发光二极管封装体及其制造方法
【专利摘要】一种发光二极管封装体，包括基板、设置在基板上表面的第一电极、第二电极及位于第一电极及第二电极之间的发光二极管，还包括由疏水性材料制成的挡圈，所述挡圈固定于所述基板上且围设所述发光二极管于其内，封装层形成在所述挡圈内并包覆所述发光二极管，所述封装层包括一底面及自底面延伸的弧形侧面，所述封装层的弧形侧面贴设所述挡圈的内表面。
【专利说明】
发光二极管封装体及其制造方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种发光装置，特别涉及一种发光二极管封装体及其制造方法。
【背景技术】
[0002] LED作为一种高效光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛应用到各 种领域。
[0003] 传统的LED封装体将LED芯片固定在封装基板上，通过在LED芯片外围涂覆封装 材料层而保护LED芯片。所述的大部分封装材料层由胶体与荧光粉混合而成，自LED芯片 出射的光线进入封装材料层并激发荧光粉后出射至外界。然而普通封装材料层中，因胶体 固有的强粘滞性使得形成在LED各周缘部的封装材料层形状不一，导致自LED芯片出射的 光线对荧光粉的激发程度不一而使LED封装体出光不均匀。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种出光均匀的发光二极管封装体及其制造方法。
[0005] -种发光二极管封装体，包括基板、设置在基板上表面的第一电极、第二电极及位 于第一电极及第二电极之间的发光二极管，还包括由疏水性材料制成的挡圈，所述挡圈固 定于所述基板上且围设所述发光二极管于其内，封装层形成在所述挡圈内并包覆所述发光 二极管，所述封装层包括一底面及自底面延伸的弧形侧面，所述封装层的弧形侧面贴设所 述挡圈的内表面。
[0006] 本发明中，所述挡圈使得所述封装层相互聚集后关于发光二极管对称，所述发光 二极管产生的光线可均匀激发所述封装层中的荧光粉而均匀出光，从而提高了当所述发光 二极管封装体出光均匀性。
【附图说明】
[0007] 图1是本发明所述发光二极管封装体的立体图。
[0008] 图2为图1所示发光二极管封装体的沿II-II剖面的剖视图。
[0009] 图3为图1所示发光二极管封装体的俯视图。
[0010] 图4-7为本发明所述的发光二极管封装体制造方法流程图。
[0011] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0012] 如图1-2所示，本发明所述的发光二极管封装体包括一基板10,设置在基板10 - 侧表面的多个发光二极管（LED)20、一第一电极11和一第二电极12、设置在基板10上且分 别围设在发光二极管20周围的多个挡圈30、以及设置于挡圈30内用以包覆所述发光二极 管20的封装层40。
[0013] 所述基板10呈长方体状，其由可透光的透明材料，如玻璃，蓝宝石等制成。在本实 施例中所述基板10具有如下尺寸：长度L :30毫米；宽度W为：0. 8毫米；高度Η为：0. 4毫 米。
[0014] 所述基板10包括一上表面101、一与上表面101相对的下表面102。
[0015] 所述第一电极11和第二电极12分别固定在基板10的上表面101的两端且与发 光二极管20间隔设置。
[0016] 所述多个发光二极管20固定在基板10的上表面101上且位于第一电极21与第 二电极22之间。在本实施例中，所述发光二极管20的数量为两个的时候，所述发光二极管 20之间通过串行连接后其引出的两端分别与第一电极21和第二电极22电连接。
[0017] 可以理解的，在其他实施例中，所述发光二极管20为单个时，所述多个发光二极 管20的Ν电极和Ρ电极直接与基板10的第一电极11和第二电极12电连接。
[0018] 请同时参考图3，所述挡圈30为疏水性材料制成的一环形结构，所述挡圈30的材 料可为光致抗蚀剂。所述挡圈30设置在所述基板10的上表面101将所述发光二极管20 围设其中。在本实施例中，所述挡圈30的横截面呈圆形，其高度为HI :100-300微米，最佳 高度H1为200微米；厚度W1为：0. 05-0. 1微米，最佳厚度W1为0. 07微米。
[0019] 所述挡圈30具体包括连接基板10的上表面101的内侧壁31、外侧壁32和连接内 侧壁31与外侧壁32的顶壁33。在本实施例中，所述内侧壁31和外侧壁32为为自上表面 101垂直向上延伸的圆弧面，顶壁33为与上表面101平行的圆弧面。
[0020] 所述封装层40由胶体与荧光粉混合而成。所述封装层40设置在基板10的上表 面101位于所述挡圈30内侧处且包覆所述发光二极管20。所述封装层40包括一底面41 和自底面41边缘朝向内侧壁31处延伸的弧形侧面42。所述底面41呈水平面。在本实施 例中，所述弧形侧面42与所述挡圈30的内侧壁31之间夹角为A :30-60度，最佳角度A为 45度，所述封装层40的高度为H2 :1-3毫米，最佳高度H2为2毫米。所述封装层40关于 所述发光二极管20的光轴对称。
[0021] 本发明还提供上述发光二极管封装结构的制造方法，具体步骤如下： 步骤一：如图4所示，提供一基板10 ; 所述基板10呈长方体，其由可透光的透明材料制成。基板10包括一上表面101和与 上表面101相对的下表面102。所述上表面101两端设置有第一电极11和第二电极12。
[0022] 步骤二：如图5所示，在基板10的上表面101上设置发光二极管20,并在发光二 极管20周围定义出一涂设区域； 步骤三：如图6所示，使用点胶机在所述发光二极管20外围的涂设区域内涂设形成挡 圈30 ; 所述挡圈30为疏水性材料制成的一环形结构。在本实施例中，所述挡圈30的横截面 呈圆形，其高度为100-300微米，最佳高度为200微米；厚度为0. 05-0. 1微米，最佳厚度为 0.07微米。
[0023] 步骤四：如图7所示，在基板10于挡圈30内侧部涂覆封装层40以包覆所述发光 二极管20 ; 在本发明中，通过在所述发光二极管20外围环设挡圈30后，设置封装层40于挡圈30 内侧并包覆发光二极管20。所述封装层40成型时，挡圈30的疏水性对封装层40产生斥力 而使得封装层40相互聚集后关于发光二极管20的光轴对称，所述发光二极管20产生的光 线可均匀激发所述封装层40中荧光粉而产生均匀白光，从而提高发光二极管封装体的出 光均匀性。
【主权项】
1. 一种发光二极管封装体，包括基板、设置在基板上表面的第一电极、第二电极及位于 第一电极及第二电极之间的发光二极管，其特征在于：还包括由疏水性材料制成的挡圈，所 述挡圈固定于所述基板上且围设所述发光二极管于其内，封装层形成在所述挡圈内并包覆 所述发光二极管，所述封装层包括一底面及自底面延伸的弧形侧面，所述封装层的弧形侧 面贴设所述挡圈的内表面。2. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述挡圈包括与基板上表面连 接的内侧壁、外?壁和连接内侧壁和外侧壁的顶壁。3. 如权利要求2所述发光二极管封装体，其特征在于：所述内侧壁、外侧壁和顶壁均为 自基板上表面垂直向上延伸的圆弧面，所述顶壁与所述基板上表面平行。4. 如权利要求2所述发光二极管封装体，其特征在于：所述弧形侧面与挡圈的内侧壁 之间呈30-60度的夹角。5. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述挡圈由疏水性材料制成。6. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述挡圈的高度为100-300微 米，所述挡圈的厚度为〇. 05-0. 1微米。7. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述基板呈长方体，其由可透光 的透明材料制成。8. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述封装层由胶体与荧光粉混 合而成。9. 如权利要求1所述发光二极管封装体，其特征在于：所述封装层关于所述发光二极 管的光轴对称。10. -种发光二极管封装体的制造方法，具体步骤如下： 步骤一：提供一基板，所述基板包括一上表面，所述上表面设置第一电极和第二电极； 步骤二：在基板上表面设置发光二极管，并定义出一涂设区域； 步骤三：在发光二极管外围的涂设区域内涂设形成挡圈，所述挡圈将所述发光二极管 围设于其中部； 步骤四：在基板于挡圈内侧部涂覆封装层以包覆所述发光二极管。
【文档编号】H01L33/48GK105990492SQ201510074191
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月12日
【发明人】邱镜学, 林雅雯, 凃博闵, 黄世晟
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司