在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法
【专利摘要】本发明公开了一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标；单片机通过变频器对步进电机进行控制，步进电机每转动一次，丝杆控制滑动块移动一个测量坐标的位移距离；滑动块带动支撑架以及安装在支撑架的红外线装置移动一个测量坐标的位移距离，单片机控制红外线发射仪和红外线接收仪开始工作；红外线接收仪将此测量坐标的红外接收数据传至单片机，单片机对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器本发明通过红外线入射到晶圆完好表面和晶圆破损表面的发射率不同，可有效检测晶圆的破损处，并对晶圆破损处的坐标进行检测、记录，并在制造过程中跳过晶圆破损处。
【专利说明】
在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法
技术领域
[0001]本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法。
【背景技术】
[0002]晶圆(wafer)为一硅制薄片，相对来说比较脆弱，在半导体制造过程中，某些工艺需要对晶圆施加一定的压力，在工艺与工艺之间，需要将晶圆在设备之间移动，这些过程都容易造成晶圆损伤甚至断裂。在现有技术中，如果晶圆有所损伤甚至破裂，整个晶圆即被作为损坏件而被抛弃。这样显而易见的增加生产成本。很多时候，晶圆的部分区域的破裂并不影响晶圆的其他区域。
【发明内容】
[0003]在现有技术的基础上，本发明公开了一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法。
[0004]本发明的技术方案如下:
[0005]—种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，包括以下步骤:
[0006]步骤1、即使得滑动块滑动至滑轨轨道的一端;红外线装置位于晶圆放置位的一个边缘；
[0007]步骤2、将晶圆放置于晶圆放置位；
[0008]步骤3、将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标;单片机通过变频器对步进电机进行控制，步进电机每转动一次，丝杆控制滑动块移动一个测量坐标的位移距离；
[0009]步骤4、滑动块带动支撑架以及安装在支撑架的红外线装置移动一个测量坐标的位移距离，单片机控制红外线发射仪和红外线接收仪开始工作；
[0010]步骤5、红外线接收仪将此测量坐标的红外接收数据传至单片机，单片机对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器
[0011 ]步骤6、进行半导体制造工艺，单片机控制移动装置，带动半导体制造装置，按照测量坐标的位移距离对半导体晶圆进行处理;并在制造过程中，读取储存器中的数据，跳过储存于存储器中的测量坐标。
[0012]本发明的有益技术效果是:
[0013]本发明通过红外线入射到晶圆完好表面和晶圆破损表面的发射率不同，可有效检测晶圆的破损处，并对晶圆破损处的坐标进行检测、记录，并在制造过程中跳过晶圆破损处，本发明所述的方法，与现有技术中通过SEM显微镜之类的手段观察晶圆破损处相比，装置造价十分便宜，操作也更加简单。
【附图说明】
[0014]图1是本发明所用到的装置图。
[0015]图2是本发明所述的装置的控制电路框图。
【具体实施方式】
[0016]图1是本发明所用到的装置图。如图1所示，本发明所用到的装置包括工作台I。工作台I之上设置有晶圆放置位2。工作台I旁侧安装有滑轨3。滑轨3之上的滑轨轨道4。还设置有支撑架6，支撑架6的下端连接有与滑轨轨道4相匹配的滑动块5。支撑架6之上、工作台I上方安装有红外线装置7。红外线装置7的长度与晶圆放置位2的直径相同。红外线装置7包括红外线发射仪71和红外线接收仪72。当滑动块5滑动至滑轨轨道4 一端时，红外线装置7位于晶圆放置位2的一个边缘。当滑动块5滑动至滑轨轨道4的另一端时，红外线装置7位于晶圆放置位2的另一个边缘。
[0017]图2是本发明所述的装置的控制电路框图。如图2所示，滑动块5通过丝杆8与步进电机9相连接。单片机11通过变频器10对步进电机9进行控制。单片机11之上还连接有储存器12。红外线发射仪71和红外线接收仪72也均与单片机11相连接。步进电机9与丝杆8配合工作，可以对滑动块5的位移距离进行精度很高的控制，有利于控制支撑架6严格按照坐标间隔移动。
[0018]本发明的工作方法为:
[0019]步骤1、将系统归为初始位置，即使得滑动块5滑动至滑轨轨道4的一端;红外线装置7位于晶圆放置位2的一个边缘；
[0020 ]步骤2、将晶圆放置于晶圆放置位2 ；
[0021]步骤3、将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标;单片机11通过变频器10对步进电机9进行控制，步进电机9每转动一次，丝杆8控制滑动块5移动一个测量坐标的位移距离；
[0022]步骤4、滑动块5带动支撑架6以及安装在支撑架6的红外线装置7移动一个测量坐标的位移距离，单片机11控制红外线发射仪71和红外线接收仪72开始工作；
[0023]步骤5、红外线接收仪72将此测量坐标的红外接收数据传至单片机，单片机对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器12。
[0024]步骤6、进行半导体制造工艺，单片机11控制移动装置，带动半导体制造装置，按照测量坐标的位移距离对半导体晶圆进行处理;并在制造过程中，读取储存器12中的数据，跳过储存于存储器12中的测量坐标。
[0025]在进行之后的半导体制造流程时，需要先读取储存器12中的坐标数据，并在之后的制造过程中，跳过此坐标，即对此坐标处的晶圆不做任何处理，即有效避开了晶圆的破损处。
[0026]在特殊的情况下，如果通过判断储存器12中的数据，发现晶圆的破损处太大且无可挽回，也可以直接将晶圆丢弃，节省制造步骤，避免做无用功。
[0027]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种在芯片制造过程中跳过晶圆破裂处的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、使得滑动块(5)滑动至滑轨轨道(4)的一端;红外线装置(7)位于晶圆放置位(2)的一个边缘； 步骤2、将晶圆放置于晶圆放置位(2); 步骤3、将晶圆分割为多个间距相等的测量等分，作为测量坐标;单片机(11)通过变频器(10)对步进电机(9)进行控制，步进电机(9)每转动一次，丝杆(8)控制滑动块(5)移动一个测量坐标的位移距离； 步骤4、滑动块(5)带动支撑架(6)以及安装在支撑架(6)的红外线装置(7)移动一个测量坐标的位移距离，单片机(11)控制红外线发射仪(71)和红外线接收仪(72)开始工作；步骤5、红外线接收仪(72)将此测量坐标的红外接收数据传至单片机(11)，单片机(11)对此红外接收数据进行判断，如果数据异常，则将此测量坐标储存于储存器(12) 步骤6、进行半导体制造工艺，单片机(11)控制移动装置，带动半导体制造装置，按照测量坐标的位移距离对半导体晶圆进行处理;并在制造过程中，读取储存器(12)中的数据，跳过储存于存储器(12)中的测量坐标。
【文档编号】H01L21/66GK106057698SQ201610576954
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月21日
【发明人】吕耀安
【申请人】无锡宏纳科技有限公司