热处理装置以及热处理方法
【专利摘要】本发明提供能够在短时间内对基板的整个面均匀地进行热处理的热处理装置以及热处理方法。该热处理装置(1)具有：多个第一升降销(51)，支撑基板(9)的外周部(91)；多个第二升降销(52)，支撑基板(9)的中央部(92)。调温机构(40)将热处理板(30)的至少中央区域调温至比目标温度过剩的温度。在热处理开始后，在基板(9)的中央部(92)的温度达到目标温度后，控制部(80)使升降机构(60)动作来使第二升降销(52)上升。由此，使基板(9)的中央部(92)从热处理板(30)抬离。这样一来，能够以基板(9)的中央部(92)作为基准，在短时间内对基板(9)的整个面均匀地进行热处理。
【专利说明】
热处理装置以及热处理方法
技术领域
[0001]本发明涉及将基板冷却或加热至目标温度的热处理装置以及热处理方法。
【背景技术】
[0002]以往，在半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、PDP用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板、滤色片用基板、刻录盘用基板、太阳能电池用基板和电子书用基板等的精密电子装置用基板的制造工序中，使用冷却或加热基板的热处理装置。热处理装置例如在使涂敷在基板上的光致抗蚀剂等的处理液固化的工序、使清洗后的基板干燥的工序中使用。
[0003]在例如专利文献1、2记载有以往的热处理装置。在专利文献I中，记载有基板温度调整部，该基板温度调整部调整基板的温度，以使基板的周边部的温度比基板的中央部的温度高(参照权利要求1等)。在专利文献2中，记载有控制处理室内的基板的温度的基板支撑组件(参照权利要求1等)。
[0004]专利文献1:日本特开2011-230051号公报
[0005]专利文献2:日本特开2007-53382号公报
[0006]在以往的热处理装置中，通过将基板载置在被调温的热处理板上，对基板进行冷却或加热。然而，基板的外周部向周围的放热大，与此相对，基板的中央部向周围的放热小。因此，基板的外周部与中央部达到目标温度所需的时间不同。因此，就只将基板载置在被设定为目标温度的热处理板上而言，需要很长时间使基板的包括外周部以及中央部的整个面达到目标温度。在该情况下，为了使前后的工序与处理时间匹配，需要设置多个热处理板并以并行的方式对基板进行热处理。
[0007]另一方面，若将热处理板的温度设定为比目标温度过剩的温度(在冷却的情况下为低于目标温度的温度，在加热的情况下为高于目标温度的温度)，则能够缩短基板达到目标温度的时间。然而，在该情况下，基板的外周部或中央部可能受到过度的热处理。即，在以往的热处理装置中，难以既在短时间内对基板进行热处理，又对基板的整个面均匀地进行热处理。
【发明内容】
[0008]本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于，提供能够在短时间内对基板的整个面均匀地进行热处理的热处理装置以及热处理方法。
[0009]为了解决上述问题，本申请的第一发明是将基板冷却或加热至目标温度的热处理装置，具有:热处理板，载置基板，调温机构，对所述热处理板进行调温，多个升降销，设置在所述热处理板内，升降机构，使所述多个升降销升降，中央温度传感器，对载置在所述热处理板上的基板的中央部的温度进行测量，以及控制部，基于所述中央温度传感器的测量结果控制所述升降机构;所述多个升降销包括:多个第一升降销，支撑基板的外周部，以及多个第二升降销，位于所述多个第一升降销的内侧，支撑基板的所述中央部;所述调温机构将所述热处理板中的至少配置有基板的所述中央部的中央区域调温至比所述目标温度过剩的温度，在热处理开始后，在所述中央温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述升降机构动作来使所述第二升降销上升。
[0010]本申请的第二发明是将基板冷却或加热至目标温度的热处理方法，包括:a工序，开始对热处理板进行调温，b工序，将基板载置在所述热处理板的上表面，c工序，测量载置在所述热处理板上的基板的中央部的温度，以及d工序，基于所述c工序的测量结果，将基板从所述热处理板抬离;在所述a工序中，将所述热处理板中的至少配置基板的所述中央部的中央区域调温至比所述目标温度过剩的温度，在所述d工序中，在基板的所述中央部的温度达到所述目标温度后，将基板从所述热处理板抬离。
[0011]根据本申请的第一发明以及第二发明，至少将热处理板的中央区域调温至比目标温度过剩的温度，在基板的中央部达到目标温度后，使基板的中央部从热处理板抬离。由此能够，以基板的中央部为基准，在短时间内对基板的整个面均匀地进行热处理。
【附图说明】
[0012]图1是表示第一实施方式的基板处理装置的结构的概略图。
[0013]图2是第一实施方式的热处理装置的概略剖视图。
[0014]图3是第一实施方式的热处理装置的概略俯视图。
[0015]图4是第一实施方式的控制系统的框图。
[0016]图5是表示第一实施方式的热处理流程的流程图。
[0017]图6是第二实施方式的热处理装置的概略剖视图。
[0018]图7是第二实施方式的热处理装置的概略俯视图。
[0019]图8是第二实施方式的控制系统的框图。
[0020]图9是表示第二实施方式的热处理流程的流程图。
[0021 ]图10是变形例的热处理装置的概略剖视图。
[0022]其中，附图标记说明如下:
[0023]I 热处理装置
[0024]9 基板
[0025]10分度器
[0026]11清洗部
[0027]12脱水烘干部
[0028]13涂敷部
[0029]14减压干燥部
[0030]15预烘干部
[0031]16交接部
[0032]17曝光部
[0033]18显影部
[0034]19冲洗部
[0035]20后烘干部
[0036]30热处理板
[0037]31 上表面
[0038]32贯通孔
[0039]40调温机构
[0040]41第一调温机构[0041 ]42第二调温机构
[0042]50升降销
[0043]51第一升降销
[0044]52第二升降销
[0045]60升降机构
[0046]61第一升降机构
[0047]62第二升降机构
[0048]70温度测量部
[0049]71外周温度传感器
[0050]72中央温度传感器
[0051]80控制部
[0052]91外周部
[0053]92 中央部
[0054]100基板处理装置
[0055]401 流路
[0056]402调温源
[0057]411 第一流路
[0058]412第一调温源
[0059]421 第二流路
[0060]422第二调温源[0061 ]500 框体
[0062]510 第一框体
[0063]520 第二框体
[0064]Al外周区域
[0065]A2中央区域
[0066]P 计算机程序
【具体实施方式】
[0067]下面，一边参照附图一边说明本发明的实施方式。
[0068]<1.第一实施方式>
[0069]<1-1.基板处理装置的结构>
[0070]图1是表示具有第一实施方式的热处理装置的基板处理装置100的结构的概略图。本实施方式的基板处理装置100是对在液晶显示装置中使用的矩形玻璃基板9(下面，简称为“基板9”)进行涂覆抗蚀液、曝光以及曝光后的显影的装置。
[0071]如图1所示，基板处理装置100具有分度器10、清洗部11、脱水烘干部12、涂敷部13、减压干燥部14、预烘干部15、交接部16、曝光部17、显影部18、冲洗部19以及后烘干部20。基板处理装置100的上述处理部10?20按照上述的顺序相互相邻配置。如图1中的虚线箭头所示，基板处理装置100在上述处理部10?20之间一边运送基板9 一边对基板9依次进行处理。
[0072]分度器10容纳处理前的基板9，并且向清洗部11逐张地供给基板9。另外，分度器10从后烘干部20接收处理后的基板9，并向基板处理装置100的外部排出。清洗部11对从分度器10运来的基板9进行清洗，从而除去附着在基板9的表面上的颗粒、有机污染物、金属污染物、油脂、自然氧化膜等。
[0073]脱水烘干部12具有加热部与冷却部。加热部将清洗后的基板9载置在例如被保持为比环境温度高的规定温度的加热板上。由此，基板9被加热，从而附着在基板9的表面上的清洗液气化。其结果，使基板9干燥。冷却部将加热后的基板9载置在被调温的冷却板上。由此，基板9的温度降低至目标温度。
[0074]涂敷部13向干燥后的基板9的表面涂敷抗蚀液。在涂敷部13中，例如一边使具有狭缝状的喷出口的喷嘴沿着水平配置的基板9的表面移动，一边从该喷嘴向基板9的表面喷出抗蚀液。由此，抗蚀液被涂敷在基板9的表面上。减压干燥部14使涂敷在基板9的表面上的抗蚀液干燥。在减压干燥部14中，例如，通过使基板9的周围的压力降低，使溶剂成分从涂敷在基板9的表面上的抗蚀液中气化。由此，在基板9的表面上形成抗蚀膜。
[0075]预烘干部15具有加热部与冷却部。加热部将减压干燥后的基板9载置在例如被保持为比环境温度高的规定温度的加热板上。由此，基板9被加热，从而残留在形成于基板9的表面上的抗蚀膜中的溶剂成分被除去。其结果，形成于基板9的表面上的抗蚀膜固化。冷却部将加热后的基板9载置在被调温的冷却板上。由此，基板9的温度降低至目标温度。
[0076]交接部16在预烘干部15、曝光部17与显影部18之间交接基板9。曝光部17在形成于基板9的表面上的抗蚀膜上曝光规定的电路图案。从交接部16运入至曝光部17的基板9被水平地载置在曝光部17内的载物台上。并且，从曝光部17内的光源经由光掩膜向基板9的表面照射光。由此，光掩膜上的图案被转印在基板9的抗蚀膜上。
[0077]然后，基板9从曝光部17运出，经由交接部16被运送至显影部18。显影部18将曝光后的基板9浸渍在显影液中来进行显影处理。由此，在基板9的上表面形成图案。冲洗部19通过用冲洗液冲洗基板9的表面，从基板9的表面冲洗掉显影液。由此，停止显影处理。
[0078]后烘干部20具有加热部与冷却部。加热部将冲洗后的基板9载置在例如被保持为比环境温度高的规定温度的加热板上。由此，基板9被加热，从而附着在基板9的表面上的冲洗液气化。其结果，使基板9干燥。冷却部将加热后的基板9载置在被调温的冷却板上。由此，基板9的温度降低至目标温度。
[0079]然后，基板9从后烘干部20再次被运送至分度器10。
[0080]<1-2.热处理装置的结构>
[0081 ]接着，对能够适用于上述的脱水烘干部12内的冷却部、预烘干部15内的冷却部以及后烘干部20内的冷却部的热处理装置I的结构进行说明。
[0082]图2是第一实施方式的热处理装置I的概略剖视图。图3是热处理装置I的概略俯视图。本实施方式的热处理装置I是将温度比环境温度高的基板9冷却至环境温度附近的目标温度的装置。如图2以及图3所示，热处理装置I具有热处理板30、调温机构40、多个升降销50、升降机构60、温度测量部70以及控制部80。
[0083]热处理板30是大致水平配置的平板状的基板支撑台。在本实施方式中，俯视观察，热处理板30的形状为比基板9稍大的矩形。热处理板30的至少上表面31由热传导性高的材料(例如，铝等金属)形成。被运入热处理装置I的基板9被水平地载置在热处理板30的该上表面31上。此外，也可以在热处理板30的上表面31上设置微小的突起，将基板9载置在该突起上。
[0084]在本实施方式中，将基板9中的被后述的多个第一升降销51支撑的部分称为“外周部91”，将被后述的多个第二升降销52支撑的部分称为“中央部92”。如图2所示，热处理板30的上表面31具有配置基板9的外周部91的外周区域Al和配置基板9的中央部92的中央区域A2o
[0085]调温机构40具有:热介质的流路401，设置在热处理板30的内部；调温源402，一边对热介质进行调温一边使该热介质循环。在图2以及图3中，用虚线表示热处理板30内的形成有流路401的范围。流路401从热处理板30的中央附近至外周部附近，遍布热处理板30的内部。热介质例如使用水等。热处理板30的上表面31通过在流路401内流动的热介质来进行调温。调温源402回收从热处理板30内的流路401排出的热介质，对该热介质进行冷却并再次输送至热处理板30内的流路401。
[0086]在本实施方式中，在热处理板30的内部形成有一条连续的流路401。并且，从单一的调温源402向该流路401内输送热介质。由此，热处理板30的上表面31中的包括外周区域Al与中央区域A2的整体被调温为比目标温度低的温度(比目标温度过剩的温度)。在高温的基板9被载置在被调温的热处理板30的上表面31上时，基板9被向目标温度冷却。
[0087]多个升降销50是用于在热处理板30的上方支撑基板9的支撑构件。在热处理板30上设置有与上表面31垂直地延伸的多个贯通孔32。多个升降销50能够在各个上端部配置在贯通孔32内的状态(退避状态)与各个上端部从贯通孔32突出到热处理板30的上方的状态(突出状态)之间上下地升降。
[0088]本实施方式的多个升降销50包括多个第一升降销51和多个第二升降销52。多个第一升降销51配置在热处理板30的外周区域Al所设置的贯通孔32内。另外，多个第一升降销51各自的下端部通过位于热处理板30的下方的第一框体510相互连接。因此，多个第一升降销51作为一体上下地升降移动。
[0089]多个第二升降销52位于多个第一升降销51的内侧。多个第二升降销52配置在热处理板30的中央区域A2所设置的贯通孔32内。另外，多个第二升降销52各自的下端部通过与位于热处理板30的下方的第一框体510不同的第二框体520相互连接。因此，多个第二升降销52作为一体上下地升降移动。
[0090]升降机构60是使多个升降销50升降的机构。本实施方式的升降机构60具有第一升降机构61和第二升降机构62。第一升降机构61利用马达、气缸等的动力使第一框体510上下地升降。由此，多个第一升降销51与第一框体510—起同时升降。第二升降机构62利用马达、气缸等的动力使第二框体520上下地升降。由此，多个第二升降销52与第二框体520—起同时地升降。即，升降机构60能够使多个第一升降销51与多个第二升降销52相对于热处理板30单独地升降。
[0091]在使多个第一升降销51上升时，多个第一升降销51各自的上端部突出到热处理板30的上表面31的上方。并且，基板9的外周部91被多个第一升降销51的上端部支撑。另外，在使多个第二升降销52上升时，多个第二升降销52各自的上端部突出到热处理板30的上表面31的上方。并且，基板9的中央部92被多个第二升降销52的上端部支撑。另一方面，在使多个第一升降销51以及多个第二升降销52下降时，基板9的整体被载置在热处理板30的上表面31上。
[0092]温度测量部70是用于测量载置在热处理板30的上表面31上的基板9的温度的机构。本实施方式的温度测量部70具有外周温度传感器71和中央温度传感器72。外周温度传感器71以及中央温度传感器72使用例如红外线放射温度计。外周温度传感器71配置在基板9的外周部91的上方，以非接触的方式测量外周部91的表面温度。中央温度传感器72配置在基板9的中央部92的上方，以非接触的方式测量中央部92的表面温度。另外，外周温度传感器71以及中央温度传感器72将表示获得的测量结果的测量信号发送至控制部80。
[0093]此外，外周温度传感器71以及中央温度传感器72也可以使用放射温度计以外的温度计。例如，若是可以使探针与基板9接触的状况，则也可以使用接触式温度计。另外，温度测量部70也可以具有多个外周温度传感器71以及多个中央温度传感器72。
[0094]控制部80是用于控制热处理装置I内的各部分的动作的构件。如图2中示意性地示出，控制部80由计算机构成，该计算机具有CPU等的运算处理部81、RAM (Random AccessMemory，随机存取存贮器)等存储器82以及硬盘驱动器等的存储部83。在存储部83内安装有用于执行基板9的热处理的计算机程序P。
[0095]图4是表示控制部80与热处理装置I内的各部分的连接结构的框图。如图4所示，控制部80分别与上述的调温机构40、第一升降机构61、第二升降机构62、外周温度传感器71以及中央温度传感器72电连接。控制部80读取存储在存储部83内的计算机程序P并暂存于存储器82内，基于该计算机程序P，通过运算处理部81进行运算处理，来控制上述各部分的动作(参照图2)。由此，对基板9进行热处理。
[0096]<1-3.热处理装置的动作>
[0097]接着，说明第一实施方式的热处理装置I的动作。图5是表示利用热处理装置I将基板9冷却至目标温度的处理流程的流程图。
[0098]在要冷却基板9时，首先，开始对热处理板30进行调温(步骤Sll)。即，使调温机构40动作而将热介质输送至热处理板30内的流路401。由此，将热处理板30的包括外周区域Al以及中央区域A2的整个上表面31调温至比目标温度低的温度。在例如目标温度为23°C且允许误差范围为± TC的情况下，将热处理板30的上表面31的温度设定为比允许误差范围的最低温度即22 °C稍低的20 °C。
[0099]接着，将基板9载置在热处理板30的上表面31上(步骤S12)。在步骤S12中，首先，使升降机构60动作，来使多个升降销50(多个第一升降销51以及多个第二升降销52)从热处理板30的上表面31突出。然后，通过规定的运送机器人将在加热部中被加热的基板9载置在多个升降销50上。然后，再次使升降机构60动作来使多个升降销50下降。在多个升降销50的上端部容纳在贯通孔32内时，基板9以水平的姿势被载置在热处理板30的上表面31。
[0100]在高温的基板9载置在被调温的热处理板30的上表面31时，开始对基板9进行冷却。即，基板9的温度开始向目标温度降低。然后，外周温度传感器71以及中央温度传感器72分别测量基板9的外周部91以及中央部92的温度(步骤S13)。并且，外周温度传感器71以及中央温度传感器72将表示测量结果的信号发送至控制部80。
[0101]基板9的外周部91以及中央部92分别通过热被热处理板30吸收和向周围的放热被冷却。但是，基板9的外周部91与中央部92相比，放热效果好。因此，基板9的外周部91的温度与中央部92的温度相比，快速地降低。
[0102]控制部80首先监视外周温度传感器71的测量结果是否已降低至目标温度(步骤S14)。并且，在外周温度传感器71的测量结果降低至目标温度时，使第一升降机构61动作来使多个第一升降销51上升(步骤S15)。由此，使基板9的外周部91向上方弯曲，从而使基板9的外周部91从热处理板30的上表面31抬离。此外，在该步骤S15的时刻，基板9的中央部92维持与热处理板30的上表面31接触的状态。
[0103]接着，控制部80监视中央温度传感器72的测量结果是否已降低至目标温度(步骤S16)。并且，在中央温度传感器72的测量结果降低至目标温度时，使第二升降机构62动作来使多个第二升降销52上升(步骤S17)。由此，使基板9的中央部92从热处理板30的上表面31抬离。
[0104]这样，在本实施方式的热处理装置I中，将热处理板30的整个上表面31调温至比目标温度低的温度。由此，能够在短时间内使基板9的温度降低。另外，在基板9的外周部91与中央部92分别达到目标温度的时刻，使外周部91分别单独地从中央部92从热处理板30的上表面31抬离。因此，能够防止基板9的外周部91被过度地冷却，从而能够均匀地冷却基板9的整个面。
[0105]另外，在本实施方式中，目标温度是环境温度附近的温度。因此，在使基板9的外周部91从热处理板30抬离后到使基板9的中央部92从热处理板30抬离的期间，能够使先抬离的外周部91的温度维持在目标温度。
[0106]<2.第二实施方式>
[0107]<2-1.热处理装置的结构>
[0108]接着，说明本发明的第二实施方式。此外，本实施方式的热处理装置I与第一实施方式的热处理装置I相同，也能够适用于基板处理装置100的脱水烘干部12内的冷却部、预烘干部15内的冷却部以及后烘干部20内的冷却部。
[0109]图6是第二实施方式的热处理装置I的概略剖视图。图7是热处理装置I的概略俯视图。如图6以及图7所示，本实施方式的热处理装置I具有热处理板30、调温机构40、多个升降销50、升降机构60、温度测量部70以及控制部80。在下面以与第一实施方式的不同点为中心进行说明，省略与第一实施方式共同的部分的重复说明。
[0110]本实施方式的调温机构40具有第一调温机构41和第二调温机构42。第一调温机构41具有:热介质的第一流路411，设置在热处理板30的内部；第一调温源412，一边对热介质进行调温一边使该热介质循环。第一流路411设置在热处理板30的外周区域Al的下方。即，在本实施方式中，俯视观察，基板9的外周部91、热处理板30的外周区域Al和第一流路411配置相互重叠的位置。
[0111]另一方面，第二调温机构42具有:热介质的第二流路421，设置在热处理板30的内部;第二调温源422，一边对热介质进行调温一边使该热介质循环。第二流路421设置在热处理板30的中央区域A2的下方。即，在本实施方式中，俯视观察，基板9的中央部92、热处理板30的中央区域A2和第二流路421配置相互重叠的位置。
[0112]热处理板30的上表面31中的外周区域Al通过在第一调温机构41的第一流路411内流动的热介质进行调温。另一方面，热处理板30的上表面31中的中央区域A2通过在第二调温机构42的第二流路421内流通的热介质进行调温。在本实施方式中，将第二调温机构42的设定温度设定为比第一调温机构41的设定温度低的温度。由此，将热处理板30的外周区域Al调温至目标温度附近的温度，将热处理板30的中央区域A2调温至比目标温度低的温度(比目标温度过剩的温度)。
[0113]本实施方式的多个升降销50包括多个第一升降销51和多个第二升降销52。多个第一升降销51配置在热处理板30的外周区域Al所设置的贯通孔32内。多个第二升降销52配置在热处理板30的中央区域A2所设置的贯通孔32内。但是，在本实施方式中，全部的升降销50的下端部通过位于热处理板30的下方的通用的框体500相互连接。因此，多个第一升降销51以及多个第二升降销52的整体作为一体上下地升降移动。
[0114]本实施方式的升降机构60利用马达、气缸等的动力使框体500上下地升降。由此，多个升降销50与框体500—起同时升降。即，本实施方式的升降机构60使多个第一升降销51以及多个第二升降销52相对于热处理板30同时升降。
[0115]在使多个升降销50上升时，多个升降销50各自的上端部突出到热处理板30的上表面31的上方。并且，基板9的整体被多个升降销50的上端部支撑。另一方面，在使多个升降销50下降时，基板9的整体被载置在热处理板30的上表面31。
[0116]本实施方式的温度测量部70只具有中央温度传感器72。中央温度传感器72配置在基板9的中央部92的上方，以非接触的方式测量中央部92的表面温度。另外，中央温度传感器72将表示获得的测量结果的测量信号发送至控制部80。
[0117]图8是表示本实施方式的控制部80、热处理装置I内的各部分的连接结构的框图。如图8所示，控制部80分别与上述的第一调温机构41、第二调温机构42、升降机构60以及中央温度传感器72电连接。控制部80读取存储在存储部83内的计算机程序P并暂存于存储器82内，基于该计算机程序P，通过运算处理部81进行运算处理来控制上述的各部分的动作。由此，对基板9进行热处理。
[0118]<2-2.热处理装置的动作>
[0119]接着，说明第二实施方式的热处理装置I的动作。图9是表示利用第二实施方式的热处理装置I将基板9冷却至目标温度的处理流程的流程图。
[0120]在冷却基板9时，首先开始对热处理板30进行调温(步骤S21)。即，使第一调温机构41动作，来将热介质输送至热处理板30内的第一流路411。由此，将热处理板30的外周区域Al调温为目标温度附近的温度。另外，使第二调温机构42动作，来将热介质输送至热处理板30的第二流路421。由此，将热处理板30的中央区域A2调温为比目标温度低的温度。在例如目标温度为23°C且允许误差范围为土 1°C的情况下，将外周区域Al调温至23°C，将中央区域A2调温至20°C。
[0121]接着，将基板9载置在热处理板30的上表面31上(步骤S22)。在高温的基板9被载置在被调温的热处理板30的上表面31时，开始对基板9进行冷却。即，基板9的温度开始向目标温度降低。然后，中央温度传感器72测量基板9的中央部92的温度(步骤S23)。并且，中央温度传感器72将表示测量结果的信号发送至控制部80。
[0122]基板9的外周部91以及中央部92分别通过热被热处理板30吸收和向周围的放热被冷却。但是，基板9的外周部91与中央部92相比，放热效果好。因此，在本实施方式中，将热处理板30的中央区域A2的温度设定得比外周区域Al的温度低。由此，基板9的外周部91与中央部92以大致相同的速度被冷却。
[0123]控制部80监视中央温度传感器72的测量结果是否已降低至目标温度(步骤S24)。并且，在中央温度传感器72的测量结果降低至目标温度时，使升降机构60动作而使第一升降销51以及第二升降销52都上升(步骤S25)。由此，使基板9的整体从热处理板30的上表面31抬离。
[0124]这样，在本实施方式的热处理装置I中，将热处理板30的中央区域A2调温为比目标温度低的温度。由此，能够在短时间内使基板9的中央部92的温度降低。另外，通过将热处理板30的外周区域Al与中央区域A2调温至不同的温度，能够以大致相同的速度对基板9的放热效果好的外周部91与基板9的放热效果差的中央部92进行冷却。并且，在基板9的中央部92达到了目标温度的时刻，使基板9整体从热处理板30的上表面31抬离。由此，能够在短时间内均匀地冷却基板9的整个面。
[0125]另外，在本实施方式的热处理装置I中，不设置多个升降机构60，另外，不使基板9弯曲，能够使基板9保持水平姿势地从热处理板30抬离。
[0126]<3.变形例 >
[0127]上面，对本发明的第一实施方式以及第二实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式。
[0128]图10是一个变形例的热处理装置I的概略剖视图。下面，以与第一实施方式的不同点为中心说明图1O的热处理装置I。
[0129]在图10的变形例中，多个升降销50包括多个第一升降销51和多个第二升降销52。多个第一升降销51配置在热处理板30的外周区域Al所设置的贯通孔32内。多个第二升降销52配置在热处理板30的中央区域A2所设置的贯通孔32内。但是，在本实施方式中，全部的升降销50的下端部通过位于热处理板30的下方的通用的框体500相互连接。因此，多个第一升降销51以及多个第二升降销52整体作为一体上下地升降移动。
[0130]另外，在图10的变形例中，第一升降销51的上端部的高度和第二升降销52的上端部的高度相互不同。具体而言，第一升降销51的上端部的高度比第二升降销52的上端部的高度高。
[0131]在热处理开始后，在外周温度传感器71的测量结果降低至目标温度时，控制部80使升降机构60动作，来使多个升降销50上升。由此，使多个第一升降销51的上端部从热处理板30的上表面31突出。这样一来，基板9的外周部91从热处理板30的上表面31抬离。但是，在该时刻，基板9的中央部92与热处理板30的上表面31接触。因此，基板9的中央部92继续被热处理板30冷却。
[0132]接着，在中央温度传感器72的测量结果降低至目标温度时，控制部80使升降机构60动作，来使多个升降销50进一步上升。由此，使多个第二升降销52的上端部从热处理板30的上表面31突出。这样一来，基板9的中央部92从热处理板30的上表面31抬离。
[0133]这样，在图10的变形例中，使第一升降销51与第二升降销52的上端部的高度不同。因此，不用设置多个升降机构，能够使基板9的外周部91与中央部92在分别达到目标温度的时刻分别单独地从热处理板30抬离。因此，能够对基板9的整个面均匀地进行热处理。
[0134]另外，在上述的实施方式中，示出了将基板9分为外周部91以及中央部92的两个区域进行热处理的例子。然而，也可以将基板9分为三个以上的区域并对各区域进行热处理。gp，升降机构、调温机构可以与基板9的各区域相对应地设置三个以上。另外，温度测量部也可以具有三个以上的温度传感器。
[0135]另外，在上述的实施方式中，作为热处理的例子，说明了进行冷处理的情况。然而，本发明的热处理装置也可以是进行加热处理的装置。在加热处理的情况下，也可以将热处理板的至少中央区域调温至比目标温度高的温度(比目标温度过剩的温度)。并且，控制部可以在加热处理开始后，在中央温度传感器的测量结果上升至目标温度后，使升降机构动作，来使第二升降销上升。
[0136]另外，热处理装置的处理空间可以是大气压环境，也可以是减压环境。
[0137]另外，上述实施方式的热处理装置I是基板处理装置100的一部分。然而，本发明的热处理装置也可以是不与其它的处理部一起设置的独立的装置。
[0138]另外，上述实施方式的热处理装置将液晶显示装置用玻璃基板作为处理对象。然而，本发明的热处理装置也可以将PDP用玻璃基板、半导体晶片、光掩膜用玻璃基板、滤色片用基板、刻录盘用基板、太阳能电池用基板等的其它精密电子装置用基板作为处理对象。另夕卜，基板的形状也可以为圆板状。
[0139]另外，在不产生矛盾的范围内，也可以使上述实施方式、变形例中的各构件适当地组合。
【主权项】
1.一种热处理装置，将基板冷却或加热至目标温度，其特征在于， 具有: 热处理板，载置基板， 调温机构，对所述热处理板进行调温， 多个升降销，设置在所述热处理板内， 升降机构，使所述多个升降销升降， 中央温度传感器，对载置在所述热处理板上的基板的中央部的温度进行测量，以及 控制部，基于所述中央温度传感器的测量结果控制所述升降机构； 所述多个升降销包括: 多个第一升降销，支撑基板的外周部，以及 多个第二升降销，位于所述多个第一升降销的内侧，支撑基板的所述中央部； 所述调温机构将所述热处理板中的至少配置有基板的所述中央部的中央区域调温至比所述目标温度过剩的温度， 在热处理开始后，在所述中央温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述升降机构动作来使所述第二升降销上升。2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于， 该热处理装置还具有外周温度传感器，该外周温度传感器对载置在所述热处理板上的基板的所述外周部的温度进行测量， 所述升降机构包括: 第一升降机构，使所述多个第一升降销同时升降，以及 第二升降机构，使所述多个第二升降销同时升降； 所述调温机构将所述热处理板中的配置有基板的所述外周部的外周区域与所述中央区域都调温至比所述目标温度过剩的温度， 在热处理开始后，在所述外周温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述第一升降机构动作来使所述第一升降销上升，在所述中央温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述第二升降机构动作来使所述第二升降销上升。3.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于， 所述调温机构包括: 第一调温机构，将所述热处理板中的配置有基板的所述外周部的外周区域调温至所述目标温度附近，以及 第二调温机构，将所述热处理板的所述中央区域调温至比所述目标温度过剩的温度； 在热处理开始后，在所述中央温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述升降机构动作，来使所述第一升降销以及所述第二升降销都上升。4.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于， 该热处理装置还具有外周温度传感器，该外周温度传感器对载置在所述热处理板上的基板的所述外周部的温度进行测量， 所述第一升降销的上端部的高度与所述第二升降销的上端部的高度彼此不同， 所述调温机构将所述热处理板中的配置有基板的所述外周部的外周区域与所述中央区域都调温至比所述目标温度过剩的温度，在热处理开始后，在所述外周温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述升降机构动作，来使所述第一升降销的上端部从所述热处理板的上表面突出，在热处理开始后，在所述中央温度传感器所测量的温度达到所述目标温度后，所述控制部使所述升降机构动作，来使所述第二升降销的上端部从所述热处理板的上表面突出。5.如权利要求1?4中任一项所述的热处理装置，其特征在于，将温度比环境温度高的基板冷却至所述目标温度。6.如权利要求1?4中任一项所述的热处理装置，其特征在于，所述目标温度为环境温度附近的温度。7.如权利要求1?4中任一项所述的热处理装置，其特征在于，所述中央温度传感器以非接触的方式测量基板的表面温度。8.一种热处理方法，将基板冷却或加热至目标温度，其特征在于， 包括: a工序，开始对热处理板进行调温， b工序，将基板载置在所述热处理板的上表面， c工序，测量载置在所述热处理板上的基板的中央部的温度，以及 d工序，基于所述c工序的测量结果，将基板从所述热处理板抬离； 在所述a工序中，将所述热处理板中的至少配置有基板的所述中央部的中央区域调温至比所述目标温度过剩的温度， 在所述d工序中，在基板的所述中央部的温度达到所述目标温度后，将基板从所述热处理板抬离。9.如权利要求8所述的热处理方法，其特征在于， 在所述a工序中，将所述热处理板中的配置有基板的外周部的外周区域与所述中央区域都调温至比所述目标温度过剩的温度， 在所述c工序中，还对载置在所述热处理板上的基板的外周部的温度进行测量， 所述d工序具有: d-Ι工序，在基板的所述外周部的温度达到所述目标温度后，将基板的所述外周部从所述热处理板抬离，以及 d-2工序，在基板的所述中央部的温度达到所述目标温度后，将基板的所述中央部从所述热处理板抬离。10.如权利要求8所述的热处理方法，其特征在于， 在所述a工序中，将所述热处理板中的配置有基板的外周部的外周区域调温至所述目标温度附近， 在所述d工序中，在基板的所述中央部的温度达到所述目标温度后，将基板的所述外周部与所述中央部都从所述热处理板抬离。11.如权利要求8所述的热处理方法，其特征在于， 在所述a工序中，将所述热处理板中的配置有基板的外周部的外周区域与所述中央区域都调温至比所述目标温度过剩的温度， 在所述c工序中，还对载置在所述热处理板上的基板的外周部的温度进行测量， 在所述d工序中，使用第一升降销和上端部的高度比所述第一升降销的上端部的高度低的第二升降销，将基板从所述热处理板抬离， 所述d工序具有: d-Ι工序，在基板的所述外周部的温度达到所述目标温度后，使所述第一升降销的上端部从所述热处理板的上表面突出，以及 d-2工序，在基板的所述中央部的温度达到所述目标温度后，使所述第二升降销的上端部从所述热处理板的上表面突出。12.如权利要求8?11中任一项所述的热处理方法，其特征在于，将温度比环境温度高的基板冷却至所述目标温度。13.如权利要求8?11中任一项所述的热处理方法，其特征在于，所述目标温度为环境温度附近的温度。14.如权利要求8?11中任一项所述的热处理方法，其特征在于，在所述c工序中，以非接触的方式测量基板的表面温度。
【文档编号】H01L21/66GK106024672SQ201610156343
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月18日
【发明人】山冈英人, 芳谷光明
【申请人】株式会社思可林集团