电光学装置、电光学装置的制造方法及电子设备的制造方法
【专利摘要】一种电光学装置、电光学装置的制造方法及电子设备，能在支承镜的支承部上不残留牺牲层的情况下，高效地形成表面不存在大凹陷的镜。在电光学装置(100)中，扭曲铰链(35)和镜支承部(38)一体形成在导电部件(31)上，在镜支承部(38)中，位于基板(1)一侧的第1端部(381)形成为朝向基板(1)开口的开放端。在镜支承部(38)中，位于镜(51)一侧的第2端部(382)形成为封闭镜支承部(38)的开口的平板部(385)，镜(51)与平板部(385)的与基板(1)相反一侧的表面接触。用于制造该电光学装置(100)的制造的第1牺牲层(21)通过对感光性树脂的曝光、显影且在形成硬掩膜的状态下的时刻来形成。
【专利说明】
电光学装置、电光学装置的制造方法及电子设备
技术领域
[0001]本发明涉及具备镜的电光学装置、电光学装置的制造方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]作为电子设备，例如，已知有投影式显示装置等，其将从光源射出的光通过被称为DMD(数字镜装置)的电光学装置的多个镜(微镜)进行调制后，将调制光利用投影光学系统放大投影，从而将图像显示在屏幕上。在该电子设备所用的电光学装置中，镜借助镜支承部被扭矩铰链(扭曲铰链)所支承，并且与扭矩铰链电连接。此外，扭矩铰链借助铰链支承部被形成在基板的基板侧偏压电极所支承，并且与基板侧偏压电极电连接。因此，如果从基板侧偏压电极向镜施加偏压，而向寻址电极施加驱动电压，则能够通过镜与寻址电极之间产生的静电力来驱动镜。在这样结构的电光学装置的制造工序中，利用由树脂材料形成的牺牲层来形成扭矩铰链、镜等。
[0003]这里，如果镜支承部在与基底相反一侧朝向凹部，则镜的表面上会形成大的凹陷，使得在镜的表面(反射面)上的反射率降低。因此，提出了在镜支承部和牺牲层等的表面堆积无机材料后，进行抛光，然后形成用于形成镜的反射膜(参照专利文献I)。此外，提出了当形成镜支承部时，在残留在扭矩铰链上的柱状牺牲层(树脂层)的表面形成金属层的结构(参照专利文献2)。
[0004][现有技术文献]
[0005][专利文献I]日本特表2007-510174号公报
[0006][专利文献2]日本特开平8-227042号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的技术问题
[0008]然而，如专利文献I所记载的结构那样，对通过堆积无机材料来填充凹部，需要将无机材料堆积得相当厚，并且在无机材料的情况下抛光速度慢。因此，存在从牺牲层等的表面抛光除去无机材料需要较长的处理时间的问题点。
[0009]另外，如参考文献2所记载的结构那样，在柱状树脂层上层叠金属层来形成镜支承部的情况下，当由于所照射的光、使驱动电路工作时基板上的发热等，导致电光学装置的温度上升时，可能会从牺牲层产生气体。当这种气体附着到镜的表面(反射面)时，镜的反射率下降，因此并不优选。此外，为了形成扭矩铰链(扭曲铰链)与镜支承部，需要形成2层金属层并且在2层金属层之间形成绝缘性的中间层，并进行图案形成的工序，电光学装置的制造工序变得复杂。
[0010]鉴于以上问题点，本发明的目的在于提供一种电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备，能够以在支承镜的支承部上不残留牺牲层的情况下，高效地形成表面上没有大的凹陷的镜。
[0011 ]用于解决技术问题的手段
[0012]为了解决上述技术问题，本发明的电光学装置的一方式的特征在于，具备:基板，第I支承部(铰链支承部)，在所述基板的一表面侧朝向所述基板突出，并且被所述基板支承;导电部件，由扭曲铰链(扭矩铰链)和筒状的第2支承部(镜支承部)一体形成，所述扭曲铰链借助所述第I支承部被所述基板侧支承，所述第2支承部从所述扭曲铰链向与所述基板相反一侧突出，并且所述第2支承部的位于所述扭曲铰链一侧的第I端部成为朝向所述基板的开放端；以及镜，与所述第2支承部的与所述基板相反一侧的第2端部相接触。
[0013]此外，在本发明的电光学装置的制造方法中，其特征在于，具备:第I牺牲层形成工序，对形成在基板的一表面侧的感光性树脂层进行曝光显影处理后，进行形成由无机材料构成的硬掩膜的状态下的蚀刻处理，形成第I牺牲层，所述第I牺牲层具有第I开口部(铰链支承部用开口部)以及向与所述基板相反侧突出的柱状的凸部;第I导电膜形成工序，在所述第I牺牲层的与所述基板相反一侧及所述第I开口部的内侧，形成第I导电膜;第I图案形成工序，进行所述第I导电膜的图案形成，形成由在所述第I开口部的内侧形成的所述第I导电膜构成的第I支承部(铰链支承部)、与所述第I支承部一体的扭曲铰链(扭矩铰链)以及从所述扭曲铰链向与所述基板相反一侧突出并与所述扭曲铰链一体的筒状的第2支承部;第2牺牲层形成工序，在所述扭曲铰链及所述第2支承部的与所述基板相反一侧，形成第2牺牲层;平坦化工序，对所述第2牺牲层从与所述基板相反一侧实施平坦化，使所述第2支承部露出；第2导电膜形成工序，在所述第2牺牲层的与所属基板相反一侧形成第2导电膜;第2图案形成工序，通过对所述第2导电膜进行图案形成来形成镜；以及牺牲层去除工序，去除所述第I牺牲层及所述第2牺牲层。
[0014]在本发明中，从扭曲铰链(扭矩铰链)向与基板相反一侧突出的第2支承部(镜支承部)形成为筒状，并且位于基板一侧的第I端部形成为开放端。因此，即使在形成第2支承部时在内侧存在牺牲层，也能够去除这样的牺牲层。因此，在第2支承部的内部，不残留构成牺牲层的树脂，因此即使在所照射的光、驱动电路工作时的基板的发热等导致电光学装置的温度上升的情况下，也不会从牺牲层产生气体。因此，不会出现由于从牺牲层产生的气体导致镜的表面(反射面)上的反射率下降的情况。此外，在第2支承部中第2端部在与基板相反一侧形成为平坦部的状态时，与第2支承部分开的镜能够与第2支承部相连接。因此，镜的表面不会产生凹陷。因此，能够提高光的利用效率，并且能够抑制由于镜上散射而引起对比度下降。此外，与利用无机材料填充凹部的情况不同，由于没有必要从镜的表面去除填充凹部的厚的无机材料，因此能够有效地形成在镜的表面不产生凹陷的第2支承部。此外，从扭曲铰链向与基板相反一侧突出的第2支承部形成为筒状，并且位于基板一侧的第I端部形成为开放端，与扭曲铰链一体形成。因此，能够抑制在第2支承部和扭曲铰链的交界部产生的强度下降，从而提高电光学装置的可靠性。
[0015]另外，在本发明中，优选的是，所述第2端部形成为封闭所述第2支承部的开口的平板部。根据这种结构，能够使第2支承部与镜之间可靠地电连接。
[0016]另外，在本发明中，优选的是，所述第2支承部与所述扭曲铰链之间成为弯曲的截面形状。利用这种结构，存在使从镜经由第2支承部施加于扭曲铰链的应力难以集中在特定处的优点。
[0017]在本发明中，优选的是，所述第2支承部的外周面形成为朝向所述镜侧的锥面。根据这种结构，能够增强第2支承部的强度。
[0018]在本发明电光学装置的制造方法中，也可以是，在所述第I牺牲层形成工序中，对所述感光性树脂层进行所述曝光显影处理而使所述感光性树脂层局部性变薄来形成所述凸部后，对所述感光性树脂层进行所述蚀刻处理而形成所述第I开口部。
[0019]在这种情况下，优选的是，在所述曝光显影处理中，使用半色调掩膜来进行曝光。
[0020]在本发明的电光学装置的制造方法中，也可以是，在所述第I牺牲层形成工序中，对所述感光性树脂层进行所述曝光显影处理来形成所述第I开口部后，对所述感光性树脂层进行所述蚀刻处理，使所述感光性树脂层局部性变薄来形成所述凸部。
[0021]在本发明的电光学装置的制造方法中，也可以是，使用正性感光性树脂层作为所述感光性树脂层。此外，在本发明的电光学装置的制造方法中，也可以是，使用负性感光性树脂层作为所述感光性树脂层。
[0022]适用了本发明的电光学装置能用于各种电子设备，在这种情况下，电子设备中设置有向所述镜发射光源光的光源部。此外，在作为电子设备而构成投影式显示装置、头戴式显示装置的情况下，电子设备中还设置有对被所述镜调制的光进行投影的投影光学系统。
【附图说明】
[0023]图1是示出适用了本发明的作为电子设备的投影式显示装置的光学系统的示意图。
[0024]图2是示意性示出适用了本发明的电光学装置的基本结构的说明图。
[0025]图3是示意性示出适用了本发明的电光学装置的主要部分中A-A’截面的说明图。
[0026]图4是示出适用了本发明的电光学装置的详细结构的截面图。
[0027]图5是示出适用了本发明的电光学装置制造方法的工序截面图。
[0028]图6是示出适用了本发明的电光学装置的制造方法的工序截面图。
[0029]图7是示出适用了本发明的电光学装置的制造方法的工程截面图。
[0030]图8是示出在适用了本发明的电光学装置的制造工序中所形成的层的俯视图。
[0031]图9是示出在适用了本发明的电光学装置的制造方法中所用的第I牺牲层的另一制造方法的工序截面图。
[0032]图10是示出在图9所示的方法中形成铰链支承部用开口部(第I开口部)等的情况的俯视图。
[0033]图11是示意性示出适用了本发明的电光学装置的第2支承部(镜支承部)的优选方式的说明图。
[0034][附图标记说明]
[0035]1...基板，10...晶片，11...基板侧偏压电极，12、13...基板侧寻址电极，14...寻址电路，21...第I牺牲层，22...第2牺牲层，30...第I导电层，31...导电部件，35...扭矩铰链(扭曲铰链)，38...镜支承部(第2支承部)，39...铰链支承部(第I支承部)，50...第2导电膜，51...镜，71...蚀刻阻挡层，100...电光学装置，210...感光性树脂层，21 Ia...铰链支承部用开口部(第I开口部)，212...凸部，216、217...硬掩膜，381...第I端部，382.?.第2端部，383...外周面，385...平板部，1000...投影式显示装置，1002...光源部，1004...投影光学系统
【具体实施方式】
[0036]参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对作为适用了本发明的电子设备的投影式显示装置进行说明。另外，在以下说明中所参照的附图中，为了使各层和各部件在附图上变成能够识别程度的大小，按照各层、各部件使比例尺不同。此夕卜，在附图中，减少了镜等的数量来示出。
[0037][作为电子设备的投影式显示装置]
[0038]图1是示出适用了本发明的作为电子设备的投影式显示装置的光学系统的示意图。图1所示的投影式显示装置1000具有光源部1002，将从光源部1002射出的光根据图像信息进行调制的电光学装置100，以及将通过电光学装置100所调制的光作为投影图象投影在屏幕等被投影物1100的投影光学系统1004。光源部1002具备光源1020和滤色器1030。光源1020发射白光，滤色器1030随着旋转发射出各种颜色的光，电光学装置100在与滤色器1030的旋转同步的定时调制所入射的光。此外，也可以使用将从光源1020射出的光转换为各种颜色的光的荧光体基板来代替滤色器1030。此外，也可以按照各种颜色的光来设置光源部1002及电光学装置100。
[0039][电光学装置100的基本结构]
[0040]图2是示意性示出适用了本发明的电光学装置100的基本结构的说明图，图2的(a)、(b)分别是示出电光学装置100的主要部分的说明图以及电光学装置100的主要部分的分解立体图。图3是示意性示出适用了本发明的电光学装置100的主要部分中的A-A’截面的说明图，图3的(a)、(b)分别是示意性示出镜向一侧倾斜的状态的说明图以及示意性示出镜向另一侧倾斜的状态的说明图。
[0041]如图2及图3所示，在电光学装置100中，基板I的一表面Is侧呈矩阵状配置有多个镜51，镜51与基板I隔开距离。基板I例如是硅基板。镜51是例如具有I个边长例如为10?30μm的平面尺寸的微镜。镜51是例如以从600 X 800到1920 X 1080的阵列配置，I个镜51对应于图像的I个像素。
[0042]镜51的表面是由铝等反射金属膜所构成的反射面。电光学装置100具备包括在基板I的一表面Is形成的基板侧偏压电极11以及基板侧寻址电极12、13等的I层部分100a，包括高架寻址电极32、33以及扭矩铰链(扭曲铰链)35的2层部分100b，以及包括镜51的3层部分100c。在I层部分10a中，地址电路14形成在基板I上。地址电路14具备用于选择性地控制各镜51的动作的存储单元以及字线、位线的配线15等，具有类似于具备CMOS电路16的RAM(Random Access Memory)的电路结构。
[0043]2层部分10b包括高架寻址电极32、33、扭矩铰链35以及镜支承部(第2支承部)38。高架寻址电极32、33经由电极柱321、331与基板侧寻址电极12、13导通，并且被基板侧寻址电极12、13支承。从扭矩铰链35的两端延伸有铰链臂36、37。铰链臂36、37经由铰链支承部(第I支承部)39与基板侧偏压电极11导通，并且被基板侧偏压电极11支承。镜51经由镜支承部38与扭矩铰链35导通，并且被扭矩铰链35支承。因此，镜51经由镜支承部38、扭矩铰链35、铰链臂36、37以及铰链支承部39与基板侧偏压电极11导通，从基地侧偏压电极11被施加偏压。此外，在铰链臂36、37的末端形成止动件361、362、371、372，该止动件361、362、371、372当当镜51倾斜时与镜51抵接，防止镜51与高架寻址电极32、33接触。
[0044]基板侧寻址电极12、13及高架寻址电极32、33构成驱动元件，该驱动元件与镜51之间产生静电力来进行使镜51倾斜的驱动。具体而言，在向基板侧寻址电极12、13及高架寻址电极32、33施加驱动电压，如图3所示那样镜51以被基板侧寻址电极12及高架寻址电极32—侧或被基板侧寻址电极12及高架寻址电极33拽拉的方式倾斜时，扭矩铰链35扭曲。然后，在停止向基板侧寻址电极12、13及高架寻址电极32、33施加驱动电压而对镜51的吸引力消失时，发挥使镜51回到与基板I平行的姿势的力。
[0045]在电光学装置100中，例如，如图3的(a)所示，当镜51向基板侧寻址电极12及高架寻址电极32侧倾斜时，成为从光源部1002射出的光被镜51朝向投影光学系统1004反射的接通状态。与此相对，如图3的(b)所示，当镜51向基板侧寻址电极13及高架寻址电极33侧倾斜时，成为从光源部1002射出的光被镜51朝向光吸收装置1005反射的断开状态，在这种断开状态下，光不会被反射至投影光学系统1004。这种驱动在多个镜51的各自中进行的结果，从光源部1002射出的光被多个镜51调制成图像光而从投影光学系统1004进行投影，并显示图像。
[0046]此外，与基板侧寻址电极12、13相对的平板状的架与扭矩铰链35设为一体，除了在高架寻址电极32、33与镜51之间产生的静电力之外，也会有利用作用于基板侧寻址电极12、13和架之间的静电力来驱动镜51。
[0047][电光学装置100的详细结构]
[0048]图4是适用了本发明的电光学装置100的详细结构的截面图。此外，图4中只示出电光学装置100的2层部分10b及3层部分100c，省略了包含基板侧偏压电极11及基板侧寻址电极12、13等的I层部分10a的图示。此外，图4只示出针对多个形成在电光学装置100上的镜51中的I个镜51的镜支承部(第2支承部)38及扭矩铰链(扭曲铰链)35。
[0049]如图4所示，电光学装置100具有在基底I的一表面Is侧上借助导电性的铰链支承部(第I支承部)39支承在基板I侧的导电性的扭矩铰链35。此外，电光学装置100具有:在扭矩铰链35的长度方向的中央部分从扭矩铰链35朝向与基板I侧相反一侧突出的筒状的镜支承部38;以及被镜支承部38支承的镜51。
[0050]在此，扭矩铰链35和镜支承部38—体形成。更具体而言，在将扭矩铰链35与镜支承部38以一体方式具备的导电部件31中，由沿着基板I的一表面Is延伸的部分构成扭矩铰链35，由朝向与基板I侧相反一侧突出的部分构成镜支承部38。此外，还在导电部件31—体地形成有铰链支承部39。换言之，在导电部件31中，由从扭矩铰链35朝向基板I突出的部分构成铰链支承部39，铰链支承部39支承在基板I上。
[0051]在镜支承部38中，基板I侧(扭矩铰链35侧)的第I端部381成为朝向基板I开口的开放端。在镜支承部38中，与基板I及扭矩铰链35相反一侧(镜51侧)的第2端部382成为封闭镜支承部38的开口的平板部385，镜51接触于平板部385的与基板I相反一侧的表面。因此，镜51的表面不存在凹陷。
[0052][电光学装置的制造方法]
[0053]参照图2的(b)及图5?图8，以适用了本发明的电光学装置100的制造工序中形成扭矩铰链(扭曲铰链)、镜支承部(第2支承部)及镜的工序为中心进行说明。图5、图6及图7是示出适用了本发明的电光学装置100的制造方法的工序截面图。图8是在适用了本发明的电光学装置100的制造工序中所形成的层的俯视图。此外，图5?图8中仅示出针对电光学装置10中形成的多个镜51中的I个镜51的镜支承部38及扭矩铰链(扭曲铰链)35。此外，在以下的说明中，适当地对与参照图2的(b)来说明的各个部位之间的关系进行说明。
[0054]首先，如图5的(a)所示，在工序STl中，在由硅基板构成的晶片1上，形成参照图2的(b)所说明的地址电路14、基板侧偏压电极11以及基板侧寻址电极12、13等。
[0055]接着，在工序ST2中，在晶片10的一表面1s上形成由正性有机光刻胶等形成的感光性树脂层210。接着，在图5的(b)所示的工序ST3(曝光显影处理)中，对感光性树脂层210进行曝光及显影，使感光性树脂层210的局部性变薄，形成向与基板I相反一侧突出的柱状的凸部212(参照图8的(a))。感光性树脂层210的厚度例如为3μπι，凸部212的外径例如为约
0.6μπι。在这种曝光显影处理中，利用半色调掩膜来对感光性树脂层210进行曝光。因此，能够容易地使感光树脂层210局部性变薄，能使变薄的部分成为适当的厚度。
[0056]接着，在蚀刻处理工序中，在图5的(C)所示的工序ST4(硬掩膜形成工序)中，在感光性树脂层210的与基板I相反一侧的表面上形成由氧化硅(S12)等无机材料构成的硬掩膜216。更具体而言，利用PEVCD法等形成如氧化硅膜(S12)等无机膜后，在无机膜的表面(与晶片10相反一侧的表面)形成抗蚀掩模后的状态下，对无机膜进行图案形成，形成硬掩膜216。接着，在图5的(c)所示的工序ST5中，在对感光性树脂层210进行蚀刻，在相当于硬掩膜216的开口部的位置上形成铰链支承部用开口部(第I开口部)211a后，去除硬掩膜216。此时，如图8的(b)所示，还形成高架寻址电极32、33的电极柱321、331用的电极柱用开口部211b。铰链支承部用开口部211a的开口直径例如为约0.6μπι。
[0057]这个工序ST2、ST3、ST4、ST5是通过曝光显影处理和蚀刻处理，形成具备铰链支承部用开口部211a以及柱状的凸部212的第I牺牲层21的第I牺牲层形成工序。
[0058]接着，在图5的(e)所示的工序ST6(第I导电膜形成工序)中，在第I牺牲层21的表面(与晶片10相反一侧的表面)的整个表面上形成第I导电膜30。此时，第I导电膜还形成在铰链支承部用开口部211a的壁表面以及底表面上。第I导电层30例如为铝层的单体膜或者是铝层和钛层的层叠膜，其厚度例如为0.06μπι。
[0059]接着，在工序ST7(第I图案形成工序)中，在第I导电膜30的表面(与晶片10相反侧的表面)上形成抗蚀掩模的状态下对第I导电膜30进行图案形成，形成具备扭矩铰链35的导电部件31。此时，在导电部件31中，利用在铰链支承部用开口部211a上残留的第I导电膜，铰链支承部39与扭矩铰链35—体形成。此外，在导电部件31中，从扭矩铰链35向与基板I相反一侧突出的筒状的铰链支承部38与扭矩铰链35形成为一体。此时，如图8的(c)所示，在导电部件31中形成铰链臂36、37。此外，同时形成高架寻址电极32、33，在电极柱用开口部211b的内部形成电极柱321、331。
[0060]接着，在图6的(a)所示的工序ST8(第2牺牲层形成工序)中，以从与晶片10相反一侧覆盖扭矩铰链35及镜支承部38的方式，形成由正性有机光刻胶等构成的感光性树脂层后，使其固化，形成第2牺牲层22。第2牺牲层22的厚度例如为3μπι。
[0061 ] 接着，在图6的(b)所示工序ST9 (平坦化工序)中，利用CMP法等，对第2牺牲层22从与晶片10相反一侧进行平坦化而使镜支承部38的第2端部382露出(参照图8的(d))。在本实施方式中，以使平板部385残留在镜支承部38的第2端部382的方式进行平坦化。
[0062]接着，在图6的(C)所示的工序STlO(第2导电膜形成工序)中，在第2牺牲层22的与晶片10相反一侧上形成第2导电膜50。第2导电膜50例如厚度为0.3μπι的铝层。
[0063]接着，在图7的(a)所示的工序ST11中，利用PEV⑶法等来形成氧化硅膜(S12)等无机膜70(参照图8的(e))。接着，在图7的(b)所示的工序ST12中，在无机膜70的表面(与晶片10相反一侧的表面)上形成抗蚀掩模的状态下，对无机膜70进行图案形成，形成具有与镜51相同的平面形状的蚀刻阻挡层71(参照图8的(f))。之后，去除抗蚀掩模。接着，在图7的(d)所示的工序ST13中，将蚀刻阻挡层71作为掩模，对第2导电膜50进行图案形成，形成镜51。这个工序ST11、ST12、ST13是第2图案形成工序。
[0064]接着，将晶片10分割成多个单件尺寸的基板I。
[0065]接着，在图7的(d)所示的工序ST14(牺牲层去除工序)中，进行等离子蚀刻等来去除第I牺牲层21及第2牺牲层22。此时，由于镜支承部38朝向基板I开口，因此也能够从镜支承部38的内侧去除第I牺牲层21。此外，在本实施方式中，在去除第I牺牲层21及第2牺牲层22时，去除蚀刻阻挡层71。其结果，能够获得电光学装置100。
[0066][本实施方式的主要效果]
[0067]如以上所说明的那样，在本实施方式中，从扭矩铰链(扭曲铰链)35向与基板I相反一侧突出的镜支承部(第2支承部)38形成为筒状，并且基板I侧的第I端部381成为开放端。因此，即使在形成镜支承部38时在内侧存在凸部212(第I牺牲层21)，也能够去除第I牺牲层21。因此，在镜支承部38的内部，没有残留构成牺牲层的树脂，因此即使在所照射的光、驱动电路工作时基板上的发热等导致电光学装置100的温度上升的情况下，也不会从牺牲层产生气体。因此，不会发生由于从牺牲层产生的气体导致镜51的表面(反射面)上的反射率下降的情况。并且，从扭矩铰链35向与基板相反一侧突出的镜支承部38成为筒状，并且与扭矩铰链35—体形成。因此，在镜支承部38和扭矩铰链35的交界部产生的强度不会下降。
[0068]此外，在镜支承部38中第2端部382在与基板I相反一侧形成为平坦部的状态时，能够与镜支承部38分开的镜51连接于镜支承部38。因此，镜51的表面不会产生凹陷。因此，能够提高光的利用效率，并且能够抑制由于镜51上的散射而引起对比度下降。
[0069]此外，与利用无机材料填充凹部的情况不同，由于没有必要从镜51的表面去除填充凹部的厚的无机材料，因此能够有效地形成镜51的表面上不产生凹陷的镜支承部38。
[0070][第I牺牲膜21的另一制造方法]
[0071]图9是示出在适用了本发明的电光学装置100的制造方法中所用的第I牺牲层的另一制造方法的工序截面图。图10是示出在图9所示的方法中形成铰链支承部用开口部(第I开口部)211a等的情况的俯视图。
[0072]在本实施方式中，在第I牺牲层工序中，首先，如图9的(a)所示，在工序STlOl中，在由硅基板构成的晶片1上形成参照图2的(b)所说明的地址电路14、基板侧偏压电极11以及基板侧寻址电极12、13等。
[0073]接着，在工序STlOl中，在晶片10的一表面1s上形成由正性有机光刻胶等构成的感光性树脂层210。接着，在图9的(b)所示的工序ST103(曝光显影处理)中，对感光性树脂层210进行曝光及显影，形成铰链支承部用开口部(第I开口部)及电极柱用开口部211(参照图10的(a))。
[0074]接着，在蚀刻处理工序中，在图9的(c)所示的工序ST104(硬掩膜形成工序)中，在感光性树脂层210的与基板I相反一侧的表面上形成由氧化娃(Si02)等无机材料构成的硬掩膜217。更具体而言，利用PEVCD法等形成氧化硅膜(S12)等无机膜后，在无机膜的表面(与晶片10相反一侧的表面)形成抗蚀掩模的状态下，对无机膜进行图案形成，形成硬掩膜217。接着，在图9的(d)所示的工序ST105中，对感光性树脂层210进行半蚀刻，使感光性树脂层210局部性变薄，形成向与基板I相反一侧突出的柱状的凸部212(参照图10的(b))。
[0075]这个工序ST102、ST103、ST104、ST105是通过曝光显影处理和蚀刻处理，形成具备铰链支承部用开口部(第I开口部)211a以及柱状的凸部212的第I牺牲层21的第I牺牲层形成工序。
[0076]之后，如果进行参照图5的(e)、图6以及图7所说明的工序，就能获得电光学装置10。
[0077][镜支承部(第2支承部)38的改进例]
[0078]图11是示意性示出适用了本发明的电光学装置100的镜支承部(第2支承部)38的优选方式的说明图。在制造适用了本发明的电光学装置100时，在形成第I牺牲层21时采用了正性感光性树脂层，但也可以使用负性感光性树脂层。在使用这样的负性感光性树脂层的情况下，在感光性树脂层内的光的散射等影响下，在如图5的(b)所示那样形成凸部212时，凸部212的外周面容易形成为朝向镜51侧(与晶片10相反侧)的锥面。其结果，镜支承部38的外周面383成为朝向镜51侧(与晶片10相反侧)的锥面。因此，由于镜支承部38的扭矩铰链(扭曲铰链)35—侧的直径大于反射镜51—侧的直径，因此能够增大镜支承部38的强度。
[0079]此外，无论是正性还是负性，在使用感光性树脂层的情况下，凸部212的根部容易形成为弯曲的形状。尤其是在图9的(c)、(d)所示的工序ST104、ST105中进行了蚀刻时，凸部212的根部212c容易形成为弯曲的形状。其结果，镜支承部38与扭矩铰链35之间成为弯曲的截面形状。根据这种结构，存在从镜51经由镜支承部38施加于扭矩铰链35的应力不容易集中在特定处的优点。
[0080][其他实施方式]
[0081]在上述本实施方式中，在参照图6的(b)所说明的平坦化工序(工序ST9)中，以使平板部385残留在镜支承部38的第2端部382的方式进行平坦化，但也可以将平坦化进行至平板部385消失。在这种情况下，在形成用于形成镜51的第2导电膜50时，镜支承部38的端部通过第I牺牲层21的凸部212而形成为平坦部。因此，镜51的表面不产生凹陷。
【主权项】
1.一种电光学装置，其特征在于，具备: 基板， 第I支承部，在所述基板的一表面侧朝向所述基板突出，并且被所述基板支承； 导电部件，由扭曲铰链和筒状的第2支承部一体形成，所述扭曲铰链借助所述第I支承部被所述基板侧支承，所述第2支承部从所述扭曲铰链向与所述基板相反一侧突出，并且所述第2支承部的位于所述扭曲铰链一侧的第I端部成为朝向所述基板的开放端；以及镜，与所述第2支承部的与所述基板相反一侧的第2端部相接触。2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2端部形成为封闭所述第2支承部的开口的平板部。3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2支承部与所述扭曲铰链之间成为弯曲的截面形状。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电光学装置，其特征在于， 所述第2支承部的外周面形成为朝向所述镜侧的锥面。5.一种电光学装置的制造方法，其特征在于，具备: 第I牺牲层形成工序，对形成在基板的一表面侧的感光性树脂层进行曝光显影处理后，进行形成由无机材料构成的硬掩膜的状态下的蚀刻处理，形成第I牺牲层，所述第I牺牲层具有第I开口部以及向与所述基板相反侧突出的柱状的凸部； 第I导电膜形成工序，在所述第I牺牲层的与所述基板相反一侧及所述第I开口部的内侦U，形成第I导电膜； 第I图案形成工序，进行所述第I导电膜的图案形成，形成由在所述第I开口部的内侧形成的所述第I导电膜构成的第I支承部、与所述第I支承部一体的扭曲铰链以及从所述扭曲铰链向与所述基板相反一侧突出并与所述扭曲铰链一体的筒状的第2支承部； 第2牺牲层形成工序，在所述扭曲铰链及所述第2支承部的与所述基板相反一侧，形成第2牺牲层；平坦化工序，对所述第2牺牲层从与所述基板相反一侧实施平坦化，使所述第2支承部露出； 第2导电膜形成工序，在所述第2牺牲层的与所属基板相反一侧形成第2导电膜； 第2图案形成工序，通过对所述第2导电膜进行图案形成来形成镜；以及 牺牲层去除工序，去除所述第I牺牲层及所述第2牺牲层。6.根据权利要求5所述的电光学装置的制造方法，其特征在于， 在所述第I牺牲层形成工序中，对所述感光性树脂层进行所述曝光显影处理而使所述感光性树脂层局部性变薄来形成所述凸部后，对所述感光性树脂层进行所述蚀刻处理而形成所述第I开口部。7.根据权利要求6所述的电光学装置的制造方法，其特征在于， 在所述曝光显影处理中，使用半色调掩膜来进行曝光。8.根据权利要求5所述的电光学装置的制造方法，其特征在于， 在所述第I牺牲层形成工序中，对所述感光性树脂层进行所述曝光显影处理来形成所述第I开口部后，对所述感光性树脂层进行所述蚀刻处理，使所述感光性树脂层局部性变薄来形成所述凸部。9.根据权利要求5至8中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，使用正性感光性树脂层作为所述感光性树脂层。10.根据权利要求5至8中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，使用负性感光性树脂层作为所述感光性树脂层。11.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1至4中任一项所述的电光学装置，并具有向所述镜照射光源光的光源部。
【文档编号】H01L33/00GK106058004SQ201610118328
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年3月2日 公开号201610118328.2, CN 106058004 A, CN 106058004A, CN 201610118328, CN-A-106058004, CN106058004 A, CN106058004A, CN201610118328, CN201610118328.2
【发明人】伊藤智
【申请人】精工爱普生株式会社