静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置的制造方法

文档序号:10658361阅读:374来源:国知局
静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。该静电放电器件包括晶体管,晶体管的源极和漏极之一作为静电放电器件的输入端,另一者作为输出端,晶体管具有:作为第一浮空栅极的第一导电层;覆盖第一导电层的第一绝缘层;位于第一绝缘层上的有源层;覆盖有源层的第二绝缘层;作为第二浮空栅极的第二导电层,位于第二绝缘层上;覆盖第二导电层的第三绝缘层;及位于第三绝缘层上且分别位于有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层,第三导电层作为源极和漏极的一者,第四导电层作为源极和漏极的另一者。
【专利说明】
静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置
技术领域
[0001 ]本发明涉及静电放电(ESD)防护。具体涉及静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。
【背景技术】
[0002]在显示设备中,为了防止显示面板等因静电而造成损伤,一般对显示面板等设置静电放电器件。
[0003]随着产品的分辨率不断变高,产品的像素设计得越来越小,这导致显示区域周边的ESD设计单元的空间也越来越小。然而,现有技术中的静电放电器件所占用的空间面积大且静电放电能力也需要进一步提高。

【发明内容】

[0004]本发明的实施例提供至少能够大大节省ESD设计占用的空间面积并且静电放电能力增强的静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。
[0005]本发明的一个目的在于提供一种静电放电器件。
[0006]本发明的第一方面提供一种静电放电器件,包括晶体管,所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端,所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端,其中,所述晶体管具有:作为第一浮空栅极的第一导电层;覆盖所述第一导电层的第一绝缘层;位于所述第一绝缘层上的有源层;覆盖所述有源层的第二绝缘层;作为第二浮空栅极的第二导电层,位于所述第二绝缘层上;覆盖所述第二导电层的第三绝缘层;以及,位于所述第三绝缘层上且分别位于所述有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层,其中所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者,所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者,所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器,所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器,所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器,所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。
[0007]在一个实施例中,所述第一导电层和所述第二导电层被电连接到一起。
[0008]在一个实施例中,所述晶体管还具有:位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层,所述第一导电层和所述第二导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。
[0009 ]在一个实施例中,还包括:覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层的第四绝缘层;和位于所述第四绝缘层上的第五导电层,所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器,所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。
[0010]在一个实施例中,所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层被电连接到一起。
[0011]在一个实施例中,所述晶体管还具有:位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层,所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。
[0012]在一个实施例中,所述第五导电层包括ITO层或Al层。
[0013]本发明的另一个目的在于提供一种有源阵列基板。
[0014]本发明的第二方面提供了一种有源阵列基板,所述有源阵列基板具有如上所述的静电放电器件。
[0015]在一个实施例中,所述静电放电器件的输入端被连接到栅线或者数据线,所述静电放电器件的输出端被接地。
[0016]本发明的又一个目的在于提供一种显示面板。
[0017]本发明的第三方面提供了一种显示面板,所述显示面板具有如上所述的有源阵列基板。
[0018]本发明的另一个目的在于提供一种显示装置。
[0019]本发明的第四方面提供了一种显示装置,所述显示装置具有如上所述的显示面板。
[0020]本发明的再一个目的在于提供一种静电放电器件的制造方法。
[0021]本发明的第五方面提供了一种静电放电器件的制造方法,所述静电放电器件包括晶体管,所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端,所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端,所述制造方法中包括:形成作为第一浮空栅极的第一导电层;覆盖所述第一导电层形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成有源层;覆盖所述有源层形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成作为第二浮空栅极的第二导电层;覆盖所述第二导电层形成第三绝缘层;以及,在所述第三绝缘层上形成彼此隔离的第三导电层和第四导电层,其中所述第三导电层和所述第四导电层分别位于所述有源层的两侧,所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者以及所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者,其中所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器,所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器,所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器,所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。
[0022]在一个实施例中,还包括:将所述第一导电层与所述第二导电层电连接到一起。
[0023]在一个实施例中,还包括:形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔;和在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所述第一过孔和所述第二过孔的中继导电层。
[0024]在一个实施例中,还包括:覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层形成第四绝缘层;和在所述第四绝缘层上形成第五导电层,其中所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器,所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。
[0025]在一个实施例中,还包括:将所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层电连接到一起。
[0026]在一个实施例中,还包括:形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔中的至少一者;在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所形成的过孔的中继导电层;形成贯通所述第四绝缘层且到达所述中继导电层的第三过孔;以及形成所述第五导电层以覆盖并填充所述第三过孔。
[0027]在一个实施例中,所述第五导电层包括ITO层或Al层。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
[0029]图1是表示本发明的一个实施例的静电放电器件的剖视图。
[0030]图2是对应于图1的电路原理图。
[0031]图3是表示本发明的又一个实施例的第一导电层与第二导电层电连接时的电连接处的剖视图。
[0032]图4是对应于图3的电路原理图。
[0033]图5是本发明的一个实施例的静电放电器件的剖视图。
[0034]图6是对应于图5的电路原理图。
[0035]图7是本发明的另一个实施例的第一导电层与第五导电层电连接时的电连接处的剖视图。
[0036]图8是对应于图7的电路原理图。
[0037]图9是本发明的再一个实施例的第二导电层与第五导电层电连接时的电连接处的剖视图。
[0038]图10是对应于图9的电路原理图。
[0039]图11是本发明的一个实施例的第一导电层、第二导电层和第五导电层都电连接时的电连接处的剖视图。
[0040]图12是对应于图11的电路原理图。
[0041]图13是表示本发明的一个实施例的静电放电器件的制造方法的流程图。
[0042]图14是表示本发明的另一个实施例的静电放电器件的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0043]为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将接合附图,对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,也都属于本发明保护的范围。
[0044]当介绍本发明的元素及其实施例时,冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。
[0045]出于下文表面描述的目的,如其在附图中被标定方向那样,术语“上”、“下”、“左”、“右” “垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上,其中,在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素,而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。
[0046]除非上下文中另外明确地指出,否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数,反之亦然。因而,当提及单数时,通常包括相应术语的复数。相似地,措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地,术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的,除非本文中明确禁止这样的解释。在本文中使用术语“实例”之处,特别是当其位于一组术语之后时,所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的,且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
[0047]下面结合附图对本发明的各个优选实施例进行详细的说明。
[0048]图1是表示本发明的一个实施例的静电放电器件的剖视图。图2是对应于图1的电路原理图。
[0049]如图1和图2所示,静电放电器件包括晶体管,晶体管的源极201和漏极202之一作为静电放电器件的输入端IN,源极201和漏极202的另一者作为静电放电器件的输出端0UT,晶体管具有:作为第一浮空栅极203的第一导电层11;覆盖第一导电层的第一绝缘层12;有源层13,位于第一绝缘层12上;覆盖有源层13的第二绝缘层14;位于第二绝缘层14上的作为第二浮空栅极204的第二导电层15;覆盖第二导电层15的第三绝缘层16;以及位于第三绝缘层16上且分别位于有源层13的两侧的彼此隔离的第三导电层17和第四导电层18,并且,第三导电层17作为源极201和漏极202的一者,第四导电层18作为源极201和漏极202的另一者,第一导电层11、第三导电层17以及位于它们之间的第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16形成第一电容器205;第一导电层11、第四导电层18以及位于它们之间的第一绝缘层12、第二绝缘层14、第三绝缘层16形成第二电容器206;第二导电层15、第三导电层17以及位于它们之间的第三绝缘层16形成第三电容器207;第二导电层15、第四导电层18以及位于它们之间的第三绝缘层16形成第四电容器208。
[0050]在所述一个实施例中,第一浮空栅极203与第二浮空栅极204上下重叠,且这两个浮空栅极分别都与源极201和漏极202形成交叠电容器而得到四个电容器。因此,当有高压静电产生时,由四个交叠电容器将浮空栅极的电位拉高,从而使晶体管导通,通过晶体管导通来将输入端与输出端连通,从而将高压静电释放至输出端来避免高压静电造成破坏。由于本实施例采用具有四个交叠电容器的结构,因此能节省电容器的占用面积并且提高静电放电速度。
[0051]图3是表示本发明的又一个实施例的第一导电层与第二导电层电连接时的电连接处的剖视图。图4是对应于图3的电路原理图。
[0052]如图3所示,晶体管具有:位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22,并且,第一导电层11和第二导电层15经由相应的过孔被电连接到中继导电层21、22。从而使得第一导电层11和第二导电层15电连接。
[0053]由此,如图4所示,由于使得由第一导电层11形成的第一浮空栅极203与由第二导电层15形成的第二浮空栅极204电连接,因此能够进一步提高静电放电速度。此外,由于利用位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22对第一导电层11和第二导电层15进行电连接,因此,通过在第三绝缘层16上形成一个导电层并将它分离,就可以分别作为源极、漏极和中继导电层发挥作用,能简化结构并降低制造成本。
[0054]图5是表示本发明的又一个实施例的静电放电器件的剖视图。图6是对应于图5的电路原理图。
[0055]如图5和图6所示,晶体管还具有:覆盖第三绝缘层16、第三导电层17和第四导电层18的第四绝缘层19和位于第四绝缘层19上的第五导电层20,第五导电层20、第三导电层17以及位于它们之间的第四绝缘层19形成第五电容器209,第五导电层20、第四导电层18以及位于它们之间的第四绝缘层19形成第六电容器210。
[0056]在所述又一个实施例中,由于在第五导电层20与分别作为源极和漏极的第三导电层17、第四导电层18之间也分别形成电容器209、210,所以能大大减小电容器的占用面积且进一步提高静电放电速度。
[0057]图7_图12表示第一导电层11以及第二导电层15中的至少一者和第五导电层20电连接处的剖视图以及相应的电路原理图。
[0058]具体而言,图7是本发明的另一个实施例的第一导电层与第五导电层电连接时的电连接处的剖视图。图8是对应于图7的电路原理图。图9是本发明的再一个实施例的第二导电层与第五导电层电连接时的电连接处的剖视图。图10是对应于图9的电路原理图。图11是本发明的一个实施例的第一导电层、第二导电层和第五导电层都电连接时的电连接处的剖视图。图12是对应于图11的电路原理图。
[0059]如图7所示,晶体管具有:位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22,并且,第一导电层11和第五导电层20经由相应的过孔被电连接到中继导电层21、22。
[0060]由此,如图8所示,由于使得第一浮空栅极203与第五导电层20电连接,因此能够进一步提高静电放电速度。此外,由于利用位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22对第一导电层11和第五导电层20进行电连接,因此,通过在第三绝缘层16上形成一个导电层并将它分离,就可以分别作为源极、漏极和中继导电层发挥作用,能简化结构和降低成本。
[0061]如图9所示,晶体管具有:位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22,并且,第二导电层15和第五导电层20经由相应的过孔被电连接到中继导电层21、22。
[0062]由此,如图10所示,由于使得第二浮空栅极204与第五导电层20电连接,因此能够进一步提高静电放电速度。此外,由于利用位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22对第二导电层15和第五导电层20进行电连接,因此,通过在第三绝缘层16上形成一个导电层并将它分离,就可以分别作为源极、漏极和中继导电层发挥作用,所以能简化结构。
[0063]如图11所示,晶体管具有:位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22,并且,第一导电层11、第二导电层15和第五导电层20都经由相应的过孔被电连接到中继导电层21、2 2。
[0064]由此,如图12所示,由于使得第一浮空栅极203、第二浮空栅极204和第五导电层20都电连接,因此能够进一步提高静电放电速度。此外,由于利用位于第三绝缘层16上并与第三导电层17和第四导电层18隔离的中继导电层21、22对第一导电层11、第二导电层15和第五导电层20进行电连接,因此,通过在第三绝缘层16上形成一个导电层并将它分离,就可以分别作为源极、漏极和中继导电层发挥作用,所以能简化结构和降低制造成本。
[0065]此外,第五导电层20可以包括ITO层或Al层。
[0066]通过使得第五导电层20包括ITO层或Al层,能分别合适地应用于透射显示或反射显不O
[0067]图13是表示本发明的一个实施例的静电放电器件的制造方法的流程图。
[0068]如图13所示,本发明的实施例所提供的静电放电器件的制造方法包括:S1.形成作为第一浮空栅极的第一导电层;S3.覆盖第一导电层形成第一绝缘层;S5.在第一绝缘层上形成有源层;S7.覆盖有源层形成第二绝缘层;S9.在第二绝缘层上形成作为第二浮空栅极的第二导电层;SI 1.覆盖第二导电层形成第三绝缘层;以及,S13.在第三绝缘层上形成彼此隔离的第三导电层和第四导电层。
[0069]并且,其中第三导电层和第四导电层分别位于有源层的两侧,第三导电层作为晶体管的源极和漏极的一者且第四导电层作为源极和漏极的另一者,其中第一导电层、第三导电层以及位于第一导电层与第三导电层之间的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层形成第一电容器,第一导电层、第四导电层以及位于第一导电层与第四导电层之间的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层形成第二电容器,第二导电层、第三导电层以及位于第二导电层与第三导电层之间的第三绝缘层形成第三电容器,第二导电层、第四导电层以及位于第二导电层与第四导电层之间的第三绝缘层形成第四电容器。
[0070]所述一个实施例的静电放电器件的制造方法中,由于使得作为第一浮空栅极的第一导电层与作为第二浮空栅极的第二导电层上下重叠,且使得这两个导电层分别都与作为源极和漏极的第三导电层和第四导电层形成交叠电容器而得到四个电容器,因此通过该制造方法能制造具有四个交叠电容器的、能节省电容器的占用面积并且提高静电放电速度的静电放电器件。
[0071]此外,还可以:将第一导电层与第二导电层电连接到一起。进而,还可以包括:形成贯通第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层并到达第一导电层的第一过孔和贯通第三绝缘层并到达第二导电层的第二过孔;和在第三绝缘层上形成与第三导电层和第四导电层隔离且覆盖并填充第一过孔和第二过孔的中继导电层。
[0072]通过将第一导电层与第二导电层电连接到一起,能够进一步提高静电放电速度。此外,通过利用位于第三绝缘层上并与第三导电层和第四导电层隔离的中继导电层经由相应的过孔对第一导电层和第二导电层进行电连接,能简化制造工序并降低制造成本。
[0073]图14是表示本发明的另一个实施例的静电放电器件的制造方法的流程图。
[0074]如图14所示,本发明的另一个实施例所提供的静电放电器件的制造方法包括:S1.形成作为第一浮空栅极的第一导电层;S3.覆盖第一导电层形成第一绝缘层;S5.在第一绝缘层上形成有源层;S7.覆盖有源层形成第二绝缘层;S9.在第二绝缘层上形成作为第二浮空栅极的第二导电层;Sll.覆盖第二导电层形成第三绝缘层;S13.在第三绝缘层上形成彼此隔离的第三导电层和第四导电层;S15.覆盖第三绝缘层、第三导电层和第四导电层形成第四绝缘层;以及S17.在第四绝缘层上形成第五导电层。
[0075]并且,其中第三导电层和第四导电层分别位于有源层的两侧,将第三导电层作为晶体管的源极和漏极的一者,将第四导电层作为源极和漏极的另一者,通过第一导电层、第三导电层以及位于它们之间的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层形成第一电容器,通过第一导电层、第四导电层以及位于它们之间的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层形成第二电容器,通过第二导电层、第三导电层以及位于它们之间的第三绝缘层形成第三电容器,通过第二导电层、第四导电层以及位于它们之间的第三绝缘层形成第四电容器,通过第五导电层、第三导电层以及位于它们之间的第四绝缘层形成第五电容器,通过第五导电层、第四导电层以及位于它们之间的第四绝缘层形成第六电容器。
[0076]在所述另一个实施例的静电放电器件的制造方法中,由于使得作为第一浮空栅极的第一导电层、作为第二浮空栅极的第二导电层、第五导电层上下重叠,且使得这三个导电层分别都与作为源极和漏极的第三导电层和第四导电层形成交叠电容器而得到六个电容器,因此通过该制造方法能制造具有六个交叠电容器的、能节省电容器的占用面积并且提高静电放电速度的静电放电器件。
[0077]此外,还可以:将第一导电层以及第二导电层中的至少一者和第五导电层电连接到一起。进而还可以包括:形成贯通第一绝缘层、第二绝缘层以及第三绝缘层并到达第一导电层的第一过孔和贯通第三绝缘层并到达第二导电层的第二过孔中的至少一者;在第三绝缘层上形成与第三导电层和第四导电层隔离且覆盖并填充所形成的过孔的中继导电层;形成贯通第四绝缘层且到达中继导电层的第三过孔;以及形成第五导电层以覆盖并填充第三过孔。
[0078]通过将第一导电层以及第二导电层中的至少一者和第五导电层电连接到一起,能够进一步提高静电放电速度。此外,通过利用位于第三绝缘层上并与第三导电层和第四导电层隔离的中继导电层经由相应的过孔对第一导电层以及第二导电层中的至少一者和第五导电层进行电连接,能简化制造工序并降低制造成本。
[0079]此外,第五导电层可以包括ITO层或Al层。通过使得第五导电层包括ITO层或Al层,能分别合适地应用于透射显示或反射显示。
[0080]本发明的实施例还提供一种有源阵列基板,其中,该有源阵列基板具有如上所述的静电放电器件。在所述有源阵列基板中,可以在静电放电器件的输入端连接栅线或者数据线,并在静电放电器件的输出端接地。
[0081]通过使得静电放电器件的输入端为栅线或者数据线,能够对显示区域更可靠地进行静电防护。
[0082]本发明的实施例还提供一种显示面板,其中,该显示面板具有如上所述的有源阵列基板。
[0083]本发明的实施例还提供了一种显示装置,其中,该显示装置具有如上所述的显示面板。
[0084]以上虽然通过一些示例性的实施例详细地描述了本发明的具体实施例,但是以上这些实施例并不是穷举的,本领域技术人员可以在本发明的精神和范围内实现各种变化和修改。因此,本发明并不限于这些实施例,本发明的范围还包括基于本发明的发明主旨的各种变形和改进。
【主权项】
1.一种静电放电器件,包括晶体管,所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端,所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端,所述静电放电器件的特征在于, 所述晶体管具有: 作为第一浮空栅极的第一导电层; 覆盖所述第一导电层的第一绝缘层; 位于所述第一绝缘层上的有源层; 覆盖所述有源层的第二绝缘层; 作为第二浮空栅极的第二导电层,位于所述第二绝缘层上; 覆盖所述第二导电层的第三绝缘层;以及, 位于所述第三绝缘层上且分别位于所述有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层, 其中所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者,所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者, 所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器, 所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器, 所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器, 所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。2.根据权利要求1所述的静电放电器件,其特征在于, 所述第一导电层和所述第二导电层被电连接到一起。3.根据权利要求2所述的静电放电器件,其特征在于, 所述晶体管还具有:位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层, 所述第一导电层和所述第二导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。4.根据权利要求1所述的静电放电器件,其特征在于,还包括: 覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层的第四绝缘层;和 位于所述第四绝缘层上的第五导电层, 所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器, 所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。5.根据权利要求4所述的静电放电器件,其特征在于, 所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层被电连接到一起。6.根据权利要求5所述的静电放电器件,其特征在于, 所述晶体管还具有:位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层, 所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。7.根据权利要求4至6中任一项所述的静电放电器件,其特征在于, 所述第五导电层包括ITO层或Al层。8.—种有源阵列基板,其特征在于,具有权利要求1至7中任一项所述的静电放电器件。9.根据权利要求8所述的有源阵列基板,其特征在于,所述静电放电器件的输入端被连接到栅线或者数据线,所述静电放电器件的输出端被接地。10.—种显示面板,其特征在于,具有权利要求8或9所述的有源阵列基板。11.一种显示装置,其特征在于,具有权利要求10所述的显示面板。12.—种静电放电器件的制造方法,所述静电放电器件包括晶体管,所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端,所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端,所述静电放电器件的制造方法的特征在于,包括: 形成作为第一浮空栅极的第一导电层; 覆盖所述第一导电层形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成有源层; 覆盖所述有源层形成第二绝缘层; 在所述第二绝缘层上形成作为第二浮空栅极的第二导电层; 覆盖所述第二导电层形成第三绝缘层;以及, 在所述第三绝缘层上形成彼此隔离的第三导电层和第四导电层, 其中所述第三导电层和所述第四导电层分别位于所述有源层的两侧,所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者以及所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者,其中所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器, 所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器, 所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器, 所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,还包括: 将所述第一导电层与所述第二导电层电连接到一起。14.根据权利要求13所述的静电放电器件的制造方法,其特征在于, 还包括: 形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔;和 在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所述第一过孔和所述第二过孔的中继导电层。15.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,还包括: 覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层形成第四绝缘层;和 在所述第四绝缘层上形成第五导电层, 其中所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器, 所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。16.根据权利要求15所述的制造方法,其特征在于, 还包括:将所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层电连接到一起。17.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,还包括: 形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔中的至少一者;在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所形成的过孔的中继导电层; 形成贯通所述第四绝缘层且到达所述中继导电层的第三过孔;以及 形成所述第五导电层以覆盖并填充所述第三过孔。18.根据权利要求15至17中任一项所述的制造方法,其特征在于, 所述第五导电层包括ITO层或Al层。
【文档编号】H01L21/77GK106024781SQ201610584181
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月22日
【发明人】盖翠丽, 王龙彦, 王玲, 李全虎, 林奕呈
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
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