一种强导电铜铝复合排的制作方法
【专利摘要】本发明涉及于输变电设备领域，尤其一种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层、内层石墨烯层、铜层、外层石墨烯层。在铜铝复合排中复合石墨烯能够大大提升其导电性能，可以有效降低铜的使用量，且在相同规格下，保证优越的导电性，可以满足更多的需求。
【专利说明】
一种强导电铜铝复合排
技术领域
[0001]本发明涉及于输变电设备领域，尤其是一种强导电铜铝复合排。
【背景技术】
[0002]铜铝复合排俗称铜包铝线，其出现的意义主要是为了降低铜材的消耗。我国属于贫铜富铝的国家，铜矿资源70%依靠进口，因此国家863计划里大力倡导厂家研发新型铜铝复合材料，以此来降低我国对于铜材的消耗，达到“以铝节铜”的战略目的。此外，由于铜材相比铝材要昂贵许多，所以铜包铝排的另一个显著作用就是为企业降低材料成本。电气性能相同的铜包铝排，其价格只有传统纯铜排的50%左右。在保证质量的前提下，可以为企业产生不俗的效益，所以说铜包铝排的出现符合国家的战略需求，符合社会节能降耗的理念，也符合各企业降低成本的诉求。
[0003]但是由于铝的导电性能低于铜，常规的铜铝复合排在相同规格作用下其导电性能是低于铜排的。
【发明内容】
[0004]本发明针对上述问题提出了一种强导电铜铝复合排，能够有效提升铜铝复合排的导电性能。
[0005]为了实现上述目的，本发明所采用技术方案为，一种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层、内层石墨烯层、铜层、外层石墨烯层。
[0006]所述的铜层所占的比重为5?20%。
[0007]所述的内层石墨稀层与外层石墨稀层厚度均为0.2?2mm。
[0008]石墨烯具有完美的二维晶体结构，它的晶格是由六个碳原子围成的六边形，厚度为一个原子层。碳原子之间由σ键连接，结合方式为sp2杂化，这些σ键赋予了石墨烯极其优异的力学性质和结构刚性。石墨烯的硬度比最好的钢铁强100倍，甚至还要超过钻石。在石墨烯中，每个碳原子都有一个未成键的P电子，这些P电子可以在晶体中自由移动，且运动速度高达光速的1/300，赋予了石墨烯良好的导电性，常温下其电子迀移率超过15000cm2/V.s，又比纳米碳管或硅晶体高，而电阻率只约10—6Ω.cm，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料。
[0009]在铜铝复合排中加入石墨烯能够大大提升其导电性能，可以有效降低铜的使用量，且在相同规格下，保证优越的导电性，可以满足更多的需求。
【附图说明】
[0010]图1为本发明所述的铜铝复合排截面图1为铝层，2为铜层，3为内层石墨烯层，4为外层石墨烯层。
【具体实施方式】
[0011]为进一步阐述本发明所达到的预定目的与技术手段及功效，以下结合图1与实施例对本发明的具体实施方案进行详细说明。
[0012]实施例1:一种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层1、内层石墨烯层3、铜层2、外层石墨烯层4，所述的铜层2的比重为13 %，所述的内层石墨烯层3与外层石墨烯层厚度4均为ImmD
[0013]实施例2:—种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层1、内层石墨烯层3、铜层2、外层石墨烯层4，所述的铜层2的比重为5 %，所述的内层石墨烯层3与外层石墨烯层厚度4均为2mmD
[0014]实施例3:—种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层1、内层石墨烯层3、铜层2、外层石墨烯层4，所述的铜层2的比重为20%，所述的内层石墨烯层3与外层石墨烯层厚度4均为0.2 mm0
[0015]实施例4:一种强导电铜铝复合排，由内到外为铝层1、内层石墨烯层3、铜层2、外层石墨烯层4，所述的铜层2的比重为13 %，所述的内层石墨烯层3厚度为1.5 mm，外层石墨烯层厚度4为0.5 mm。
[0016]如上所述，仅为本发明较佳实施例而已，故任凡未脱离本方案技术内容，依据本发明的技术实质对以上实施例做出任何简单的更改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围。
【主权项】
1.一种强导电铜铝复合排，其特征在于:由内到外为铝层、内层石墨烯层、铜层、外层石墨稀层。2.根据权利要求1所述的一种强导电铜铝复合排，其特征在于:所述的铜层所占的比重为5?20 %。3.根据权利要求1所述的一种强导电铜铝复合排，其特征在于:所述的内层石墨烯层与外层石墨稀层厚度为0.2?2 mm。
【文档编号】H01B5/02GK106057288SQ201610581850
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月22日 公开号201610581850.4, CN 106057288 A, CN 106057288A, CN 201610581850, CN-A-106057288, CN106057288 A, CN106057288A, CN201610581850, CN201610581850.4
【发明人】刘海敏
【申请人】汉舟四川铜铝复合科技有限公司