一种阵列基板、显示面板及显示设备的制造方法

文档序号:10658383阅读:205来源:国知局
一种阵列基板、显示面板及显示设备的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示设备,属于显示领域。所述阵列基板的第一行包括交替设置的第一像素结构和第二像素结构,所述第一像素结构包括并列设置的两个第一种子像素电极,所述第一种子像素电极靠近其对应的目标数据线,所述第一种子像素电极对应的TFT位于所述第一种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,将所述第一种子像素电极电连接至所述目标数据线;所述第二像素结构包括并列设置的两个第二种子像素电极,所述第二种子像素电极远离其对应的目标数据线,所述第二种子像素电极对应的TFT位于所述第二种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,通过走线将所述第二种子像素电极电连接至所述目标数据线,降低了阵列基板的功耗。
【专利说明】
一种阵列基板、显示面板及显示设备
技术领域
[0001]本发明涉及显示领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。
【背景技术】
[0002]阵列基板是液晶显示设备的重要组成部分,其位于液晶显示设备的背光源与液晶层之间。阵列基板用于控制液晶层中的液晶分子转向,使液晶层透过背光源发出的部分光线,该透过的光线可以在液晶显示设备的屏幕上形成画面。
[0003]目前的阵列基板的每一行包括并列设置的多个像素结构,且相邻两个像素结构的极性不同,在该像素结构的左侧设有第一数据线,右侧设有第二数据线,第一数据线和第二数据线的极性不同,且其中存在一根数据线的极性与该像素结构的极性相同,假设为第一数据线。该像素结构包括第一TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)、第二TFT、并列设置的第一子像素电极和第二子像素电极;第一 TFT位于第一子像素电极远离第一数据线的一侧,通过走线将第一子像素电极连接至第一数据线,第二 TFT位于第二子像素电极靠近第一数据线的一侧,通过走线将第二子像素电极连接至第一数据线。
[0004]在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0005]由于阵列基板中的每个子像素电极都要依赖走线连接至数据线上,而每个走线与液晶显示设备的液晶层形成电容,会提升了阵列基板显示功耗。

【发明内容】

[0006]为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示设备。所述技术方案如下:
[0007]第一方面,提供了一种阵列基板,所述阵列基板的第一行包括交替设置的第一像素结构和第二像素结构,所述第一像素结构位于第一数据线和第二数据线之间,所述第二像素结构位于第二数据线和第三数据线之间,所述第一行是所述阵列基板的任一行;
[0008]所述第一像素结构包括并列设置的两个第一种子像素电极,所述第一种子像素电极靠近其对应的目标数据线,所述第一种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,所述第一种子像素电极对应的TFT薄膜晶体管位于所述第一种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,将所述第一种子像素电极电连接至所述目标数据线;
[0009]所述第二像素结构包括并列设置的两个第二种子像素电极,所述第二种子像素电极远离其对应的目标数据线,所述第二种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,所述第二种子像素电极对应的TFT位于所述第二种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,通过走线将所述第二种子像素电极电连接至所述目标数据线。
[0010]可选的,所述第一像素结构包括第一TFT、第二TFT、并列设置的第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一数据线的极性与所述第一子像素电极的极性均为第一极性,所述第二数据线的极性与所述第二子像素电极的极性均为第二极性,所述第一 TFT位于所述第一子像素电极靠近所述第一数据线的一侧,将所述第一子像素电极连接至所述第一数据线上,所述第二 TFT位于所述第二子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,将所述第二子像素电极连接至所述第二数据线。
[0011]可选的,所述第一子像素电极靠近所述第一数据线的一侧顶角处设有开口,所述第一 TFT位于所述开口处。
[0012]可选的,所述第二子像素电极靠近所述第二数据线的一侧顶角处设有开口,所述第二 TFT位于所述开口处。
[0013]可选的,所述第二像素结构包括第三TFT、第四TFT、并列设置的第三子像素电极和第四子像素电极,所述第四子像素电极的极性为第二极性,所述第三数据线的极性与所述第三子像素电极的极性均为第一极性,所述第三TFT位于所述第三子像素电极靠近所述第三数据线的一侧,通过第一走线将所述第三子像素电极连接至所述第三数据线上,所述第四TFT位于所述第四子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,通过第二走线将所述第四子像素电极连接至所述第二数据线。
[0014]可选的,在所述阵列基板的第二行中位于所述第一数据线和所述第二数据线之间的第三像素结构与所述第二像素结构相同,包括第五TFT、第六TFT、并列设置第五子像素电极和第六子像素电极;所述第五子像素电极的极性与所述第二数据线的极性相同,所述第六子像素的极性与所述第一数据线的极性相同,所述第二行为与所述第一行相邻的下一行;
[0015]所述五TFT位于所述第五子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,通过第三走线将所述第五子像素电极连接至所述第二数据线上;所述六TFT位于所述第六子像素电极靠近所述第一数据线的一侧,通过第四走线将所述第六子像素电极连接至所述第一数据线上。
[0016]可选的,所述第一子像素电极靠近所述第五子像素电极的一侧顶角处设有开口,所述第一 TFT位于所述开口处;或者,所述第一子像素电极远离所述第五子像素电极的一侧顶角处设有开口,所述第一TFT位于所述开口处。
[0017]可选的,在所述阵列基板的第二行中位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的第四像素结构与所述第一像素结构相同,所述第二行为与所述第一行相邻的下一行;
[0018]所述第四像素结构包括第七TFT、第八TFT、并列设置第七子像素电极和第八子像素电极;所述第七子像素电极的极性与所述第二数据线的极性相同,所述第八子像素的极性与所述第三数据线的极性相同;
[0019]所述第七TFT位于所述第七子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,将所述第七子像素电极连接至所述第二数据线上;所述八TFT位于所述第八子像素电极靠近所述第三数据线的一侧,将所述第八子像素电极连接至所述第三数据线上。
[0020]可选的,所述第七子像素电极靠近所述第二数据线的一侧顶角处设有开口,所述第七TFT位于所述开口处。
[0021]可选的,所述第八子像素电极靠近所述第三数据线的一侧顶角处设有开口,所述第八TFT位于所述开口处。
[0022]第二方面,提供了一种显示面板,包括所述的阵列基板。
[0023]第三方面,提供了一种显示设备,包括如所述的显示面板。
[0024]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0025]由于每一行中可以存在一半的像素结构,该像素结构包括的两个子像素电极,分别靠近与各自的极性相同的数据线,且该子像素电极对应的TFT也设置在该子像素电极靠近极性与该子像素电极相同的数据线的一侧,直接将该子像素电极电连接至该数据线,这样可以省去通过走线将该子像素电极电连接至该数据线,从而降低了阵列基板的功耗。
【附图说明】
[0026]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本发明实施例一提供的一种阵列基板结构示意图;
[0028]图2是本发明实施例一提供的另一种阵列基板结构示意图;
[0029]图3是本发明实施例一提供的另一种阵列基板结构示意图;
[0030]图4是本发明实施例一提供的另一种阵列基板结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0032]实施例一
[0033]参见图1,本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板的第一行包括交替设置的第一像素结构I和第二像素结构2,第一像素结构I位于第一数据线3和第二数据线4之间,第二像素结构2位于第二数据线4和第三数据线5之间,其中,第一行是阵列基板中的任一行。
[0034]第一像素结构I包括并列设置的两个第一种子像素电极,第一种子像素电极靠近其对应的目标数据线,第一种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,第一种子像素电极对应的TFT位于第一种子像素电极靠近该目标数据线的一侧,将第一种子像素电极电连接至该目标数据线;
[0035]第二像素结构2包括并列设置的两个第二种子像素电极,第二种子像素电极远离其对应的目标数据线,第二种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,第二种子像素电极对应的TFT位于第二种子像素电极靠近该目标数据线的一侧,通过走线将第二种子像素电极电连接至该目标数据线。
[0036]可选的,第一像素结构I包括第一TFTll、第二TFT12、并列设置的第一子像素电极13和第二子像素电极14,即第一子像素电极13和第二子像素电极14都为第一种子像素电极;第一子像素电极13的极性和第二子像素电极14的极性不同,第一数据线3的极性与第一子像素电极13的极性均为第一极性,第二数据线4的极性与第二子像素电极14的极性均为第二极性。
[0037]其中,第一极性可以为正极,第二极性可以为负极。例如,如图1所示的例子,第一数据线3的极性和第一子像素电极13的极性均相同,都为正极;第二数据线4和第二子像素电极14的极性相同,都为负极。
[0038]其中,第一TFTll位于第一子像素电极13靠近第一数据线3的一侧,将第一子像素电极13连接至第一数据线3上,第二 TFT12位于第二子像素电极14靠近第二数据线4的一侧,将第二子像素电极14连接至第二数据线4。
[0039]进一步地,该第一行还包括两行栅线,分别为第一栅线a和第二栅线b,第一栅线a和第二栅线b位于第一行包括的第一像素结构I和第二像素结构2的两侧。
[0040]其中,第一子像素电极13靠近第一数据线3的一侧顶角处设有开口,第一TFTll设置在该开口处;第一TFT11的栅极与该两行栅线中的一行栅线电连接;第一TFTl I的第一端与第一数据线3电连接,第二端与第一子像素电极13电连接。
[0041]可选的,参见图1,第一子像素电极13靠近第一数据线3和第二栅线b的一侧顶角处设有开口,第一TFTll可以设置在该开口处,第一TFTll的栅极与第二栅线b电连接;或者,参见图2,第一子像素电极13靠近第一数据线3和第一栅线a的一侧顶角处设有开口,第一TFTl I可以设置在该开口处,第一 TFTl I的栅极与第一栅线a电连接。
[0042]第二子像素电极14靠近第二数据线4的一侧顶角处设有开口,第二TFT12设置在该开口处;第二 TFT12的栅极与该两行栅线中的另一行栅线电连接,第二 TFT12的第一端与第二数据线4电连接,第二端与第二子像素电极14电连接。
[0043]可选的,参见图1,第二子像素电极14靠近第二数据线4和第一栅线a的一侧顶角处设有开口,第二TFT12可以设置在该开口处且第二TFT12的栅极与第一栅线a电连接;或者,参见图2,第二子像素电极14靠近第二数据线4和第二栅线b的一侧顶角处设有开口,第二TFT12可以设置在该开口处且第二 TFT12的栅极与第二栅线b电连接。
[0044]可选的,第二像素结构2包括第三TFT21、第四TFT22、并列设置的第三子像素电极23和第四子像素电极24,即第三子像素电极23和第四子像素电极24为第二种子像素电极,第三子像素电极23的极性和第四子像素电极24的极性不同,第二数据线4的极性与第四子像素电极24的极性相同,均为第二极性,第三数据线5的极性与第三子像素电极23的极性相同,均为第一极性;例如,如图1所示的例子,第二数据线4的极性与第四子像素电极24的极性均为负极,第三数据线5的极性与第三子像素电极23的极性均为正极。
[0045]其中,参见图1和2,第三TFT21位于第三子像素电极23靠近第三数据线5的一侧,通过第一走线25将第三子像素电极23连接至第三数据线5上,第四TFT22位于第四子像素电极24靠近第二数据线4的一侧,通过第二走线26将第四子像素电极24连接至第二数据线4。
[0046]其中,第三子像素电极23靠近第三数据线5—侧的两个顶角处均设有开口,第四子像素电极24靠近第二数据线4 一侧的两个顶角处也均设有开口;第三子像素电极23和第四子像素电极24相邻的两组开口组成两个开口空间;第三TFT21设置在其中一个开口空间中,且其栅极与第一栅线a和第二栅线b中的一栅线电连接,第三TFT21的第一端通过第一走线25与第三数据线5电连接,第二端与第三子像素电极23电连接。第四TFT22设置在另一个开口空间中,且其栅极与第一栅线a和第二栅线b中的另一栅线电连接,第四TFT22的第一端通过第二走线26与第二数据线4电连接,第二端与第四子像素电极24电连接。
[0047]例如,如图1所示的例子,第三TFT21设置在靠近第一栅线a的开口空间中,第三TFT21的栅极可以与第一栅线a电连接,第四TFT22可以设置在靠近第二栅线b的另一开口空间中,第四TFT22的栅极与第二栅线b电连接;或者,如图2所示的例子,第三TFT21设置在靠近第二栅线b的一侧开口空间中,第三TFT21的栅极与第二栅线b电连接,第四TFT22设置在靠近第一栅线a的另一开口空间中,第四TFT22的栅极与第一栅线a电连接。
[0048]可选的,在本实施例中,第一数据线3的极性和第三数据性5的极性相同,都为第一极性,第一数据线3的极性与第二数据线4的极性不同,第二数据线4的极性为第二极性。其中,第一数据线3的极性和第三数据线5的极性可以为正极,第二数据线4的极性可以为负极;或者,第一数据线3的极性和第三数据线5的极性可以为负极,第二数据线4的极性可以为正极。例如,如图1所示的例子,第一数据线4和第三数据线5的极性均为正极,第二数据线的极性为负极。
[0049]其中,参见图3或4,需要说明的是:第一行中可以包括多个第一像素结构I和多个第二像素结构2,该多个第一像素结构I和第二像素结构2交替设置。由于每个第一像素结构I中的第一 TFTl I和第二 TFT12均与各自相邻的数据线直接相连,如此省去两处走线,省去了两处走线的功耗,从而降低了阵列基板的功耗。
[0050]其中,在阵列基板的相邻两行包括的第一像素结构和第二像素结构的交替设置的顺序不同。对于阵列基板中与第一行相邻的下一行,为了便于说明,将该下一行称为第二行。
[0051]可选的,仍参见图1,在阵列基板的第二行中位于第一数据线3和第二数据线4之间的像素结构为第三像素结构6。
[0052]第三像素结构6包括第五TFT61、第六TFT62、并列设置第五子像素电极63和第六子像素电极64 ;第五子像素电极63的极性与第二数据线4的极性相同,均为第二极性,第六子像素电极64的极性与第一数据线3的极性相同,均为第一极性;例如,在图1所示的例子中,第五子像素电极63的极性与第二数据线4的极性都为负极,第六子像素电极64的极性与第一数据线3的极性都为正极。
[0053]第五TFT61位于第五子像素电极63靠近第二数据线4的一侧,通过第三走线65将第五子像素电极63连接至第二数据线4上;第六TFT62位于第六子像素电极64靠近第一数据线3的一侧,通过第四走线66将第六子像素电极64连接至第一数据线3上。
[0054]进一步地,该第二行还包括两行栅线,分别为第三栅线c和第四栅线d,第三栅线c和第四栅线d位于第二行包括的第三像素结构6的两侧。
[0055]其中,在第三子像素结构6中,第五子像素电极63靠近第二数据线4一侧的两个顶角处均设有开口,第六子像素电极64靠近第一数据线3—侧的两个顶角处也均设有开口 ;第五子像素电极63和第六子像素电极64相邻的两组开口组成两个开口空间;第五TFT61设置在其中一个开口空间中,且其栅极与第三栅线c和第四栅线d中的一栅线电连接,例如,如图1或2所示的例子,第五TFT61的栅极与第三栅线c电连接;第五TFT61的第一端通过第三走线65与第二数据线4电连接,第二端与第五子像素电极63电连接。第六TFT62设置在另一个开口空间中,且其栅极与第三栅线c和第四栅线d中的另一栅线电连接,例如,如图1或2所示的例子,第六TFT64的栅极与第四栅线d电连接;第六TFT64的第一端通过第四走线66与第一数据线3电连接,第二端与第六子像素电极64电连接。
[0056]可选的,在阵列基板的第二行中位于第二数据线4和第三数据线5之间的像素结构称为第四像素结构7;
[0057]第四像素结构7包括第七TFT71、第八TFT72、并列设置第七子像素电极73和第八子像素电极74;第七子像素电极71的极性与第二数据线2的极性相同,都为第二极性,第八子像素电极74的极性与第三数据线5的极性相同,都为第一极性;例如,在如图1所示的例子中,第七子像素电极73的极性与第二数据线4的极性相同,都为负极,第八子像素电极74的极性与第三数据线5的极性相同,都为正极。
[0058]可选的,第七TFT71位于第七子像素电极73靠近第二数据线4的一侧,将第七子像素电极73连接至第二数据线4上;第八TFT72位于第八子像素电极74靠近第三数据线5的一侧,将第八子像素电极74连接至第三数据线5上。
[0059]其中,第七子像素电极73靠近第二数据线4的一侧顶角处设有开口,第七TFT71设置在该开口处;第七TFT71的栅极与第三栅线c和第四栅线d中的一行栅线电连接,如图1所示的例子,第七TFT71设置在靠近第四栅线d的开口空间中,第七TFT71的栅极与第四栅线d电连接。第七TFT71的第一端与第二数据线4电连接,第二端与第七子像素电极73电连接。
[0060]第八子像素电极74靠近第三数据线5的一侧顶角处设有开口,第八TFT72设置在该开口处;第八TFT72的栅极与第三栅线c和第四栅线d中的另一行栅线电连接,如图1所示的例子,第八TFT72设置在靠近第三栅线c的另一开口空间中,第八TFT72的栅极与第三栅线c电连接,第八TFT72的第一端与第三数据线5电连接,第二端与第八子像素电极74电连接。
[0061]其中,需要说明的是:参见图1至4,在任一行中第一极性的子像素电极和第二极性的子像素电极是交替设置的,例如,在第一行中,第一子像素电极的极性为第一极性,第二子像素电极的极性为第二极性,第三子像素电极的极性第一极性,第四子像素电极的极性为第二极性;在任一列第一极性的子像素电极和第二极性的子像素电极也是交替设置的,例如,在第一数据线3和第二数据线4之间的第一子像素电极的极性为第一极性,第五子像素电极的极性为第二极性;所以本发明实施例提供的阵列基板的每行中或每列中第一极性的子像素电极和第二极性的子像素电极是交替排列,从而实现了点反转的结构,提供了画质显示的效果。
[0062]可选的,如图3和4,需要说明的是:第二行中可以包括多个第三像素结构6和多个第四像素结构7,该多个第三像素结构6和第四像素结构7交替设置。由于每个第四像素结构7中的第七TFT71和第八TFT72均与各自相邻的数据线直接相连,如此省去两处走线,省去了两处走线的功耗,从而降低了阵列基板的功耗。
[0063]其中,阵列基板包括多行,且在第二行的下一行,为了便于说明,称为第三行,第三行包括的各像素结构的设置顺序与第一行的相同;第三行的下一行,为了便于说明,称为第四行,第四行包括的各像素结构的设置顺序与第二行相同;即在阵列基板中第一行和第二也也是交替设置的。
[0064]在本发明实施例中,每一行中可以存在一半的像素结构,该像素结构包括的两个子像素电极,分别靠近与各自的极性相同的数据线,且该子像素电极对应的TFT也设置在该子像素电极靠近与该子像素电极极性相同的数据,直接将该子像素电极电连接至该数据线,这样可以省去通过走线将该子像素电极电连接至该数据线,从而降低了阵列基板的功耗。另外,阵列基板的每行中或每列中第一极性的子像素电极和第二极性的子像素电极是交替排列,从而实现了点反转的结构,提供了画质显示的效果。
[0065]实施例二
[0066]本发明实施例提供了一种显示面板,包括实施例一提供的任一种阵列基板。
[0067]实施例三
[0068]本发明实施例提供了一种显示设备,包括实施例二提供的任一种显示面板。
[0069]上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
[0070]以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的第一行包括交替设置的第一像素结构和第二像素结构,所述第一像素结构位于第一数据线和第二数据线之间,所述第二像素结构位于第二数据线和第三数据线之间,所述第一行是所述阵列基板的任一行; 所述第一像素结构包括并列设置的两个第一种子像素电极,所述第一种子像素电极靠近其对应的目标数据线,所述第一种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,所述第一种子像素电极对应的TFT位于所述第一种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,将所述第一种子像素电极电连接至所述目标数据线; 所述第二像素结构包括并列设置的两个第二种子像素电极,所述第二种子像素电极远离其对应的目标数据线,所述第二种子像素电极与其对应的目标数据线的极性相同,所述第二种子像素电极对应的TFT位于所述第二种子像素电极靠近所述目标数据线的一侧,通过走线将所述第二种子像素电极电连接至所述目标数据线。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于, 所述第一像素结构包括第一 TFT、第二 TFT、并列设置的第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一数据线的极性与所述第一子像素电极的极性均为第一极性,所述第二数据线的极性与所述第二子像素电极的极性均为第二极性,所述第一 TFT位于所述第一子像素电极靠近所述第一数据线的一侧,将所述第一子像素电极连接至所述第一数据线上,所述第二 TFT位于所述第二子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,将所述第二子像素电极连接至所述第二数据线。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子像素电极靠近所述第一数据线的一侧顶角处设有开口,所述第一TFT位于所述开口处。4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二子像素电极靠近所述第二数据线的一侧顶角处设有开口,所述第二TFT位于所述开口处。5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于, 所述第二像素结构包括第三TFT、第四TFT、并列设置的第三子像素电极和第四子像素电极,所述第四子像素电极的极性为第二极性,所述第三数据线的极性与所述第三子像素电极的极性均为第一极性,所述第三TFT位于所述第三子像素电极靠近所述第三数据线的一侧,通过第一走线将所述第三子像素电极连接至所述第三数据线上,所述第四TFT位于所述第四子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,通过第二走线将所述第四子像素电极连接至所述第二数据线。6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于, 在所述阵列基板的第二行中位于所述第一数据线和所述第二数据线之间的第三像素结构与所述第二像素结构相同,包括第五TFT、第六TFT、并列设置第五子像素电极和第六子像素电极;所述第五子像素电极的极性与所述第二数据线的极性相同,所述第六子像素的极性与所述第一数据线的极性相同,所述第二行为与所述第一行相邻的下一行; 所述五TFT位于所述第五子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,通过第三走线将所述第五子像素电极连接至所述第二数据线上;所述六TFT位于所述第六子像素电极靠近所述第一数据线的一侧,通过第四走线将所述第六子像素电极连接至所述第一数据线上。7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于, 所述第一子像素电极靠近所述第五子像素电极的一侧顶角处设有开口,所述第一TFT位于所述开口处;或者,所述第一子像素电极远离所述第五子像素电极的一侧顶角处设有开口,所述第一TFT位于所述开口处。8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的第二行中位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的第四像素结构与所述第一像素结构相同,所述第二行为与所述第一行相邻的下一行; 所述第四像素结构包括第七TFT、第八TFT、并列设置第七子像素电极和第八子像素电极;所述第七子像素电极的极性与所述第二数据线的极性相同,所述第八子像素的极性与所述第三数据线的极性相同; 所述第七TFT位于所述第七子像素电极靠近所述第二数据线的一侧,将所述第七子像素电极连接至所述第二数据线上;所述八TFT位于所述第八子像素电极靠近所述第三数据线的一侧,将所述第八子像素电极连接至所述第三数据线上。9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第七子像素电极靠近所述第二数据线的一侧顶角处设有开口,所述第七TFT位于所述开口处。10.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第八子像素电极靠近所述第三数据线的一侧顶角处设有开口,所述第八TFT位于所述开口处。11.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至10任一项权利要求所述的阵列基板。12.—种显示设备,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示面板。
【文档编号】G02F1/1362GK106024805SQ201610384273
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月1日
【发明人】李少茹, 汪锐, 颜京龙
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 重庆京东方光电科技有限公司
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