基板处理装置以及基板处理方法

基板处理装置以及基板处理方法
【专利摘要】本发明提供抑制处理液附着在基板的非处理面上的基板处理装置以及方法。装置具有：保持构件，从下方将基板保持为水平；相向构件，具有与基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从主体部的周缘部中至少一部分向保持构件的侧方延伸的延伸设置部。在延伸设置部的顶端侧部分和保持构件的侧面部分中一个部分设置突出部，在另一个部分上设置限制结构，限制构件在以旋转轴为中心的周向上从突出部的前后与其相向，来限制突出部在周向上的相对移动。保持构件和相向构件在周向上的相对移动受到限制，该装置具有使保持构件和相向构件中的至少一方以旋转轴为中心旋转的旋转机构和向基板的处理面喷出处理液的喷嘴，突出部和限制结构比保持构件的上表面靠下方。
【专利说明】
基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
[0001]本发明涉及对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳电池用基板等(以下仅称“基板”)实施处理的基板处理技术。
【背景技术】
[0002]作为进行这种处理的基板处理装置，在专利文献1、2中公开了如下装置，S卩，使从下方将基板保持为水平的保持构件和与基板的上表面相向的遮断板旋转，并向基板供给处理液来对基板进行处理。遮断板比基板稍大一些，并在基板的上方接近位置覆盖基板。从遮断板的周缘部向下方突出设置的第一卡合部的顶端部与从保持构件的周缘部向上方突出设置的第二卡合部的顶端部在基板和保持构件之间的位置卡合。在保持构件和遮断板这样卡合的状态下，旋转驱动部使保持构件旋转。由此，遮断板向与保持构件相同的旋转方向并以相同的旋转速度被驱动旋转，来防止尘埃和雾滴附着在基板的上表面等。
[0003]另外，在专利文献3公开了如下装置，S卩，具有从下方将基板保持为水平的保持构件和与基板的上表面相向的遮断板，使保持构件和遮断板分别旋转并向基板的处理面供给处理液来对基板进行处理。遮断板为了将基板表面的环境与其外部的环境遮断而设置。遮断板比基板稍大一些，在基板的上方覆盖基板。遮断板具有与基板的上表面相向的相向面和周壁部。周壁部从遮断板的周缘部向下方突出设置，包围基板的周缘部的整周。周壁部的顶端缘比由保持构件保持的基板更靠保持构件的附近。周壁部的内周面具有将相向面作为上表面的圆锥台的侧面的那样的形状，其直径随着从相向面侧接近顶端缘侧而逐渐变大。喷出到基板上的处理液因基板的旋转而从基板表面排出，并从保持构件的上表面周缘部和遮断板的顶端缘的间隙排出。
[0004]另外，在专利文献4中公开了如下装置，S卩，具有从下方将基板保持为水平的保持构件与在保持构件和基板之间设置的圆板状的喷嘴。圆板状的喷嘴与基板W的下表面的中央部分相向。该装置使保持构件旋转并从圆板状的喷嘴向基板的下表面的中央部喷出处理液。所喷出的处理液以借助离心力覆盖基板的整个下表面的方式从下表面的中央部向周缘部移动，并从周缘部向基板外部排出。由此对基板的整个下表面进行处理。
[0005]另外，在专利文献5中公开了如下装置，S卩，包括:旋转基座(“保持构件”)，通过卡盘销将基板保持为大致水平并使基板旋转;盖构件，与该基板的上表面隔开规定间隔并与该基板的上表面平行相向；喷嘴，经由在盖构件的中央部设置的贯通孔向该基板的上表面有选择地供给氢氟酸和纯水等。另外，该装置还包括具有底面的圆筒状的处理杯。旋转基座被支撑在处理杯的底面的上方并能够旋转。该装置还具有圆筒状的挡板。挡板沿着处理杯的侧壁的内周面设置，并包围旋转基座。挡板通过驱动机构在规定的下方位置和上方位置之间升降。在处理基板时从喷嘴供给到基板上的液体在从基板排出时附着在旋转基座的侧面。因此，该装置还具有对旋转基座的侧面进行清洗的清洗喷嘴。清洗喷嘴从旋转基座离开到径向外侧，并设置在处理杯的底面。清洗喷嘴向旋转基座的侧面并向斜上方喷出清洗液，来对旋转基座的侧面进行清洗。
[0006]专利文献I:日本特开2014-67778号公报
[0007]专利文献2:日本特开2014-67780号公报
[0008]专利文献3:日本特开2010-56218号公报
[0009]专利文献4:日本特开2011-211094号公报
[0010]专利文献5:日本特开平11-102882号公报
[0011]但是，在专利文献1、2的装置中，将遮断板和保持构件卡合的第一、第二卡合部的连接部分位于保持构件的上方。因此存在如下问题，即，供给到基板的处理面并借助离心力从基板的周缘部向外部排出的处理液因该连接部分的接缝等弹回到基板侧，附着在基板的处理面以外的面(非处理面)上，而产生颗粒等的缺陷。
[0012]另外，在专利文献3的装置中存在如下问题，S卩，由遮断板和保持构件包围的空间中的周壁部的内周面和基板的周缘部之间的环状的空间窄，因此从基板排出并在周壁部的内周面弹回的处理液到达并附着在基板的非处理面上，导致基板产生缺陷。
[0013]另外，在专利文献4的装置中存在如下问题，S卩，喷出到基板的下表面的处理液的一部分从基板下表面落下并附着在保持构件的上表面上，并直接残存下来。
[0014]另外，挡板的上端部分通常向旋转基座的旋转轴并向斜上方延伸设置。专利文献5的基板处理装置在挡板配置在上方位置的状态下，从喷嘴向基板供给液体。所供给的液体在从基板排出时飞散，还附着在挡板的内周面。当在附着的液体残留的状态下反复进行处理时，该液体干燥固化而成的堆积物不断堆积在挡板上。在剥离这样的堆积物时，成为产生颗粒的原因。由于挡板的上端部分接近基板，因此在上端部分附着的堆积物容易成为产生颗粒的原因。
[0015]但是，在专利文献5的装置中存在如下问题，无法利用对旋转基座的侧面进行清洗的清洗喷嘴对挡板的内周面进行清洗。另外，例如当还设置向挡板的内周面喷出清洗液的专用的清洗喷嘴时，存在使装置结构复杂化并且制造成本增加的问题。另外，为了有效抑制颗粒，对在挡板的上端部分的内周面附着的液体进行清洗是有效的。但是，当在旋转基座正保持基板的状态下，清洗喷嘴从下方向该上端部分的内周面喷出清洗液时，存在清洗液从挡板的上端部分向基板侧飞散而附着在基板上的问题。另外，还存在如下问题，要避免该清洗液的附着，需要使基板从旋转基座退避后，对挡板进行清洗。

【发明内容】

[0016]本发明是为了解决上述问题而提出的，目的在于提供一种能够抑制供给到基板并从基板排出到外部的处理液附着在基板的非处理面上的技术。另外，本发明另一目的在于，提供一种能够抑制供给到由保持构件保持并旋转的基板的下表面的处理液落下附着在保持构件上并直接残存下来的技术。另外，本发明为了解决上述问题，又一目的在于，提供一种能够在保持构件保持基板的状态下利用共用的清洗液喷出部对挡板和保持构件都清洗的技术。
[0017]用于解决问题的手段
[0018]为了解决上述问题，第一技术方案为一种基板处理装置，其特征在于，
[0019]具有:
[0020]保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，
[0021]相向构件，具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部中的至少一部分向所述保持构件的侧方的延伸设置部，该相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转；
[0022]在所述延伸设置部的顶端侧部分和所述保持构件的侧面部分中的一个部分上设置有突出部，在另一个部分上设置有限制结构，该限制结构在以所述旋转轴为中心的周向上从所述突出部的前后与所述突出部相向配置，来限制所述突出部在所述周向上的相对移动，
[0023]所述保持构件和所述相向构件在以所述旋转轴为中心的周向上的相对移动通过所述突出部和所述限制结构相互限制，
[0024]该基板处理装置还具有:
[0025]旋转机构，使所述保持构件和所述相向构件中的至少一个以所述旋转轴为中心进行旋转，
[0026]喷嘴，向由所述保持构件保持并旋转的所述基板的处理面喷出处理液；
[0027]所述突出部和所述限制结构比所述保持构件的上表面靠下方。
[0028]第二技术方案的基板处理装置，在第一技术方案的基板处理装置的基础上，所述突出部和所述限制结构中的至少一个具有与另一个相向的部分，该部分被弹性构件覆盖。
[0029]第三技术方案的基板处理装置在第一或第二技术方案的基板处理装置的基础上，该基板处理装置还具有移动部，该移动部使所述相向构件在第一位置和所述第一位置的上方的第二位置之间沿着所述旋转轴方向相对于所述保持构件移动，
[0030]所述限制结构避开所述突出部通过所述移动部相对于所述限制结构移动的移动路径来配置，
[0031]当所述相向构件配置在所述第一位置时，所述限制结构在所述周向上从所述突出部的前后与所述突出部相向配置，当所述相向构件配置在所述第二位置时，所述限制结构沿着所述旋转轴方向从所述突出部相对离开配置。
[0032]第四技术方案的基板处理装置在第一技术方案的基板处理装置的基础上，所述限制结构是以能够容纳所述突出部的至少一部分的方式形成在所述另一个部分上形成的凹部。
[0033]第五技术方案的基板处理装置在第三技术方案的基板处理装置的基础上，所述另一个部分沿着以所述旋转轴为中心的周向呈环状延伸，并且具有多个凹部，所述多个凹部在所述另一个部分的所述周向的整周连续设置，
[0034]所述多个凹部分别是具有在所述旋转轴方向上面向从所述一个部分突出的所述突出部的开口的凹部，该凹部形成为能够容纳所述突出部的至少一部分的形状，该凹部中的至少该开口侧的部分在所述周向上的宽度随着接近该开口而变宽，
[0035]所述突出部中的至少顶端部分在所述旋转轴方向上与所述凹部相向，该顶端部分在所述周向上的宽度随着接近顶端而变窄。。
[0036]第六技术方案的基板处理装置在第一技术方案的基板处理装置的基础上，还具有多个磁铁，所述多个磁铁以使所述突出部与所述限制结构中的在所述周向上配置在所述突出部的前后的各部分的各间隔扩大的方式使磁性的斥力发挥作用，利用该磁性的斥力来限制所述突出部相对于所述限制结构在所述周向上的相对移动。
[0037]第七技术方案的基板处理装置在第六技术方案的基板处理装置的基础上，所述限制结构包括在所述旋转轴方向上与所述突出部相向配置的相向部，
[0038]该基板处理装置具有多个磁铁，所述多个磁铁以使所述突出部与所述相向部的间隔在所述旋转轴方向上扩大的方式使磁性的斥力发挥作用，利用该磁性的斥力来限制所述突出部在所述旋转轴方向上接近所述相向部的移动。
[0039]第八技术方案的基板处理装置在第一技术方案的基板处理装置的基础上，所述延伸设置部是沿着所述相向构件的周缘部设置的筒状壁部。
[0040]第九技术方案的基板处理装置《、第八技术方案的基板处理装置的基础上，所述延伸设置部的内周面与所述相向构件的下表面相连续，并且包括相对于所述保持构件的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。
[0041 ]第十技术方案为一种基板处理装置，其特征在于，
[0042]具有:
[0043]保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，
[0044]相向构件，具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转，
[0045]旋转机构，使所述保持构件和所述相向构件以所述旋转轴为中心向相互相同的方向旋转，
[0046]喷嘴，向由所述保持构件保持并旋转的所述基板的上表面以及下表面中的某一个处理面喷出处理液；
[0047]所述相向构件包括在包围所述基板的上表面以及端面的内侧面中的一部分形成的环状的凹部，该一部分设置在所述延伸设置部的顶端侧部分与所述内侧面中的与所述基板相向的相向面之间的部分，所述环状的凹部与所述相向面的周缘部相比向上方凹陷。
[0048]第十一技术方案的基板处理装置在第十技术方案的基板处理装置的基础上，所述旋转机构使所述保持构件和所述相向构件以所述旋转轴为中心向相同的方向并以相同的速度旋转。
[0049]第十二技术方案的基板处理装置在第十或第十一技术方案的基板处理装置的基础上，所述相向构件在所述内侧面中的比所述环状的凹部靠径向外侧的部分具有相对于所述保持构件的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。
[0050]第十三技术方案为一种基板处理方法，其特征在于，包括:
[0051]旋转步骤，使能够以规定的旋转轴为中心进行旋转的保持构件与基板一起以所述旋转轴为中心进行旋转，所述保持构件从下方将所述基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面；
[0052]处理液喷出步骤，从由所述保持构件保持并旋转的所述基板的下表面的中央部的下方向该中央部喷出处理液；
[0053]清洗液喷出步骤，从由所述保持构件保持并旋转的所述基板的中央部和所述保持构件的中央部之间沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。
[0054]第十四技术方案的基板处理方法在第十三技术方案的基板处理方法的基础上，所述处理液喷出步骤和所述清洗液喷出步骤并行进行。
[0055]第十五技术方案的基板处理方法在第十三或第十四技术方案的基板处理方法的基础上，处理液喷出步骤是从在喷嘴的板状构件的上表面设置的处理液喷出口向所述下表面的中央部喷出处理液的步骤，所述喷嘴具有与所述基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的所述板状构件，
[0056]所述清洗液喷出步骤是从在所述喷嘴的所述板状构件的上表面或下表面设置的清洗液喷出口，沿着所述板状构件的上表面或下表面和所述保持构件的上表面双方的面，向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液的步骤。
[0057]第十六技术方案的基板处理方法在第十三技术方案的基板处理方法的基础上，处理液喷出步骤是从在喷嘴的板状构件的上表面设置的处理液喷出口向所述基板的下表面的中央部喷出处理液的步骤，所述喷嘴具有与所述基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的所述板状构件，
[0058]所述清洗液喷出步骤是从在所述喷嘴的所述板状构件的侧面设置的清洗液喷出口沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液的步骤。
[0059]第十七技术方案为一种基板处理装置，其特征在于，
[0060]具有:
[0061]保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转；
[0062]旋转机构，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转；
[0063]喷嘴，分别设置有处理液喷出口和清洗液喷出口，所述处理液喷出口从所述基板的下表面的中央部的下方向该中央部喷出处理液，所述清洗液喷出口从所述基板的中央部和所述保持构件的中央部之间沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。
[0064]第十八技术方案的基板处理装置在第十七技术方案的基板处理装置的基础上，所述喷嘴具有与基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的板状构件，
[0065]所述处理液喷出口设置在所述板状构件的上表面，向所述基板的下表面的中央部喷出处理液，
[0066]所述清洗液喷出口设置在所述板状构件的上表面或下表面上，沿着所述板状构件的上表面或下表面和所述保持构件的上表面双方的面，向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。
[0067]第十九技术方案的基板处理装置在第十七技术方案的基板处理装置的基础上，所述喷嘴具有与基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的板状构件，
[0068]所述处理液喷出口设置在所述板状构件的上表面，向所述基板的下表面的中央部喷出处理液，
[0069]所述清洗液喷出口设置在所述板状构件的侧面，沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。
[0070]第二十技术方案为一种基板处理装置，其特征在于，
[0071]具有:
[0072]保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，该保持构件具有以所述旋转轴为中心轴的圆板状的基部和从所述基部的周壁部向径向外侧突出的凸缘部，
[0073]旋转驱动部，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转，
[0074]挡板，具有上端侧部分向所述旋转轴并向斜上方延伸的筒形状，包围所述保持构件的周围，并能够升降，
[0075]处理液喷出部，能够向所述基板的处理面喷出处理液，
[0076]清洗液喷出部，能够从所述保持构件的所述凸缘部的下方向所述凸缘部喷出清洗液，
[0077]升降驱动部，能够使所述挡板在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指，能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置，所述下方位置是指所述挡板的上端位于所述凸缘部的侧方的位置，
[0078]控制部，控制所述升降驱动部、所述处理液喷出部和所述清洗液喷出部；
[0079]所述控制部在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述上方位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液来对所述基板进行处理，然后，在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置的状态下，使所述清洗液喷出部向保持所述基板并旋转的所述保持构件的所述凸缘部喷出所述清洗液。
[0080]第二十一技术方案的基板处理装置在第二十技术方案的基板处理装置的基础上，所述保持构件在所述凸缘部的上侧还具有上侧凸缘部，该上侧凸缘部从所述基部的周壁部的上端部比所述凸缘部更向所述保持构件的径向外侧突出。
[0081 ]第二十二技术方案的基板处理装置在第二十或第二十一技术方案的基板处理装置的基础上，所述保持构件在所述凸缘部的基端部分具有曲面部，该曲面部具有圆弧状的剖面形状，与所述保持构件的所述基部的外周面和所述凸缘部的下表面分别平滑地连接，
[0082]所述清洗液喷出部从下方向所述凸缘部的所述曲面部喷出所述清洗液。
[0083]第二十三技术方案的基板处理装置在第二十技术方案的基板处理装置的基础上，该基板处理装置还具有筒状的外侧挡板，该外侧挡板配置在所述挡板的外侧，包围所述保持构件的周围，并能够进行升降，
[0084]所述升降驱动部也能够使所述外侧挡板升降，
[0085]所述控制部在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置，并且将所述外侧挡板配置在能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液，并且从所述清洗液喷出部向所述凸缘部的下表面喷出所述清洗液。
[0086]第二十四技术方案的基板处理装置在第二十技术方案的基板处理装置的基础上，该基板处理装置还具有相向构件，所述相向构件具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，并且，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转。
[0087]第二十五技术方案为一种基板处理方法，使用基板处理装置，其特征在于，
[0088]所述基板处理装置具有:
[0089]保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，该保持构件具有以所述旋转轴为中心轴的圆板状的基部和从所述基部的周壁部向径向外侧突出的凸缘部，
[0090]旋转驱动部，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转，
[0091]挡板，具有上端侧部分向所述旋转轴并向斜上方延伸的筒形状，包围所述保持构件的周围，并能够升降，
[0092 ] 处理液喷出部，能够向所述基板的处理面喷出处理液，
[0093]清洗液喷出部，能够从所述保持构件的所述凸缘部的下方向所述凸缘部喷出清洗液，
[0094]升降驱动部，能够使所述挡板在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指，能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置，所述下方位置是指所述挡板的上端位于所述凸缘部的侧方的位置；
[0095]所述基板处理方法包括:
[0096]处理步骤，在所述升降驱动部将所述挡板配置在上方位置的状态下，所述处理液喷出部向所述基板喷出所述处理液来对所述基板进行处理；
[0097]清洗步骤，在所述处理步骤后，在所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置的状态下，所述清洗液喷出部向保持所述基板并旋转的所述保持构件的所述凸缘部喷出所述清洗液。
[0098]第二十六技术方案的基板处理方法在第二十五技术方案的基板处理方法的基础上，所述基板处理装置的所述保持构件在所述凸缘部的上侧还具有上侧凸缘部，该上侧凸缘部从所述基部的周壁部的上端部比所述凸缘部更向所述保持构件的径向外侧突出。
[0099]第二十七技术方案的基板处理方法在第二十五或第二十六技术方案的基板处理方法的基础上，所述基板处理装置的所述保持构件在所述凸缘部的基端部分具有曲面部，该曲面部具有圆弧状的剖面形状，与所述保持构件的所述基部的外周面和所述凸缘部的下表面分别平滑地连接，
[0100]所述清洗步骤是所述清洗液喷出部从下方向所述凸缘部的所述曲面部喷出所述清洗液的步骤。
[0101]第二十八技术方案的基板处理方法在第二十五技术方案的基板处理方法的基础上，所述基板处理装置还具有筒状的外侧挡板，该外侧挡板配置在所述挡板的外侧，包围所述保持构件的周围，并能够进行升降，
[0102]所述升降驱动部也能够使所述外侧挡板升降，
[0103]所述基板处理方法的所述清洗步骤是在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置，并且将所述外侧挡板配置在能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液，并且从所述清洗液喷出部向所述凸缘部的下表面喷出所述清洗液的步骤。
[0104]第二十九技术方案的基板处理方法在第二十五技术方案的基板处理方法的基础上，所述基板处理装置还具有相向构件，所述相向构件具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，并且，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转。
[0105]根据第一技术方案的发明，延伸设置部从相向构件的主体部的周缘部延伸到保持构件的侧方。在延伸设置部的顶端侧部分和保持构件的侧面部分中的一个部分上设置有突出部，在另一个部分上设置有限制结构，突出部和限制结构比保持构件的上表面靠下方。因此，能够抑制从基板排出的处理液被突出部或限制结构弹回而附着在基板的非处理面上。
[0106]根据第二技术方案的发明，突出部和限制结构中的至少一个上具有与另一个相向的部分，该部分被弹性构件覆盖，因此能够抑制突出部和限制结构接触时的冲击。
[0107]根据第三技术方案的发明，相向构件在旋转轴方向上相对于保持构件在第一位置和第二位置之间移动，所述第一位置是限制结构在周向上从突出部的前后与突出部相向配置的位置，所述第二位置是限制结构在旋转轴方向上从突出部相对离开配置的位置。由此，限制结构能够容易在限制突出部在周向上的相对移动的限制状态和不对突出部进行限制的分离状态之间切换。
[0108]根据第四技术方案的发明，限制结构是以能够容纳突出部的至少一部分的方式形成在另一个部分上的凹部。因此，由于能够使相向构件的延伸设置部的顶端侧部分和保持构件的侧面部分接近，所以能够使相向构件小型化。
[0109]根据第五技术方案的发明，在相向构件从第二位置向第一位置移动的过程中，突出部与多个凹部中的相向的凹部抵接。如果相向构件处于以旋转轴为中心的旋转未被限制的状态，则突出部的顶端部分与该凹部抵接后，借助该凹部以及突出部各自的形状，以突出部导向该凹部的、更深的凹陷的部分方式，修正相向构件相对于保持构件在周向上的相对位置，并且相向构件沿着旋转轴方向向第一位置移动。相向构件在移动到第一位置移动后，该凹部限制突出部在周向上的移动，相向构件相对保持构件在周向上的相对移动被限制。因此，即使相向构件相对于保持构件在周向上的相对位置未对准，多个凹部中的与突出部相向的凹部成为限制突出部在周向上的相对移动的限制结构。由此，能够限制相向构件相对于保持构件在周向上的相对移动。
[0110]根据第六技术方案的发明，多个磁铁以使突出部和限制结构中的在周向的前后配置的各部分的各间隔扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。由此，突出部相对于限制结构在周向上的相对移动受到限制。因此，能够抑制限制结构和突出部的接触。
[0111]根据第七技术方案的发明，限制结构包括在旋转轴方向上与突出部相向配置的相向部。多个磁铁以使突出部与相向部的间隔在旋转轴方向上扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。由此，限制突出部在旋转轴方向上接近相向部的移动。因此，能够进一步抑制限制结构和突出部的接触。
[0112]根据第八技术方案的发明，由于延伸设置部是沿着相向构件的周缘部设置的筒状壁部，所以延伸设置部不会穿过借助离心力从基板表面排出到外部的处理液的液流。由此，由于能够抑制处理液在延伸设置部的飞散，所以能够进一步抑制处理液被突出部或限制结构弹回而附着在基板的非处理面。
[0113]根据第九技术方案的发明，筒状壁部的内周面与相向构件的下表面相连续，并且包括相对于保持构件的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。借助离心力从基板表面排出到外部的处理液容易沿着筒状壁部的内周面顺畅地流动，因此容易将处理液从内周面和保持构件的间隙向外部排出。
[0114]根据第十技术方案的发明，相向构件包括在包围基板的上表面以及端面的内侧面中的一部分上形成的环状的凹部，该一部分设置在延伸设置部的顶端侧部分和内侧面中的与基板相向的相向面之间的部分，环状的凹部相比该相向面的周缘部向上方凹陷。由此，由于在基板的周缘部的外侧形成有比该相向面向上方喷出的环状的膨出空间，所以能够抑制从基板排出后从延伸设置部的内周面弹回的处理液附着在基板的非处理面上。
[0115]根据第^^一技术方案的发明，由于保持构件和相向构件以旋转轴为中心向相同的方向并以相同的速度旋转，所以抑制在基板上表面和相向构件的下表面之间产生流向基板的中心侧的气流。由此，能够进一步抑制处理液附着在基板的非处理面上。
[0116]根据第十二技术方案的发明，在相向构件的内侧面中的比环状的凹部更靠径向外侧的部分形成有相对于保持构件的上表面斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面，因此，喷出到基板并从基板排出的处理液容易沿着弯曲面流向延伸设置部的顶端侧。因此，能够抑制处理液在相向构件的内侧面中的比环状的凹部更靠外侧的部分弹回。由此，能够进一步抑制处理液附着在基板的非处理面上。
[0117]根据第十三以及第十七任一技术方案的发明，清洗液沿着保持构件的上表面向保持构件的径向外侧喷出。由此，抑制清洗液碰触基板的下表面而与在下表面附着的处理液混合，并利用清洗液对保持构件的上表面进行清洗，并且，从基板的下表面落下的处理液在附着在保持构件的上表面上之前能够由清洗液冲洗掉。因此，能够抑制供给到基板的下表面的处理液落下附着在保持构件上并直接残存下来。
[0118]根据第十四技术方案的发明，处理液喷出步骤和清洗液喷出步骤并行进行，因此能够有效抑制喷出到基板的下表面的处理液附着在保持构件的上表面上。
[0119]根据第十五以及第十八任一技术方案的发明，清洗液沿着喷嘴的板状构件的上表面或下表面和保持构件的上表面双方的面，向保持构件的径向外侧喷出，因此，在保持构件的清洗中还进行喷嘴的清洗。
[0120]根据第十六以及第十九任一技术方案的发明，清洗液从在喷嘴的板状构件的侧面设置的清洗液喷出口沿着保持构件的上表面向保持构件的径向外侧喷出。因此，容易使清洗液喷出口的形状在板状构件的周向上变长，扩展喷出的清洗液。
[0121]根据第二十以及第二十五任一技术方案的发明，在能够接受从基板排出的处理液的上方位置配置有挡板的状态下，处理液喷出部向基板的处理面喷出处理液。然后，在挡板的上端位于保持构件的凸缘部的侧方的下方位置配置有挡板的状态下，清洗液喷出部向保持基板并旋转的保持构件的凸缘部喷出清洗液。所喷出的清洗液从凸缘部的下表面向保持构件的径向外侧排出。在下方位置配置的挡板的上端位于凸缘部的侧方，所以所排出的处理液碰触到挡板的上端部分的内周面。由此，在保持构件上保持有基板的状态下，能够利用共用的清洗液喷出部对附着有处理液的挡板和保持构件都进行清洗。
[0122]根据第二十一以及第二十六任一技术方案的发明，上侧凸缘部位于凸缘部的上方，并比凸缘部更向保持构件的径向外侧突出。从下方喷出到凸缘部的清洗液沿着凸缘部的下表面向凸缘部的顶端移动，从顶端向保持构件的径向外侧排出到保持构件的外部。喷出到基板的处理面并从基板排出的处理液经由上侧凸缘部的上表面相比比清洗液从径向外侧且上方向保持构件的径向外侧排出。因此，由于处理液和清洗液在相互分离的状态从保持构件排出，所以能够抑制所排出的处理液和清洗液混合。
[0123]第二十二以及第二十七任一技术方案的发明，清洗液喷出部从下方向凸缘部的曲面部喷出清洗液。曲面部与保持构件的基部的外周面和凸缘部的下表面分别平滑地连接。因此，使喷出到曲面部后弹回到下方的清洗液减少，使更多清洗液沿着凸缘部的下表面排出。由此，能够更高效地对挡板的内周面进行清洗。
[0124]根据第二十三以及第二十八任一技术方案的发明，在挡板配置在下方位置，并且在能够接受从处理液喷出部供给到基板后从基板排出的处理液的位置配置外侧挡板。在该状态下，向基板的处理面喷出处理液，并且向凸缘部的下表面喷出清洗液。因此能够并行进行对基板的处理和对保持构件以及挡板的清洗处理。
[0125]根据第二十四以及第二十九任一技术方案的发明，在利用相向构件提高基板的密闭性的状态下，对保持构件以及挡板进行清洗，因此能够进一步保护基板的上表面。
【附图说明】
[0126]图1是用于说明实施方式I的基板处理装置的结构的示意图。
[0127]图2是表示在处理位置配置的图1的遮断板和旋转基座的立体图。
[0128]图3是表示图2的旋转基座的立体图。
[0129]图4是表示图2的遮断板的立体图。
[0130]图5是表示图2的旋转基座的立体图。
[0131]图6是表示图2的遮断板和旋转基座的周缘部的纵向剖视图。
[0132]图7是表示图2的遮断板和旋转基座的周缘部的其他纵向剖视图。
[0133]图8是图6的限制部的横向剖视图。
[0134]图9是表示图8的限制部由弹性构件覆盖的状态的剖视图。
[0135]图10是表示实施方式I的遮断板和旋转基座的其他结构例的立体图。
[0136]图11是表示图10的遮断板配置在处理位置的状态的立体图。
[0137]图12是实施方式I的遮断板和旋转基座的其他结构例的纵向剖视图。
[0138]图13是表示图12的遮断板和旋转基座的其他剖面的纵向剖视图。
[0139]图14是表示实施方式I的限制部的其他结构例的横向剖视图。
[0140]图15是表示图14的限制部的其他状态的横向剖视图。
[0141]图16是表示图14的限制部的其他状态的横向剖视图。
[0142]图17是表示图14的限制部的其他状态的横向剖视图。
[0143]图18是表示实施方式I的限制部的其他结构例的剖视图。
[0144]图19是表示实施方式I的限制部的其他结构例的剖视图。
[0145]图20是用于说明实施方式2的基板处理装置的结构的示意图。
[0146]图21是用于说明图2O的喷嘴的结构的示意图。
[0147]图22是表示实施方式2的基板处理装置的动作的一例的流程图。
[0148]图23是用于说明实施方式3的基板处理装置的结构的示意图。
[0149]图24是表示实施方式3的基板处理装置的动作的一例的流程图。
[0150]图25是用于说明图24的流程图示出的动作的图。
[0151]图26是用于说明图24的流程图中的一部分动作的图。
[0152]其中，附图标记说明如下:
[0153]UlAUB基板处理装置
[0154]21 旋转基座(保持构件)
[0155]23旋转驱动部
[0156]231 旋转机构
[0157]26突出部
[0158]44 驱动部(移动部)
[0159]50、50A 喷嘴
[0160]83 处理液供给部
[0161]83A 处理液喷出部
[0162]84,85 冲洗液供给部
[0163]84A、85A冲洗液喷出部
[0164]86、87 冲洗液喷出口
[0165]90 遮断板(相向构件)
[0166]91 主体部
[0167]92延伸设置部
[0168]94 限制结构
[0169]312 内构件(挡板)
[0170]313 外构件(外侧挡板)
【具体实施方式】
[0171]以下，参照附图对实施方式进行说明。以下的实施方式是使本发明具体化的一例，并不是用于对本发明的技术范围进行限定。另外，在以下参照的各图中，为了便于理解，有时对各部分的尺寸和数量进行放大或简化来图示。上下方向是铅垂方向，相对于旋转基座，基板侧为上侧。
[0172]〈1.关于实施方式1>
[0173]〈1-1.基板处理装置I的结构〉
[0174]参照图1?图5对基板处理装置I的结构进行说明。图1是用于说明基板处理装置I的结构的示意图。在图1中示出遮断板90配置在待避位置的状态。另外，配置在处理位置的遮断板90以假想线来表示。图2是表示在遮断板90配置在处理位置的状态下围绕旋转轴al旋转的遮断板90和旋转基座21的概略立体图。图3从斜上方观察保持基板9并围绕旋转轴al旋转的旋转基座21得到的概略立体图。遮断板90的记载被省略。基板9的表面形状为大致圆形。基板9相对于基板处理装置I的搬入搬出在遮断板90配置在待避位置的状态下由机械手等进行。搬入到基板处理装置I的基板9能够自由装卸地保持在旋转基座21上。图4是从斜下方观察遮断板90得到的概略立体图。图5是从斜上方观察旋转基座21得到的概略立体图。
[0175]此外，在以下的说明中，作为“处理液”包括在药液处理中使用的“药液”和在冲洗掉药液的冲洗处理中使用的“冲洗液(也被称为“清洗液”)”。
[0176]基板处理装置I具有旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、处理部5、以及控制部130。这些旋转卡盘2、飞散防止部3、表面保护部4、处理部5与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。作为控制部130，例如能够采用与通常计算机同样的计算机。即，控制部130例如具有进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的读取专用的存储器R0M、存储各种信息的自由读写的存储器RAM、存储控制用软件和数据等的磁盘等。在控制部130中，作为主控制部的CPU根据程序记述的顺序进行运算处理，由此对基板处理装置I的各部进行控制。
[0177]〈旋转卡盘2>
[0178]旋转卡盘2是将基板9以一个主面朝向上方的状态下保持为大致水平姿势的基板保持部，使该基板9围绕通过主面的中心Cl的铅垂的旋转轴al旋转。
[0179]旋转卡盘2具有旋转基座(“保持构件”)21，旋转基座21是比基板9稍大一些的圆板状的构件。旋转基座21形成有在旋转基座21的上表面、下表面的中央分别开口的圆筒状的贯通孔21a，贯通孔21a的中心轴与旋转轴al—致。贯通孔21a的下侧的开口与圆筒状的旋转轴部22连接。由此，贯通孔21a和旋转轴部22的中空部连通。旋转轴部22以其轴线沿着铅垂方向的姿势配置。另外，旋转轴部22与旋转驱动部(例如马达)23连接。旋转驱动部23驱动旋转轴部22围绕轴线旋转。旋转轴部22的轴线与旋转轴al—致。因此，旋转基座21能够与旋转轴部22—起围绕旋转轴al旋转。旋转轴部22以及旋转驱动部23容纳在筒状的壳体24内。
[0180]另外，在旋转基座21的上表面的周缘部附近隔着适当的间隔设置有多个(例如6个)卡盘销25。各卡盘销25在设置在旋转基座21的上表面上的多个开口 2 Ib处安装在旋转基座21上。卡盘销25与基板9的端面抵接对基板9进行水平方向的定位，并且在比旋转基座21的上表面稍高的位置(即，与旋转基座21的上表面隔开规定的间隔)将基板9保持为大致水平姿势。即，旋转基座21经由卡盘销25从下方将基板9保持为大致水平。旋转基座21的上表面与基板9的下表面隔开间隙地例如大致平行相向。在旋转基座21的圆筒状的侧面部分沿着周向以等间隔设置有2个突出部26。突出部26设置至少I个即可，也可以设置多个突出部
26 ο
[0181]在该结构中，当在利用卡盘销25将基板9保持在旋转基座21的上方的状态下，旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21围绕沿着铅垂方向的轴心旋转，由此，保持在旋转基座21上的基板9围绕通过面内的中心Cl的铅垂的旋转轴al旋转。在后述的表面保护部4设置有遮断板90，遮断板90能够沿着以旋转轴al为中心的周向旋转。旋转基座21和遮断板90在该周向上的相对位置能够受到限制。当在该相对位置受到限制的状态下，旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21、基板9、以及遮断板90向相同的旋转方向并以相同的旋转速度旋转。旋转驱动部23、突出部26、限制结构94是使旋转基座21和遮断板90以旋转轴a I为中心向彼此相同的方向旋转的旋转机构231。
[0182]此外，也可以取代旋转驱动部23，而设置有在该相对位置受到限制的状态下使遮断板90以旋转轴al为中心旋转的其他旋转驱动部。在该情况下，该其他旋转驱动部取代旋转驱动部23而成为旋转机构231的结构要素之一。另外，也可以设置旋转驱动部23和该其他旋转驱动部这两者。即，在周向上的旋转基座21和遮断板90在周向上的相对位置受到限制的状态下，旋转机构231使旋转基座21和遮断板90中的至少一个以旋转轴al为中心进行旋转。如果旋转机构231使旋转基座21和遮断板90向相同的方向并以相同的速度旋转，则能够抑制在基板9的上表面和遮断板90的下表面之间产生朝向基板9的中心c I侧的气流。由此，能够抑制处理液的液滴被吸入到基板9的上表面。
[0183]在设置有旋转驱动部23和该其他旋转驱动部这两者的情况下，也可以不设置限制结构94和突出部26。在该情况下，还可以让旋转驱动部23使旋转基座21旋转的速度与该其他旋转驱动部使遮断板90向与旋转基座21相同的方向旋转的速度不同。另外，在设置有旋转驱动部23和该其他旋转机构这两者的情况下，延伸设置部92的顶端可以比旋转基座21的上表面更靠上侧一些。
[0184]卡盘销25以及旋转驱动部23与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，在旋转基座21上保持基板9的时机、释放所保持的基板9的时机、以及旋转基座21的旋转方式(具体地说，旋转开始时机、旋转结束时机、转速(即旋转速度)等)由控制部130控制。
[0185]〈飞散防止部3>
[0186]飞散防止部3挡住从与旋转基座21—起旋转的基板9飞散的处理液等。
[0187]飞散防止部3具有防溅挡板31。防溅挡板31是上端开放的筒形状的构件，包围旋转卡盘2。在该实施方式中，防溅挡板31例如包括底构件311、内构件(还称为“内侧挡板”，简称为“挡板”)312、以及外构件(还称为“外侧挡板”)313这3个构件。可以不设置外构件313，相反也可以在外构件313的外侧又以包围旋转卡盘2的方式设置挡板。
[0188]底构件311是上端开放的筒形状的构件，具有圆环状的底部、从底部的内侧缘部向上方延伸的圆筒状的内侧壁部和从底部的外侧缘部向上方延伸的圆筒状的外侧壁部。内侧壁部的至少顶端附近容纳于设置在旋转卡盘2的壳体24上的帽檐状构件241的内侧空间。
[0189]在底部上形成有与内侧壁部和外侧壁部之间的空间连通的排液槽(省略图示)。该排液槽与工厂的排液管路连接。另外，该排液槽上连接有对槽内强制进行排气来使内侧壁部和外侧壁部之间的空间为负压状态的排气液机构。内侧壁部和外侧壁部之间的空间是用于汇集在基板9的处理中使用的处理液以进行排出的空间，汇集在该空间内的处理液从排液槽排出。
[0190]内构件312是上端开放的筒形状的构件，内构件312的上部(“上端侧部分”、“上端部分”)向内侧上方延伸。即，该上部向旋转轴al并向斜上方延伸。在内构件312的下部形成有沿着上部的内周面向下方延伸的筒状的内周壁部和沿着上部的外周面向下方延伸的筒状的外周壁部。在底构件311和内构件312接近的状态(图1所示的状态)下，底构件311的外侧壁部容纳在内构件312的内周壁部和外周壁部之间。内构件312的上部接受到的处理液等经由底构件311排出。
[0191]外构件313是上端开放的筒形状的构件，设置在内构件312的外侧。外构件313的上部(“上端侧部分”、“上端部分”)向内侧上方延伸。即，该上部向旋转轴al并向斜上方延伸。下部沿着内构件312的外周壁部向下方延伸。外构件313的上部接受到的处理液等从内构件312的外周壁部和外构件313的下部的间隙排出。
[0192]在防溅挡板31上设置有使防溅挡板31升降移动的挡板驱动机构(“升降驱动部”)32。挡板驱动机构32例如由步进马达构成。在该实施方式中，挡板驱动机构32使防溅挡板31具有的3个构件311、312、313独立升降。
[0193]内构件312以及外构件313分别受到挡板驱动机构32的驱动，在各自的上方位置和下方位置之间移动。在此，各构件312、313的上方位置是该构件312、313的上端缘部配置在保持在旋转基座21上的基板9的侧方且上方的位置。另一方面，各构件312、313的下方位置是该构件312、313的上端缘部配置在旋转基座21的上表面的下方的位置。外构件313的上方位置(下方位置)比内构件312的上方位置(下方位置)更靠上方一些。内构件312和外构件313以彼此不发生碰撞的方式同时或依次升降。底构件311由挡板驱动机构32在内侧壁部容纳于在壳体24设置的帽檐状构件241的内侧空间的位置和其下方的位置之间驱动。其中，挡板驱动机构32与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，防溅挡板31的位置(具体地说，底构件311、内构件312、以及外构件313各自的位置)由控制部130控制。
[0194]〈表面保护部4>
[0195]表面保护部4向保持在旋转基座21上的基板9的上表面的中央附近供给气体(保护气体)，来从供给到下表面上的处理液的环境等中保护基板9的上表面。
[0196]表面保护部4具有向保持在旋转基座21上的基板9的上表面的中央附近喷出气体的圆筒状的保护气体喷嘴41。保护气体喷嘴41安装在水平延伸的臂42的靠顶端的部分，在铅垂方向上贯通臂42。保护气体喷嘴41的中心轴与旋转轴al—致。保护气体喷嘴41的下端部分从臂42的下端面进一步向下方延伸设置。在保护气体喷嘴41的下端部分经由轴承安装有圆板状的旋转部93。旋转部93的中心轴与旋转轴al—致。由此，旋转部93以旋转轴al为中心在保护气体喷嘴41的周围沿周向旋转。
[0197]在旋转部93的下部安装有圆板状的遮断板(“相向构件”)90，遮断板90能够与旋转部93—起旋转。遮断板90的上表面大致水平，遮断板90的上表面的形状是比旋转基座21大一些的圆形，旋转轴al通过遮断板90的中心。由此，遮断板90能沿以旋转轴al为中心的周向旋转。遮断板90具有以旋转轴al为中心轴的圆板状的主体部91和在主体部91的周缘部设置的延伸设置部92。在主体部91的中央部设置有与保护气体喷嘴41连通的贯通孔91a。延伸设置部92是从主体部91的周缘部向下方延伸设置的筒状壁部(环状壁部)，沿着该周缘部的周向设置。延伸设置部92是从主体部91的周缘部以包围基板9的端面的方式向旋转基座21侧延伸的筒状的构件。延伸设置部92在基板9的端面的外侧穿过包含基板9的平面向基板9的旋转基座21侧突出。
[0198]臂42的基端部与喷嘴基台43连接。喷嘴基台43以轴线沿着铅垂方向的姿势配置，并能够沿着铅垂方向伸缩。臂42的基端部与喷嘴基台43的上端连接。在喷嘴基台43上设置有使喷嘴基台43沿轴线伸缩的驱动部(“移动部”)44。驱动部44例如由步进马达等构成。
[0199]驱动部44使喷嘴基台43伸缩，从而使遮断板90在处理位置(“第一位置”)和处理位置的上方的待避位置(“第二位置”)之间沿着旋转轴al方向相对于旋转基座21移动。遮断板90的处理位置既是保持在旋转基座21上的基板9的上方的位置，又是遮断板90的下表面与基板9的上表面相向且与该上表面以非接触状态接近的位置。遮断板90的待避位置是遮断板90与基板9的搬送路径不干涉的位置，例如是比防溅挡板31的上端缘部更靠上方的位置。在遮断板90配置在处理位置时，主体部91与保持在旋转基座21上的基板9的上表面隔开间隙地例如大致平行相向。驱动部44与控制部130电连接，在控制部130的控制下进行动作。也就是说，遮断板90的位置由控制部130控制。
[0200]在延伸设置部92的顶端侧部分设置有2个限制结构94。作为限制结构94，例如如图4所示，能够采用从延伸设置部92的顶端面开口至延伸设置部92的内周面的凹部。在该凹部容纳突出部26的至少一部分。
[0201]针对旋转基座21、遮断板90预先设定有各自的在周向上的初始位置(初始旋转角度)。在遮断板90配置在处理位置的上方的待避位置时，旋转基座21、遮断板90分别配置在周向上的初始位置。在该状态下从遮断板90的上方透视时，2个限制结构94以分别与在旋转基座21的侧面部分设置的2个突出部26重叠的方式，分别设置延伸设置部92的顶端侧部分。
[0202]如图6所示，在遮断板90配置在处理位置的状态下，突出部26的至少一部分容纳于限制结构94。在该情况下，限制结构94在以旋转轴al为中心的周向上从突出部26的前后与突出部26相向配置，限制突出部26在周向上的相对移动。换言之，限制结构94与突出部26在该周向上的两端相向配置。即，限制结构94在该周向上夹持突出部26。由此，限制结构94限制突出部26在该周向上的相对移动。另外，在遮断板90配置在处理位置的状态下，延伸设置部92从主体部91的周缘部延伸到旋转基座21的侧方。并且，限制结构94配置在旋转基座21的上表面的下方。即，突出部26和限制结构94都配置在旋转基座21的上表面的下方。旋转基座21和遮断板90经由突出部26和限制结构94来相互限制在以旋转轴al为中心的周向上的相对移动。即，限制结构94和突出部26是限制旋转基座21和遮断板90在周向上的相对移动的限制部201。换言之，限制部201限制在以旋转轴a I为中心的周向上遮断板90相对于旋转基座21的相对位置。
[0203]在遮断板90配置在待避位置时，限制结构94和突出部26各自的在以旋转轴al为中心的周向上的旋转位置彼此对准。限制结构94避开在遮断板90从待避位置向处理位置的移动过程中突出部26相对于限制结构94的移动路径来配置。由此，能够避免在该移动过程中限制结构94和突出部26发生碰撞。当遮断板90配置在处理位置时，限制结构94在以旋转轴al为中心的周向上从突出部26的前后与突出部26相向配置。更详细地说，在限制结构94刚配置在处理位置之后，且旋转基座21停止时，限制结构94在该周向上从突出部26的前后不与突出部26接触地与突出部26相向配置。由此，在该周向上遮断板90相对于旋转基座21的相对位置受到限制。另外，当遮断板90配置在待避位置时，限制结构94沿旋转轴al方向从突出部26离开配置。
[0204]当在遮断板90配置在处理位置，由限制部201限制遮断板90相对于旋转基座21在周向上的相对位置的状态下，旋转驱动部23使旋转轴部22旋转时，旋转基座21与基板9 一起旋转。由此，限制结构94中的相对于突出部26位于旋转方向下游侧的部分与突出部26抵接。然后，遮断板90向与旋转基座21相同的旋转方向并以相同的旋转速度从动旋转。
[0205]在此，例如考虑如下情况，S卩，在基板处理装置I使基板旋转并对基板进行处理的过程中进行了紧急停止动作。例如在该情况下，假定基板处理装置I使遮断板90移动到待避位置。即使在这样遮断板90以及旋转基座21未处于初始位置(初始旋转角度)的情况下，也需要自动地使处理再次开始。
[0206]旋转基座21被旋转驱动部23驱动而能够旋转，另一方面，遮断板90从动于旋转基座21的旋转而旋转。因此，需要以下的动作。控制部130控制驱动部44，例如以遮断板90与旋转基座21稍微接触的方式使遮断板90在上下方向上移动。然后，控制部130控制旋转驱动部23，使旋转基座21以低速旋转，使遮断板90在以旋转轴al为中心的周向上旋转。
[0207]遮断板90具有能够检测出遮断板90在该周向上的初始位置的传感器。控制部130基于该传感器的输出，在遮断板90到达初始位置的时间点控制旋转驱动部23使遮断板90的旋转停止。
[0208]然后，控制部130控制驱动部44使遮断板90移动到上方的待避位置，并且控制旋转驱动部23，使旋转基座21旋转到周向的初始位置。由此，在遮断板90配置在待避位置的状态下，遮断板90和旋转基座21配置在周向的初始位置。在遮断板90在待避位置和处理位置之间相对于旋转基座21移动时，优选遮断板90不从周向的初始位置偏移。因此，表面保护部4优选具有锁定机构，在遮断板90配置在周向的初始位置的状态下，该锁定机构固定旋转部93以及遮断板90相对于臂42在周向上的位置。在遮断板90配置在处理位置时，该锁定机构被解放。
[0209]在图4、图5的例子中，限制结构94设置在延伸设置部92的顶端侧部分(下端侧部分)，并且突出部26设置在旋转基座21的侧面部分，但是，限制结构94可以设置在旋转基座21的侧面部分，并且突出部26可以设置在延伸设置部92的顶端侧部分。即，在遮断板90的延伸设置部92的顶端侧部分和旋转基座21的侧面部分中的一个部分设置有突出部26，在另一个部分设置有限制结构94。
[0210]作为限制结构94，可以取代凹部，而采用在以旋转轴al为中心的周向上从突出部26的前后与突出部26相向配置的一对突出部。在该情况下，能够利用该限制结构来限制突出部26在周向上的相对移动，因此并不会损害本发明的有用性。如图4所示，在采用能够容纳突出部26的至少一部分的凹部作为限制结构的情况下，由于能够使旋转基座21和遮断板90的延伸设置部92的间隔更窄，所以能够使遮断板90直径更小。
[0211]另外，图4所示的延伸设置部92是筒状构件，但是作为延伸设置部，也可以采用在主体部91的周缘部沿周向分散配置并从周缘部向下方延伸的多个壁部或柱部。该延伸设置部从主体部91的周缘部中的至少一部分延伸到旋转基座21的侧方。如果延伸设置部是筒状构件，则由于不会穿过供给到基板9并从基板9向外部排出的处理液的液流，所以能够减少从延伸设置部弹回基板9侧的处理液。
[0212]在保护气体喷嘴41上连接有保护气体供给部45，该保护气体供给部45是向保护气体喷嘴41供给气体(在此例如为氮气(N2))的配管系统。具体地说，保护气体供给部45例如为如下结构，即，供给氮气的作为供给源的氮气供给源451经由安装有开闭阀453的配管452与保护气体喷嘴41连接。在该结构中，当打开开闭阀453时，从氮气供给源451供给的氮气经由保护气体喷嘴41从在遮断板90的中央部设置的贯通孔91a喷出。此外，向保护气体喷嘴41供给的气体可以是除了氮气以外的气体(例如，氮气以外的各种的非活性气体、干燥空气等)O
[0213]在遮断板90配置在处理位置的状态下，当从保护气体供给部45向保护气体喷嘴41供给气体时，从保护气体喷嘴41向在旋转基座21上保持的基板9的上表面的中央附近喷出气体(保护气体)。其中，保护气体供给部45的开闭阀453与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从保护气体喷嘴41喷出气体的喷出方式(具体地说，喷出开始时机、喷出结束时机、喷出流量等)由控制部130控制。
[0214]〈处理部5>
[0215]处理部5对在旋转基座21上保持的基板9的处理面(在图1的例子中为下表面)进行处理。具体地说，处理部5向在旋转基座21上保持的基板9的处理面供给处理液。
[0216]如图1所示，处理部5具有例如贯通旋转卡盘2的旋转轴部22的中空部来配置的供给管81。供给管81的顶端以供给管81和旋转基座21的贯通孔21a连通的方式，与贯通孔21a的下侧的开口连接。在贯通孔2 Ia的上侧(基板9侧)的开口连接有喷嘴50 ο喷嘴50具有与由旋转基座21保持并旋转的基板9的下表面相向的喷出口。喷嘴50将经由供给管81供给的处理液从该喷出口向基板的下表面喷出。此外，也可以采用能够向作为处理面的基板9的上表面(整体或周缘部)供给处理液的喷嘴。这样的喷嘴例如设置在遮断板90上。即，基板处理装置I具有能够向由旋转基座21保持并旋转的基板9的上表面以及下表面中的某个处理面喷出处理液的喷嘴。作为喷嘴50，能够采用向基板9的处理面喷出处理液的各种喷嘴。
[0217]在供给管81上连接有处理液供给部83，该处理液供给部83是向供给管81供给处理液的配管系统。具体地说，处理液供给部83组合SC-1供给源831a、DHF供给源831b、SC-2供给源831c、冲洗液供给源831d、多个配管832a、832b、832c、832d、以及多个开闭阀833a、833b、833c、833d 而构成。
[0218]SC-1供给源831a是供给SC-1的供给源。SC-1供给源831a经由安装有开闭阀833a的配管832a与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833a时，从SC-1供给源831a供给的SC-1从喷嘴50喷出。
[0219]DHF供给源83 Ib是供给DHF的供给源。DHF供给源83 Ib经由安装有开闭阀833b的配管832b与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833b时，从DHF供给源831b供给的DHF从喷嘴50嗔出。
[0220]SC-2供给源831c是供给SC-2的供给源。SC-2供给源831c经由安装有开闭阀833c的配管832c与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833c时，从SC-2供给源831c供给的SC-2从喷嘴50喷出。
[0221]冲洗液供给源831d是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源831d例如将纯水作为冲洗液来供给。冲洗液供给源831d经由安装有开闭阀833d的配管832d与供给管81连接。因此，当打开开闭阀833d时，从冲洗液供给源831d供给的冲洗液从喷嘴50喷出。此外，作为冲洗液，可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水(CO2水等)等。
[0222 ]当从处理液供给部83向供给管81供给处理液(SC_1、DHF、SC-2、或冲洗液)时，从喷嘴50向在旋转基座21上保持的基板9的处理面的中央附近喷出该处理液。其中，处理液供给部83所具有的各开闭阀833a、833b、833c、833d与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从喷嘴50喷出处理液的喷出方式(具体地说，喷出的处理液的种类、喷出开始时机、喷出结束时机、喷出流量等)由控制部130控制。喷嘴50、供给管81和处理液供给部83是通过控制部130的控制向基板9的处理面喷出处理液的处理液喷出部83A。
[0223]〈1-2.遮断板和旋转基座的结构〉
[0224]图6、图7是表示遮断板90配置在处理位置时的遮断板90和旋转基座21的周缘部的结构的纵向剖视图。在图6中示出在限制部201的剖面，在图7中示出在限制部201以外的部分的剖面。在图6、图7的例子中，防溅挡板31的外构件313配置在上方位置，内构件312配置在下方位置。图8是表示限制部201的横向剖视图。图9是表示实施方式I的其他限制部201F的横向剖视图。
[0225]旋转基座21具有:圆板状的基部28，上表面形状为圆形;环状的凸缘部29，在基部28的周缘(侧面)，从比基部28的上表面稍靠下方的位置向径向外侧突出设置。基部28以及凸缘部29例如由氯乙烯一体形成。凸缘部29的上表面和下表面(更详细地说，凸缘部29中的除了基端部分以外的部分的下表面、即凸缘部29的顶端侧部分的下表面)沿水平面形成，基部28的侧面是铅垂面。在凸缘部29的基端部分形成有沿着旋转基座21的周向的环状的曲面(“曲面部”)211。曲面211具有例如向旋转轴al并向斜上方凸出的1/4圆弧状的剖面形状。该圆弧的半径设定为例如5mm?I Omm。凸缘部29的顶端侧部分的下表面和基部28的侧面中的比凸缘部29更靠下侧的部分通过曲面211平滑地连接。
[0226]通过凸缘部29的上表面和基部28的侧面中的凸缘部29的上侧部分形成环状的凹部。在该凹部通过螺栓固定有环状的板状构件即除水部(“上侧凸缘部”)27。除水部27优选由比基部28耐热性高的例如氟树脂等形成。除水部27的外周缘部在基部28的径向上比凸缘部29的外周缘更向外侧延伸。除水部27的外周缘的直径、即旋转基座21的外周缘的直径比基板9的直径大。除水部27中的除了外周缘部(“顶端部分”)以外的部分的上表面为与基部28的上表面处于同一平面的水平面。除水部27的外周缘部的上表面是向斜上方外侧突出弯曲的曲面。该外周缘部的厚度随着接近外周缘而逐渐变薄。上述的2个突出部26分别从除水部27的外周缘部的顶端(外缘)向遮断板90的径向外侧突出设置。突出部26例如如图5、图6、图8所示那样形成为四棱柱的形状。该突出部26的上表面261为长方形的水平面。突出部26的顶端面262是与上表面261垂直且通过其中心的法线与旋转轴al相交的长方形的铅垂面。突出部26的侧面263、264是与上表面261、顶端面262都垂直的长方形状的铅垂面。上表面261比基部28的上表面靠下方。由此，突出部26整体比基部28的上表面靠下方。
[0227]遮断板90的主体部91是例如由氯乙烯形成的圆板状的构件。主体部91的下表面中的除了周缘部以外的下表面911与由旋转基座21的卡盘销25保持的基板9的上表面隔开间隙相向。下表面911和基板9的上表面的间隔D2例如为Imm左右。在主体部91的下表面中的周缘部形成有沿着周缘的环状的凹部。由此，主体部91的周缘部的厚度为其他部分的一半左右。延伸设置部92具有能够与凹部嵌合的环状的形状。延伸设置部92与该凹部嵌合并通过螺栓固定在主体部91上。延伸设置部92优选由耐热性比主体部91优良的例如氟树脂等的材料形成。延伸设置部92的环状的内周面921从其下端向上方立设后，朝向旋转轴al侧延伸到基板9的周缘部的上方。内周面921中的旋转轴al侧的环状的周缘部与主体部91的下表面911平滑地连接，与下表面911 一起形成与基板9的上表面相向的相向面。延伸设置部92是从主体部91的周缘部向下方延伸设置的筒状壁部，其顶端侧部分延伸至旋转基座21的侧方部分。延伸设置部92的内周面921中的延伸设置部92的顶端侧(下端侧)的部分延伸至旋转基座21的侧方部分。延伸设置部92的外缘侧的内周面921是以相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧突出方式弯曲的曲面。换言之，内周面921中的延伸设置部92的顶端侧(下端侧)的部分是以相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧突出的方式弯曲的曲面。由此，在遮断板90的径向上的延伸设置部92的顶端侧部分的宽度随着接近下方、即旋转基座21的侧方部分而逐渐变细。这样，内周面921与遮断板90的下表面相连续，并且以相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧突出的方式膨出弯曲。
[0228]在延伸设置部92的顶端侧部分形成有限制结构94。如图4、图6、图8所示，限制结构94是从延伸设置部92的顶端面开口至延伸设置部92的内周面的凹部。该限制结构94形成为，在遮断板90配置在处理位置时，能够容纳突出部26的至少一部分。限制结构94的上表面941是长方形状的水平面。限制结构94的底面942是与上表面941垂直并且通过其中心的法线与旋转轴al相交的长方形状的铅垂面。限制结构94的侧面943、944是与上表面941、底面942都垂直的长方形状的铅垂面。上表面941比基部28的上表面靠下方且比突出部26的上表面261靠上方。由此，限制结构94整体比基部28的上表面靠下方。
[0229]在遮断板90配置在处理位置时，2个限制结构94中的一个容纳2个突出部26中的一个的至少一部分，另一个限制结构94容纳另一个突出部26的至少一部分。
[0230]在突出部26刚容纳在限制结构94后的状态下，且旋转基座21停止时，限制结构94的上表面941和突出部26的上表面261隔开间隙相互相向，并且，限制结构94的底面942和突出部26的顶端面262隔开间隙相互相向。并且，限制结构94的侧面943与突出部26的侧面263相向，限制结构94的侧面944与突出部26的侧面264相向。由此，限制结构94在以旋转轴al为中心的周向上从突出部26的前后与突出部26相向配置，能够限制突出部26在周向上的相对移动。限制结构94和突出部26是限制在以旋转轴al为中心的周向上的旋转基座21和遮断板90的相对移动的限制部201。
[0231]如图7所示，在遮断板90配置在处理位置的状态下，在延伸设置部92的顶端侧部分与旋转基座21的侧部、更具体地说除水部27的顶端部分之间，在除了限制部201以外的部分，形成有间隙Gl ο间隙Gl的宽度Dl例如为Imm?5mm左右。处理部5的喷嘴50喷出到基板9的处理面的处理液沿着处理面被排出到基板9的外部，进而，从旋转基座21的周缘部通过间隙Gl排出到外部。如果延伸设置部92的内周面921中的延伸设置部92的顶端的部分和除水部27的顶端部分的上表面如上述那样相互弯曲，则处理液从间隙Gl顺利地排出到外部。
[0232]延伸设置部92的内周面921的上端部分位于遮断板90的下表面中的与基板9相向的相向面(更详细地说，该相向面的周缘部)的上方、即位于相对于旋转基座21的上表面比该相向面更高的位置。由此，在内周面921的上端侧部分形成有环状的凹部922。凹部922沿着以旋转轴al为中心的周向形成。凹部922形成在延伸设置部92的顶端侧部分和遮断板90中的与基板9相向的部分之间。即，凹部922形成在遮断板90的内侧面901中的延伸设置部92的顶端侧部分和与基板9相向的相向部分之间的部分。内侧面901是包围基板9的上表面以及端面的面。内侧面901包括主体部91的下表面911和延伸设置部92的内周面921。凹部922与遮断板90中的与基板9的上表面相向的相向部分的周缘部相比向上方凹陷。在凹部922和旋转基座21的上表面之间，形成环状的膨出的空间(“膨出空间”)923。空间923相比遮断板90中的与基板9相向的相向面向上方膨出。凹部922的最凹陷的部分和基板9的上表面的间隔D3大于间隔D2。在遮断板90的径向上的凹部922的宽度D4优选设定为例如20mm以上。
[0233]在遮断板90的内侧面901(更详细地说为延伸设置部92的内周面921)中的、相对于下表面911位于凹部922的外侧(遮断板90的径向外侧)的部分，如上所述，形成有相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。此外，在图示的例子中，下表面911与基板9的上表面平行。但是，下表面911整体也可以不与基板9的上表面平行，例如下表面911中的除了周缘部之外的部分随着接近下表面911的中心而距基板9的上表面变远等。
[0234]从间隙Gl排出的处理液有时会因处理液的量和间隙Gl的宽度而滞留在延伸设置部92和除水部27之间的空间，由凹部922形成的空间923成为缓冲区。由此，能够抑制因所滞留的处理液引起的、处理液弹回并附着在基板9的非处理面上。
[0235]另外，从除水部27的顶端部分排出的处理液的一部分碰撞到限制结构94、突出部26并弹回。但是，在遮断板90配置在处理位置的状态下，遮断板90的限制结构94和旋转基座21的突出部26都比旋转基座21的上表面靠下方，因此能够抑制弹回的处理液附着在基板9的除了处理面以外的主面(“非处理面”)上。
[0236]如果延伸设置部92、除水部27由耐热性优良的氟树脂等形成，则即使在处理液为高温的情况下，也能够抑制高温对遮断板90、旋转基座21的损伤。其中，例如氟树脂与氯乙烯相比，耐热性优良，但是硬度低。在遮断板90配置在处理位置的状态下，在旋转驱动部23经由旋转轴部22使旋转基座21旋转的情况下，在加速时、减速时，突出部26和限制结构94相互抵接。由此，限制结构94和突出部26彼此、即氟树脂制的构件彼此碰撞，有时产生尘埃。当该尘埃附着在基板9上时，会导致产生缺陷。此外，延伸设置部92、旋转基座21可以分别由相同的材料一体形成。
[0237]在图9的结构例中，就旋转基座21的突出部26而言，突出部26的外周面中的除了顶端面262以外的面被由EPDM等弹性构件形成的O型圈等覆盖。即使在限制结构94和突出部26在旋转基座21加速时等相互抵接的情况下，也能够抑制尘埃的产生。此外，如果突出部26和限制结构94中的至少一方的与另一方相向的部分由弹性构件覆盖，则能够抑制产生尘埃。即使突出部26和限制结构94都没有被弹性构件覆盖，也并不会损害本发明的有用性。
[0238]图12、图13是表示作为实施方式I的基板处理装置的遮断板、旋转基座的其他结构例的遮断板90B和旋转基座21B的纵向剖视图。在图12、图13中，示出遮断板90B和旋转基座21B的周缘部。在图12中示出在限制部201的剖面，在图13中示出在除了限制部201以外的部分的剖面。遮断板90B除了具有延伸设置部92B代替遮断板90的延伸设置部92外，具有与遮断板90同样的结构。旋转基座21B除了具有除水部27B代替旋转基座21的除水部27外，具有与旋转基座21同样的结构。
[0239]延伸设置部92B的内周面(下表面)921B与主体部91中的除了壁薄的周缘部以外的部分的下表面平滑连接。在内周面921B未形成延伸设置部92的凹部922。另外，在除水部27B未形成在除水部27的顶端部分的上表面设置的曲面，除水部27B的顶端面是铅垂面。处理液经由基板9的处理面以及旋转基座21B的上表面的周缘部，从延伸设置部92B和除水部27B之间的间隙G2排出到外部。在设置有限制部201的部分，处理液被限制部201 (限制结构94、突出部26)弹回。
[0240]但是，在除水部27B的顶端部分、即旋转基座21B的侧面部分设置的突出部26与在延伸设置部92B的顶端侧部分设置的限制结构94比旋转基座21B的上表面更靠下方。由此，能够抑制弹回的处理液侵入到基板9的非处理面。因此，即使采用遮断板90B来取代遮断板90，并且采用旋转基座21B来取代旋转基座21，也并不损害本发明的有用性。另外，遮断板90B可以与旋转基座21组合，遮断板90可以与旋转基座21B组合。
[0241]〈1-3.关于其他结构例〉
[0242]图10、图11是表示作为实施方式I的基板处理装置的遮断板、旋转基座的其他结构例的遮断板90A和旋转基座21A的立体图。图11是表示遮断板90A配置在处理位置时的遮断板90A和旋转基座21A的立体图。
[0243]遮断板90A除了取代遮断板90的延伸设置部92而具有延伸设置部92A之外，具有遮断板90同样的结构。延伸设置部92A与延伸设置部92同样，是筒状壁部，从圆板状的主体部91的周缘部向旋转基座21A的侧方延伸设置，并沿着以旋转轴al为中心的周向呈环状延伸。延伸设置部92A和延伸设置部92的差异在于，相对于遮断板90在其顶端侧部分具有2个限制结构94，延伸设置部92A在其顶端侧部分具有多个限制结构94A。
[0244]另外，旋转基座21A除了在旋转基座21的除水部27的顶端部分具有突出部26A来取代突出部26外，具有与旋转基座21同样的结构。限制结构94A和突出部26A是限制在旋转轴al为中心的周向上的旋转基座21A和遮断板90A之间的彼此相对移动的限制部20IA。
[0245]多个限制结构94A在延伸设置部92A的顶端侧部分的整个周向上连续设置。各限制结构94A是形成为能够容纳突出部26A的至少一部分的形状的凹部。各限制结构94A沿遮断板90A的径向贯通延伸设置部92A的顶端部分，并且在该顶端部分的下方也开口。即，限制结构94A朝向在旋转轴al方向上面向从旋转基座21A的侧面部分突出的突出部26A的方向开口。此外，如图6所示的限制结构94那样，即使限制结构94A沿延遮断板90A的径向未贯通延伸设置部92A的顶端部分，也不会损害本发明的有用性。在该情况下，能够提高遮断板90A对基板9的密闭性。
[0246]限制结构94A中的至少下方侧的开口部分的沿周向的宽度WI越接近该开口则越宽。具体地说，限制结构94A具有在以旋转轴al为中心的周向上彼此倾斜相向的侧面(斜面)943A、944A。侧面943A和侧面944A的在该周向上的宽度Wl越接近下方则越宽。
[0247]突出部26A例如形成为五棱柱状，其轴向沿着旋转基座21A的径向。突出部26A具有长方形状的水平的底面267A、从底面267A的在旋转基座21A的周向上的两端分别向上方、SP限制结构94A的开口侧立设的长方形状的侧面265A、266A。侧面265A、266A是铅垂面。在侧面265A、266A的上端部连接有斜面263A、264A。斜面263A和斜面264A形成突出部26A的顶端部分(上端部分)。斜面263A与限制结构94A的侧面943A相互大致平行，斜面264A和侧面944A也相互大致平行。斜面263A和斜面264A的在以旋转轴al为中心的周向上的宽度W2越接近上方则越窄。即，突出部26A中的至少顶端部分与延伸设置部92A的顶端侧部分的限制结构94A相向，该顶端部分的在以旋转轴al为中心的周向上的宽度W2越接近限制结构94则越窄。另外，限制结构94A和突出部26A优选以突出部26A中的至少顶端侧部分能够与限制结构94A中的至少突出部26A侧的开口部分嵌合的方式分别形成。
[0248]在此，对如下情况进行研究，S卩，在旋转基座21A和遮断板90A中的至少一方未配置在周向的初始位置上，并且，某一方在该周向上的旋转未被锁定，而另一方被锁定的状态下，遮断板90A从待避位置向处理位置移动。
[0249]多个限制结构94A在延伸设置部92A的顶端侧部分的整个周向上连续设置。因此，在遮断板90A向处理位置移动的途中，突出部26A的顶端与多个限制结构94A中的某个限制结构94A抵接。在大部分情况下，如图10所示，限制结构94的侧面944A与突出部26A的斜面264A抵接，或者限制结构94的侧面943A与突出部26A的斜面263A抵接。即，相互大致相同倾斜的斜面彼此相互抵接。
[0250]当遮断板90A从该状态进一步向处理位置移动时，在该过程中，以限制结构94A的顶部和突出部26A的顶端相互沿着周向接近的方式，延伸设置部92A相对于旋转基座21A在周向上旋转并向处理位置移动。并且，如图11所示，在遮断板90A配置在处理位置时，突出部26A的顶端侧部分容纳于限制结构94A。由此，遮断板90A被限制相对于旋转基座21A在周向上的相对移动。
[0251]另外，在遮断板90A配置在处理位置时，各限制结构94A的上端和突出部26A的上端比旋转基座21A的上表面都靠下方。因此，即使在从基板9的处理面排出的处理液与限制部201A碰撞而弹回的情况下，也能抑制弹回的处理液附着在基板9的非处理面。
[0252]此外，也可以将多个限制结构94A在旋转基座21A的侧面部分沿周向设置，将突出部26A设置在延伸设置部92A的顶端侧部分。
[0253]图14?图17是表示作为实施方式I的基板处理装置的遮断板以及旋转基座的限制部的其他结构例的遮断板90C和旋转基座21C的限制部201C的横向剖视图。遮断板90C配置在处理位置。图14是表示旋转基座21处于静止状态下的限制部201，图15表示旋转基座21C加速并旋转时的限制部201C。图16表示旋转基座21C匀速旋转时的限制部201C，图17表示旋转基座21C减速并旋转时的限制部201C。
[0254]旋转基座21C除了取代旋转基座21的突出部26而具有突出部26C外，具有与旋转基座21同样的结构。突出部26C除了在内部具有磁铁1la外，具有与突出部26同样的结构。磁铁1la的N极配置在侧面263侧，S极配置在侧面264侧。磁铁1la以N极和S极大致在以旋转轴al为中心的周向上依次排列的方式设置于突出部26C。
[0255]遮断板90C除了取代遮断板90的延伸设置部92而具有延伸设置部92C外，具有与遮断板90同样的结构。延伸设置部92C除了在内部具有磁铁101b、1lc外具有与延伸设置部92同样的结构。磁铁1lb以N极和S极大致在以旋转轴a I为中心的周向上依次排列，并且，N极比S极更接近限制结构94的侧面943的方式，相对于限制结构94设置在旋转基座21C的旋转方向上游侧。磁铁1lc以N极和S极大致在以旋转轴al为中心的周向上依次排列，并且S极比N极更接近限制结构94的侧面944的方式，相对于限制结构94设置在旋转基座21C的旋转方向下游侧。
[0256]这样，磁铁1la?1lc以磁铁1lb的N极和磁铁1la的N极相互相向，磁铁1la的S极和磁铁1lc的S极相互相向的方式排列。并且，在N极彼此之间、S极彼此之间作用磁性的斥力。另外，优选各磁铁1I a?1IC产生彼此大致相等的强度的磁场。
[0257]S卩，磁铁1la?1lc以使突出部26C与限制结构94中的在以旋转轴al为中心的周向上在突出部26C的前后配置的侧面943、944的各间隔扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。通过该磁性的斥力，限制突出部26C相对于限制结构94在周向上的相对移动。另外，也可以以磁铁1la?101 c各自的N极和S极相互反转的方式设置磁铁1la?101 C。
[0258]如图14所示，在旋转基座21静止时，以使侧面943和侧面263的间隔扩大的方式作用的力与以使侧面944和侧面264的间隔扩大的方式作用的力相互大致相等，这些间隔大致相等。如图16所示，在旋转基座21匀速旋转时，这些间隔也大致相等。
[0259]如图15所示，在旋转基座21加速时，除了作用有各磁铁间的磁性的斥力外，因旋转基座21的加速，还作用有使侧面944和侧面264的间隔变窄并使侧面943和侧面263的间隔扩大的力。因此，侧面944和侧面264的间隔比侧面943和侧面263的间隔小。
[0260]如图17所示，在旋转基座21减速时，除了作用有磁铁间的磁性的斥力外，因旋转基座21的减速，还作用有使侧面944和侧面264的间隔扩大并且使侧面943和侧面263的间隔变窄的力。因此，侧面944和侧面264的间隔比侧面943和侧面263的间隔大。
[0261]各磁铁1la?101c、限制结构94、突出部26C是限制在以旋转轴al为中心的周向上的、遮断板90C相对于旋转基座21C的移动(位置)的限制部201C。
[0262]如图14?图17所示，在遮断板90C配置在处理位置时，包括旋转基座21的加速中、减速中在内，优选突出部26C和延伸设置部92C的限制结构94总是以非接触的状态彼此限制在以旋转轴al为中心的周向上的移动。在该情况下，能够完全防止由突出部26C和延伸设置部9 2C的限制结构94的接触产生的尘埃。即使因各磁铁作用的斥力的大小、旋转基座21C的加速度的大小，在旋转基座21的加速中、减速中使突出部26C和延伸设置部92C的限制结构94接触，与没有设置各磁铁1 Ia?1lc的情况相比，能够大幅度减轻接触时的冲击。因此，即使在旋转基座21的加速中、减速中，突出部26C与延伸设置部92C的限制结构94接触，也并不损害本发明的有用性。
[0263]图18是表示作为实施方式I的基板处理装置的遮断板以及旋转基座的限制部的其他结构例的延伸设置部92D和旋转基座21C的限制部201D的剖视图。图19是表示作为实施方式I的基板处理装置的遮断板以及旋转基座的限制部的其他结构例的延伸设置部92E和旋转基座21C的限制部201E的剖视图。图18、图19是利用以旋转轴al为中心的圆筒分别切断限制部201D、201E部分后得到的剖视图。
[0264]图18、图19所示的旋转基座21C具有与图14所示的旋转基座21C同样的结构。图18的遮断板90D除了取代图14的遮断板90C的延伸设置部92C而具有延伸设置部92D外，具有与遮断板90C同样的结构。延伸设置部92D除了在内部还具有磁铁1ld外，具有与延伸设置部92C同样的结构。优选各磁铁1la?1le产生彼此大致相等的强度的磁场。磁铁1ld沿着限制结构94的上表面941以N极和S极大致在以旋转轴al为中心的周向上依次排列的方式设置。磁铁1ld的N极与磁铁1la的N极相向，磁铁1ld的S极与磁铁1la的S极相向。由此，在磁铁101a、101d之间作用磁性的斥力。由此，作用有要扩大上表面941和上表面261的间隔的力。
[0265]磁铁1la?1lc以使限制结构94的侧面943、944与突出部26C的各间隔在以旋转轴al为中心的周向上扩大的方式使磁力发挥作用。进而，磁铁101a、101d以使限制结构94的上表面941和突出部26C的上表面261的间隔在旋转轴al方向(铅垂方向)上扩大的方式使磁力发挥作用。由此，上表面941和上表面261相互接近的移动被限制，相互的接触也被抑制，因此，能进一步抑制由限制结构94和突出部26C的接触产生的尘埃。
[0266]各磁铁1la?101d、限制结构94、突出部26C是在以旋转轴al为中心的周向和铅垂方向上都限制遮断板90C相对于旋转基座21C的移动(位置)的限制部201D。
[0267]图19的遮断板90E除了取代图14的遮断板90C的延伸设置部92C而具有延伸设置部92E外，具有与遮断板90C同样的结构。延伸设置部92E除了在内部还具有磁铁101e、1lf外，具有与延伸设置部92C同样的结构。各磁铁1la?101c、101e、1lf优选产生相互大致相等的强度的磁场。磁铁1le在限制结构94的上表面941的上方以N极接近上表面941且S极位于N极的上方的方式设置。另外，磁铁1ld的N极、磁铁1la的N极相互相向。磁铁1lf在限制结构94的上表面941的上方以S极接近上表面941而N极位于S极的上方的方式设置。另外，磁铁1ld的S极和磁铁1la的S极相互相向。
[0268]由此，在磁铁101a、1le之间作用磁性的斥力，并且在磁铁101a、101f之间也作用磁性的斥力。由此，作用要使上表面941和上表面261的间隔扩大的力。
[0269]磁铁1la?1le以使限制结构94的侧面943、944与突出部26C的各间隔在以旋转轴al为中心的周向上扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。进而，磁铁101a、101e、1lf以使限制结构94的上表面941与突出部26C的上表面261的间隔在旋转轴al方向(铅垂方向)上扩大的方式使磁性的斥力发挥。由此，上表面941和上表面261相互接近的移动被限制，相互的接触也被抑制，因此，能够进一步抑制由限制结构94和突出部26C的接触产生的尘埃。
[0270]各磁铁1la?101(3、1016、1011限制结构94、突出部26(:是在以旋转轴&1为中心的周向和铅垂方向上都限制遮断板90C相对于旋转基座21C的移动(位置)的限制部201E。
[0271]根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，延伸设置部92从遮断板90的主体部91的周缘部向旋转基座21的侧方延伸。在延伸设置部92的顶端侧部分和旋转基座21的侧面部分中的一个部分设置有突出部26，并且在另一个部分设置有限制结构94。突出部26和限制结构94比旋转基座21的上表面更靠下方。因此，能够抑制从基板9排出的处理液被突出部26或限制结构94弹回而附着在基板9的非处理面上。
[0272]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，突出部26和限制结构94中的一方具有与另一方相向的部分，由于该部分被弹性构件覆盖，所以能够抑制突出部26和限制结构94接触时的冲击。
[0273]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，遮断板90在处理位置和待避位置之间沿旋转轴al方向相对于旋转基座21移动，在处理位置，限制结构94在以旋转轴al为中心的周向上从突出部26的前后与突出部26相向配置，在待避位置，限制结构94沿旋转轴al方向从突出部26离开配置。由此，限制结构94能够容易在限制突出部26在周向上的相对移动的限制状态和不对突出部26进行限制的分离状态之间切换。
[0274]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，限制结构94是以能够容纳突出部26的至少一部分的方式形成的凹部。因此，由于能够使遮断板90的延伸设置部92的顶端侧部分与旋转基座21的侧面部分接近，所以能够使遮断板90小型化。
[0275]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，在遮断板90A相对于旋转基座21A从待避位置向处理位置移动的过程中，突出部26A与多个凹部(限制结构94A)中的相向的凹部抵接。如果遮断板90A处于围绕旋转轴a I的旋转未被限制的状态，则突出部26A的顶端部分与该凹部抵接后，借助该凹部以及突出部26A各自的形状，以突出部26A导向该凹部的更深凹陷的部分的方式，修正遮断板90A相对于旋转基座21A在周向上的相对位置，遮断板90A沿旋转轴al方向向处理位置移动。在遮断板90A移动到处理位置后，该凹部限制突出部26A在周向的移动，遮断板90A相对于旋转基座21A在周向上的相对移动被限制。因此，即使遮断板90A相对于旋转基座21A在周向上的相对位置未对准，多个凹部中的与突出部26A相向的凹部成为限制突出部26A在周向上的相对移动的限制结构。由此，能够限制遮断板90A相对于旋转基座21A在周向上的相对移动。
[0276]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，多个磁铁1la?1lb以使突出部26C与限制结构94中的在周向上在突出部26C的前后配置的各部分的各间隔扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。由此，突出部26C相对于限制结构94在周向上的相对移动被限制。因此，能够抑制限制结构94和突出部26C的接触。
[0277]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，限制结构94包括在旋转轴al方向上与突出部26C相向配置的上表面941。多个磁铁101a、101d(101e以及1lf)以使突出部26C与上表面941的间隔在旋转轴al方向上扩大的方式使磁性的斥力发挥作用。由此，突出部26C沿旋转轴al方向接近上表面941的移动受到限制。因此，能够进一步抑制限制结构94和突出部26C的接触。
[0278]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，由于延伸设置部92是沿着遮断板90的周缘部设置的筒状壁部，所以延伸设置部92不会穿过因离心力从基板9的表面向外部排出的处理液的液流。由此，由于能够抑制处理液在延伸设置部92的飞散，所以能够进一步抑制处理液因突出部26或限制结构94弹回而附着在基板9的非处理面。
[0279]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，筒状壁部(延伸设置部92)的内周面921与遮断板90的下表面相连续，并且，包括相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。由于因离心力从基板9的表面向外部排出的处理液容易沿着内周面921顺利地流动，所以能够容易使处理液从内周面921和旋转基座21的间隙Gl向外部排出。
[0280]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，遮断板90包括在包围基板9的上表面以及端面的内侧面901中的延伸设置部92的顶端侧部分和与基板9相向的相向面之间的部分形成的环状的凹部922，所以该凹部922比该相向面的周缘部更向上方凹陷。由此，由于在基板9的周缘部的外侧形成有比该相向面更向上方膨出的环状的空间923，所以能够抑制供给到基板9并从基板9排出后从延伸设置部92的内周面921弹回的处理液附着在基板9的非处理面上。
[0281]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，旋转基座21和遮断板90以旋转轴al为中心向相同方向并以相同速度旋转，因此，抑制在基板9的上表面和遮断板90的下表面之间产生朝向基板9的中心Cl侧的气流。由此，能够进一步抑制处理液附着在基板9的非处理面上。
[0282]另外，根据如上构成的本实施方式I的基板处理装置，遮断板90的内侧面901中的比环状的凹部922更靠遮断板90的径向外侧的部分，形成有相对于旋转基座21的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。由此，喷出到基板9并从基板9排出的处理液容易沿着该弯曲面向延伸设置部92的顶端侧流动。因此，能够抑制处理液在遮断板90的内侧面901中的比环状的凹部922更靠径向外侧的部分弹回，所以能够进一步抑制处理液附着在基板9的非处理面上。
[0283]〈2.关于实施方式2>
[0284]<2-1.基板处理装置IA的结构〉
[0285]图20是用于说明基板处理装置IA的结构的示意图。基板处理装置IA除了取代基板处理装置I的处理部5而具有处理部5A、以及还具有冲洗液供给部84外，具有与基板处理装置I同样的结构。即，基板处理装置IA与基板处理装置I同样，具有图2?图9所示的结构。在图20中，示出遮断板90配置在待避位置的状态。另外，配置在处理位置的遮断板90以假想线表示。另外，基板处理装置IA与基板处理装置I同样，能够采用图10?图13所示的遮断板和旋转基座的其他结构例，能够采用图14?图19所示的限制部的其他结构例。因此，针对基板处理装置1A，说明与基板处理装置I不同的结构。对于同样的结构，除了在不同的结构的说明中的参照以外，省略说明的一部分或全部。
[0286]〈处理部5A>
[0287]处理部5A对在旋转基座21上保持的基板9的处理面(在图20的例子中为下表面)进行处理。具体地说，处理部5A向在旋转基座21上保持的基板9的处理面、即下表面供给处理液。另外，处理部5A沿着旋转基座21的上表面供给冲洗液，对该上表面进行清洗。
[0288]如图20所示，处理部5A具有例如贯通旋转卡盘2的旋转轴部22的中空部和贯通孔21a来配置的供给管81。供给管81的顶端(基板9侧的端)与喷嘴50A连接。在供给管81插入处理液供给管811、冲洗液供给管812 ο处理液供给管811与处理液供给部83连接，处理液供给部83是向处理液供给管811供给处理液的配管系统。冲洗液供给管812与冲洗液供给部84连接，冲洗液供给部84是向冲洗液供给管812供给冲洗液的配管系统。
[0289 ]图21是用于说明嗔嘴50A的结构的不意图。嗔嘴50A具有与基板9的下表面的中央部和旋转基座21的上表面这双方的面隔着间隙并大致平行地相向的圆形的板状构件51。板状构件51的中心轴是与旋转轴部22相同的旋转轴al。板状构件51的直径设定为例如与旋转轴部22的直径大致相同或比其大一些。
[0290]板状构件51的上表面52与基板9的下表面大致平行地相向，下表面53与旋转基座21的上表面的中央部分大致平行地相向。上表面52的中央部分具有比上表面52的周缘部更向基板9侧凸出的形状，下表面53的中央部分具有比下表面53的中央部分更向旋转基座21的上表面侧凸出的形状。在图21的例子中，上表面52的中央部分形成为圆锥台状，下表面53的中央部分形成为圆板状。
[0291]在板状构件51的上表面52的中央部分设置具有与基板9的中心相向的开口的处理液喷出口 54。处理液喷出口 54与处理液供给管811相连接。处理液喷出口 54将经由处理液供给管811从处理液供给部83供给的处理液，从基板9的中央部的下方向基板9的下表面的中央部沿大致铅垂方向喷出。另外，在上表面52的中央部分的侧面设置有冲洗液喷出口(“清洗液喷出口”)55，在下表面53的中央部分的侧面设置有冲洗液喷出口56。冲洗液喷出口55、56分别与冲洗液供给管812连接。冲洗液喷出口 55、56将经由冲洗液供给管812从冲洗液供给部84供给的冲洗液，分别沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出。更详细地说，冲洗液喷出口 55沿着上表面52和旋转基座21的上表面双方的面，将冲洗液向旋转基座21的径向外侧喷出，冲洗液喷出口 56沿着下表面53和旋转基座21的上表面双方的面，将冲洗液向旋转基座21的径向外侧喷出。
[0292]喷嘴50A可以仅具有冲洗液喷出口55、56中的某一个。另外，可以取代冲洗液喷出口 55、56或除了冲洗液喷出口 55、56中的至少一个再设置侧面喷出口，该侧面喷出口形成在板状构件51的外周面(侧面)，并将冲洗液沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出。
[0293]此外，还可以在基板处理装置IA上设置能够向基板9的上表面(更详细地说，上表面的整体或周缘部)供给处理液的喷嘴。这样的喷嘴例如设置在遮断板90上。
[0294]具体地说，冲洗液供给部84具有冲洗液供给源841d、配管842d、以及开闭阀843d。
[0295]喷嘴50A与基板处理装置I的喷嘴50同样，能够喷出从SC-1供给源831a、DHF供给源831b、SC-2 供给源831c 供给的 SC-1、DHF、SC-2。
[0296]冲洗液供给源831d、841d是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源(“清洗液供给源”)831d、841d例如将纯水作为冲洗液来供给。冲洗液供给源83Id经由安装有开闭阀833d的配管832d，与处理液供给管811连接。因此，当打开开闭阀833d时，从冲洗液供给源831 d供给的冲洗液从喷嘴50A的处理液喷出口 54喷出。另外，冲洗液供给源841 d经由安装有开闭阀843d的配管842d，与冲洗液供给管812连接。因此，当打开开闭阀843d时，从冲洗液供给源841d供给的冲洗液从喷嘴50A的冲洗液喷出口 55、56喷出。此外，作为冲洗液，能够使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种的有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水(CO2水等)等。
[0297]当从处理液供给部83向处理液供给管811供给处理液(SC_1、DHF、SC_2、或冲洗液)时，从喷嘴50A的处理液喷出口 54向在旋转基座21上保持的基板9的处理面的中央附近喷出该处理液。另外，当从冲洗液供给部84向冲洗液供给管812供给冲洗液时，从喷嘴50A的冲洗液喷出口 55、56沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出冲洗液。其中，处理液供给部83所具有的各开闭阀833a、833b、833c、833d和冲洗液供给部84所具有的开闭阀843d与控制部130电连接，在控制部130的控制下开闭。也就是说，从喷嘴50A喷出的处理液(即处理液以及冲洗液)的喷出方式(具体地说，喷出的处理液的种类、喷出开始时机、喷出结束时机、喷出流量等)由控制部130控制。
[0298]此外，喷嘴50A既能够使从处理液喷出口 54喷出处理液以及从冲洗液喷出口 55、56喷出冲洗液并行进行，也能够选择地进行该处理液的喷出和该冲洗液的喷出。喷嘴50A、供给管81和处理液供给部83是通过控制部130的控制向基板9的处理面喷出处理液的处理液喷出部83A。喷嘴50A、供给管81和冲洗液供给部84是将冲洗液沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出的冲洗液喷出部84A。
[0299]〈2-2.关于基板处理装置的动作〉
[0300]图22是表示基板处理装置IA的动作的一例的流程图。以下，基于图22的流程图，对基板处理装置IA的动作进行说明。该流程图示出如下动作，S卩，从旋转基座21已保持基板9的状态，基板处理装置IA使用处理液对基板9的下表面进行处理和使用冲洗液对旋转基座21的上表面进行清洗。
[0301]基板处理装置IA在利用处理液供给部83供给的处理液对基板9的下表面进行处理和利用冲洗液供给部84供给的冲洗液对旋转基座21的上表面进行清洗时，首先，控制部130驱动旋转驱动部23，使保持基板9的旋转基座21旋转，从而开始使基板9旋转(步骤S10)。
[0302]基板处理装置IA在基板9旋转的状态下，控制处理液供给部83、冲洗液供给部84，开始喷出处理液、冲洗液(步骤S20) ο具体地说，控制部130例如通过有选择地打开开闭阀833a?833d，使处理液供给部83开始供给处理液(SC-1、DHF、SC-2、或冲洗液)。处理液经由处理液供给管811供给到喷嘴50A的处理液喷出口 54，处理液喷出口 54开始向基板9的下表面喷出处理液。喷出到下表面的处理液仅与基板9的下表面和旋转基座21中的基板9的下表面接触，在不与旋转基座21接触的情况下，在旋转的基板9的下表面向其周缘侧扩展。
[0303]控制部130与开始供给处理液并行，打开开闭阀843d使冲洗液供给部84开始供给冲洗液。冲洗液经由冲洗液供给管812供给到喷嘴50A的冲洗液喷出口 55、56，冲洗液喷出口55、56沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧开始喷出冲洗液。
[0304]所喷出的冲洗液仅与基板9的下表面和旋转基座21的上表面中的旋转基座21的上表面接触，在不与基板9的下表面接触的情况下，在旋转的旋转基座21的上表面向其周缘侧扩展。由此，基板处理装置IA并行进行处理液对基板9的下表面的处理和对旋转基座21的上表面的清洗处理。处理中的基板W的旋转速度例如为300rpm。处理时间例如为30秒等。
[0305]当基板9的下表面的处理结束时，基板处理装置IA在基板9旋转的状态下，控制处理液供给部83、冲洗液供给部84，停止喷出处理液、冲洗液(步骤S30) ο具体地说，控制部130例如关闭开闭阀833a?833d，来使处理液供给部83停止供给处理液。由此，处理液喷出口 54停止向基板9的下表面喷出处理液。控制部130与停止喷出处理液并行地使开闭阀843d关闭，停止向冲洗液供给部84供给冲洗液。由此，冲洗液喷出口 55、56停止喷出冲洗液。
[0306]通过喷出处理液对基板9的下表面进行处理和通过喷出冲洗液对旋转基座21的上表面进行处理既可以如上述那样并行进行，也可以依次进行。
[0307]当对基板9的下表面的处理以及清洗液对旋转基座21的上表面的清洗处理结束时，控制部130控制旋转驱动部23，使旋转基座21以高速旋转，基板处理装置IA进行甩掉在基板9以及喷嘴50A附着的处理液、冲洗液等液体来使基板9以及喷嘴50A干燥的甩掉处理(“液体甩掉处理”)(步骤340)。
[0308]当液体甩掉处理结束时，基板处理装置IA的控制部130控制旋转驱动部23，停止旋转基座21的旋转(步骤S50)，结束一系列的基板处理。
[0309]根据以上的本实施方式2的基板处理方法以及以上构成的本实施方式2的基板处理装置，清洗液沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出。由此，能够抑制清洗液与基板9的下表面碰触而与在下表面附着的处理液混合，并能够利用清洗液清洗旋转基座21的上表面，并且，从基板9的下表面落下的处理液能够在附着在旋转基座21的上表面上之前由清洗液冲洗掉。因此，能够抑制供给到基板9的下表面上的处理液落下附着在旋转基座21上并直接残存下来。
[0310]另外，根据以上的本实施方式2的基板处理方法以及以上构成的本实施方式2的基板处理装置，由于向基板9的下表面喷出处理液和沿着旋转基座21的上表面喷出清洗液并行进行，所以能够有效抑制喷出到基板9的下表面的处理液附着在旋转基座21的上表面上。
[0311]另外，根据以上的本实施方式2的基板处理方法以及以上构成的本实施方式2的基板处理装置，清洗液沿着喷嘴50A的板状构件51的上表面或下表面和旋转基座21的上表面双方的面，向旋转基座21的径向外侧喷出，因此还能够在旋转基座21的清洗中进行喷嘴50A的清洗。
[0312]另外，根据以上的本实施方式2的基板处理方法以及以上构成的本实施方式2的基板处理装置，清洗液从在喷嘴50A的板状构件51的侧面设置的冲洗液喷出口 55、56沿着旋转基座21的上表面向旋转基座21的径向外侧喷出。因此，容易使冲洗液喷出口 55、56的形状在板状构件51的周向上变长，使喷出的清洗液扩展。
[0313]〈3.关于实施方式3>
[0314]〈3-1.基板处理装置IB的结构〉
[0315]图23是用于说明基板处理装置IB的结构的示意图。基板处理装置IB除了还具有清洗部6、以及冲洗液供给部85外，具有与基板处理装置I同样的结构。即，基板处理装置IB与基板处理装置I同样，具有图2?图9所示的结构。在图23中示出遮断板90配置在待避位置的状态。另外，在处理位置配置的遮断板90假想线表示。另外，基板处理装置IB与基板处理装置I同样，能够采用与图10?图13所示的遮断板和旋转基座的其他结构例，并能够采用图14?图19所示的限制部的其他结构例。因此，针对基板处理装置1B，说明与基板处理装置I不同的结构。关于同样的结构除了在不同的结构的说明中的参照以外，省略说明的一部分或全部。
[0316]〈清洗部6>
[0317]清洗部6对旋转基座21的侧面和防溅挡板31的内构件312双方进行清洗处理。具体地说，清洗部6从旋转基座21的凸缘部29(图6)的下方向凸缘部29的下表面供给处理液。如图23所示，清洗部6例如具有在旋转卡盘2的壳体24的侧面设置的多个(例如4个)冲洗液喷出口 86和多个(例如2个)冲洗液喷出口 87。
[0318]多个冲洗液喷出口86与旋转基座21的凸缘部29的下表面(更优选是凸缘部29的基端部分的下表面即曲面211(图6))相向，在旋转基座21的周向上分散设置在该下表面的下方。各冲洗液喷出口 86向凸缘部29的下表面(更优选是曲面211)，沿铅垂方向向上喷出冲洗液。
[0319]多个冲洗液喷出口87与旋转基座21的圆板状的基部28(图6)的下表面的周缘部相向，在旋转基座21的周向上分散设置在该周缘部的下方。各冲洗液喷出口 87能够向基部28的下表面的周缘部，沿铅垂方向向上喷出冲洗液。
[0320]此外，上述的壳体24的轴线与旋转轴al—致。壳体24的上端部分形成为以旋转轴al为轴线的圆筒状，其直径比旋转基座21的圆板状的基部28的直径小一些。因此，从下方观察时，基部28的下表面的周缘部从壳体24的上端部分的外周面向外侧露出，并包围该外周面。由此，能够从下方向基部28的下表面的周缘部喷出冲洗液。另外，壳体24具有与旋转基座21的凸缘部29的下表面倾斜相向的斜面。该斜面具有如圆锥台的侧面那样的形状，随着接近上端(旋转基座21侧)，直径变小。各冲洗液喷出口 86、87例如在该斜面开口设置。
[0321 ]各冲洗液喷出口 86、87与冲洗液供给部85连接，该冲洗液供给部85是向各冲洗液喷出口 86、87供给冲洗液的配管系统。冲洗液供给部85在旋转基座21旋转时供给冲洗液。具体地说，冲洗液供给部85组合冲洗液供给源851d、配管852d、以及开闭阀853d而构成。
[0322]冲洗液供给源851d是供给冲洗液的供给源。在此，冲洗液供给源851d例如将纯水作为冲洗液来供给。冲洗液供给源851d经由安装有开闭阀853d的配管852d与各冲洗液喷出口 86、87连接。配管852d在壳体24的内部分支成多个支管，各支管的上端与各冲洗液喷出口86、87连接。因此，当打开开闭阀853d时，从冲洗液供给源851d供给的冲洗液从各冲洗液喷出口 86、87喷出。此外，作为冲洗液，可以使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(含氢水)、各种的有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水(CO2水等)等。
[0323]内构件312(外构件313)在配置在上方位置的状态下，能够接受从喷嘴50供给到基板9上后从基板9排出的处理液。另外，在内构件312配置在下方位置的状态下，内构件312的上端位于旋转基座21的凸缘部29的侧方。
[0324]当从冲洗液供给部85向冲洗液喷出口86、87供给冲洗液时，从冲洗液喷出口 86、87向旋转基座21的凸缘部29的下表面和基部28的下表面的周缘部喷出该冲洗液。利用向基部28的下表面的周缘部喷出的冲洗液来清洗基部28的下表面。向凸缘部29的下表面喷出的冲洗液对基部28的侧面进行清洗，并沿着该侧面行进，碰触到凸缘部29的下表面。该处理液借助由旋转基座21的旋转产生的离心力，沿着凸缘部29的下表面向旋转基座21的径向外侧移动，从凸缘部29的顶端部向旋转基座21的外部排出。配置在下方位置的内构件312利用其上端侧部分的内周面接受被排出到旋转基座21的外部的该冲洗液。由此，对内构件312的内周面进行清洗。其中，冲洗液供给部85所具有的开闭阀853d与控制部130电连接，并在控制部130的控制下开闭。也就是说，从冲洗液喷出口 86、87喷出的冲洗液的喷出方式(具体地说，喷出开始时机、喷出结束时机、喷出流量等)由控制部130控制。冲洗液喷出口 86、87、冲洗液供给部85是通过控制部130的控制来喷出冲洗液的冲洗液喷出部(“清洗液喷出部”)85A。
[0325]〈3-2.基板处理装置的动作和结构〉
[0326]图24是示出如下动作的流程图，S卩，基板处理装置IB利用喷嘴50、清洗部6进行对基板9的下表面的处理和对旋转基座21的侧面以及内构件312的清洗处理。图25是用于说明图24的流程图所示的动作的示意图。在图25中根据图24的处理顺序来示出基板处理装置IB的纵剖面。图26是用于对图24的流程图中的步骤S150的动作更详细进行说明的示意图。步骤S150是基板处理装置IB利用清洗部6进行清洗处理的步骤。在图26中示出基板处理装置IB中的特定部分的纵剖面，该特定部分包含遮断板90以及旋转基座21的周缘部和内构件312以及外构件313的上侧的一部分。防溅挡板31的外构件313配置在上方位置，内构件312配置在下方位置。
[0327]以下，参照图24?图26来说明基板处理装置IB进行对基板9的下表面的处理和对旋转基座21的侧面以及内构件312的清洗处理的动作的一例。另外，对遮断板90、旋转基座
21、内构件312、外构件313的位置关系等也适当说明。根据还适当参照其他附图。在此，对喷嘴50向基板9的下表面喷出处理液的情况进行说明，但是，例如也可以从在遮断板90的中央部设置的喷嘴向基板9的上表面供给处理液来对基板9的上表面进行处理。
[0328]在图24所示的动作开始之前，基板9被搬送到旋转基座21上，并由卡盘销25保持。另外，遮断板90配置在处理位置，内构件312、外构件313配置在各自的下方位置。旋转基座21停止旋转，喷嘴50、冲洗液喷出口 86、87不喷出处理液、冲洗液。
[0329]基板处理装置IB从内构件312、外构件313配置在各自的下方位置的状态，将内构件312、外构件313移动到各自的上方位置(步骤SI 10)。具体地说，控制部130控制挡板驱动机构32，使内构件312、外构件313向各自的上方位置移动，并配置在上方位置。然后，优选表面保护部4的保护气体喷嘴41(图23)开始向在旋转基座21上保持的基板9的上表面的中央附近喷出气体(保护气体)。
[0330]当步骤SllO的处理完成时，基板处理装置IB开始旋转基座21的旋转(步骤S120)。具体地说，控制部130控制旋转驱动部23来开始使旋转轴部22旋转。由此，旋转基座21与旋转轴部22—起开始旋转。旋转基座21、即基板9的转速例如设定为1000?1500rpm。
[0331]接着，基板处理装置IB利用处理液对基板9的下表面进行处理(步骤S130)。具体地说，控制部130例如有选择地使开闭阀833a?833d打开，开始向处理液供给部83供给处理液(SC-1、DHF、SC-2、或冲洗液)ο处理液经由配管832a等供给到喷嘴50，喷嘴50开始向基板9的处理面(在图示的例子中为下表面)喷出处理液。处理液例如以600ml/分钟的流量供给7?10秒钟。然后，控制部130通过使开闭阀833a?833d关闭，使处理液供给部83停止供给处理液。由此，喷嘴50停止向基板9的下表面喷出处理液。
[0332]当使处理液供给部83停止供给处理液时，基板处理装置IB使内构件312向下方位置移动，并配置在下方位置(步骤S140)。具体地说，控制部130通过挡板驱动机构32使内构件312从上方位置向下方位置移动，并在下方位置使内构件312停止。
[0333]当内构件312配置在下方位置时，内构件312的上端位于凸缘部29的下表面的侧方。更具体地说，内构件312的上端的下表面相对于凸缘部29的顶端侧部分的下表面配置在例如下方25mm?上方25mm的范围。优选如图26所示，内构件312的上端的下表面和凸缘部29的顶端侧部分的下表面配置在相同的高度。当通过将内构件312配置在下方位置来使内构件312的上端位于凸缘部29的下表面的侧方时，内构件312能够利用其上端部分的内周面接受沿着凸缘部29的下表面向旋转基座21的外部排出的冲洗液。
[0334]内构件312、外构件313的上端部与遮断板90的外周面的水平方向的间隔D5设定为例如Imm?5_。无论内构件312、外构件313如何升降，间隔D5保持恒定。另外，内构件312、外构件313的上端部与除水部27的顶端在水平方向上的间隔D6设定为例如5mm?10mm。内构件312、外构件313的上端部与凸缘部29的顶端面在水平方向上的间隔D7设定为例如15mm?25mm。另外，内构件312、外构件313的上端部与基部28的侧面在水平方向上的间隔D8设定为例如40mm。内构件312、外构件313的上端部的厚度例如为5mm左右。除水部27的下表面和遮断板90的延伸设置部92的下端面设定大致相同的高度，这些面与内构件312的上端部的下表面的在铅垂方向上的间隔D9例如设定为I Omm。
[0335]基板处理装置IB在使内构件312配置在下方位置的状态下，利用处理液对基板9的下表面进行处理，并对旋转基座21的侧面和内构件312的内周面进行清洗处理(步骤S150)。即，控制部130在通过挡板驱动机构32使内构件312配置在下方位置的状态下，使冲洗液喷出口 86、87向保持基板9并旋转的旋转基座21的凸缘部29的下表面喷出冲洗液。具体地说，控制部130打开开闭阀353d，从冲洗液供给源851 d向各冲洗液喷出口 86、87以例如600ml /分钟的流量供给冲洗液7?10秒钟。冲洗液经由配管852d向各冲洗液喷出口 86、87供给，各冲洗液喷出口 86、87使冲洗液向铅垂方向上方喷出。
[0336]此外，在开始向各冲洗液喷出口86、87供给冲洗液之前，优选控制部130控制旋转驱动部23来使旋转基座21的转速上升。具体地说，该转速例如设定在2000rpm?2500rpm左右。由此，喷出到凸缘部29的下表面的冲洗液更容易到达内构件312。
[0337]另外，控制部130在步骤S150中，使冲洗液从各冲洗液喷出口86、87沿铅垂方向向上喷出，并与步骤S130的处理同样地控制处理液供给部83，来使喷嘴50向基板9的下表面喷出处理液。在步骤S150中喷出的处理液既可以与在步骤S130中喷出的处理液相同，也可以不同。
[0338]如图26所示，向凸缘部29的曲面211喷出的冲洗液沿着基部28的侧面流动，来对该侧面进行清洗。到达曲面211的冲洗液的行进方向由曲面211变更为朝向旋转基座21的径向外侧。冲洗液借助由旋转基座21的旋转产生的离心力，从凸缘部29的顶端向内构件312的上端侧飞去。在内构件312配置在下方位置，并且其上端配置在凸缘部29的顶端侧部分的下表面的侧方的情况下，从凸缘部29的顶端飞出去的冲洗液如图26所示那样，飞散到包含内构件312的上端侧部分的下表面的内构件312的内周面，对该内周面进行清洗。
[0339]另外，由喷嘴50供给到基板9的下表面的处理液从遮断板90的延伸设置部92的顶端部(下端部)与旋转基座21的除水部2 7的顶端部的间隙GI (图7)排出到旋转基座21的外部。除水部27位于凸缘部29的上方，并且比凸缘部29更向旋转基座21的径向外侧突出。因此，从除水部27的上表面排出的处理液与从凸缘部29的下表面排出的冲洗液在相互分离的状态下从旋转基座21排出。被排出的处理液和冲洗液在被内构件312的上端侧部分相互分离的状态下，向上下方向扩张并向旋转基座21的径向外侧飞散。处理液被在内构件312的上端侧部分的上表面上方位置配置的外构件313挡住。冲洗液被包含内构件312的上端侧部分的内周面的内构件312的内周面挡住，来对内周面进行清洗。
[0340]控制部130在步骤S150的处理结束时，使处理液供给部83、冲洗液供给部85停止供给处理液、冲洗液，进行内构件312、外构件313向下方位置的移动、或旋转基座21的旋转停止等。
[0341]如已经叙述那样，除水部27的外周缘部的上表面是向斜上方外侧突出弯曲的曲面，随着接近除水部27的外周缘部(顶端部分)、外周缘，厚度逐渐变薄。因此，能够抑制从间隙Gl排出的处理液沿着除水部27的下表面绕到凸缘部29侧。因此，能够抑制处理液与从凸缘部29排出的冲洗液混合向内构件312的内周面飞散。
[0342]例如，后述的除水部27B(图13)的顶端面是铅垂面，但是除水部27B也位于凸缘部29的上方，并比凸缘部29更向旋转基座21的径向外侧突出。因此，从除水部27B的上表面排出的处理液与从凸缘部29的下表面排出的冲洗液在相互分离的状态下从旋转基座21排出。这样，即使采用除水部27B，也并不损害本发明的有用性。
[0343]例如在未设置除水部27(27B)的情况下，喷出到基板9并经由基板9从旋转基座21排出的处理液的一部分绕到凸缘部29的下表面侧。在该情况下，绕过来的处理液与从下方向凸缘部的下表面喷出并沿着该下表面排出的冲洗液混合，从旋转基座21排出。但是，作为向基板9供给的处理液，如果采用与冲洗液供给部85供给的冲洗液相同的洗液，则不会产生由混合带来的问题，能够利用冲洗液并行进行对基板9的清洗和对内构件312的内周面的清洗。因此，即使不设置除水部27(27B)，也并不损害本发明的有用性。
[0344]另外，例如如果在步骤S150不从喷嘴50喷出处理液而从冲洗液喷出口86、87喷出冲洗液，则能够利用基板9的高速旋转甩掉在步骤S130中在基板9上附着残存的处理液，来使基板9干燥。在该情况下，在步骤S150中，不会发生大量的处理液经由基板9从旋转基座21排出。因此，即使在未设置外构件313的情况下，在步骤S150中，也能够利用冲洗液喷出口86、87进行对旋转基座21的侧面的清洗和对内构件312的内周面的清洗。因此，即使未设置外构件313，也并不损害本发明的有用性。
[0345]另外，也可以在凸缘部29的基端部分的下表面不设置曲面211，例如使凸缘部29的下表面与基部28的侧面大致垂直。在该情况下，喷出到凸缘部29的下表面的冲洗液也借助由旋转基座21的旋转产生的离心力从凸缘部29的顶端向内构件312的内周面排出。
[0346]另外，g卩使在各冲洗液喷出口87未向旋转基座21的下表面周缘部喷出冲洗液的情况下，如果各冲洗液喷出口 86向凸缘部29的下表面喷出冲洗液，则也能够进行对旋转基座21的侧面的清洗和对内构件312的内周面的清洗。因此，即使未设置各冲洗液喷出口 87，也并不损害本发明的有用性。
[0347]另外，旋转基座21、冲洗液喷出口86、87、以及内构件312中，仅旋转基座21以旋转轴a I为中心旋转。因此，如果多个冲洗液喷出口 86沿着旋转基座21的周向分散配置，则能够对内构件312的内周面更均匀地进行清洗，因此比较理想，但是即使仅设置I个冲洗液喷出口 86，也能对旋转基座21的侧面和内构件312的内周面并行进行清洗，所以并不损害本发明的有用性。
[0348]根据以上的本实施方式3的基板处理方法以及如上构成的本实施方式3的基板处理装置，都能在可接受从基板9排出的处理液的上方位置配置内构件312的状态下，处理液喷出部83A向基板9的处理面喷出处理液。然后，在内构件312的上端位于旋转基座21的凸缘部29的侧方的下方位置配置有内构件312的状态下，冲洗液喷出部85A向保持基板9并使基板9旋转的旋转基座21的凸缘部29喷出冲洗液。所喷出的冲洗液从凸缘部29的下表面向旋转基座21的径向外侧排出。在下方位置配置的内构件312的上端位于凸缘部29的侧方，所以被排出的处理液碰触到内构件312的上端部分的内周面。由此，在旋转基座21上保持有基板9的状态下，能够利用共用的冲洗液喷出部85A对附着有处理液的内构件312和旋转基座21都进行清洗。
[0349]另外，根据以上的本实施方式3的基板处理方法以及如上构成的本实施方式3的基板处理装置，除水部27位于凸缘部29的上方，并且比凸缘部29更向旋转基座21的径向外侧突出。从下方喷出到凸缘部29的冲洗液沿着凸缘部29的下表面向凸缘部29的顶端移动，并从顶端向旋转基座21的径向外侧排出。喷出到基板9的处理面并从基板9排出的处理液经由除水部27的上表面相比冲洗液从径向外侧且上方向旋转基座21的径向外侧排出。因此，处理液和冲洗液在相互分离的状态下从旋转基座21排出，因此能够抑制所排出的处理液和冲洗液混合。
[0350]另外，根据以上的本实施方式3的基板处理方法以及如上构成的本实施方式3的基板处理装置，冲洗液喷出部85A从下方向凸缘部29的曲面211喷出冲洗液。曲面211与旋转基座21的基部28的外周面和凸缘部29的下表面分别平滑地连接。因此，能够减少喷出到曲面211后弹回下方的冲洗液，使更多的冲洗液沿着凸缘部29的下表面排出。由此，能够更高效地对内构件312的内周面进行清洗。
[0351]另外，根据以上的本实施方式3的基板处理方法以及如上构成的本实施方式3的基板处理装置，内构件312配置在下方位置，并且，在能够接受从处理液喷出部83A供给到基板9后从基板9排出的处理液的位置配置外构件313。在该状态下，向基板9的处理面喷出处理液，并且，向凸缘部29的下表面喷出冲洗液。因此，能够并行进行对基板9的处理和对旋转基座21以及内构件312的清洗处理。
[0352]另外，根据以上的本实施方式3的基板处理方法以及如上构成的本实施方式3的基板处理装置，在利用遮断板90提高基板9的密闭性的状态下，对旋转基座21以及内构件312进行清洗，所以还能够保护基板9的上表面。
[0353]对本发明进行了详细的说明，但是上述的说明在所有方式中都仅是例示而非限制性的。因此，本发明在其发明的范围内能够对实施方式适当进行变形、省略。
【主权项】
1.一种基板处理装置，其特征在于， 具有: 保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转， 相向构件，具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部中的至少一部分向所述保持构件的侧方的延伸设置部，该相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转；在所述延伸设置部的顶端侧部分和所述保持构件的侧面部分中的一个部分上设置有突出部，在另一个部分上设置有限制结构，该限制结构在以所述旋转轴为中心的周向上从所述突出部的前后与所述突出部相向配置，来限制所述突出部在所述周向上的相对移动，所述保持构件和所述相向构件在以所述旋转轴为中心的周向上的相对移动通过所述突出部和所述限制结构相互限制， 该基板处理装置还具有: 旋转机构，使所述保持构件和所述相向构件中的至少一个以所述旋转轴为中心进行旋转， 喷嘴，向由所述保持构件保持并旋转的所述基板的处理面喷出处理液； 所述突出部和所述限制结构比所述保持构件的上表面靠下方。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述突出部和所述限制结构中的至少一个具有与另一个相向的部分，该部分被弹性构件覆盖。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置还具有移动部，该移动部使所述相向构件在第一位置和所述第一位置的上方的第二位置之间沿着所述旋转轴方向相对于所述保持构件移动， 所述限制结构避开所述突出部通过所述移动部相对于所述限制结构移动的移动路径来配置， 当所述相向构件配置在所述第一位置时，所述限制结构在所述周向上从所述突出部的前后与所述突出部相向配置，当所述相向构件配置在所述第二位置时，所述限制结构沿着所述旋转轴方向从所述突出部相对离开配置。4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述限制结构是以能够容纳所述突出部的至少一部分的方式形成在所述另一个部分上形成的凹部。5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述另一个部分沿着以所述旋转轴为中心的周向呈环状延伸，并且具有多个凹部，所述多个凹部在所述另一个部分的所述周向的整周连续设置， 所述多个凹部分别是具有在所述旋转轴方向上面向从所述一个部分突出的所述突出部的开口的凹部，该凹部形成为能够容纳所述突出部的至少一部分的形状，该凹部中的至少该开口侧的部分在所述周向上的宽度随着接近该开口而变宽， 所述突出部中的至少顶端部分在所述旋转轴方向上与所述凹部相向，该顶端部分在所述周向上的宽度随着接近顶端而变窄。6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有多个磁铁，所述多个磁铁以使所述突出部与所述限制结构中的在所述周向上配置在所述突出部的前后的各部分的各间隔扩大的方式使磁性的斥力发挥作用，利用该磁性的斥力来限制所述突出部相对于所述限制结构在所述周向上的相对移动。7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于， 所述限制结构包括在所述旋转轴方向上与所述突出部相向配置的相向部， 该基板处理装置具有多个磁铁，所述多个磁铁以使所述突出部与所述相向部的间隔在所述旋转轴方向上扩大的方式使磁性的斥力发挥作用，利用该磁性的斥力来限制所述突出部在所述旋转轴方向上接近所述相向部的移动。8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述延伸设置部是沿着所述相向构件的周缘部设置的筒状壁部。9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 所述延伸设置部的内周面与所述相向构件的下表面相连续，并且包括相对于所述保持构件的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。10.一种基板处理装置，其特征在于， 具有: 保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转， 相向构件，具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转， 旋转机构，使所述保持构件和所述相向构件以所述旋转轴为中心向相互相同的方向旋转， 喷嘴，向由所述保持构件保持并旋转的所述基板的上表面以及下表面中的某一个处理面喷出处理液； 所述相向构件包括在包围所述基板的上表面以及端面的内侧面中的一部分形成的环状的凹部，该一部分设置在所述延伸设置部的顶端侧部分与所述内侧面中的与所述基板相向的相向面之间的部分，所述环状的凹部与所述相向面的周缘部相比向上方凹陷。11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于， 所述旋转机构使所述保持构件和所述相向构件以所述旋转轴为中心向相同的方向并以相同的速度旋转。12.如权利要求10或11所述的基板处理装置，其特征在于， 所述相向构件在所述内侧面中的比所述环状的凹部靠径向外侧的部分具有相对于所述保持构件的上表面向斜上方外侧膨出弯曲的弯曲面。13.一种基板处理方法，其特征在于，包括: 旋转步骤，使能够以规定的旋转轴为中心进行旋转的保持构件与基板一起以所述旋转轴为中心进行旋转，所述保持构件从下方将所述基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面； 处理液喷出步骤，从由所述保持构件保持并旋转的所述基板的下表面的中央部的下方向该中央部喷出处理液； 清洗液喷出步骤，从由所述保持构件保持并旋转的所述基板的中央部和所述保持构件的中央部之间沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。14.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于， 所述处理液喷出步骤和所述清洗液喷出步骤并行进行。15.如权利要求13或14所述的基板处理方法，其特征在于， 处理液喷出步骤是从在喷嘴的板状构件的上表面设置的处理液喷出口向所述下表面的中央部喷出处理液的步骤，所述喷嘴具有与所述基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的所述板状构件， 所述清洗液喷出步骤是从在所述喷嘴的所述板状构件的上表面或下表面设置的清洗液喷出口，沿着所述板状构件的上表面或下表面和所述保持构件的上表面双方的面，向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液的步骤。16.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于， 处理液喷出步骤是从在喷嘴的板状构件的上表面设置的处理液喷出口向所述基板的下表面的中央部喷出处理液的步骤，所述喷嘴具有与所述基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的所述板状构件， 所述清洗液喷出步骤是从在所述喷嘴的所述板状构件的侧面设置的清洗液喷出口沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液的步骤。17.一种基板处理装置，其特征在于， 具有: 保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转； 旋转机构，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转； 喷嘴，分别设置有处理液喷出口和清洗液喷出口，所述处理液喷出口从所述基板的下表面的中央部的下方向该中央部喷出处理液，所述清洗液喷出口从所述基板的中央部和所述保持构件的中央部之间沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于， 所述喷嘴具有与基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的板状构件， 所述处理液喷出口设置在所述板状构件的上表面，向所述基板的下表面的中央部喷出处理液， 所述清洗液喷出口设置在所述板状构件的上表面或下表面上，沿着所述板状构件的上表面或下表面和所述保持构件的上表面双方的面，向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。19.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于， 所述喷嘴具有与基板的下表面的中央部和所述保持构件的上表面都隔开间隙相向的板状构件， 所述处理液喷出口设置在所述板状构件的上表面，向所述基板的下表面的中央部喷出处理液， 所述清洗液喷出口设置在所述板状构件的侧面，沿着所述保持构件的上表面向所述保持构件的径向外侧喷出清洗液。20.一种基板处理装置，其特征在于， 具有: 保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，该保持构件具有以所述旋转轴为中心轴的圆板状的基部和从所述基部的周壁部向径向外侧突出的凸缘部， 旋转驱动部，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转， 挡板，具有上端侧部分向所述旋转轴并向斜上方延伸的筒形状，包围所述保持构件的周围，并能够升降， 处理液喷出部，能够向所述基板的处理面喷出处理液， 清洗液喷出部，能够从所述保持构件的所述凸缘部的下方向所述凸缘部喷出清洗液，升降驱动部，能够使所述挡板在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指，能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置，所述下方位置是指所述挡板的上端位于所述凸缘部的侧方的位置， 控制部，控制所述升降驱动部、所述处理液喷出部和所述清洗液喷出部； 所述控制部在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述上方位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液来对所述基板进行处理，然后，在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置的状态下，使所述清洗液喷出部向保持所述基板并旋转的所述保持构件的所述凸缘部喷出所述清洗液。21.如权利要求20所诉的基板处理装置，其特征在于， 所述保持构件在所述凸缘部的上侧还具有上侧凸缘部，该上侧凸缘部从所述基部的周壁部的上端部比所述凸缘部更向所述保持构件的径向外侧突出。22.如权利要求20或21所述的基板处理装置，其特征在于， 所述保持构件在所述凸缘部的基端部分具有曲面部，该曲面部具有圆弧状的剖面形状，与所述保持构件的所述基部的外周面和所述凸缘部的下表面分别平滑地连接， 所述清洗液喷出部从下方向所述凸缘部的所述曲面部喷出所述清洗液。23.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置还具有筒状的外侧挡板，该外侧挡板配置在所述挡板的外侧，包围所述保持构件的周围，并能够进行升降， 所述升降驱动部也能够使所述外侧挡板升降， 所述控制部在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置，并且将所述外侧挡板配置在能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液，并且从所述清洗液喷出部向所述凸缘部的下表面喷出所述清洗液。24.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置还具有相向构件，所述相向构件具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，并且，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转。25.一种基板处理方法，使用基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理装置具有: 保持构件，从下方将基板保持为大致水平，并具有与所述基板的下表面隔开间隙相向的上表面，该保持构件能够以规定的旋转轴为中心进行旋转，该保持构件具有以所述旋转轴为中心轴的圆板状的基部和从所述基部的周壁部向径向外侧突出的凸缘部， 旋转驱动部，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转， 挡板，具有上端侧部分向所述旋转轴并向斜上方延伸的筒形状，包围所述保持构件的周围，并能够升降， 处理液喷出部，能够向所述基板的处理面喷出处理液， 清洗液喷出部，能够从所述保持构件的所述凸缘部的下方向所述凸缘部喷出清洗液，升降驱动部，能够使所述挡板在上方位置和下方位置之间升降，所述上方位置是指，能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置，所述下方位置是指所述挡板的上端位于所述凸缘部的侧方的位置； 所述基板处理方法包括: 处理步骤，在所述升降驱动部将所述挡板配置在上方位置的状态下，所述处理液喷出部向所述基板喷出所述处理液来对所述基板进行处理； 清洗步骤，在所述处理步骤后，在所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置的状态下，所述清洗液喷出部向保持所述基板并旋转的所述保持构件的所述凸缘部喷出所述清洗液。26.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于， 所述基板处理装置的所述保持构件在所述凸缘部的上侧还具有上侧凸缘部，该上侧凸缘部从所述基部的周壁部的上端部比所述凸缘部更向所述保持构件的径向外侧突出。27.如权利要求25或26所述的基板处理方法，其特征在于， 所述基板处理装置的所述保持构件在所述凸缘部的基端部分具有曲面部，该曲面部具有圆弧状的剖面形状，与所述保持构件的所述基部的外周面和所述凸缘部的下表面分别平滑地连接， 所述清洗步骤是所述清洗液喷出部从下方向所述凸缘部的所述曲面部喷出所述清洗液的步骤。28.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于， 所述基板处理装置还具有筒状的外侧挡板，该外侧挡板配置在所述挡板的外侧，包围所述保持构件的周围，并能够进行升降， 所述升降驱动部也能够使所述外侧挡板升降， 所述基板处理方法的所述清洗步骤是在通过所述升降驱动部将所述挡板配置在所述下方位置，并且将所述外侧挡板配置在能够接受从所述处理液喷出部供给到所述基板后从所述基板排出的所述处理液的位置的状态下，使所述处理液喷出部向所述基板的所述处理面喷出所述处理液，并且从所述清洗液喷出部向所述凸缘部的下表面喷出所述清洗液的步骤。29.如权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于， 所述基板处理装置还具有相向构件，所述相向构件具有与由所述保持构件保持的所述基板的上表面隔开间隙相向的主体部和从所述主体部的周缘部以包围所述基板的端面的方式向所述保持构件侧延伸的筒状的延伸设置部，并且，所述相向构件能够以所述旋转轴为中心进行旋转。
【文档编号】H01L21/67GK106024581SQ201610168994
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月23日
【发明人】吉富大地, 井上树, 井上一树, 岩见优树, 石井弘晃
【申请人】株式会社思可林集团