体14a。
[0047]另外,第一保护层18可以整个形成在第一基底构件12上以覆盖第一传感器电极
14。这里,“整个形成”一词不仅可以指没有空余区域的完美形成,而且可以指不可避免遗漏了某些部分的形成。
[0048]上述第一保护层18可以由树脂制成。例如,第一保护层18可由丙烯酸树脂制成。然而,本发明不限于此,第一保护层18可以由任何的其它材料制成。此外,第一保护层18可以被形成为通过多种涂敷方法中的任一种覆盖整个第一传感器电极14。
[0049]例如,第一保护层18可具有50nm到200nm的厚度。当第一保护层18的厚度低于50nm时,第一保护层18可能无法充分地防止导体14a的氧化。当第一保护层18的厚度超过200nm时,材料成本增加。然而,本发明并不限于此,第一保护层18的厚度可包括各种其它值。
[0050]附图和上述实施方式示出了第一传感器电极14的残留部分14b和第一保护层18被构造为不同的层。然而,本发明不限于此。在另一个实施方式中,通过施敷例如油墨(第一传感器电极14的导体14a和残留部分14b和第一保护层18的构成材料的混合物),导体14a可以被包括在单个第一保护层18中。各种其它的改变也是可能的。
[0051]设置在第一保护层18上的非活动区NA中的是连接到第一配线连接部146的第一配线电极16。更具体地,第一配线电极16包括:第一焊盘部分162,其堆叠在第一配线连接部分146上且第一焊盘部分162与第一配线连接部分146之间插入有第一保护层18从而电连接到第一配线连接部分146 ;以及第一配线部164,其从第一焊盘部分162向外延伸。在此情况下,第一焊盘部分162的宽度可大于第一配线部分164的宽度,以实现第一焊盘部分162和第一配线连接部分146之间的稳定连接。
[0052]如上所述,第一保护层18可以物理地保护包括具有网状结构的纳米材料导体14a的第一传感器电极14,并且防止由于导体14a氧化而出现的问题。因此,本实施方式的第一保护层18位于第一传感器电极14的第一传感器部分142和第一连接部分144上并且位于处于非活动区NA中的第一配线连接部分146上。
[0053]这样,在本实施方式中,因为第一保护层18位于第一传感器电极14与第一配线电极16之间(更具体地,位于第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间),所以第一保护层18会使第一传感器电极14与第一配线电极16之间的连接劣化。这是因为,虽然第一保护层18具有小的厚度,并且不中断第一传感器电极14与第一配线电极16之间的电连接,但是第一保护层18可由绝缘树脂等制成,从而对电连接产生影响。
[0054]为了描述清楚起见,在下文中,第一保护层18的位于第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间(例如,位于第一配线连接部分146和第一焊盘部分之间162之间以与其接触)的部分将被称为第一部分181,而第一保护层18的覆盖第一传感器部分142的除第一部分181以外的其它部分将被称为第二部分182。尽管第一保护层18的第二部分182用于如上所述地改善第一传感器部分142的特性,并且第一保护层18的第一部分181用于改善第一配线连接部分146的特性,第一部分181可能造成第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的电连接的劣化。
[0055]考虑到这个问题,在本实施方式中,每个第一部分181包括形成在其某些位置上的穿孔18a,以允许第一配线连接部分146接触并连接到第一焊盘部分162。如上所述,由于第一部181用于改善第一配线连接部分146的特性,所以优选地,当在某些位置上形成穿孔18a后,第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间的第一部分181的剩余的区域覆盖了第一配线连接部分146,以防止例如第一配线连接部分146中的导体14a的氧化。
[0056]虽然本实施方式示出了在第一部分181的某些部分上穿过第一部分181形成穿孔18a,但是第一部分181的区域可具有比其余区域小的厚度以形成薄膜部分(参见图5的标号18b)。将在下面参照图5进行详细描述。
[0057]假设在覆盖第一传感器电极14的第一保护层18上形成了大面积的穿孔18a,例如,可能会发生第一传感器电极14 (更具体地,第一配线连接部分146)的氧化,从而引起第一传感器电极14的特性的劣化。考虑到这个问题,在本实施方式中,也可以在位于一个第一配线连接部分146与连接到该第一配线连接部分146的一个第一焊盘部分162之间的每个第一部分181中形成多个小面积的穿孔18a。这样,第一保护层18就可以实现第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间稳定的连接,同时还改善了第一传感器电极14的特性。
[0058]例如,可以在每个第一部分181中形成4至64个穿孔18a。当形成在每个第一部分181中的穿孔18a的数量低于4个时,电连接可能不足。当穿孔18a的数量超过64个时,第一部分181中的第一保护层18的面积过小,这会使第一保护层18难以改善第一配线连接部分146的特性。然而,本发明不限于此,为每个第一部分181提供两个或更多个穿孔18a可以是足够的。
[0059]在此情况下,穿孔18a在平面图中可具有多种布置中任一种。例如,穿孔18a可以在每个第一部分181中以多列和多行方式布置为矩阵。这种布置可保证第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间均匀且致密的连接,并增加第一配线连接部分146的纳米材料导体14a和第一焊盘部分162之间的连接的概率。
[0060]另外,穿孔18a的这种规则排列可以减小在形成穿孔18a的过程中由第一配线连接部分146施加的冲击,从而最小化对纳米材料导体14a的任何损害。这是因为穿孔18a是通过向第一保护层18的第一部分181施加压力而形成的。下面将更详细地描述这种形成穿孔18a的方式。
[0061]例如,每个第一部分181中的穿孔18a可以被布置为2至8列和2至8行的矩阵。此矩阵排列用于使穿孔18a的电连接以及第一部分181取得的效果最大化。更具体地,穿孔18a可以被布置为3至5列和第3至5行的矩阵。然而,本发明并不限于此,各种其它的改变是可能的。
[0062]穿孔18a的列或行可与第一配线连接部分146的边缘平行地布置,也可以不与第一配线连接部分146的边缘平行地布置。各种其它的布置也是可能的。
[0063]这里,布置穿孔18a的区域181a(参见图1)的面积(S卩,通过所有穿孔18a当中最外周的穿孔18a互连所限定的假想区域的面积)可以在整个第一配线连接部分146或者整个第一焊盘部分162的面积的20%至80%的范围以内。当区域181a的面积低于20%时,穿孔18a所占据的面积过小,这可能导致第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的电连接不充足。当区域181a的面积超过80%时,穿孔18a所占据的面积过大,这可能需要增加相对于第一配线连接部分146的对准精度。这是因为对准精度的降低可能会导致穿孔18a形成在不希望的位置上。
[0064]在这种情况下,布置穿孔18a的区域181a的长度或宽度可以在第一焊盘部分162的长度或宽度的15%到85%的范围以内。当区域181a的长度或宽度低于15%时,穿孔18a所占据的面积过小,这可能会导致第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的电连接不充足。
[0065]当区域181a的长度或宽度超过85%时,穿孔18a所占据的面积过大,这可能需要增加相对于第一配线连接部分146的对准精度。这是因为,对准精度的降低可能会导致穿孔18a形成在不希望的位置上,而不是形成在第一配线连接部分146中。但本发明不限于此,区域181a的面积和长度或宽度可包括各种其它值。
[0066]穿孔18a的总面积(所有穿孔18a的面积的总和值)可以在布置穿孔18a的区域181a的面积的30%至50%的范围以内。当穿孔18a的面积低于30%时,穿孔18a的面积是不够的,而这可能会导致述第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的电连接的不充足。当穿孔18a的面积超过50%时,每一个第一部分181中的第一保护层18的面积被减小,而这可能会导致第一配线连接部分146的特性劣化。
[0067]例如,每个穿孔18a的宽度或直径可以在ΙΟμπι到500 μπι的范围以内。这里,穿孔18a的最大宽度或直径,或穿孔18a的纵轴长度可以被确定为穿孔18a的宽度或直径。当各个穿孔18a的宽度或直径小于10 μπι时,电连接可能是低效的。当各个穿孔18a的宽度或直径超过500 μπι时,每个第一部分181中的第一保护层18的面积减小,这可能导致第一配线连接部分146的特性劣化。为了实现第一配线连接部分146的电连接和性能的改进,穿孔18a的宽度或直径可以在10 μ m到100 μ m的范围以内。然而,本发明不限于此,穿孔18a的宽度或直径可以改变为各种其它值。
[0068]另外,相邻穿孔18a之间的距离可以在0.1mm到0.9mm的范围以内。这里,相邻穿孔18a之间的最短距离可以被确定为相邻穿孔18a之间的距离。当相邻穿孔18a之间的距离低于0.1mm时,每个第一部分181中的第一保护层18的面积被减小,这可能导致第一配线连接部分146的特性劣化。当相邻穿孔18a之间的距离超过0.9mm时,电连接可能是低效的。然而,本发明不限于此,穿孔18a之间的距离可以改变为各种其它值。
[0069]每个穿孔18a可具有各种形状中的任一种,诸如包括矩形和三角形的多边形、圆形、椭圆形、楔形等。
[0070]在本实施方式中,穿孔18a可通过在第一保护层18上放置压力工具40 (如图3所示,其包括具有尖头的压力件42,例如销(pin)),然后施加压力以引起第一保护层18的断裂或损坏来形成。由此,穿孔18a可以表现为加压点(S卩,由压力产生的裂纹或由压力产生的凹部或压痕)的形式。这是可能的,因为第一保护层18具有小的厚度。通过用这种方法形成穿孔18a,可以在没有复杂构图(例如使用掩模等进行刻蚀)的情况下形成穿孔18a。
[0071]作为使用具有带尖端的压力件42的压力工具40形成穿孔18a的结果,穿孔18a可以在接近第一基底构件12的位置具有比在相对位置(即,第一保护层18的表面(外表面)或远离第一基底构件12和第一电极14的位置)小的面积。这是因为,第一保护层18首先形成,然后通过使用压力工具40将压力施加到第一保护层18的表面来形成穿孔18a。例如,因为穿孔18a的面积可以随着与第一基底构件12的距离增加而逐渐增大,所以穿孔18a可具有槽口形横截面(例如,V形横截面)。
[0072]穿孔18a的侧面可以具有比第一保护层18的表面的表面粗糙度大的表面粗糙度。当穿孔18a是如上所述通过施加压力至第一保护层18以造成第一保护层18破损或损坏而形成时,由于形成穿孔18a的过程中施加的压力,穿孔18a的侧面会具有相当大的表面粗糙度。例如,穿孔18a的侧面的表面粗糙度可以是1nm或更大(例如,1nm到10 μπι的范围),并且第一保护层18的表面的表面粗糙度可以低于10nm。
[0073]然而,穿孔18a的侧面的表面粗糙度可以根据在形成穿孔18a时的工艺条件等而变化,并且第一保护层18的表面的表面粗糙度可以根据第一保护层18的构成材料、形成方法等而改变。因此,本发明并不限定于上述数值。
[0074]穿孔18a可穿过第一保护层18形成,使得穿孔18a的前端(S卩,穿孔18a的靠近第一基底构件12的端部)与第一配线连接部分146接触。在这种情况下,如图所示,穿孔18a延伸到第一配线连接部分146,以增大第一焊盘部分162与传感器电极14中的(更具体地,第一配线连接部分146中的)纳米材料导体14a接触的概率。S卩,穿孔18a可以形成在第一保护层18以及第一配线连接部分146中。由此,填充穿孔18a的第一焊盘部分162可到达第一配线连接部分146内部,从而实现了与第一配线连接部分146的纳米材料导体14a的连接的改善。例如,形成在第一配线连接部分146中的穿孔18a的深度T4可以在第一配线连接部分146的厚度T3的40%至100%的范围以内。这得到了第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间的连接的改善。
[0075]然而,本发明不限于此,并且各种改变是可能的。由此,形成在第一配线连接部分146中的穿孔18a的深度T4可以是第一配线连接部分146的厚度T3的40%或更低。另外,穿孔18a的位置可以改变。这将在下面参照图4和图5进行说明。图4和图5是示出了根据本发明另选实施方式的第一导电膜10的穿孔18a的剖视图,并且示出了与图2右侧的放大圆相对应的一部分。
[0076]如在图4中示例性示出的,穿孔18a可延伸到第一基底构件12以及第一保护层18和第一配线连接部分146。S卩,穿孔18a可延伸穿过第一保护层18和第一配线连接部分146并形成在第一基底构件部件12的区域中。因此,穿孔18a可被充分地在整个第一保护层18中形成,这可以稳定地最大化第一配线连接部分146和第一焊盘部分162之间的连接。在这种情况下,当穿孔18a以过大的深度形成在第一基底构件12中时,第一基底构件12的结构稳定性可能劣化。因此,形成在第一配线连接部分146中的穿孔18a的深度(即,配线连接部分146的厚度T3和第一基底构件12中的穿孔18a的深度T5的总和)可以在第一配线连接部分146的厚度T3的110%以内。也就是,第一基底构件12中的穿孔18a的深度T5可以是第一配线连接部分146的厚度T3的10%以内。但本发明不限于此,并且各种改变是可能的。
[0077]在另一个例子中,如图5中示例性地示出的,第一保护层18的区域中存在薄膜部分18b,而不是穿孔18a。S卩,在第一部分181中可以仅提供不穿透第一保护层18的薄膜部分18b并使第一保护层18在对应区域中具有比其剩余区域小的厚度。为第一保护层18提供减小的厚度的薄膜部分18b允许第一保护层18存在于整个第一部分181中。这样,整个第一配线连接部分146都被第一保护层18覆盖,这可以使第一保护层18对第一配线连接部分146的特性的改善最大化。另外,薄膜部分18b可以实现第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的缩短的距离,这改善了第一配线连接部分146与第一焊盘部分162之间的电连接。
[0078]薄膜部分18b的深度T6可以是第一配线连接部分146的厚度T3的20%或更多(例如,50%以上)。当薄膜部分18b的深度T6小于上述值时,薄膜部分18b可能无法表现出足够的效果,但本发明不限于此。
[0079]以上关于穿孔18b的描述可被直接应用于薄膜部分18b的数量、布置和平面形状、布置有薄膜部分18b的区域的面积、薄膜部分18b的总面积、薄膜部分18b的宽度或直径、薄膜部分18b之间的距离、形成薄膜部分18b的方法、薄膜部分18b的横截面形状等,因此将省略其相关详细说明。
[0080]如上所述,在本实施方式中,可以在第一保护层18的第一部分181中形成包括穿过第一保护层18形成的穿孔18a或通过在第一保护层18的厚度方向上部分移除第一保护层18而获得的薄膜部分18b的凹部180。也就是说,凹部是指厚度比第一保护层18的剩余部分小的任何凹陷部分或者在第一保护层18的中形成的通孔,并且在平面形状、布置等方面不受限制。
[0081]在上述说明和图示中,凹部180已经被描述为包括穿孔18a或薄膜部分18b。然而,本发明不限于此,并且位于第一配线连接部分146和与该第一配线连接部分146相对应的一个第一焊盘部分162之间的凹部180可以既包括穿孔18a又包括薄膜部分18b。各种其它改变也是可能的。
[0082]再次参照图1和2,第一配线电极16可以由高导电性金属制成,并且第一焊盘部分162可形成为填充穿孔18a(或薄膜部分18b)的第一焊盘部分162的材料。第一焊盘部分162可以被堆叠在第一配线连接部分146上并且第一焊盘部分162与第一配线连接部分146中间被插入第一保护层18 (更具体地,第一部分181),并且可以具有相对大的宽度或面积以与第一配线连接部分146连接。
[0083]另外,本实施方式示出了第一焊盘部分162具有比第一配线连接部分146小的面积,并且整个第一焊盘部分162与第一配线连接部分146交叠。例如,附图示出了第一配线连接部分146具有与第一传感器部分142的一半相对应的形状,即,大致梯形或等边三角形,并且第一焊盘部分162具有适于包括在第一配线连接部分146中的大致八边形形状。这使第一焊盘部分162的面积最小化,从而实现材料成本等的降低。
[0084]然而,本发明不限于此,根据所需的特性,第一配线连接部分146和第一焊盘部分162可以具有各种其它形状。下面将参照图6和图7说明这些不同的示例。图6和图7是平面图,示出了根据本发明实施方式的导电膜中的配线连接部分和焊盘部分的各种示例,并示出了与图1的放大部分相对应的部分。
[0085]参照图6,在本另选实施方式中,第一焊盘部分162可具有比第一配线的连接部分146大的面积。例如,该图示出了第一配线连接部分146具有与第一传感器部分142的一半相对应的形状,即大致梯形或等边三角形,而第一焊盘部分162具有比第一配线连接部分146大的面积,并具有大致八边形形状,使得整个配线连接部分146与第一焊盘部分162交叠。由此,具有增大的面积的第一焊盘部分162可以实现电阻的减小。此外,因此改善了与第一配线连接部分146的电连接。
[0086]参照图7,在本另选实施方式中,槽146a可以形成在第一配线连接部分146中。在这种情况下,当在平面图中观察时,槽146a从第一配线连接部分146的至少一个边缘缩进。具体地,在平面图中观察时,第一配线连接部分146的槽146a被定位成与第一焊盘部分162交叠,并且定位成连接到穿孔18a。由此,在形成第一焊盘部分162时,第一焊盘部分162可依次填充穿孔18a和槽146a,这会增大第一配线连接部分146与第一焊盘部分162的接触面积。这样,第一焊盘部分162与第一配线连接部分146之间可以实现较强的电连接。
[0087]尽管附图示出了第一焊盘部分162具有比第一配线连接部分146大的面积,但本发明不限于此,各种其它变化是可能的。
[0088]再次参照图1和图2,连接到第一焊盘部分162的第一配线连接部分146可具有相对小的宽度和细长的形状,以延伸到第一柔性印刷电路板19。
[0089]第一配线电极16可以通过各种方法中的任一种来形成。例如,第一配线电极16可以通过经由例如各种涂敷方法涂敷导电膏并通过热处理或煅烧(firing)固化导电膏来形成。第一配线电极16可以由金属制成,以实现高的导电性。例如,第一配线电极16可由含有导电粉末的导电膏制成,例如银(Ag)粉末等。然而,本发明并不限于此,第一配线电极16可以具有各种其它形状中的任一种并且由各种其它导电材料中的任一种形成。
[0090]上述第一导电膜10可以通过以下方法形成。首先,通过将纳米材料导体14a、溶剂、粘接剂等的混合物涂敷在整个第一基膜12上,干燥和/或热处理该混合物,并通过湿法刻蚀、激光刻蚀等对该混合物进行构图来形成第一传感器电极14。在这种情况下,在刻蚀时,所有的导体14a、残留部分14b和第一保护层18可在预定区域中被移除。另选地,在刻蚀时,可以选择性地仅仅将导体14a从预定区域移除,使得所述预定区域具有与导体14a相对应的空隙,从而防止电流的流动。然后,将第一保护层18形成在第一传感电极14上。然而,本发明并不限于此,对第一传感器电极14的构图可以在形成第一保护层18之后进行。各种其它的改变也是可能的。
[0091]然后,通过将图3中所示的压力工具40设置在第一保护层18的与非活动区NA中的第一传感器电极14的第一配线连接部分146相对应的位置处,并使用压力件42将压力施加到第一保护层18上导致第一保护层18损坏或断裂来形成凹部180,诸如穿孔18a、薄膜部分18b等。随后,将导电膏(其将形成第一配线电极16)施加到第一配线电极16的模中,并对施加的导电膏进行干燥和/或焙烧,以形成第一配线电极16。在此情况下,用于形成第一配线电极16的导电膏在填充诸如穿孔18a、薄膜部分18b等的凹部180的同时被固化。该制造方法仅仅是通过示例的方式给出的,本发明不限于此。
[0092]附图示出了第一配线电极16位于第一传感器电极14的两端以实现双布线(routing)结构。这用于减小具有相对长的长度的第一传感器电极14的电阻,从而防止由于电阻导致的任何损耗。然而,本发明不限于此,其它各种结构中的任一种是可能的,例如,第一配线电极16仅连接到第一传感器电极14 一侧的单布线结构。
[0093]另外,该图示出了第一配线电极16经由位于活动区AA两侧的两个非活动区NA连接到任意外部组件。然而,本发明并不限于此,第一配线电极16可以经由位于活动区AA —侧的一个非活动区NA连接到外部元件,或可以延伸到活动区AA的上侧和下侧中的任一侧以便经由活动区域AA的相应侧连接到外部组件。各种其它的改变也是可能的。
[0094]第一配线电极16可以连接到第一柔性印刷电路板19来进行外部连接。第一柔性印刷电路板19可包括基底构件和形成在该基底构件上的配线。当第一柔性印刷电路板19的配线与第一配线电极16接触时,第一配线电极16和第一柔性印刷电路板19可以彼此电连接。然而,本发明并不限于此,例如各向异性导电胶(ACA)、各向异性导电膏(ACP)、各向异性导电膜(ACF)等的导电粘接构件可以位于第一柔性印刷电路板19的配线与第一配线电极16之间以实现它们之间的电连接。
[0095]第二导电膜20包括第二基底构件22、形成在第二基底构件22上的第二传感器电极24、覆盖第二传感器电极24的第二保护层28以及在非活动区NA中形成在第二保护层28上并电连接到第二传感器电极24的第二配线电极26。
[0096]形成在第二基底构件22上的第二传感器电极24可以包括第二传感器部分242和分别将相邻的第二传感器部分242彼此连接起来的第二连接部分244,第二传感器部分242和第二连接部分244被布置在活动区AA中,并且第二传感器部分242从位于活动区AA中的第二连接部分244或第二配线连接部分246延伸,以位于非活动区NA中。第二保护层28被构造成覆盖第二传感器电极24,并且第二配线电极26形成在非活动区NA中的第二保护层28上以便连接到第二配线连接部分246。更具体地,第二配线电极26包括:第二焊盘部分262,其堆叠在第二配线连接部分246上并且在第二焊盘部分262与第二配线连接部分246之间插入了第二保护层28以便电连接到第二配线连接部分246 ;以及第二配线部分264,其从第二焊盘部分262向外延伸。
[0097]第二传感器部分242布置在未设置第一传感器部分142的位置,并且第二连接部分244在与第一传感器电极14交叉的第二方向(图中的上下方向)延伸以将第二传感器部分242彼此连接起来。附图示出了第二配线电极26位于第二传感器电极24的下侧以实现单布线结构。因此,第二配线电极26被形成在位于活动区AA下侧的非活动区NA中。然而,本发明并不限于此,第二配线电极24可位于活动区域AA的上下左右侧中的一个或更多个侧上,各种其它变化也是可能的。
[0098]第二保护层28可以包括位于第二配线连接部分246和第二焊盘部分262之间的第一部分以及除了第一部分以外的第二部分。每个第一部分可设置有凹部280,诸如穿孔28a、薄膜部分等。
[0099]除了第二传感器电极24的延伸方向、第二配线电极26在平面图中的位置等以外,对第一导电膜10的描述也可以直接应用于第二导电膜20。也就是说,对第一基底构件12的描述也可以直接应用于第二基底构件22,并且对第一传感器电极14的描述也可以直接应用于第二传感器电极24。对第一保护层18和诸如穿孔18a或薄膜部分18b的凹部180的描述可以直接应用于第二保护层28和形成在第二保护层28中的诸如穿孔28a或薄膜部分的凹部280。对第一配线电极16的描述也可以直接应用于第二配线电极26。另外,对制造第一导电膜10的方法的描述可以直应用于制造第二导电膜20的方法。
[0100]第二配线电极26可以连接到第二柔性印刷电路板29来进行外部连接。对第一柔性印刷电路板19的描述也可以直接应用于第二柔性印刷电路板29,因此,将省略对其详细描述。
[0101]在附图和上面的描述中,为了清楚和简要说明,第一导电膜10被描述和示出为包括第一基底构件12、第一传感器电极14、第一保护层18和第一配线电极16,而第二导电膜20被描述和图示为包括第二基底构件22、第二传感器电极24、第二保护层28和第二配线电极26。然而,本发明并不限于此。因此,第一导电膜10和第二导电膜20还可分别包括保护性硬涂层、用于增强彼此堆叠的层之间的粘接的粘接层、底漆(primer)层等。各种其它的结构也可以应用到第一导电膜10和第二导电膜20。
[0102]可以通过利用第一透明粘接层42和第二透明粘接层44将上述的第一导电膜10和第二导电膜20结合到盖基板30来制造触摸板100。在具有在上述结构的触摸板100中,当输入装置或用户的手指触摸到第一传感器电极14和第二传感器电极24时,在输入装置接触的位置会出现电容差,出现电容差的位置可以被检测为触摸位置。
[0103]在根据本实施方式中的触摸板100或在触摸板100中使用的导电膜10和20中,由于内部包含的网状结构的纳米材料导体14a,传感电极14和24可以实现各种改进的特性。另外,通过用保护层18和28覆盖传感器电极14和24,能够防止例如传感器电极14和24的物理损害或氧化,这可以得到传感器电极14和24的特性的改进。在这种情况下,保护层18和28的用于连接在传感器电极14和24与配线电极16和26之间的第一部分181设置有凹部180和280,以改善传感器电极14和24与配线电极16和26之间的电连接,同时保持保护层18和28的效果。这样,包括设置有网状结构的纳米材料导体14a的传感器电极14和24的导电膜10和20可以提高传感器电极14和24以及配线电极16和26的电阻的均匀性,并且实现传感器电极14和24与配线电极16和26之间的改进的电连接。
[0104]在下文中,将详细描述根据本发明其它实施方式的触摸板和导电膜。将省略与上述说明相同或类似的部分的详细描述,下面仅对不同部分进行详细说明。上述实施方式和可应用于上述实施方式的另选实施方式、以下实施方式和可应用于以下实施方式的另选实施方式可以按照各种方式进行组合。
[0105]图8是示出根据本发明另一实施方式的触摸板的剖面图。参照图8,根据本实施方式的触摸板包括盖基板30、设置在盖基板10上的第一透明粘接层42以及设置在第一透明粘接层42上的第一导电膜10,第一导电膜10的一个表面上设置有第一传感器电极14、第一保护层18和第一配线电极16,并且另一个表面上设置有第二传感器电极24、第二保护层28和第二配线电极(参照图1的标号26)。S卩,在本实施方式中,作为触摸板中包括的两个电极的第一传感器电极14和第二传感器电极24可以位于第一基底构件12的不同表面,而分别连接到第一传感器电极14和第二传感器电极24的第一配线电极16和第二配线电极26位于第一基底构件12的不同表面。利用该构造,触摸板可以实现简化的结构,并且由于减少了作为厚度最大的元件的基底构件的数量,触摸板的厚度可以减小。
[0106]图9是示出根据本发明又一实施方式的触摸板的剖面图。参照图9,根据本实施方式的触摸板包括:设置有第二传感器电极24、第二保护层28和第二配线电极(参考图1中的标号26)的盖基板30 ;布置在盖基板30上以覆盖第二传感器电极24的第一透明粘接层42 ;以及设置在第一透明粘接层42上的第一导电膜10,并且第一导电膜10设置有第一传感器电极14、第一保护层18和第一配线电极16。在本实施方式中,作为第二传感器电极24等形成在盖基板30上的结果,触摸板可以实现简化的结构和减小的厚度。
[0107]在这种情况下,第二传感器电极24可以由与第一传感器电极14相同或不同的材料制成。例如,当第二传感器电极24由铟锡氧化物制成时,第二传感器电极24能够容易地形成在盖基板30上。由铟锡氧化物制成的第二传感器电极24可以消除对第二保护层28的需要。由于第一传感器电极14和第二传感器电极24的不同材料等造成的电阻差可以通过调整第一传感器电极14和第二传感器电极24的厚度来统一。另选地,当触摸板的水平长度和垂直长度存在差异时,具有相对低的电阻的第一传感器电极14可以是位于长轴的电极,具有相对高的电阻的第二传感器电极24可以是位于短轴的电极。各种其它的改变也是可能的。
[0108]图10是示出了根据本发明另一实施方式的触摸板的剖面图。参照图10,在本实施方式中,盖基板30和第一透明粘接层42被省略,硬涂层32被设置在第一导电膜10的前表面上。硬涂层32例如可以由丙烯酸树脂制成。通过省略盖基板30和第一透明粘接层42,触摸板实现了成本的降低和厚度的减小。
[0109]上述触摸板100可以适用于各种电子设备,更具体地,适用于显示设备以使显示设备能够进行触摸操作。例如,触摸板100可以应用于主要功能是显示图像的电视机,可以应用于执行图像显示功能以及其它功能的移动电话、平板电脑、笔记本电脑、手表等的屏幕,或者可以应用于家用电器的屏幕,诸如电冰箱、洗衣机、净水器等中(当这些家用电器被添加了图像显示功能时会实现改进的性能,尽管图像显示功能并不是它们的主要功能)。这样,触摸板100的作用是提高显示装置的操作便利性。
[0110]在下文中,将参照图η描述可应用根据本发明实施方式的触摸板100的显示装置200的一个示例。参照图11对显示装置200的图示和文字描述仅仅是通过举例的方式给出的,本发明并不限于此。此外,在图11中,为简短和清楚描述起见,将省略不与本发明直接相关的部分的图示,显示装置200被示意性地示出。
[0111]图11是示出根据本发明实施方式的显示装置的示意性立体图。参照图11,由标号200表示的显示装置包括框架210、触摸板100、显示面板220、背光单元230和后盖240。
[0112]框架210和后盖240不仅用于将诸如触摸板100、显示面板220和背光单元230的内部组件容纳于其中,而且也能稳定地固定这些组件。本实施方式示出了框架210和后盖240被设置成容纳并固定触摸板100、显示面板220和背光单元230,但本发明不限于此。代替框架210和后盖240,能够容纳并固定触摸板100、显示面板220和背光单元230的各种其它已知的结构都可以应用于本发明。具体地,可以根据触摸板100的应用领域按照多种方式来改变安装触摸板100、显示面板220和背光单元230的结构。
[0113]触摸板100可以是包括如上文参照图1至10所述的导电膜的触摸板。位于触摸屏100的后部用于显示图像的显示面板220可以从各种已知类型的显示面板中选择。例如,本实施方式示出了显示面板220是液晶显示面板。由于液晶显示面板没有自发光功能,所以设置了背光单元230来向显示面板220发射光。
[0114]背光单元230可以包括具有发光元件232以发射光的发光单元237和使从发光元件232发射的光均匀扩散的散射器239。
[0115]本实施方式示出了发光元件232分布在一个平面上的垂直型结构。该垂直型结构的发光单元237可以包括用于发射光的发光元件232、发光元件232被固定到的电路板234以及具有用于插入发光元件232的孔的反射器236,本发明不限于此。因此,例如,发光单元237可具有侧光式(edge type)结构,其中,发光元件232靠近侧表面设置。在侧光式结构中,例如,可与发光元件232 —起设置用于对光进行散射的导光板。各种对侧光式结构已知的技术都可以应用。
[0116]发光元件232是点光源,并且例如可以是发光二极管(LED)。LED寿命长、能耗低,并且可以减小尺寸并且可以是生态友好的。然而,本发明并不限于此,可以使用基于其它原理和方法进行发光的各种其它发光元件。另外,发光元件232的形状可以按照各种方式变为线光源、面光源等。
[0117]发光元件232可以彼此分开规定距离并固定到电路板234。电路板234可具有电路图案以提供协助发光元件232发光所需的电力。电路板234可以是印刷电路板(PCB)。另选地,电路板234可以是金属印刷电路板(MPBC),其下表面设置有金属层(例如,铝层)以向外辐射从发光元件232产生的热量。
[0118]反射器236被固定到电路板234,使得固定到电路板234的发光元件232被插入到反射器236的孔中。反射器236用于反射从发光元件232发射的光,由此防止不必要的光损失并提高亮度。反射器236可由任何能够反射光的各种材料中的任一种制成,例如,可以由金属制成。
[0119]虽然本实施方式示出发光单元237被配置为使得布置在印刷电路板234上的发光元件232被插入到反射器236的孔中,但本发明不限于此,发光单元237可具有各种其它结构中的任一种。
[0120]散射器239被布置在发光单元237上以散射从发光元件232发射的光并将光均匀地透射到显示面板220。诸如各种光学膜、遮光图案、棱镜结构等各种公知的结构和类型都可以应用到散射器239。
[0121]在上述说明中,以举例的方式将显示面板220描述为液晶显示面板。然而,本发明不限于此,显示面板220可以是各种其它面板中的任一种,例如等离子体显示面板(rop)、有机发光二极管(OLED)显示面板等。当显示面板220是PDP或OLED显示面板时,显示面板220具有自发光功能,可以省略背光单元230。
[0122]除了触摸板100、显示面板220和背光单元230,显示设备200还可以包括各种其它元件。例如,在框架210和触摸板100之间设置保护膜、玻璃基板等以保护触摸板100,还可以设置电路单元等以将触摸板100和显示面板200彼此电连接并驱动显示面板200,并且还可以设置紧固构件、粘接构件等以将各个部件彼此连接起来。各种其它的改变也是可能的。
[0123]根据本实施方式的显示装置200包括如上所述具有优良的电性能的触摸板100,从而实现了优异的触摸性能。
[0124]上述描述的特征、构造、效果等被包括在本发明的至少一个实施方式中,不应仅限于一个实施方式。此外,当本领域技术人员进行彼此结合或改变时,每个实施方式中示出的特征、构造、效果等可被相对于其它实施方式来实现。因此,与这些组合和修改相关的内容应该被解释为包括在所附权利要求所公开的本发明的主旨和精神中。
[0125]相关申请的交叉引用
[0126]本申请要求2014年8月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0105994和2014年9月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0125108,在此通过引用并入它们的公开内容。
【主权项】
1.一种在触摸板中使用的导电膜,该导电膜包括: 基底构件,其中限定有传感器区和非活动区; 传感器电极,其形成在所述基底构件的所述传感器区和所述非活动区中,所述传感器电极包括限定了网状结构的纳米材料导体; 保护层,其被构造成覆盖所述传感器区和所述非活动区中的所述传感器电极;以及 配线电极,其形成在所述非活动区中的所述保护层上,所述配线电极包括电连接到所述传感器电极的焊盘部分和连接到所述焊盘部分的配线部分, 其中,所述保护层包括位于所述传感器电极和配线电极之间并包括凹部的第一部分,所述凹部包括穿过所述保护层形成的穿孔和为所述第一部分提供比所述保护层的剩余部分的厚度小的厚度的薄膜部分中的至少一个。2.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述第一部分的所述凹部包括位于一个第一部分处的多个凹部。3.根据权利要求2所述的导电膜,其中,所述第一部分处的所述多个凹部在一个第一部分处的数量是4至64个。4.根据权利要求2所述的导电膜,其中,所述第一部分处的所述多个凹部被布置成矩阵。5.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述第一部分包括所述穿孔,并且所述穿孔延伸到所述传感器电极。6.根据权利要求5所述的导电膜,其中,位于所述传感器电极中的所述穿孔的深度在所述传感器电极的厚度的40%至100%的范围内。7.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述第一部分包括所述穿孔,并且所述穿孔贯通所述传感器电极并延伸到所述基底构件。8.根据权利要求7所述的导电膜,其中,位于所述基底构件中的所述穿孔的深度在所述传感器电极的厚度的10%以内。9.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述凹部在远离所述基底构件的区域处的面积大于靠近所述基底构件的区域处的面积。10.根据权利要求9所述的导电膜,其中,所述凹部的尺寸随着与所述基底构件的距离的增大而逐渐增大。11.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述凹部具有槽口形状。12.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述凹部包括侧表面,所述侧表面的表面粗糙度大于所述保护层的表面的表面粗糙度。13.根据权利要求12所述的导电膜,其中: 所述凹部的所述侧表面的表面粗糙度为1nm或更大,并且 所述保护层的所述表面的表面粗糙度低于10nm。14.根据权利要求1所述的导电膜,其中: 所述传感器电极包括多个传感器部分、被配置为将所述传感器部分彼此连接起来的连接部分以及从各个所述传感器部分或各个所述连接部分延伸到所述非活动区的配线连接部分, 所述配线电极包括所述焊盘部分和连接到所述焊盘部分的所述配线部分,所述焊盘部分被配置为填充所述凹部并连接到所述配线连接部分,并且 所述凹部位于具有所述配线连接部分或所述焊盘部分的面积的20%至80%的范围内的面积的区域中。15.根据权利要求1所述的导电膜,其中: 所述传感器电极包括多个传感器部分、被配置为将所述传感器部彼此连接起来的连接部分以及从各个所述传感器部分或各个所述连接部分延伸到所述非活动区的配线连接部分, 所述配线电极包括所述焊盘部分和连接到所述焊盘部分的所述配线部分,所述焊盘部分被配置为填充所述凹部并连接到所述配线连接部分, 位于所述传感器电极和所述配线电极之间的所述第一部分的所述凹部包括一个第一部分处的多个凹部,并且 所述一个第一部分处的所述多个凹部的总面积在设置有所述凹部的区域的面积的30%至50%的范围内。16.根据权利要求1所述的导电膜,其中,所述凹部具有ΙΟμπι至ΙΟΟμπι的范围内的宽度或直径。17.根据权利要求1所述的导电膜,其中: 位于所述传感器电极和所述配线电极之间的所述第一部分的所述凹部包括一个第一部分处的多个凹部,并且 所述一个第一部分处的所述多个凹部彼此隔开0.1mm至0.9mm范围内的距离。18.根据权利要求1所述的导电膜,其中: 所述第一部分包括所述穿孔, 所述传感器电极包括多个传感器部分、被配置为将所述传感器部分彼此连接起来的连接部分以及从各个所述传感器部分或各个所述连接部分延伸至所述非活动区的配线连接部分,并且 所述配线连接部分具有连接至所述穿孔的槽。19.一种触摸板,该触摸板包括: 根据权利要求1至19中的一项的用于所述触摸板的所述导电膜;以及另一个传感器电极,其与所述导电膜的所述传感器电极隔开并被配置为在与所述导电膜的所述传感器电极交叉的方向上延伸。20.一种显示装置,该显示装置包括: 根据权利要求19的触摸板;以及 显示面板,其位于所述触摸板的后侧以显示图像。
【文档编号】H01B5/14GK105989912SQ201510075800
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月12日
【发明人】李元雄
【申请人】Lg电子株式会社
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