膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置，用以解决现有技术中存在湿刻形成的电极图案发生断线及线宽存在偏差的问题。具体地，在第一膜层与光刻胶膜层之间制作一层粘性补偿膜层，由于粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性以及粘性补偿膜层与光刻胶膜层之间的粘附性均大于第一膜层与光刻胶膜层之间的粘附性，从而，保证相邻膜层之间的贴合程度较好，不会出现缝隙，这样，防止刻蚀液从侧向渗入而导致第一膜层的图案产生断线，而且，还可以保证刻蚀工艺过程中刻蚀程度近乎一致，从而避免由于刻蚀程度不同而导致形成的膜层图案的临近尺寸发生偏差。
【专利说明】
膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]在薄膜晶体管液晶显示行业，曲面屏产品广泛采用共面转换IPS模式，其中，IPS的电极主要采用钼铌合金材质。在生产过程中存在问题:钼铌合金膜层与PR胶膜层之间的粘附性较差，钼铌合金膜层在进行湿刻时，刻蚀液有可能从侧向渗入而溶解本不应该刻蚀掉的钼铌合金，导致形成的电极图案发生断线，从而影响产品良率。同时由于刻蚀液渗入程度不同，导致钼铌合金膜层被刻蚀掉的程度不同，从而容易导致刻蚀后形成的电极线宽波动较大的问题，严重影响产品显示品质。
【发明内容】
[0003]本发明实施例提供一种膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置，用以解决现有技术中存在湿刻形成的电极图案发生断线及线宽存在偏差的问题。
[0004]本发明实施例采用以下技术方案:
[0005]—种膜层图案的制作方法，所述方法包括:
[0006]在基底之上依次形成第一膜层、粘性补偿膜层以及光刻胶膜层，其中，所述粘性补偿膜层与所述第一膜层之间的粘附性，以及所述粘性补偿膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性，均大于所述第一膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性；
[0007]对所述光刻胶膜层进行构图工艺，形成所需的光刻胶图案；
[0008]利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案。
[0009]可选地，利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案，具体包括:
[0010]利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层进行第一次湿刻工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案；
[0011]利用所述粘性补偿膜层的图案的遮挡，对所述第一膜层进行第二次湿刻工艺形成所需的第一膜层的图案。
[0012]可选地，利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案，具体包括:
[0013]利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行一次湿刻工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案。
[0014]可选地，在形成所需的粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案之后，所述方法还包括:
[0015]剥离所述光刻胶图案和所述粘性补偿膜层的图案。
[0016]可选地，所述第一膜层的材质为金属单质或合金;所述粘性补偿膜层的材质为铟锡氧化物。
[0017]可选地，所述粘性补偿膜层的厚度范围为10nm-50nmo
[0018]—种基板的制作方法，包括所述的膜层图案的制作方法。
[0019]—种基板，包括利用所述的膜层图案的制作方法制作而成的膜层图案。
[0020]可选地，所述基板为显示基板或触控基板。
[0021]可选地，在所述基板为显示基板时，所述膜层图案为像素电极。
[0022]一种显示装置，包括所述的基板。
[0023]本发明有益效果如下:
[0024]在第一膜层之上制作一层粘性补偿膜层，由于粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性，以及粘性补偿膜层与光刻胶膜层之间的粘附性，均大于第一膜层与光刻胶膜层之间的粘附性，从而，第一膜层与粘性补偿膜层之间的贴合程度较好，不会出现缝隙，同时，光刻胶膜层与粘性补偿膜层之间的贴合程度也较好，这样，防止刻蚀液从侧向渗入而导致第一膜层的图案产生断线，而且，还可以保证刻蚀工艺过程中刻蚀程度近乎一致，从而避免由于刻蚀程度不同而导致形成的膜层图案的临近尺寸发生偏差；总之，通过该方案提升了刻蚀形成的膜层图案的准确度，进而提升产品的品质。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本发明实施例提供的膜层图案的制作方法的流程示意图；
[0027]图2(a)-图2(c)为本发明实施例提供的膜层图案的制作工艺流程图；
[0028]图3(a)-图3(b)为本发明实施例提供的采用方式一进行两次湿刻工艺的示意图；
[0029]图4为采用现有技术中的方案形成的膜层图案的示意图。
【具体实施方式】
[0030]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031]下面通过具体的实施例对本发明所涉及的技术方案进行详细描述，本发明包括但并不限于以下实施例。
[0032]如图1所示，为本发明实施例提供的膜层图案的制作方法的流程示意图，该方法主要包括以下步骤:
[0033]步骤11:在基底之上依次形成第一膜层、粘性补偿膜层以及光刻胶膜层，其中，粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性，以及粘性补偿膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性，均大于所述第一膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性。
[0034]具体地，参照图2(a)所示的膜层图案的制作工艺流程图可知，首先，提供一基底21，然后，在基底21之上依次形成第一膜层22、粘性补偿膜层23以及光刻胶膜层24。其中，膜层形成的工艺可采用现有的沉积工艺，例如:化学气相沉积或物理气相沉积;或者，直接采用涂覆的方式形成。
[0035]其中，第一膜层22的材质可以为金属单质或金属合金，例如:钼钛合金、钛单质、钼铌合金等，或者其他非金属材质。粘性补偿膜层的材质与第一膜层以及光刻胶的材质相关，由于粘性补偿膜层最终可能需要被剥离掉，因此，粘性补偿膜层与第一膜层以及光刻胶膜层之间的粘附性成为确定粘性补偿膜层材质的关键。例如，可以选取铟锌氧化物、钙锌氧化物、氧化锌中的一种或多种组合。优选地，针对钼铌合金所形成的第一膜层而言，以铟锡氧化物ITO为最佳材质。
[0036]步骤12:对光刻胶膜层进行构图工艺，形成所需的光刻胶图案。
[0037]具体地，参照图2(b)所示，利用相应的掩膜版，对光刻胶膜层24进行掩膜、曝光、显影等操作，实现构图工艺，形成所需的光刻胶图案25。
[0038]步骤13:利用光刻胶图案的遮挡，对粘性补偿膜层和第一膜层进行刻蚀工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案和第一膜层的图案。
[0039]具体地，参照图2(c)所示，利用光刻胶图案25的遮挡，对粘性补偿膜层23和第一膜层22进行刻蚀工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案26和第一膜层的图案27。
[0040]通过以上技术方案，在第一膜层之上制作一层粘性补偿膜层，由于粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性，以及粘性补偿膜层与光刻胶膜层之间的粘附性，均大于第一膜层与光刻胶膜层之间的粘附性，从而，第一膜层与粘性补偿膜层之间的贴合程度较好，不会出现缝隙，同时，光刻胶膜层与粘性补偿膜层之间的贴合程度也较好，这样，防止刻蚀液从侧向渗入而导致第一膜层的图案产生断线，而且，还可以保证刻蚀工艺过程中刻蚀程度近乎一致，从而避免由于刻蚀程度不同而导致形成的膜层图案的临近尺寸发生偏差；总之，通过该方案提升了刻蚀形成的膜层图案的准确度，进而提升产品的品质。
[0041 ]在本发明实施例中，步骤13的实现可以有如下两种方式:
[0042]方式一:两次湿刻[0043I 具体地，参照图3(a)-图3(b)所示；
[0044]首先，利用光刻胶图案25的遮挡，对粘性补偿膜层23进行第一次湿刻工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案26。
[0045]然后，利用粘性补偿膜层的图案26的遮挡，对第一膜层22进行第二次湿刻工艺形成所需的第一膜层的图案27。
[0046]根据图3(b)所示的结构可知，形成的第一膜层的图案是完整的，并未出现由于刻蚀液的渗漏而导致的断裂问题。而且，由于先湿刻的粘性补偿膜层，使得形成的粘性补偿膜层的图案对第一膜层进行遮挡和保护，在对第一膜层进行湿刻时，很好的掌控了湿刻的范围以及避免了刻蚀液的渗漏而导致第一膜层的图案发生不必要的断裂的问题。
[0047]另外，结合图3(b)可知，在进行第一次湿刻工艺之后，由于光刻胶膜层与粘性补偿膜层的粘附性较高，因而形成的粘性补偿膜层的图案与光刻胶图案的单侧关键尺寸偏差仅为0.1-0.2μπι，而且粘性补偿膜层的图案较为均一，接近理想中的图案。在进行第二次湿刻工艺时，由于粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性较高，且粘性补偿膜层的图案作为遮挡，因而，形成的第一膜层的图案与相邻的粘性补偿膜层的图案的单侧关键尺寸偏差仅为
0.05-0.Ιμπι。且第一膜层的图案较为均一。最终，第一膜层的图案与光刻胶图案的单侧关键尺寸偏差为0.15-0.3μπι，相比于图4所示的现有技术中的膜层图案41直接与光刻胶图案42接触时的单侧关键尺寸偏差为0.3-0.6μπι而言，本申请所涉及的方案所形成的膜层图案的尺寸波动较小，且较为均一。需要说明的是，关键尺寸偏差是指相贴合的两个膜层的同一侧边界之间的水平距离，即图4中边界A与边界B之间的水平距离。
[0048]其中，第一次湿刻工艺所使用的刻蚀液仅可以溶解粘性补偿膜层的材质，例如:可以为盐酸、硝酸、水以一定摩尔比例配比的混合溶液，具体的配比可根据粘性补偿膜层的材质进行选取;同理，第二次湿刻工艺所使用的刻蚀液仅可以溶解第一膜层的材质，其刻蚀液的选取可以为盐酸、硝酸、水以一定摩尔比例配比的混合溶液，需要说明的是，刻蚀粘性补偿膜层所需的刻蚀液以及刻蚀第一膜层所需的刻蚀液的选取可按照现有技术的刻蚀液配比进行选取，只要能够实现两次独立的湿刻工艺即可。
[0049]方式二: 一次湿刻
[0050]具体地，该方式二中仅采用一次湿刻工艺，利用光刻胶图案的遮挡，对粘性补偿膜层和第一膜层使用同一种刻蚀液进行刻蚀，形成粘性补偿膜层的图案和第一膜层的图案。其中，所需的刻蚀液可根据粘性补偿膜层以及第一膜层的材质综合考虑选取。从而，节省了工艺流程，且避免了刻蚀液的渗漏而导致第一膜层的图案发生不必要的断裂的问题。
[0051]可选地，在形成所需的粘性补偿膜层的图案和第一膜层的图案之后，还可以包括:剥离光刻胶图案和粘性补偿膜层的图案，从而，仅保留第一膜层的图案，即形成所需的膜层图案，例如:电极图案、数据线图案等。
[0052]可选地，为了保证相邻膜层之间的粘附性较高，粘性补偿膜层的厚度范围为1nm-50nmo
[0053]此外，本发明实施例还提供了一种基板的制作方法，该方法主要包括上述所涉及的膜层图案的制作方法，此外，还包括其他膜层或者元件的制作，例如，薄膜晶体管的制作过程。
[0054]同时，本发明还提供了一种基板，该基板主要包括利用上述任一膜层图案的方法制作而成的膜层图案。由于通过上述方法制作而成，因此，膜层图案相比于现有技术而言，发生断线的几率减小，且膜层图案的尺寸波动较小，更为接近所需的理想尺寸。
[0055]可选地，上述所涉及的基板为显示基板或触控基板。
[0056]可选地，在基板为显示基板时，膜层图案具体为像素电极。尤其针对IPS模式的像素电极而言，其主要采用钼铌合金制作而成，因而，更容易在湿刻时产生断线以及尺寸偏差等问题，因此，在采用本发明所涉及的方法制作而成的基板中，像素电极基本不会发生断线的问题，且像素电极的图案更接近IPS模式所需的电极图案。
[0057]此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述所涉及的基板。其中，所述显示装置可以为液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
[0058]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0059]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种膜层图案的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底之上依次形成第一膜层、粘性补偿膜层以及光刻胶膜层，其中，所述粘性补偿膜层与所述第一膜层之间的粘附性，以及所述粘性补偿膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性，均大于所述第一膜层与所述光刻胶膜层之间的粘附性； 对所述光刻胶膜层进行构图工艺，形成所需的光刻胶图案； 利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案，具体包括: 利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层进行第一次湿刻工艺形成所需的粘性补偿膜层的图案； 利用所述粘性补偿膜层的图案的遮挡，对所述第一膜层进行第二次湿刻工艺形成所需的第一膜层的图案。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行刻蚀工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案，具体包括: 利用所述光刻胶图案的遮挡，对所述粘性补偿膜层和所述第一膜层进行一次湿刻工艺形成所述粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所需的粘性补偿膜层的图案和所述第一膜层的图案之后，所述方法还包括: 剥离所述光刻胶图案和所述粘性补偿膜层的图案。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层的材质为金属单质或合金;所述粘性补偿膜层的材质为铟锡氧化物。6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述粘性补偿膜层的厚度范围为10nm_50nmo7.—种基板的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的膜层图案的制作方法。8.—种基板，其特征在于，包括利用权利要求1-6任一项所述的方法制作而成的膜层图案。9.如权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板为显示基板或触控基板。10.如权利要求9所述的基板，其特征在于，在所述基板为显示基板时，所述膜层图案为像素电极。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-10任一项所述的基板。
【文档编号】G03F1/76GK106057667SQ201610525835
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月6日
【发明人】白金超, 郭会斌, 丁向前, 王静
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司