一种半导体晶片磨边工艺的制作方法
【专利摘要】本申请公开了一种半导体晶片磨边工艺，包括以下步骤：S01、砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，且砂轮的进刀止点位于所述半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上；S02、旋转的砂轮对旋转一周的半导体晶片的圆形边缘进行打磨；S03、砂轮从所述半导体晶片的直线边缘一侧退刀后沿所述半导体晶体的直线边缘移动并旋转，对所述半导体晶片的直线边缘进行打磨。本磨边工艺分成两段进行，先对半导体晶片的圆形边缘进行打磨，再对半导体晶片的直线边缘进行打磨。且在砂轮进退刀时，砂轮不会触碰到半导体晶片的边缘，从而避免了砂轮进退刀时对半导体晶片边缘的触碰，不会产生缺口，提高了半导体晶片边缘的打磨光滑度。
【专利说明】
一种半导体晶片磨边工艺
技术领域
[0001]本发明涉及半导体材料生产技术领域，特别涉及一种半导体晶片磨边工艺。
【背景技术】
[0002]半导体晶片通过对半导体晶棒进行切割得到，切割完成后，根据客户要求，需要对晶片的边缘进行打磨，得到特定形状尺寸的晶片。
[0003]现有的半导体晶片在进行磨边工艺时，晶片通常为圆形，晶片的边缘设置有一个直线边缘，用于对晶片进行定位，具体磨边工艺为:将切好的晶片固定在磨边机的吸盘上，并进行调心，使晶片绕圆心旋转;采用高速运转的金刚石磨轮对进行旋转的晶片的边缘进行打磨，磨轮的打磨轨迹通过特定的靠模来实现，从而获得特定形状尺寸的晶片，完成对晶片边缘的打磨。具体磨边过程可参见图1，利用靠铁对晶片进行定位，使晶片的直线边缘与靠铁贴合定位，定位之后，移开靠铁，砂轮进刀，使砂轮与晶片的直线边缘反向正对的一侧圆形边缘靠紧，砂轮旋转，同时使晶片旋转360度，砂轮在靠模的引导下在直线方向上移动，晶片旋转一周便一次性完成晶片形状的打磨成型，最后，砂轮在晶片的圆形边缘处退刀，结束磨边工艺。
[0004]上述现有的磨边工艺由于砂轮的进刀位置和退刀位置均位于晶片的圆形边缘处，因为砂轮进刀和退刀时，与晶片边缘接触，容易在晶片边缘产生缺口，如果进退刀位置不同，还会导致晶片边缘凹凸不平滑。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导体晶片磨边工艺，以消除砂轮进退刀时与晶片边缘接触形成的缺口，提高晶片磨边的平滑度。
[0006]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0007]—种半导体晶片磨边工艺，包括以下步骤:
[0008]S01、砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，且砂轮的进刀止点位于所述半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上；
[0009]S02、旋转的砂轮对旋转一周的半导体晶片的圆形边缘进行打磨；
[0010]S03、砂轮从所述半导体晶片的直线边缘一侧退刀后沿所述半导体晶体的直线边缘移动并旋转，对所述半导体晶片的直线边缘进行打磨。
[0011]优选的，在上述的半导体晶片磨边工艺中，在所述步骤SOl中的砂轮进刀之前，通过靠铁与所述半导体晶片的直线边缘贴合，完成所述半导体晶片的定位，之后，靠铁移开，旋转半导体晶片180°，使所述半导体晶片的直线边缘面向所述砂轮。
[0012]优选的，在上述的半导体晶片磨边工艺中，所述半导体晶片通过吸盘吸附固定。
[0013]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0014]本发明提供的半导体晶片磨边工艺中，砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，到达半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上停止进刀，通过旋转的砂轮对半导体晶片进行打磨，半导体晶片旋转一周，砂轮只对其圆形边缘进行打磨，而不接触直线边缘；圆形边缘打磨完成后，砂轮从直线边缘一侧退刀，之后沿直线边缘移动并旋转，对直线边缘进行打磨。可见本发明中的磨边工艺分成两段进行，先对半导体晶片的圆形边缘进行打磨，再分开对半导体晶片的直线边缘进行打磨。在砂轮进刀时，砂轮到达进刀位置后不会触碰到半导体晶片的边缘，但是半导体晶片旋转一周后，砂轮能够对圆形边缘进行打磨，退刀时，砂轮还是从直线边缘的一侧退刀，不会接触到直线边缘，从而消除了砂轮进退刀时对半导体晶片的触碰，不会产生缺口，提高了半导体晶片边缘的打磨光滑度。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0016]图1为现有半导体晶片磨边工艺的流程图；
[0017]图2为本发明实施例提供的一种半导体晶片磨边工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0018]本发明的核心是提供了一种半导体晶片磨边工艺，消除了砂轮进退刀时与晶片边缘接触形成的缺口，提高了晶片磨边的平滑度。
[0019]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0020]请参考图2，本发明实施例提供了一种半导体晶片磨边工艺，包括以下步骤:
[0021]步骤S01、进刀工序，砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧向半导体晶片靠近进刀，且砂轮的进刀止点位于半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上，即砂轮的边缘不接触半导体晶片的直线边缘，但是砂轮用于打磨的一侧轮面位于半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上。
[0022]步骤S02、圆形边缘打磨工序，砂轮旋转，同时半导体晶片旋转一周，砂轮对半导体晶片进行打磨，由于砂轮的进刀位置不与半导体晶体接触，因此，砂轮只对半导体晶片的圆形边缘进行打磨。
[0023]步骤S03、直线边缘打磨工序，砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧退刀，退刀位置依然位于半导体晶片的直线边缘一侧，退刀后，砂轮沿半导体晶体的直线边缘移动并旋转，此时，半导体晶片不旋转，半导体晶片的直线边缘竖直放置，则砂轮从直线边缘上方沿直线边缘上下移动，对半导体晶片的直线边缘进行打磨，直至要求的直线边缘的长度位置，完成直线边缘的打磨后，退刀。
[0024]上述的半导体晶片磨边工艺分成两段进行，第一段先对半导体晶片的圆形边缘进行打磨，第二段再对半导体晶片的直线边缘进行打磨。在砂轮进刀时，砂轮到达进刀位置后不会触碰到半导体晶片的边缘，但是半导体晶片旋转一周后，砂轮能够对圆形边缘进行打磨，退刀时，砂轮还是从直线边缘的一侧退刀，不会接触到直线边缘，从而避免了砂轮进退刀时对半导体晶片的触碰，不会产生缺口，提高了半导体晶片边缘的打磨光滑度。
[0025]如图2所示，本实施例对半导体晶片磨边工艺进行优化，在步骤SOl中的砂轮进刀之前，通过靠铁与半导体晶片的直线边缘贴合，完成半导体晶片的定位，之后，靠铁移开，旋转半导体晶片180°，使半导体晶片的直线边缘面向砂轮。通过半导体晶片的定位，提高了打磨精度。当然，还可以不进行定位，半导体晶片在初始位置时，半导体晶片的直线边缘面向砂轮，因此可以直接进行进刀，不需要将半导体晶片旋转180°。只是，定位后的打磨精度更尚O
[0026]在本实施例中，半导体晶片通过吸盘吸附固定，能够减少对半导体晶片的固定损坏。完成半导体晶片打磨后，吸盘卸压，将半导体晶片取下。当然还可以通过其它装置进行固定。
[0027]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0028]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种半导体晶片磨边工艺，其特征在于，包括以下步骤: 501、砂轮从半导体晶片的直线边缘一侧进刀，且砂轮的进刀止点位于所述半导体晶片的圆形边缘的圆周延长线上； 502、旋转的砂轮对旋转一周的半导体晶片的圆形边缘进行打磨； 503、砂轮从所述半导体晶片的直线边缘一侧退刀后沿所述半导体晶体的直线边缘移动并旋转，对所述半导体晶片的直线边缘进行打磨。2.根据权利要求1所述的半导体晶片磨边工艺，其特征在于，在所述步骤SOl中的砂轮进刀之前，通过靠铁与所述半导体晶片的直线边缘贴合，完成所述半导体晶片的定位，之后，靠铁移开，旋转半导体晶片180°，使所述半导体晶片的直线边缘面向所述砂轮。3.根据权利要求1所述的半导体晶片磨边工艺，其特征在于，所述半导体晶片通过吸盘吸附固定。
【文档编号】H01L21/02GK106057646SQ201610528101
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月6日
【发明人】吴晓桂, 朱刘, 刘留
【申请人】广东先导先进材料股份有限公司