一种栅极电极的加工工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ITO玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量，所述PVP溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极具有电流大和载流子迁移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
【专利说明】
一种栅极电极的加工工艺
技术领域
[0001] 本发明属于电子元器件的加工工艺领域，更具体地说，本发明涉及一种栅极电极 的加工工艺。
【背景技术】
[0002] 随着科技的发展，显示器中的像素点也越来越小，而制作一个完整的显示器，需要 大量电子器件和复杂的电路矩阵，这就要求想配对的电子器件和电路尺寸越来越小，为了 实现有机薄膜晶体管在平板显示中的应用，首先要解决0TFT的图案化，一种好的的图案 化方法可以很大程度上降低制作成本，提高器件的性能以及稳定性。目前，最常用的图案化 方法包括:光刻技术，喷墨打印技术等，因这些方法简单、快捷、对器件的性能影响小而逐步 受到人们的关注。
【发明内容】
[0003] 本发明所要解决的问题是提供一种栅极电极的加工工艺。
[0004] 为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为： 一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤： (1) 切割 首先将带ΙΤ0导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cmX5cm -7cmX7cm的 方形ΙΤ0玻璃片子； (2) 清洗 接着将方形ΙΤ0玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ΙΤ0玻璃片子放入玻璃器皿 中超声清洗25-35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2-4次； (3) 烘干 清洗完毕后将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115Γ， 所述烘干的时间为1 _2h; (4) 旋涂光刻胶 接着将光刻胶以9 s600 rad/min - 40 s2000 rad/min的速度在烘干后方形ΙΤ0玻璃 片子上进行旋涂； (5) 再烘干 接着将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115Γ，所述烘 干的时间为20_40min; (6) 曝光显影 在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ΙΤ0玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将 显影液通过喷头喷洒上去； (7) 蚀刻 然后把曝光结束的方形ΙΤ0玻璃片子放入王水中，对ΙΤ0进行蚀刻，接着用丙酮洗去 光刻胶，然后用乙醇和水把ITO表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
[0005] 优选的，所述步骤(3)中烘干后将方形ΙΤ0玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清 洗。
[0006] 优选的，所述清洗的时间为20-30min。
[0007] 优选的，所述步骤(4)中旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备。
[0008]优选的，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形ΙΤ0玻璃片子上，接着 在120 °C的热台上进行烘干。
[0009] 优选的，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯。
[0010] 优选的，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9。 [0011]优选的，所述绝缘层的厚度为15-25nm〇
[0012]有益效果:本发明提供了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ΙΤ0玻璃片 子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述 旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ΙΤ0玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量， 所述PVP溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅 极电极具有电流大和载流子迀移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
【具体实施方式】 [0013] 实施例1: 一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤： (1) 切割 首先将带ΙΤ0导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cmX 5cm的方形ΙΤ0玻 璃片子； (2) 清洗 接着将方形ΙΤ0玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ΙΤ0玻璃片子放入玻璃器皿 中超声清洗25min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2次； (3) 烘干 清洗完毕后将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105°C，所述 烘干的时间为lh，所述烘干后将方形ΙΤ0玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述清 洗的时间为20min; (4) 旋涂光刻胶 旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形 ΙΤ0玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以9 s600 rad/min的速 度在烘干后方形ΙΤ0玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚 和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2: 1:9,所述绝缘层的厚度为15nm; (5) 再烘干 接着将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105Γ，所述烘干的 时间为20min; (6) 曝光显影 在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将 显影液通过喷头喷洒上去； (7)蚀刻 然后把曝光结束的方形ΙΤ0玻璃片子放入王水中，对ΙΤ0进行蚀刻，接着用丙酮洗去 光刻胶，然后用乙醇和水把ΙΤ0表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
[0014] 实施例2: 一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤： (1) 切割 首先将带ΙΤ0导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成6cmX6cm的方形ΙΤ0玻 璃片子； (2) 清洗 接着将方形ΙΤ0玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ΙΤ0玻璃片子放入玻璃器皿 中超声清洗30min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为3次； (3) 烘干 清洗完毕后将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为110°C，所述 烘干的时间为1.5h，所述烘干后将方形ΙΤ0玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述 清洗的时间为2 5m i η; (4) 旋涂光刻胶 旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形 ΙΤ0玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以20 sl200 rad/min的速 度在烘干后方形ΙΤ0玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化聚 和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2: 1:9,所述绝缘层的厚度为20nm; (5) 再烘干 接着将方形ΙΤ0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为110°C，所述烘干的 时间为30min; (6) 曝光显影 在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ΙΤ0玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将 显影液通过喷头喷洒上去； (7) 蚀刻 然后把曝光结束的方形ΙΤ0玻璃片子放入王水中，对ΙΤ0进行蚀刻，接着用丙酮洗去 光刻胶，然后用乙醇和水把ΙΤ0表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
[0015] 实施例3 一种栅极电极的加工工艺，包括如下步骤： (1) 切割 首先将带ΙΤ0导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成7cmX 7cm的方形ΙΤ0玻 璃片子； (2) 清洗 接着将方形ΙΤ0玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ΙΤ0玻璃片子放入玻璃器皿 中超声清洗35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为4次； (3) 烘干 清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为115°C，所述 烘干的时间为2h，所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗，所述清 洗的时间为30min; (4) 旋涂光刻胶 旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备，所述绝缘层的制备的方法为将PVP溶液旋涂在方形 ITO玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干，接着将光刻胶以40 s2000 rad/min的 速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂，所述PVP溶液的组成为聚4-乙基苯酚、甲基化 聚和丙二醇单甲醚乙酸酯，所述聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为 2:1:9，所述绝缘层的厚度为25nm; (5) 再烘干 接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为115Γ，所述烘干的 时间为40min; (6) 曝光显影 在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将 显影液通过喷头喷洒上去； (7) 蚀刻 然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中，对ITO进行蚀刻，接着用丙酮洗去 光刻胶，然后用乙醇和水把ITO表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。
[0016] 经过以上方法后，分别取出样品，测量结果如下：
根据上述表格数据可以得出，当实施例2参数时加工后的栅极电极比现有技术加工后 的栅极电极的最高电流高，且载流子迀移率高有所增加，此时更有利于栅极电极的加工。
[0017] 本发明提供了一种栅极电极的加工工艺，所述烘干后将方形ΙΤ0玻璃片子放到紫 外臭氧清洗机中进行清洗，可以使表面变成亲水性，促进下一步旋涂的进行，所述旋涂光刻 胶前进行绝缘层的制备，可以对方形ΙΤ0玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量，所述PVP 溶液的组成以及配比，可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极 具有电流大和载流子迀移率高的优点，市场潜力巨大，前景广阔。
[0018] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发 明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领 域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1. 一种栅极电极的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤： (1) 切割 首先将带ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割，将玻璃切割成5cmX5cm -7cmX7cm的 方形ITO玻璃片子； (2) 清洗 接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗，接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿 中超声清洗25-35min，最后用清水进行清洗，所述清洗的次数为2-4次； (3) 烘干 清洗完毕后将方形IT0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115Γ， 所述烘干的时间为1 _2h; (4) 旋涂光刻胶 接着将光刻胶以9 s600 rad/min - 40 s2000 rad/min的速度在烘干后方形IT0玻璃 片子上进行旋涂； (5) 再烘干 接着将方形IT0玻璃片子置于烘箱中进行烘干，所述烘干的温度为105-115Γ，所述烘 干的时间为20_40min; (6) 曝光显影 在曝光之前先用已做好的菲林板，挡住方形IT0玻璃片子上不需要曝光的地方，接着将 显影液通过喷头喷洒上去； (7) 蚀刻 然后把曝光结束的方形IT0玻璃片子放入王水中，对IT0进行蚀刻，接着用丙酮洗去 光刻胶，然后用乙醇和水把IT0表面处理干净，然后吹干，形成栅极电极。2. 按照权利要求1所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述步骤(3)中烘干 后将方形IT0玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗。3. 按照权利要求2所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于：所述清洗的时间为 20-30min〇4. 按照权利要求1所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述步骤(4)中旋涂 光刻胶前进行绝缘层的制备。5. 按照权利要求4所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述绝缘层的制备的 方法为将PVP溶液旋涂在方形IT0玻璃片子上，接着在120 °C的热台上进行烘干。6. 按照权利要求5所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述PVP溶液的组成 为聚4-乙基苯酚、甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯。7. 按照权利要求6所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述聚4-乙基苯酚、 甲基化聚和丙二醇单甲醚乙酸酯的配比为2:1:9。8. 按照权利要求4所述的一种栅极电极的加工工艺，其特征在于:所述绝缘层的厚度为 15_25nm〇
【文档编号】H01L51/05GK106025068SQ201610617972
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年8月1日
【发明人】周淑清
【申请人】安徽贝莱电子科技有限公司