一种oled基板的制备方法及oled基板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种OLED基板的制备方法及OLED基板。该制备方法中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以设计加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。
【专利说明】
一种OLED基板的制备方法及OLED基板
技术领域
[0001 ]本发明涉及0LED领域，尤其涉及一种0LED基板的制备方法及0LED基板。【背景技术】
[0002]典型的0LED像素结构如图1和2所示，PSPI隔离出IT0发光区域，因此，不发光区域的面积决定于横向及纵向的PSPI宽度。如图1所示，横向PSPI设计宽度a=c+2d，如图2所示， 纵向PSPI设计宽度b=e+2f;实际生产中，其中c(RIB宽度)、e(IT0线间距)取决于制程能力， d、f取决于曝光时的对位精度。
[0003]现有的0LED基板的制备方法中，一般在制备金属图案时即制作出全部对位标，IT0 图案、PSPI图案和RIB图案制程再依次按各自的对位标制作图案，生产时极可能出现对位偏移的情况，即IT0和PSPI图案相对于金属图案产生偏移。假设对位精度为Ax，则IT0相对于 PSPI的理论最大偏离值为2Ax，为保证PSPI与IT0搭接，f的设计值必须满足f >2 Ax，同理， 为保证RIB不超过PSPI，d的设计值必须满足d>2Ax，于是，OLED基板必须满足a>c+4Ax及 b>e+4Ax的条件，按这样设计，不发光区域面积过大，0LED的显示效果较差。
【发明内容】
[0004]为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种0LED基板的制备方法，该制备方法简单，可操作性强，能够有效减小PSPI的宽度，加大IT0发光区域的面积，达到更好的显示效果。
[0005]本发明还提供了一种使用上述制备方法制得的0LED基板。
[0006]本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:一种0LED基板的制备方法，包括如下步骤:S1:提供一 IT0基板；S2:在所述IT0基板上制作IT0图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；S3:对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；S4:对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；S5:对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。[〇〇〇7] 进一步地，所述步骤S1包括:S1.1:提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上溅镀一层IT0膜，形成IT0基板；S1.3:对所述IT0膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs< lnm。
[0008] 进一步地，所述步骤S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一层光刻胶；S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3:通过刻蚀工艺，制作出IT0图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4:剥离剩余的光刻胶。[00〇9] 进一步地，所述步骤S3包括:S3.1:溅镀金属膜；S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；S3.:3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影， 形成光刻胶图案；S3.4:通过刻蚀工艺，制作出金属图案；S3.5:剥离剩余的光刻胶。[〇〇1〇] 进一步地，所述步骤S4包括:S4.1:涂覆一层 PSPI;S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成 PSPI图案和RIB图案对位标。
[0011] 进一步地，所述步骤S5包括:S5.1:涂覆一层 RIB;S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成 RIB图案。[〇〇12]进一步地，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的IT0块。
[0013]进一步地，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。[〇〇14] 进一步地，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。[〇〇15] 一种0LED基板，由上述制备方法制得。[〇〇16]本发明具有如下有益效果:(1)该制备方法简单，可操作性强，金属图案、PSPI图案以IT0图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比IT0、PSP1、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使 PSPI的宽度做小也能保证PSPI与IT0搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积， 进而达到更好的显示效果；(2)所述RIB图案对位标区域上的IT0块，可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力；(3)所述PSPI图案对位标区域上的金属块可以增强PSPI图案对位标的识别度；(4)在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆可以增强半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度。【附图说明】[〇〇17]图1为现有技术中0LED像素结构单元的示意图；图2为现有技术中0LED像素结构的IT0与PSPI搭接的示意图；图3为本发明提供的0LED基板的制备方法的流程框图。【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
[0019]实施例一如图3所示，一种0LED基板的制备方法，包括如下步骤:S1:提供一 IT0基板；其中，所述步骤S1包括:S1.1:提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上溅镀一层IT0膜，形成IT0基板；S1.3:对所述IT0膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs< lnm。
[0020]S2:在所述IT0基板上制作IT0图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；其中，所述步骤S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一层光刻胶；S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3:通过刻蚀工艺，制作出IT0图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4:剥离剩余的光刻胶。[0021 ] S3:对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；其中，所述步骤S3包括:S3.1:溅镀金属膜；S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；S3.3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S3.4:通过刻蚀工艺，制作出金属图案；S3.5:剥离剩余的光刻胶。[〇〇22] S4:对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；其中，所述步骤S4包括:S4.1:涂覆一层 PSPI;S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成 PSPI图案和RIB图案对位标。[〇〇23] S5:对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；其中，所述步骤S5包括:S5.1:涂覆一层 RIB;S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成 RIB图案。[0〇24]S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。[〇〇25] 本技术方案中的金属图案、PSPI图案以IT0图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比IT0、PSP1、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与IT0搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。[〇〇26] 优选地，所述金属图案为MAM，即Mo/Al/Mo。[〇〇27] 特别说明，上述所有对位标均位于0LED基板的显示区域外。[〇〇28]按照本技术方案的制备方法，PSPI图案以IT0图案为基准对位，对位精度为Ax，此时为保证PSPI与ITO搭接，只须满足f > Ax;同理，RIB图案以PSPI图案为基准对位，只须满足(1> Ax〇[〇〇29]因此，按本技术方案中的制备方法，只须满足a>c+2Ax&b>e+2Ax，即采用本技术方案，横向与纵向PSPI的宽度均可减小2Ax。
[0030] 具体的:1.若取八1=3_、1^=5〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(]^为发光区11'0的宽度)，若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2 Ax及b=e+2 Ax计算，像素面积增大22.56%。[〇〇31 ]2.若取八1=3_、1^=8〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(1^为发光区11'0的宽度)，若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2 Ax及b=e+2 Ax计算，像素面积增大14.44%。
[0032]3.若取八1=3_、1^=15〇11111、〇=1〇11111、6=1〇11111(1^为发光区11'0的宽度)，若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2 Ax及b=e+2 Ax计算，像素面积增大7.84%。[〇〇33]可见，像素面积越小，采用本技术方案的效果越明显，在高PPI显示器中，本技术方案尤其具有价值。
[0034]作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的IT0块。[〇〇35]所述RIB图案对位标区域的IT0块，可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力。
[0036]作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
[0037]在制作金属图案时，在IT0材质的PSPI图案对位标区域覆盖金属块，可以增强PSPI 图案对位标的识别能力。[〇〇38]作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆，或其它可以增加半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度的处理。[〇〇39] 实施例二一种0LED基板，由实施例一中所述的制备方法制得。
[0040]以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:S1:提供一 IT0基板；S2:在所述IT0基板上制作IT0图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；S3:对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；S4:对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；S5:对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。2.根据权利要求1所述的0LED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括:S1.1:提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；S1.2:在所述透明基板上溅镀一层IT0膜，形成IT0基板；S1.3:对所述IT0膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs < lnm。3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括:S2.1:在所述IT0基板上涂覆一层光刻胶；S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；S2.3:通过刻蚀工艺，制作出IT0图案、金属图案对位标和PSPI对位标；S2.4:剥离剩余的光刻胶。4.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括:S3.1:溅镀金属膜；S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；S3.3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形 成光刻胶图案；S3.4:通过刻蚀工艺，制作出金属图案；S3.5:剥离剩余的光刻胶。5.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括:S4.1:涂覆一层 PSPI;S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成 PSPI图案和RIB图案对位标。6.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括:S5.1:涂覆一层 RIB;S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成 RIB图案。7.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，还制作有 位于RIB图案对位标区域的IT0块。8.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，还制作有 PSPI图案对位标区域的金属块。9.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4和S5之间，还 包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。10.—种OLED基板，其特征在于，由权利要求1-9中任一所述的制备方法制得。
【文档编号】H01L27/32GK106024843SQ201610599957
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月28日
【发明人】罗志猛, 赵阳峰, 赵云, 张为苍
【申请人】信利半导体有限公司