用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具及其应用
【专利摘要】本发明涉及一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具及其应用，所述包括第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄，第一夹板和第二夹板平行设置；第一滑杆一端垂直的固定在第一夹板上，另一端配合的穿过第二夹板；第二滑杆一端垂直的固定在第二夹板上，另一端配合的穿过第一夹板；手柄固定在第一滑杆或第二滑杆上，第一夹板和第二夹板相互正对的一面上分别设有相互配合的卡槽。第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄均由铁氟龙材料加工而成。该夹具结构简单、夹取方便；该夹具可以应用于半导体微纳器件的清洗、刻蚀、显影、润洗、去胶等湿法工艺中，效率高，操作方便。
【专利说明】
用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具及其应用
技术领域
[0001]本发明属于半导体微纳器件的微加工工艺领域，具体涉及一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具及其应用。
【背景技术】
[0002]当前，单晶硅、碳化硅、带氧化层基板、玻璃基板、陶瓷基板及光刻掩模板在半导体器件的微加工工艺中，所有与基板接触的外部媒介都是基板上沾有杂质污染的可能来源。这主要包括以下几个方面:基板在加工成型过程中的污染、紫外光刻过程中的污染、环境污染、水造成的污染、试剂带来的污染、工业气体造成的污染、工艺本身造成的污染、人体造成的污染等。半导体微纳器件制作中，基板和掩模板必须在超净环境中经严格清洗才能进行下一步工艺，否则其带有的微量污染和杂质会导致器件性能下降和器件失效。
[0003]基板和掩模板清洗的目的在于清除基板和掩模板表面的污染杂质，包括金属、有机物和无机物等。这些杂质有的以原子状态或离子状态存在，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于基板和掩模板表面。半导体微纳器件的制作是以清洗并得到干净基板为起点的，基板清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤，而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性，这就对清洗工艺的高效性和可靠性提出了很高的要求。而光刻掩模板是否干净是光刻工艺是否成功的一个重要原因，若掩模板上有污染物，会阻碍紫外线的穿过，最终导致光刻的失败。因此，开发出一种在微纳器件制作过程中，用于4/6英寸或更大尺寸的晶圆、光刻掩模板和各种不同尺寸样品的用于清洗、显影、润洗、去胶、湿法刻蚀、适度甩干等程序的样品夹具成为现实之需。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具，该夹具结构简单、夹取方便;该夹具可以应用于半导体微纳器件的清洗、刻蚀、显影、润洗、去胶等湿法工艺中，效率高，操作方便。
[0005]本发明所采用的技术方案是:
一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具，包括第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄，第一夹板和第二夹板平行设置;第一滑杆一端垂直的固定在第一夹板上另一端配合的穿过第二夹板;第二滑杆一端垂直的固定在第二夹板上，另一端配合的穿过第一夹板;手柄固定在第一滑杆或第二滑杆上，第一夹板和第二夹板相互正对的一面上分别设有相互配合的卡槽。第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄均由铁氟龙材料加工而成。
[0006]进一步地，卡槽为半圆形的直线槽。
[0007]进一步地，第一滑杆与第一夹板、第二滑杆与第二夹板、手柄与第一滑杆或第二滑杆分别通过螺纹连接固定。
[0008]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法清洗工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，用丙酮超声清洗；
2)取晶圆(通过镊子)，将晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定；
3)拿住手柄，将晶圆依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合液中超声清洗；
4)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180
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[0009]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行光刻掩模板的湿法清洗工艺，包括如下步骤:
I)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗；
2 )取光刻掩模板，将光刻掩模板放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将光刻掩模板夹紧固定；
3)拿住手柄，将光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合溶液中超声清洗；
4)取出光刻掩模板，用无尘纸拭擦干净，将光刻掩模板转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为100-150 °C。
[0010]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的金属膜湿法刻蚀工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗;
2)将已进行紫外光刻的晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定；
3)将晶圆置于装有刻蚀液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶；
4)将晶圆置于装有去胶液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与去胶液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水流冲洗晶圆，冲洗后将去胶液和去离子水倒入回收瓶；
5)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180
。匕
[0011]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法刻蚀工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗;
2)(通过镊子)将已进行紫外光刻的晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定；
3)将晶圆置于装有刻蚀液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶；
4)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中烘干，烘干温度保持为135-180 °C。
[0012]一种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行显影、润洗、去胶的湿法工艺，包括如下步骤:
1)准备好已进行过紫外光刻加工的半导体微纳器件样品；
2)将用于显影和润洗的烧杯及用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具采用去离子水在超声装置中清洗，再将用于显影的烧杯中注入适量显影液；
3)将已进行紫外光刻的样品放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将光刻掩模板夹紧固定，将样品置于显影的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与显影液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将显影液倒入回收瓶；
4)将样品转移到用于润洗的烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶；
5)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗；
6)将已显影、润洗的样品烘干；
7)将润洗干净的样品表面镀一层金属或非金属薄膜，再将样品放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将样品夹紧固定，向用于去胶的干净烧杯中注入适量的去胶液(如用于正胶或负胶的相应有机溶剂或专用去胶液)；
8)将样品置于去胶的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与去胶液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将去胶液倒入回收瓶；
9)将样品转移到用于润洗的干净烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶；
10)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗；
11)将已去胶和润洗的样品烘干。
[0013]本发明的有益效果是:
1.使用时，将样品放置在卡槽上，通过移动第一滑杆或第二滑杆调整第一夹板和第二夹板之间的距离即可将样品夹紧，操作方便;该夹具可放置不同形状的样品，第一夹板和第二夹板可以左右自由移动，方便放入和取出不同尺寸的样品；整个夹具由铁氟龙材料加工而成，具有抗强酸腐蚀、抗强碱腐蚀、在各种有机溶剂中完全适用等优点，可以保证在多种溶液环境中有效清洗和湿法加工微纳器件，而不至于损坏装置和沾污样品。
[0014]2.半圆形卡槽适用于晶圆等具有曲面的半导体微纳器件样品的夹取固定。
[0015]3.通过螺纹连接固定，可以将夹具快速安装和拆卸，便于携带。
【附图说明】
[0016]图1是用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具的实施例的主视图。
[0017]图2是图1的俯视图。
[0018]图中:1-摩擦纹;2_螺纹柱和螺纹孔;3_第二滑杆;4_第一夹板;5_通孔;6_手柄;7_第一滑杆;8-第二夹板;9-卡槽。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
[0020]如图1和图2所示，一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具，包括第一夹板4、第二夹板8、第一滑杆7、第二滑杆3和手柄6，第一夹板4和第二夹板8平行设置，第一滑杆7—端垂直的固定在第一夹板4上，另一端配合的穿过第二夹板8，第二滑杆3—端垂直的固定在第二夹板8上，另一端配合的穿过第一夹板4(第一夹板4上设有与第二滑杆3配合的通孔5，第二夹板8上设有与第一滑杆7配合的通孔5)，手柄6固定在第一滑杆7上(手柄6上设有摩擦纹I)，第一夹板4和第二夹板8相互正对的一面上分别设有相互配合的卡槽9，第一夹板4、第二夹板8、第一滑杆7、第二滑杆3和手柄6均由铁氟龙材料加工而成。使用时，将样品放置在卡槽9上，通过移动第一滑杆7或第二滑杆3调整第一夹板4和第二夹板8之间的距离即可将样品夹紧，操作方便;该夹具可放置不同形状的样品，第一夹板4和第二夹板8可以左右自由移动，方便放入和取出不同尺寸的样品；整个夹具由铁氟龙所制成，具有抗强酸腐蚀、抗强碱腐蚀、在各种有机溶剂中完全适用等优点，可以保证在多种溶液环境中有效清洗和湿法加工微纳器件而不至于损坏装置和沾污样品。
[0021]如图2所示，在本实施例中，卡槽9为半圆形的直线槽。半圆形卡槽适用于晶圆等具有曲面的半导体微纳器件样品的夹取固定。
[0022]如图1和图2所示，在本实施例中，第一滑杆7与第一夹板4、第二滑杆3与第二夹板
8、手柄6与第一滑杆7分别通过螺纹连接固定(第一滑杆7的一端和第二滑杆3的一端分别设有螺纹柱，第一夹板4和第二夹板8上分别设有与相应螺纹柱配合的螺纹孔，手柄6的一端设有螺纹柱，第一滑杆7上设有与之配合的螺纹孔)。通过螺纹柱和螺纹孔2连接固定，可以将夹具快速安装和拆卸，便于携带。
[0023]本发明的夹具可以应用于半导体微纳器件的清洗、刻蚀、显影、润洗、去胶等湿法工艺中，具体过程如下。
[0024]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法清洗工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，用丙酮超声清洗；
2)(通过镊子)取晶圆(取常用的晶圆尺寸为4寸和6寸，也可以是其它尺寸的晶圆，也可以是玻璃基板)，将晶圆放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将晶圆夹紧固定；
3)拿住手柄6，将晶圆依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合液中超声清洗；
4)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180° C(烘干时间一般为20-60分钟)。
[0025]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行光刻掩模板的湿法清洗工艺，包括如下步骤:
I)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗;
2)取光刻掩模板，将光刻掩模板放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将光刻掩模板夹紧固定；
3)拿住手柄6，将光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合溶液中超声清洗；
4)取出光刻掩模板，用无尘纸拭擦干净，将光刻掩模板转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为100-150 °C。
[0026]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的金属膜湿法刻蚀工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗;
2)(通过镊子)将已进行紫外光刻的晶圆(在本实施例中，为6寸的带有Au金属膜和光刻胶图案的单晶硅晶圆)放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将晶圆夹紧固定；
3)将晶圆置于装有刻蚀液(在本实施例中，为KI+I2)的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶；
4)将晶圆置于装有去胶液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使晶圆与去胶液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将去胶液和去离子水倒入回收瓶；
5)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180° C(烘干时间一般为20-60分钟)。
[0027]—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法刻蚀工艺，包括如下步骤:
1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗;
2)(通过镊子)将已进行紫外光刻的晶圆(在本实施例中，为6寸的带有光刻胶图案的单晶硅晶圆)放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将晶圆夹紧固定；
3)将晶圆置于装有刻蚀液(一般为HF、H3P04、K0H、TMAH等刻蚀液)的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶；
4)取出晶圆(通过镊子)，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180° C( 一般烘干时间为20-60分钟)。
[0028]一种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行显影、润洗、去胶的湿法工艺，包括如下步骤:
1)准备好已进行过紫外光刻加工的半导体微纳器件样品；
2)将用于显影和润洗的烧杯及用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具采用去离子水在超声装置中清洗，再将用于显影的烧杯中注入适量显影液；
3)将已进行紫外光刻的样品放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将光刻掩模板夹紧固定，将样品置于显影的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使样品与显影液充分接触，浸泡后摆动手柄6将样品适当甩干，然后将显影液倒入回收瓶；
4)将样品转移到用于润洗的烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄6将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶；
5)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗；
6)将已显影、润洗的样品烘干；
7)将润洗干净的样品表面镀一层金属或非金属薄膜，再将样品放置在卡槽9内并通过第一夹板4和第二夹板8将样品夹紧固定，向用于去胶的干净烧杯中注入适量的去胶液(如用于正胶或负胶的相应有机溶剂或专用去胶液)；
8)将样品置于去胶的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使样品与去胶液充分接触，浸泡后摆动手柄6将样品适当甩干，然后将去胶液倒入回收瓶；
9)将样品转移到用于润洗的干净烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄6使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄6将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶；
10)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗；
11)将已去胶和润洗的样品烘干。
[0029]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具，其特征在于:包括第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄，第一夹板和第二夹板平行设置;第一滑杆一端垂直的固定在第一夹板上，另一端配合的穿过第二夹板;第二滑杆一端垂直的固定在第二夹板上，另一端配合的穿过第一夹板;手柄固定在第一滑杆或第二滑杆上，第一夹板和第二夹板相互正对的一面上分别设有相互配合的卡槽，第一夹板、第二夹板、第一滑杆、第二滑杆和手柄均由铁氟龙材料加工而成。2.如权利要求1所述的用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具，其特征在于:卡槽为半圆形的直线槽。3.如权利要求1所述的用于晶圆和光刻掩模板湿法工艺的铁氟龙夹具，其特征在于:第一滑杆与第一夹板、第二滑杆与第二夹板、手柄与第一滑杆或第二滑杆分别通过螺纹连接固定。4.一种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法清洗工艺，其特征在于:包括如下步骤， 1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，用丙酮超声清洗； 2)取晶圆，将晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定； 3)拿住手柄，将晶圆依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合液中超声清洗； 4)取出晶圆，将晶圆转移到烘箱中或加热台上烘干，烘干温度保持为135-180°C。5.—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行光刻掩模板的湿法清洗工艺，其特征在于:包括如下步骤， 1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗； 2)取光刻掩模板，将光刻掩模板放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将光刻掩模板夹紧固定； 3)拿住手柄，将光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超声清洗或放入两者的混合溶液中超声清洗； 4)取出光刻掩模板，用无尘纸擦拭干净，将光刻掩模板转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为100-150 °C。6.—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的金属膜湿法刻蚀工艺，其特征在于:包括如下步骤， 1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗； 2)将已进行金属膜沉积和紫外光刻、显影及润洗的晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定； 3)将晶圆置于装有刻蚀液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶； 4)将晶圆置于装有去胶液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与去胶液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将去胶液和去离子水倒入回收瓶； 5)取出晶圆，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180 °C。7.—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行晶圆的湿法刻蚀工艺，其特征在于:包括如下步骤， 1)将用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具放在烧杯中，依次用乙醇和丙酮超声清洗; 2)将已进行紫外光刻的晶圆放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将晶圆夹紧固定； 3)将晶圆置于装有刻蚀液的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使晶圆与刻蚀液充分接触，浸泡后将晶圆放置在烧杯中并用去离子水水流冲洗晶圆，冲洗后将刻蚀液和去离子水倒入回收瓶； 4)取出晶圆，将晶圆转移到烘箱中或热台上烘干，烘干温度保持为135-180°C。8.—种利用上述用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具进行显影、润洗、去胶的湿法工艺，其特征在于:包括如下步骤， 1)准备好已进行过紫外光刻加工的半导体微纳器件样品； 2)将用于显影和润洗的烧杯及用于半导体微纳器件湿法工艺的铁氟龙夹具采用去离子水在超声装置中清洗，再将用于显影的烧杯中注入适量显影液； 3)将已进行紫外光刻的样品放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将光刻掩模板夹紧固定，将样品置于显影的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与显影液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将显影液倒入回收瓶； 4)将样品转移到用于润洗的烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶； 5)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗； 6)将已显影、润洗的样品烘干； 7)将润洗干净的样品表面镀一层金属或非金属薄膜，再将样品放置在卡槽内并通过第一夹板和第二夹板将样品夹紧固定，向用于去胶的干净烧杯中注入适量的去胶液； 8)将样品置于去胶的烧杯中持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与去胶液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将去胶液倒入回收瓶； 9)将样品转移到用于润洗的干净烧杯中，并注入适量润洗液，持续浸泡至所需时间，在浸泡过程中控制手柄使其上下左右晃动，使样品与润洗液充分接触，浸泡后摆动手柄将样品适当甩干，然后将润洗液倒入回收瓶； 10)将上述各烧杯采用去离子水在超声装置中清洗； 11)将已去胶和润洗的样品烘干。
【文档编号】H01L21/02GK106024693SQ201610336237
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月20日
【发明人】何亮, 袁慧, 杨威, 麦立强
【申请人】武汉理工大学