具有低翘曲度的封装结构的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种具有低翘曲度的封装结构，包括塑封体及芯片，所述塑封体包覆所述芯片，所述封装结构还包括沿所述芯片高度方向延伸的热膨胀系数调和层，所述塑封体包覆所述热膨胀系数调和层，所述热膨胀系数调和层与所述塑封体的热膨胀系数不同。本发明的优点在于，所述热膨胀系数调和层设置在所述塑封体中，可以減小所述塑封体的热膨胀系数与芯片等元器件的热膨胀系数的差异，减小所述封装结构的翘曲度，提高封装结构的品质。
【专利说明】
具有低翘曲度的封装结构
技术领域
[0001]本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种具有低翘曲度的封装结构。
【背景技术】
[0002]随着电子产品的发展，半导体科技已广泛地应用于制造内存、中央处理器(CPU)、液晶显示装置(LCD)、发光二极管(LED)、激光二极管以及其它装置或芯片组等。由于半导体组件、微机电组件(MEMS)或光电组件等电子组件具有微小精细的电路及构造，因此为避免粉尘、酸碱物质、湿气和氧气等污染或侵蚀电子组件，进而影响其可靠度及寿命，工艺上需通过封装技术来提供上述电子组件有关电能传送(PowerDistribut1n)、信号传送(SignalDistribut1n)、热量散失(HeatDissipat1n)，以及保护与支持(Protect1nandSupport)等功能。
[0003]目前比较流行的扇出型(Fan-out)封装技术有两大技术分支，一种是以Wafer为主体的扇出封装技术，另一种是基于大尺寸封装载板(substrate)的封装技术。Wafer的直径一般为200mm或300mm，而大尺寸封装载带的尺寸一般为300X300的矩形，而有些科研机构甚至已经在研究基于500X600mm尺寸载板的封装技术。众说周知，翘曲问题对于这么大尺寸的塑封面积是一个不可回避的问题。
[0004]参见图1，现有的扇出型半导体封装结构采用塑封体10将芯片11封装，芯片11可以通过引载板12等与外部实现电连接，或者所述芯片11可通过本领域技术人员熟知的其他连接方式与外部实现电连接。现有的封装结构存在一缺点:由于塑封体材料的热膨胀系数与芯片或者载板或者金属导线的热膨胀系数不同，且在普遍情况下，塑封体仅位于载板的一侧(即塑封体并非对称式的包覆所述芯片)，这会导致塑封体发生翘曲，与所述芯片、载板或者导线发生分层，影响封装结构的性能。
[0005]因此，亟需一种封装结构，改善塑封体的翘曲，提高封装结构的性能。
【发明内容】
[0006]本发明所要解决的技术问题是，提供一种具有低翘曲度的封装结构，其能够减小所述封装结构的翘曲度，提高封装结构的品质。
[0007]为了解决上述问题，本发明提供了一种具有低翘曲度的封装结构，包括塑封体及芯片，所述塑封体包覆所述芯片，所述封装结构还包括沿所述芯片高度方向延伸的热膨胀系数调和层，所述塑封体包覆所述热膨胀系数调和层，所述热膨胀系数调和层与所述塑封体的热膨胀系数不同。
[0008]进一步，所述热膨胀系数调和层为金属层。
[0009]进一步，所述热膨胀系数调和层包围或部分包围所述芯片，在所述芯片四周形成框架。
[0010]进一步，所述封装结构包括多个芯片，所述热膨胀系数调和层分别包围或部分包围每一所述芯片。
[0011]进一步，所述封装结构包括多个芯片，所述热膨胀系数调和层包围或部分包围所有芯片，形成外围框架。
[0012]进一步，所述热膨胀系数调和层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数。
[0013]进一步，所述热膨胀系数调和层贯穿所述塑封体，所述热膨胀系数调和层的上表面和/或下表面分别从所述塑封体的上表面及下表面裸露。
[0014]进一步，所述热膨胀系数调和层的上表面及下表面包覆在所述塑封体内。
[0015]进一步，所述热膨胀系数调和层的横向截面为不连续结构。
[0016]进一步，所述不连续结构为有规律排列或无规律排列的图形结构。
[0017]本发明的优点在于，所述热膨胀系数调和层设置在所述塑封体中，可以減小所述塑封体的热膨胀系数与芯片等元器件的热膨胀系数的差异，减小所述封装结构的翘曲度，提尚封装结构的品质。
【附图说明】
[0018]图1是现有的封装结构的不意图；
[0019]图2是本发明具有低翘曲度的封装结构的一【具体实施方式】的结构示意图；
[0020]图3是本发明具有低翘曲度的封装结构的另一【具体实施方式】的结构示意图；
[0021 ]图4是图2所示的封装结构的俯视示意图；
[0022]图5是热膨胀系数调和层部分包围所述芯片的示意图；
[0023]图6是热膨胀系数调和层分别包围或部分包围每一所述芯片的示意图；
[0024]图7是热膨胀系数调和层包围或部分包围所有芯片的示意图；
[0025]图8是本发明具有低翘曲度的封装结构的另一【具体实施方式】的结构示意图；
[0026]图9是本发明具有低翘曲度的封装结构的另一【具体实施方式】的结构示意图；
[0027]图10是所述热膨胀系数调和层的横向截面为不连续结构的示意图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图对本发明提供的具有低翘曲度的封装结构的【具体实施方式】做详细说明。
[0029]参见图2，本发明具有低翘曲度的封装结构包括塑封体20及芯片21。所述芯片21通过一粘结层23设置在一基板22上表面，所述粘结层23由导电材料或者不导电材料形成。所述塑封体20包覆所述芯片21及基板22。所述基板22下表面暴露于所述塑封体20下表面或者所述基板22下表面被所述塑封体20包覆，在本【具体实施方式】中，所述基板22下表面暴露于所述塑封体20下表面，在其他【具体实施方式】中，参见图3，所述基板22下表面被所述塑封体20包覆。所述芯片21可通过重新布线层(RDL)25与外部实现电连接，或者通过重新布线层(RDL) 25进行扇出。
[0030]所述封装结构还包括沿所述芯片21高度方向延伸的热膨胀系数调和层24，所述热膨胀系数调和层24可以为金属层，例如铜金属层，所述塑封体20包覆所述金属层24，所述热膨胀系数调和层24的热膨胀系数与所述塑封体的热膨胀系数不同。一般情况下，所述热膨胀系数调和层24可采用比塑封体热膨胀系数小的材料，例如铜金属层，以降低所述塑封体的翘曲度，提供封装结构品质。
[0031]所述热膨胀系数调和层24包围或部分包围所述芯片21，在所述芯片21四周形成框架。
[0032]图4是封装结构的俯视示意图，参见图4，所述热膨胀系数调和层24包围所述芯片21。当所述热膨胀系数调和层24为金属层时，所述热膨胀系数调和层24包围所述芯片21的优点在于，所述金属层不仅起到改善翘曲度的作用，还可起到电磁屏蔽的作用。
[0033]所述热膨胀系数调和层24部分包围所述芯片21是指所述金属层24不是完全闭合结构，参见图5所示，所述热膨胀系数调和层24仅在所述芯片21的两侧设置，形成部分包围所述芯片21的结构，在其他【具体实施方式】中，所述热膨胀系数调和层24也可以在所述芯片21的一侧设置，形成部分包围芯片21的结构。
[0034]当所述封装结构包括多个芯片时，参见图6所示，所述热膨胀系数调和层24分别包围或部分包围每一所述芯片21，参考图7所示，或者所述热膨胀系数调和层24包围或部分包围所有芯片21，形成外围框架。
[0035]进一步，所述热膨胀系数调和层24的上表面及下表面包覆在所述塑封体20内。在本【具体实施方式】中，所述热膨胀系数调和层24的下表面与所述基板22上表面接触，即所述热膨胀系数调和层24位于所述基板22上方，所述热膨胀系数调和层24的上表面包覆在所述塑封体20内。在本发明其他【具体实施方式】中，参见图8，所述热膨胀系数调和层24的下表面与所述基板22上表面接触，所述热膨胀系数调和层24的上表面从所述塑封体20的上表面暴露；参见图9，所述热膨胀系数调和层24贯穿所述塑封体20，所述热膨胀系数调和层24的上表面及下表面分别从所述塑封体20的上表面及下表面裸露。
[0036]继续参见图4，在本【具体实施方式】中，所述热膨胀系数调和层24的横向截面为连续结构，而在本发明其他【具体实施方式】中，参见图10，所述热膨胀系数调和层24的横向截面为不连续结构，所述不连续结构为有规律排列的图形结构或者无规律排列的图形结构。
[0037]在本发明中，所述热膨胀系数调和层24设置在所述塑封体20中，可以減小所述塑封体的热膨胀系数与芯片等元器件的热膨胀系数的差异，减小所述封装结构的翘曲度，提尚封装结构的品质。
[0038]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种具有低翘曲度的封装结构，包括塑封体及芯片，所述塑封体包覆所述芯片，其特征在于，所述封装结构还包括沿所述芯片高度方向延伸的热膨胀系数调和层，所述塑封体包覆所述热膨胀系数调和层，所述热膨胀系数调和层与所述塑封体的热膨胀系数不同。2.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层为金属层。3.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层包围或部分包围所述芯片，在所述芯片四周形成框架。4.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括多个芯片，所述热膨胀系数调和层分别包围或部分包围每一所述芯片。5.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括多个芯片，所述热膨胀系数调和层包围或部分包围所有芯片，形成外围框架。6.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数。7.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层贯穿所述塑封体，所述热膨胀系数调和层的上表面和/或下表面分别从所述塑封体的上表面及下表面裸露。8.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层的上表面及下表面包覆在所述塑封体内。9.根据权利要求1所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述热膨胀系数调和层的横向截面为不连续结构。10.根据权利要求9所述的具有低翘曲度的封装结构，其特征在于，所述不连续结构为有规律排列或无规律排列的图形结构。
【文档编号】H01L23/29GK106057750SQ201610607541
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月28日
【发明人】谭小春, 陆培良
【申请人】合肥矽迈微电子科技有限公司