用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法

用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种通式(I)的官能化合物，其中A是官能结构要素，B是溶解度促进结构要素，和k是在1至20范围内的整数，其中所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L?I)，其中Ar1、Ar2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型的基团R取代。X在每种情况下彼此独立地是N或CR2，优选CH。l是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与所述官能结构要素A结合的键。本发明还涉及通式(I)的优选化合物，并涉及包含这些化合物的电子器件。
【专利说明】
用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法
[00011 本申请是申请日为2010年9月15日、申请号为201080041111.7、发明名称为"用于 制造电子器件的制剂"的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明涉及一种用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法。具体地， 本发明涉及用于制造电子器件的制剂和有机化合物。本发明还涉及电子器件及其制造方 法。
【背景技术】
[0003] 包含有机、有机金属和/或聚合物半导体的电子器件的重要性在增加；出于成本的 原因及其性能其被用于许多商品中。此处可以提及的例子是在复印机中有机基的电荷传输 材料(例如基于三芳基胺的空穴传输体），在显示器件中的有机或聚合物发光二极管(0LED 或PLED)或在复印机中的有机光感受器。有机太阳能电池（O-SC)、有机场效应晶体管(0-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机集成电路(O-IC)、有机光放大器和有机激光二极管(0-laser)处于高级的开发阶段，将来可以实现主要的重要性。
[0004] 不考虑特定的应用，许多这些电子器件具有如下的一般的层状结构，该层结构可 以被调整用于特定的应用：
[0005] (1)基底，
[0006] (2)电极，通常为金属的或无机的，但是也可由有机的或聚合物导电材料制成，
[0007] (3)-个或多个电荷注入层或一个或多个夹层，例如用于补偿电极的不均匀性 ("平坦化层"），其通常由导电的掺杂的聚合物制成，
[0008] (4)有机半导体，
[0009] (5)任选另外的电荷传输、电荷注入或电荷阻挡层，
[0010] (6)反电极，如在(2)下提及的材料，
[0011] (7)封装。
[0012] 上述排列代表有机电子器件的一般的结构，其中可以组合多个层，在最简单的情 况下导致包括两个电极、有机层位于两个电极之间的布置。在这种情况下，所述有机层实现 所有的功能，包括在OLED情况下的发光。例如在WO 90/13148A1中描述了基于聚对苯撑的该 类型的体系。
[0013] 然而，在该类型"三层体系"中产生的问题是缺乏电荷分离的控制，或缺乏例如在 SM0LED( "小分子0LED"）情况下通过多层结构以简单方式实现的优化不同的层中单独成分 性能的方法。
[0014] 小分子OLED通常包括一个或多个有机空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层和/或电子注入层和阳极和阴极，其中整个体系通常位于玻璃基底上。该类型多层结构的 优势在于可以在多个层内分布电荷注入、电荷迀移和发光的多种功能，并且因此能单独改 进各个层的性能。这种变化能够显著地改进电子器件的性能。
[0015] 基于上面描述的小分子，即，非聚合化合物，的电子器件的缺点是其制造。非聚合 化合物通常通过蒸发技术被转变为电子器件。这代表了主要的成本缺点，特别是对于大面 积的器件，因为在多个室中的多步真空法非常昂贵，而且必须非常精确地控制。此处价格比 较低廉和公认的从溶液中的涂覆方法，例如喷墨印刷、气刷方法、卷对卷法等是主要优点。 然而，由于所述非聚合化合物在通常溶剂中的低溶解度通常不能以这种方法制备上述描述 的包括小分子的器件。尽管通过改性能够改进这些化合物的溶解度，然而获得的电子器件 与通过气相沉积获得的器件相比较显示降低的性能和寿命。
[0016] 因此，例如，WO 2009/021107A1和WO 2010/006680A1描述了适合于制造电子器件 的有机化合物，其中这些化合物能够通过气相沉积和从溶液中进行加工。然而，通过气相沉 积获得的电子器件具有更加有利的性能分布。
[0017]已知的电子器件具有可用的性能分布。然而，目前正需要改进这些器件的性能。这 些性能包括特别包括所述电子器件的寿命。其它的问题特别是能量效率，籍于此电子器件 实现既定的目的。在可以是基于低分子量化合物以及基于聚合物材料的有机发光二极管的 情况下，特别是光产额应该高，这意味着必须消耗尽可能少的电功率以实现特定光通量。此 外，最低可能的电压同样应该是必要的以实现预先规定的发光密度。
[0018] 其它的目的能够被认为是尽可能廉价且质量恒定地提供具有优异性能的电子器 件。
[0019] 此外，所述电子器件应该能够用于或适合于多种目的。特别是，在宽的温度范围之 内所述电子器件的性能应该保持。
[0020] 令人惊讶地已经发现这些和其它没有明确提及但能够从此处引言中讨论的关联 容易地获得或推断的目的，能够通过具有专利权利要求1所有特征的制剂实现。本发明制剂 有利的改变在从属于权利要求1的权利要求中保护。
【发明内容】

[0021] 因此，本发明涉及一种制剂，其包含至少一种溶剂和至少一种通式(I)的官能化合 物
[0022] (I)
[0023] 其中
[0024] A是官能结构要素，
[0025] B是溶解度促进结构要素，和 [0026] k是在1至20范围内的整数，
[0027] 其特征在于
[0028]所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，所述溶解度促进结构要素 B符合通式 (L-I)
[0029]
(L-丨〉.
[0030] 其中
[0031] Ar1、Ar2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型 的基团R取代，
[0032] X在每种情况下彼此独立地是N或CR2，优选为CH，
[0033] R\R2各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧 基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者是 甲硅烷基，或具有1至40个C原子的取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具 有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN)，氨基甲酰基基团（_C( =0)ΝΗ2)，卤代 甲酰基基团(_C(=0)_X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=0)-H)，异氰基基团，异氰 酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF 3基团，Cl，Br，F，可交 联的基团，或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环 原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R 1和/或R2中的一个或多个可 以彼此之间和/或与基团R1与其键合的环形成单或多环的脂族或芳族环系;和 [0034] 1 是〇、1、2、3或4;
[0035]其中虚线键表示与所述官能结构要素结合的键。
[0036] 本发明还涉及通式(I)的官能化合物
[0037]
(I)
[0038] 其中
[0039] A是官能结构要素，
[0040] B是溶解度促进结构要素，和 [00411 k是在1至20范围内的整数，
[0042] 其特征在于
[0043]所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，所述溶解度促进结构要素 B符合通式 (L-I)
[0044] (匕-丨).
[0045] 其中
[0046] Ar1Jr2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型 的基团R取代，
[0047] X在每种情况下彼此独立地是N或CR2，优选为CH，
[0048] R\R2各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧 基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者是 甲硅烷基，或具有1至40个C原子的取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具 有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN)，氨基甲酰基基团（_C( =0)ΝΗ2)，卤代 甲酰基基团(_C(=0)_X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（-C(=0)-H)，异氰基基团，异氰 酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF 3基团，Cl，Br，F，可交 联的基团，或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环 原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R 1和/或R2中的一个或多个可 以彼此之间和/或与基团R1与其键合的环形成单或多环的脂族或芳族环系;和 [0049] 1 是〇、1、2、3或4;
[0050]其中虚线键表示与所述官能结构要素结合的键；
[0051] 其中通式(A-I)的化合物除外
[0052]
(A-I)
[0053]其中以下适用于使用的符号：
[0054] R5在每次出现时相同或者不同地是氢，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳 族环系，它们可被一个或多个基团R 6取代，或N(Ar)2,Si(Ar)3,C(=0)Ar，0Ar，ArS0，ArS0 2，P (Ar)2，P(0)(Ar)2 或 B(Ar)2 基团；
[0055] R6在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CH0，N(Ar)2，C(=0)Ar，P(=0) (Ar )2，S( =0)Ar，S(=0)2Ar，CR7 = CR7Ar，CN，N〇2, Si (R8)3 ,B(OR8)2，B(R8)2, B(N(R8)2)2， OS〇2R8,具有I至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者具有3至40个C原 子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R 8 取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R8C = CR8、C^c、Si(R8)2、Ge(R8) 2、Sn(R8)2、C = 0工=3、〇 = 36、〇=冊8、卩（=0)(1?8)、30、302、冊8、0、3或0)冊 8代替，和其中一个或多个!1原子 可被F、C1、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每 种情况下可以被一个或多个基团R 8取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基 基团，它们可被一个或多个基团R8取代，或这些体系的组合；
[0056] R7在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，具有1至20个C原子的直链烷基基团，或 具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团；此处多个基团R7可以彼此形成环系；
[0057] R8在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或 杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F代替;和
[0058] Ar在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，它们可以被一个或多个非芳族基团R6取代;此处键合至同一氮、磷或硼原子的两个基团 Ar 也可以通过单键或选自 B(R8)、C(R8)2、Si(R8)2、C = 0、C = NR8、C = C(R8)2、0、S、S = 0、S02、N (R8)、P(R8)和P( =0)R8的桥连基彼此连接。
【附图说明】
[0059]图1显示了一种器件的典型结构。
【具体实施方式】
[0060]本发明的制剂包含至少一种有机溶剂。适当的和优选的溶剂是脂族、脂环族或芳 族经，胺，硫醇，S先胺，腈，酯，醚，聚醚，醇，二醇和/或多元醇。
[0061 ]所述溶剂优选包含至少一种芳族或杂芳族化合物。所述溶剂特别优选包含至少一 种芳族烃和/或卤代芳族化合物，其特别优选包含至少一种具有1至8个碳原子，优选具有1 至6个碳原子的烷基基团和/或环烷基基团。这些特别包括甲苯、二甲基苯（二甲苯）、三甲 苯、甲基萘、1，2,3,4_四氢化萘、环戊基苯和环己基苯。
[0062]根据本发明其它的实施方式，可以使用在侧基中包含杂原子的芳族或杂芳化合 物，特别是酯、醚、腈和/或酰胺。在该类中优选的化合物包括芳族烷氧基化合物，例如3-甲 基苯甲醚、2-异丙基苯甲醚、5-甲氧基二氢化茚、2-乙氧基萘，和芳族酯，例如苯甲酸丁酯和 苯甲酸乙酯。同样适当的是在芳族环中含有〇、N或S原子的杂芳族溶剂，例如2-甲基吲哚和 6-甲基喹啉。
[0063] 此外使用的溶剂可以是杂环化合物，例如1 -环己基-2-吡咯烷酮(N-环己基-吡咯 烷酮）。
[0064] 此外，醇代表适当类别的溶剂。优选的醇包括特别是烷基环己醇，特别是甲基化的 脂环族醇(3-或4-甲基环己醇或2，5-二甲基环己醇），萘酚，例如十氢-2-萘酚或1，2，3，4-四 氢-1-萘酚，萜类化合物，例如α-萜品醇、薄荷醇或葛缕醇、壬基苯酚、1-茚醇和2-茚醇。
[0065] 另外，使用的溶剂可以是环烷烃，例如十氢化萘。
[0066] 所述溶剂可以单独使用或作为两种、三种或更多种化合物的混合物使用。
[0067] 优选的溶剂尤其包括甲苯、苯甲醚、二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、均三甲 苯、1，2,3,4_四氢化萘、邻二甲氧苯、四氢呋喃和氯苯，及其混合物。特别优选使用芳族溶 剂，特别是芳族烃。本发明的制剂能够优选包含至少50重量％，特别优选至少80重量％和非 常特别优选至少90重量％的芳族溶剂。
[0068]特别是通过汉森(Hansen)溶解度参数优选在以下范围内的溶剂能够实现令人惊 讶的优势：
[0069] Hd(色散力贡献)在17.0至23.2MPa°·5的范围内，特别优选在18.5至21.010^°'5的范 围内；
[0070] Hp(极性力贡献)在0.2至12.5MPaQ·5范围内，特别优选在2.0至6.OMPa th5的范围内， 和
[0071] Hh(氢键贡献)在0.9至14.2MPa°·5的范围内，特别优选在2.0至6.0MPa°·5的范围内。 使用由Hansen和Abbot等人提供的 "Hansen Solubility Parameters in Practice(汉森溶 解度参数实践，HSPiP)"计算机程序(第二版)确定所述汉森溶解度参数。
[0072] 通式（I)的优选的官能化合物可以包含两种、三种或更多种溶解度促进结构要素 B。因此，通式(I)中的标记k可以是大于或等于2的整数，特别优选大于或等于3的整数。 [0073]特别是使用具有相对高分子量的通式（I)的官能化合物能够实现令人惊讶的优 势。因此，通式（I)的优选的官能化合物的突出之处在于分子量为至少SOOg/摩尔，特别优选 至少为900g/摩尔和非常特别优选至少为950g/摩尔。
[0074]此外，优选的通式（I)的官能化合物可以具有至多1000 Og/摩尔，特别优选至多 5〇〇〇g/摩尔，非常特别优选至多3000g/摩尔的分子量。
[0075] 此外特别感兴趣的是突出之处在于高玻璃化转变温度的官能化合物。在这一点 上，特别优选根据DIN 51005确定的玻璃化转变温度至少为70°C，特别优选至少100°C，非常 特别优选至少125°C和尤其是优选至少150°C的通式(I)的官能化合物。
[0076] 通式（I)的官能化合物的官能结构要素 A不受任何特别的限制，并且因此本发明适 合于使为实现功能性而用于电子器件中的已知物质转化为可溶的形式，由此而无需以不能 接受的方式调节该已知物质的初始电子性能。
[0077] 这些尤其是在WO 02/077060A1和WO 2005/014689A2中公开并大量列出的那些。这 些文献通过参考而被认为是本发明的一部分。所述官能结构要素 A例如可以来源于如下的 类别：
[0078] 第1组:能够产生空穴注入和/或空穴传输性能的单元；
[0079] 第2组:能够产生电子注入和/或电子传输性能的单元；
[0080]第3组:具有发光性能的单元；
[0081 ]第4组:能够用作主体材料或共主体材料的单元；
[0082] 第5组:改进从所谓的单重态到三重态跃迀的单元。
[0083] 来自第1组的具有空穴注入和/或空穴传输性能的结构要素例如是三芳基胺、联苯 胺、四芳基对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩驄、嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并对二11英、吩驄噻、 咔唑、奧、噻吩、吡咯和呋喃衍生物和其它的含有0-、S-或N-的具有高Η0Μ0(Η0Μ0 =最高占据 分子轨道)的杂环化合物。
[0084] 作为来自第1组的具有空穴注入和/或空穴传输性能的结构要素，特别可以提及苯 二胺衍生物（US 3615404)，芳基胺衍生物（US 3567450)，氨基取代的查耳酮衍生物（US 3526501 )，苯乙烯基蒽衍生物(JP-A-56-46234)，多环芳族化合物(EP 1009041 )，多芳基烷 烃衍生物(US 3615402)，芴酮衍生物(JP-A-54-110837)，腙衍生物(US 3717462)，酰腙，芪 衍生物(JP-A-61-210363)，硅氮烷衍生物(US 4950950)，聚硅烷(JP-A-2-204996)，苯胺共 聚物(JP-A-2-282263)，噻吩低聚物(JP Heisei 1(1989)211399)，聚噻吩，聚(N-乙烯基咔 唑）（PVK)，聚吡咯，聚苯胺及其它导电大分子，卟啉化合物（JP-A-63-2956965、US 4720432 )，芳族二亚甲基类型化合物，咔唑化合物，例如⑶BP、CBP、mCP，芳族叔胺，和苯乙烯 基胺化合物(US 4127412)，例如联苯胺类型的三苯基胺、苯乙烯基胺类型的三苯基胺和二 胺类型的三苯基胺。同样可以使用芳基胺树枝状聚合物(JP Heisei 8(1996) 193191)、单体 的三芳基胺(US 3180730)、含有一个或多个乙烯基基团和/或至少一种含活泼氢的官能团 的三芳基胺(US 3567450和US 3658520)或四芳基二胺(两个叔胺单元经由芳基连接）。在所 述分子中也可以存在更多的三芳基氨基基团。酞菁衍生物，萘酞菁衍生物，丁二烯衍生物和 喹啉衍生物，例如二吡嗪并[2,34:2' J'-h]喹喔啉六甲腈同样是适当的。
[0085] 优选含有至少两个叔胺单元的芳族叔胺(US 2008/010231 IAl、US 4720432和US 5061569)，例如，NPDh-NPD =、"-双[N-(l-萘基）-N-苯基氨基]联苯）（US 5061569)、ΤΗ) 232( =N，f -双(W -二苯基-4-氨基苯基）-N，N-二苯基-4，f -二氨基-I，1。联苯）或 MTDATA(MTDATA或m-MTDATA = 4，V，4〃 -三[3-甲基苯基）苯基氨基]三苯基胺）（开4-4-308688)、TBDB(= N，N，YY -四（4-联苯基)二氨基亚联苯）、TAPC( = I，1 -双(4-二对甲苯基 氨基苯基)环已烷）、TAPPP( = I，1-双(4-二对甲苯基氨基苯基)-3-苯基丙烷）、BDTAPVB(= 1，4-双[2-[4-%1二(对甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯）、11^(=叱叱^少 /-四对甲苯基-4,4/-二氨基联苯）、了?0(=4,4/-双[13-甲基苯基]，-苯基氨基)联苯）、1叱^少 /-四苯 基-4，4〃 -二氨基-I，IW，1〃，4〃，严-四联苯，以及含有咔唑单元的叔胺，例如TCTA( =4-(9H-咔唑-9-基）-N，N-双[4-(9H-咔唑-9-基）苯基]苯胺）。同样优选根据US 2007/ 0092755A1的六氮杂苯并菲化合物，和酞菁衍生物（例如H2Pc、CuPc (=铜酞菁）、CoPc、NiPc、 ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、（H0)AlPc、（H0)GaPc、 VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc-〇-GaPc)。
[0086；
[0087；
[0088；
[0089；
[0090；
[0091] Synth.Metals(合成金属）1997,91(1-3) ,209和DE 19646119A1
[0092]
[0101] NPB = 4，4 ' -双[N-( I -萘基)-N-苯基氨基]联苯
[0093]
[0094]
[0095]
[0096]
[0097]
[0098]
[0099]
[0100]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109] JP 08292586A
[0110] 能够用作空穴注入材料的其它结构要素描述于EP 0891121A1和EP 1029909A1中， 通常的注入层描述于US 2004/0174116A1中。
[0111] 通常用作第1组结构要素的这些芳基胺和杂环化合物在聚合物中优选导致大于-5.8eV(相对于真空能级），特别优选大于-5.5eV的HOMO。
[0112] 来自第2组的具有电子注入和/或电子传输性能的结构要素例如是吡啶、嘧啶、哒 嗪、吡嗪、曝二唑、喹啉、喹喔啉、蒽、苯并蒽、芘、茈、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦和吩嗪衍生 物，但也可以是三芳基硼烷和其它的含有〇-、S-或N-的具有低LUM0(LUM0 =最低未占分子轨 道)的杂环化合物。
[0113] 用于电子传输和电子注入层的特别适当的结构要素是8-羟基喹啉的金属螯合物 (例如 1^〇、厶1〇3、6&〇3、]\%〇2、21^2、11^ 3、2"4)，8厶1〇,6&(^111〇1(1络合物，4-氮杂菲-5-酚-86 络合物(US 5529853A)，
[0114]
[0115] 丁二烯衍生物(US 4356429)，杂环的荧光增白剂(US 4539507)，苯并咪唑衍生物 (US 2007/0273272A1)，例如TPBKUS 5766779)，
[0116]
TPBI
[0117] 2,2'，2〃-(1，3,5_苯三基)三（1-苯基-IH-苯并咪唑）
[0118] 1，3，5-三嗪，例如，螺二芴基三嗪衍生物（例如根据DE 102008064200 )，芘，蒽，并 四苯，芴，螺芴，树枝状聚合物，并四苯(例如红荧烯衍生物），1，10-菲咯啉衍生物(开2003-115387、JP 2004-311184、JP-2001-267080、W0 2002/043449)，硅杂环戊二烯衍生物（EP 1480280、EP 1478032、EP 1469533)，硼烷衍生物，例如，含有Si的三芳基硼烷衍生物，
[0119]
[0120] US 2007/0087219A1
[0121] 吡啶衍生物(JP 2004-200162)，菲咯啉，尤其是1,10-菲咯啉衍生物，例如，BCP和 BPhen，也可以是几种经由联苯基或其它的芳族基团连接的菲咯啉(US-2007-0252517A1)或 与蒽连接的菲咯啉(US 2007-0122656A1)。
[0122]
[0123] 同样适当的是杂环的有机化合物，例如，噻喃二氧化物、曬唑、三唑、咪唑或_二 唑。使用含有N的五元环的例子，例如，囉唑、噻唑、曝二唑、噻二唑、三唑，尤其见US 2008/ 010231 IAl。如下是优选的化合物：
[0124] 三唑，例如
[0125]
[0126] Y.A.Levin，M.S·Skorobogatova,Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii (杂环化合物化学）1967 (2)，339-341
[0127] l，3,4-i恶二唑，例如
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133] US 2007/0273272A1
[0134] 同样可以使用有机化合物，例如，如下化合物的衍生物:芴酮、亚芴基甲烷、茈四甲 酸、蒽醌二甲烷、联苯醌、蒽酮和蒽醌二亚乙基二胺。
[0135] 优选2，9，10-取代的蒽（用1-或2-萘基和4-或3-联苯基)或包含两个蒽单元的分子 (US 2008/0193796A1)。同样非常有利的是将9，10-取代的蒽单元与苯并咪唑衍生物连接。
[0136]
[0137]
[0138]
[0139] 待根据本发明使用的通式（I)的化合物中的来自第2组的结构要素优选导致小于_ 2.5eV(相对于真空能级），特别优选小于-2.7eV的LUM0。
[0140]来自第3组的结构要素是能够发光的那些结构要素。这些尤其包括如下化合物，其 含有芪、芪胺、苯乙烯基胺、香豆素、红荧烯、罗丹明、噻唑、噻二唑、菁、噻吩、对亚苯基、茈、 酞菁、扑啉、酮、喹啉、亚胺、蒽和/或芘的结构。特别优选如下的化合物，其能够甚至在室温 下高效率地从三重态发光，即，显示电致磷光而不是电致荧光，这通常引起能量效率的增 加。适合于该目的的首先是包含原子序数大于36的重原子的化合物。优选包含d或f过渡金 属的满足上述提到的条件的化合物。此处特别优选包含第8至10族元素(Ru、0s、Rh、Ir、Pd、 Pt)的相应结构要素。此处用于通式（I)化合物的适当的官能结构要素 A例如是描述在例如 WO 02/068435Al、W0 02/081488AUEP 1239526A2和WO 04/026886A2中的各种络合物。
[0141] 以下通过举例描述了能够用作荧光发光体的优选结构要素。来自第3组的优选结 构要素选自单苯乙烯基胺类、二苯乙烯基胺类、三苯乙烯基胺类、四苯乙烯基胺类、苯乙烯 基膦类、苯乙烯基醚类和芳基胺类。
[0142] 单苯乙烯基胺被认为是指包含一个取代或未取代苯乙烯基基团和至少一种胺优 选芳族胺的化合物。二苯乙烯基胺被认为是指包含两个取代或未取代的苯乙烯基基团和至 少一种胺优选芳族胺的化合物。三苯乙烯基胺被认为是指包含三个取代或未取代的苯乙烯 基基团和至少一种胺优选芳族胺的化合物。四苯乙烯基胺被认为是指包含四个取代或未取 代的苯乙烯基基团和至少一种胺优选芳族胺的化合物。所述苯乙烯基基团特别优选是芪， 其也可以被进一步取代。类似于胺，定义相应的膦和醚。在本发明意义上的芳基胺或芳族胺 被认为是指包含三个直接键合到氮上的取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。至少 一个这些芳香或者杂芳族环系优选是稠合环系，其优选具有至少14个芳族环原子。其优选 的例子是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族鍵胺或者芳族蔚二胺。芳族蒽 胺被认为是指其中一个二芳基氨基基团直接与蒽基团优选在9-位键合的化合物。芳族蒽二 胺被认为是指其中两个二芳基氨基直接与蒽基团优选在2,6_位或在9,10-位键合的化合 物。与其类似地定义芳族芘胺、芘二胺、窟胺和1二胺，其中所述二芳基氨基基团优选与芘 在1-位或在1，6_位键合。
[0143] 来自第3组的其它优选的结构要素选自茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根据WO 06/ 122630，苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根据WO 08/006449，和二苯并茚并芴胺或二 苯并茚并芴二胺，例如根据WO 07/140847。
[0144] 来自苯乙烯基胺类第3组的结构要素的例子是取代或未取代的三芪胺或，描述于 TO 06/000388、W0 06/058737、W0 06/000389、W0 07/065549和WO 07/115610中的掺杂剂。 二苯乙烯基苯和二苯乙烯基联苯衍生物描述于US 5121029中。其它的苯乙烯基胺能够见US 2007/0122656A1。
[0145] 来自第3组的特别优选的苯乙烯基胺结构要素是：
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153] JP 08/053397A和US 6251531B1，在EP 1957606A1 和US 2008/0113101A1 中的衍生物。
[0154]
[0155]
[0156] 来自第3组的其它优选结构要素选自如下化合物的衍生物：萘、蒽、并四苯、苯并 蒽、苯并菲（DE 10 2009 005746)、芴、荧蒽、二茚并芘、茚并茈、菲、茈（US 2007/ 0252517A1)、芘、邀、十环烯、六苯并苯、四苯基环戊二烯、五苯基环戊二烯、芴、螺芴、红荧 烯、香豆素 （US 4769292、US 6020078、US 2007/0252517A1)、吡喃、?恶唑、苯并Pf唑、苯并噻 唑、苯并咪唑、吡嗪、肉桂酸酯、二酮吡咯并吡咯、吖啶酮和喹吖啶酮(US 2007/0252517Α1)。
[0157] 在蒽化合物之中，特别优选9，10-取代的蒽，例如，9，10-二苯基蒽和9，10-双(苯基 乙炔基)蒽。1，4_双(V -乙炔基蒽基)苯也是优选的掺杂剂。
[0158] 同样优选如下化合物的衍生物:红荧烯，香豆素，罗丹明，喹吖啶酮，例如，DMQA( = W-二甲基喹吖啶酮），二氰基亚甲基吡喃，例如，DCM( =4-(二氰基亚乙基)-6-(4-二甲基 氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃），噻喃，聚甲炔，吡喃猶和硫代吡喃输盐，二茚并芘和茚并 北〇
[0159] 蓝色荧光发光体优选是多环芳族化合物，例如，9，10_二(2-萘基蒽)及其它蒽衍生 物，并四苯、氧杂蒽、茈的衍生物，例如，2,5,8,11-四叔丁基茈，亚苯基，例如4，f-双(9-乙 基-3-咔唑亚乙烯基)-1,1'-联苯，芴，荧蒽，芳基芘(US 2006/0222886A1)，亚芳基亚乙烯基 (US 5121029、US 5130603)，双（叮嗪基）亚胺硼化合物（US 2007/0092753A1)，双（叮嗪基） 亚甲基化合物和Carbo s tyry 1化合物。
[0160] 其它优选的蓝色焚光发光体描述于C.H.Chen等人的"Recent developments in organic electroluminescent materials"（有机电致发光材料的最新进展） Macromol .Symp.(大分子论坛）125，（ 1997) 1-48和 "Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices"（分子有机电致发光材料和器件 的最新进展)Mat.Sci.andEng.R(材料科学和工程R)，39(2002)，143-222中。
[0161] 其它优选的蓝色荧光发光体是在DE 102008035413中公开的烃。
[0162] 以下通过举例描绘来自第3组的能够用作磷光发光体的优选结构要素。
[0163] 通过WO 00/70655、W0 01/41512、W0 02/02714、W0 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614和WO 05/033244展现了磷光发光体的例子。一般说来，如在有机电致 发光领域中的普通技术人员已知的，以及如现有技术中用于磷光OLED的所有磷光络合物都 是适当的，并且本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下能够使用其它的磷光络 合物。
[0164] 磷光金属络合物优选包含Ir、Ru、Pd、Pt、OsSRe。
[0165] 优选的配体是2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2_( 2-噻吩基）吡啶衍生 物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、1-苯基异喹啉衍生物、3-苯基异喹啉衍生物或2-苯基喹啉衍生 物。对于蓝色而言，所有这些化合物可被例如氟、氰基和/或三氟甲基取代基取代。辅助配体 优选是乙酰丙酮化物或吡啶甲酸。
[0166] 特别适当的是具有四齿配体的Pt或Pd的络合物，
[0167]
[0168] (US 2007/0087219A1，其中，为了公开的目的，参见说明书对于上述通式中的取代 基和标记的说明），具有扩展环系的Pt卟啉络合物(US 2009/0061681A1)，和Ir络合物，例 如，2,3,7,8，12，13，17，18-八乙基-21!1，23!1-扑啉-?七（11)，四苯基-?七（11)四苯并卟啉(1]3 2009/0061681A1)，顺式双(2-苯基吡啶-N，C 2/ )Pt(II)，顺式双(2-(2'-噻吩基)吡啶-N，C3/ ) Pt(II)，顺式双（2-(2'-噻吩基）喹啉-N，C5/ )Pt(II)，（2-(4，6-二氟苯基）吡啶-N，C2/ )Pt (Π )(乙酰丙酮化物），或三(2-苯基吡啶-N，C2/ )1^111)( = 1^??7)3，绿色），双(2-苯基吡 啶_N，C2) Ir(III)(乙酰丙酮化物）（=Ir(ppy)2乙酰丙酮化物，绿色，US 2001/0053462A1， Baldo,Thompson等人，Nature，403,（2000)，750-753)，双（1-苯基异喹啉-N,C2/ )(2-苯基吡 啶_N，C2/ )铱(III)，双(2-苯基吡啶-N，C2/ )(1-苯基异喹啉-N，C2/ )铱（III)，双(2-(2'-苯并 噻吩基）吡啶_N，C3/ )铱（111)(乙酰丙酮化物），双（2-(" 二氟苯基）吡啶-N，C2/ )铱 (ΙΠ )(吡啶甲酸盐）（FIrpic，蓝色），双（2-(4' ,6'-二氟苯基）吡啶-N，C2/ Hr(III)(四（1-吡唑基）硼酸盐），三（2-(联苯-3-基）-4-叔丁基吡啶）铱（III)，（ppZ) 2Ir(5phdpym)(US 2009/0061681Al)，（45ooppz)2lr(5phdpym)(US 2009/0061681Α1)，2-苯基吡啶Ir络合物的 衍生物，例如，PQIr( =双(2-苯基喹啉基-N，C2/)铱（III)乙酰丙酮酸盐，三(2-苯基异喹啉-1〇1以111)(红色），双（2-(2 /-苯并[4,5-&]噻吩基）吡啶4，(：3)1以乙酰丙酮酸盐） ([Btp2lr(acac)]，红色，Adachi等人，Appl .Phys .Lett ·(应用物理快报），78(2001 )，1622-1624) 〇
[0169] 同样适当的是三价镧系元素例如Tb3 +和Eu3 +的络合物（J. Ki do等人， Appl .Phys.Lett.65( 1994)，2124，Kido等人，Chem.Lett.(化学快报）657,1990，US 2007/ 0252517A1)，或Pt (I I)、Ir (I)、Rh(I)与顺丁烯二腈二硫醇盐的磷光络合物(Johnson等人， JACS 105,1983,1795)，Re( I)三羰基-二亚胺络合物（尤其是Wrighton，JACS 96,1974， 998 )，含有氰基配体和联吡啶或菲咯啉配体的Os (I I)络合物(Ma等人，Synth. Metals 94， 1998,245)。
[0170] 具有三齿配体的其它磷光发光体描述于US 6824895和US 10/729238中。发红色光 的磷光络合物见US 6835469和US 6830828中。
[0171 ]用作磷光掺杂剂的特别优选的结构要素是：
[0172]
[0173] US 2001/0053462A1 和Inorg.Chem.(无机化学）2001,40(7) ,1704-1711，JACS 2001，123(18),4304-4312。
[0174] 衍生物描述于US 7378162B2、US 6835469B2和JP 2003/253145A中。
[0175]
[0176]特别是与发光化合物同时使用的来自第4组的用作主体材料的结构要素包括如下 各种类别物质的材料。
[0177]特别是与荧光掺杂剂同时使用的来自第4组的优选结构要素选自如下类别：低聚 亚芳基（例如，根据EP 676461的2，2、7，四苯基螺二芴，或二萘基蒽），特别是含有稠合 芳族基团的低聚亚芳基，例如，蒽、苯并蒽、苯并菲(DE 10 2009 005746、W0 09/069566)， 菲，并四苯，六苯并苯，麓，荷，螺荷，花，邻苯二甲酰花，萘二甲酰花，十环稀，红焚稀，低聚亚 芳基亚乙烯基（例如，DPVBi = 4，-双（2，2-二苯基乙烯基)-1 ,V-联苯，或根据EP 676461 的螺DPVBi )，多足金属络合物（例如，根据WO 04/081017)，特别是8-羟基喹啉的金属络合 物，例如AlQ3 (=三(8-羟基喹啉)铝（I II))或双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基菲啰啉)铝， 以及与咪唑螯合物(US 2007/0092753A1)和喹啉金属络合物，氨基喹啉金属络合物，苯并喹 啉金属络合物，空穴传导化合物（例如根据WO 04/058911 )，电子传导化合物，特别是酮、氧 化膦、亚砜等（例如根据WO 05/084081和WO 05/084082)，阻转异构体（例如根据WO 06/ 048268)，硼酸衍生物(例如根据WO 06/117052)或苯并蒽（例如根据WO 08/145239)。
[0178]来自第4组的特别优选的结构要素选自低聚亚芳基类，包括蒽、苯并蒽和/或芘，或 这些化合物的阻转异构体。在本发明意义上的低聚亚芳基旨在被认为是指其中至少三个芳 基或亚芳基基团彼此键合的化合物。
[0179 ]优选的主体材料特别选自通式(H-I)的化合物，
[0180] Ar3-(Ar4)p-Ar 5 (H-I)
[0181] 其中Ar3、Ar4、Ar5在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳基 或杂芳基基团，它们可被一个或多个基团R 1取代，和R1具有如以上描述的相同的含义，和P代 表在1至5范围内的整数;如果p=l，在Ar 3、Ar4和Ar5中π电子的总和至少为30，和如果p = 2其 至少为36,和如果p = 3其至少为42。
[0182] 在通式(H-I)的化合物中，基团Ar4特别优选代表蒽，其可被一个或多个基团R1取 代，和基团Ar3和Ar5在9-和10-位上键合。非常特别优选基团Ar3和/或Ar 5的至少一个是选自 1-或2-萘基，2-、3_或9-菲基或2-、3-、4-、5-、6-或7-苯并蒽基的稠合芳基，它们每个可被一 个或多个基团R 1取代。基于蒽的化合物描述于US 2007/0092753A1和US 2007/0252517A1 中，例如2-(4-甲基苯基)-9,10-二(2-萘基)蒽、9-(2-萘基)-10-(1, 联苯基)蒽和9,10- 双[4-(2,2-二苯基乙烯基）苯基]蒽、9,10-二苯基蒽、9,10-双（苯基乙炔基）蒽和1，4_双 (9~乙炔基蒽基）苯。同样优选含有两个蒽单元的化合物〇^ 2008/019379641)，例如10， 1〇/_双[1，1/，4/，1〃]二联苯 -2-基-9,9/-双恩。
[0183]其它优选的化合物是如下化合物的衍生物:芳基胺，苯乙烯基胺，荧光素，二苯基 丁二烯，四苯基丁二烯，环戊二烯，四苯基环戊二烯，五苯基环戊二烯，香豆素，鷗二唑，双苯 并職唑啉，蟠唑，吡啶，吡嗪，亚胺，苯并噻唑，苯并蟠唑，苯并咪唑(US 2007/0092753A1)，例 如，2，2'，2〃-( 1，3，5-亚苯基)三[1-苯基-IH-苯并咪唑]，醛连氮，芪，苯乙烯基亚芳基衍生 物，例如9,10-双[4-(2,2-二苯基乙烯基）苯基]蒽，和二苯乙烯基亚芳基衍生物（US 5121029)，二苯基乙烯，乙烯基蒽，二氨基咔唑，吡喃，噻喃，二酮吡咯并吡咯，聚甲炔，肉桂 酸酯和荧光染料。
[0184] 特别优选芳基胺和苯乙烯基胺的衍生物，例如，TNB( = 4，f -双[N-(l-萘基)-N_ (2-萘基)氨基]联苯）。金属Oxinoid络合物，例如，LiQ或AlQ3,能够用作共主体。
[0185] 优选的作为基质的具有低聚亚芳基的化合物：
[0186]
[0187]
[0188]
[0189]
[0190] 此外，来自第4组的结构要素包括与磷光发光体一起使用的那些材料。这些结构要 素包括CBP(N，N-二咔唑基联苯），咔唑衍生物(例如根据WO 05/039246、US 2005/0069729、 JP 2004/288381、EP 1205527或WO 08/086851)，氮杂咔唑（例如根据EP 16177UKEP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160)，酮（例如根据WO 04/093207或根据DE 102008033943)，氧化膦，亚砜和砜(例如根据WO 05/003253)，低聚亚苯基，芳族胺(例如根 据US 2005/0069729)，双极性基质材料（例如根据WO 07/137725)，硅烷（例如根据WO 05/ 111172)，9,9_二芳基芴衍生物(例如根据DE 102008017591)，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯 (例如根据WO 06/117052)，三嗪衍生物（例如根据DE 102008036982)，吲哚并咔唑衍生物 (例如根据WO 07/063754或WO 08/056746)，茚并咔唑衍生物（例如根据DE 102009023155和 DE 102009031021 )，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物（例如根据DE 102009022858)，三唑衍生 物，曝唑和囉唑衍生物，咪唑衍生物，多芳基烷烃衍生物，吡唑啉衍生物，吡唑啉酮衍生物， 二苯乙烯基吡嗪衍生物，噻喃二氧化物衍生物，苯二胺衍生物，三芳胺，苯乙烯基胺，氨基取 代的查耳酮衍生物，吲哚，腙衍生物，芪衍生物，硅氮烷衍生物，芳族二亚甲基化合物，碳二 酰亚胺衍生物，8-羟基喹啉衍生物的金属络合物，例如，AlQ 3,其也可以包含三芳基氨基酚 配体(US 2007/0134514A1)，金属络合物/聚硅烷化合物，和噻吩，苯并噻吩和硫芴衍生物。
[0191] 优选的咔唑结构要素的例子是mCP( = I，3-N，N-二咔唑基苯（=9，Y -(1，3-亚苯 基)双-9H-咔唑）），CDBP( =9，Υ-(2,2'-二甲基[1，1'-联苯]-4,4'-二基）双-9H-咔唑），1， 3-双(W-二咔唑基）苯（ = 1,3-双（咔唑-9-基）苯），PVK(聚乙烯基咔唑），3,5_二（9H-咔 唑-9-基)联苯，和如下描绘的化合物。
[0192]
[0193]
[0194]
[0195]
[0196]

[0210]
[0211] 来自第5组的结构要素是那些改进了从单重态到三重态跃迀，以及用于第3组官能 结构要素的载体并改进这些结构要素磷光性能的结构要素。适合于该目的特别是例如描述 在TO 04/070772A2和WO 04/113468A1中的咔唑与桥接咔唑二聚物单元。同样适合于该目的 是例如描述在WO 05/040302A1中的酮、氧化膦、亚砜、砜、硅烷衍生物和类似的化合物。
[0212] 以上引用的用于描述所述官能结构要素的出版物为公开的目的以参考方式并入 本申请。
[0213] 上面描述的官能结构要素 A可以优选经由芳族和/或杂芳族基团与至少一种溶解 度促进结构要素 B连接。键合的位点通常不重要，这意味着虽然存在如下所述的与至少一种 溶解度促进结构要素 B连接的一个或多个键，但为了清楚起见在如上所示的通式中没有描 绘出来。根据一个特别的方面，如上描述的官能结构要素 A可以经由芳族或杂芳族环系的碳 原子与一个或多个溶解度促进结构要素 B连接。
[0214] 除至少一种官能结构要素 A之外，本发明的化合物包含至少一种通式(L-I)的溶解 度促进结构要素 B
[0215]
[0216] 其中
[0217] Ar1Jr2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型 的基团R取代，
[0218] X在每种情况下彼此独立地是N或CR2，优选CH，
[0219] R\R2各自彼此独立地是氢，分别具有1或2至40个C原子的直链烷基、烯基、烷氧基 或硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、烷氧基或硫代烷氧基 基团，或者是甲硅烷基基团，或具有1至40个C原子的取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷 氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN)，氨基甲酰基基团（-C (=0)ΝΗ2)，卤代甲酰基基团（_C(=0)_X，其中)(代表卤素原子），甲酰基基团（_C(=0)_H)， 异氛基基团，异氛酸酯基团，硫氛酸盐基团或异硫氛酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF3基 团，Cl，Br，F，可交联的基团，或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系， 或具有 5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R1和/或R 2中 的一个或多个可以彼此之间和/或与R1键合到其上的环形成单或多环的脂族或芳族环系； 和
[0220] 1 是〇、1、2、3或4;
[0221 ]其中虚线键表示与所述官能结构要素 A结合的键。
[0222] 所述溶解度促进结构要素 B能够优选符合通式(L-II)
[0223]
[0224] 其中
[0225] 1^、1?2、1?3、1?4各自彼此独立地是氢，分别具有1或2至40个(：原子的直链烷基、烯基、 烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、烷氧基或硫代 烷氧基基团，或者是甲硅烷基基团，或具有1至40个C原子的取代的酮基团，具有2至40个C原 子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，甲酰基基团（_C( =0)-H)，CF3 基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环 系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R 1A2A3 和/或R4中的一个或多个可以彼此之间和/或与基团R1键合到其上的环形成单或多环的脂族 或芳族环系;和
[0226] 1 是〇、1、2、3或4，
[0227] m是〇、1、2或3,和
[0228] η、〇各自彼此独立地是0、1、2、3、4或5;
[0229] 其中虚线键表示与所述官能结构要素结合的键。
[0230] 基团#、1?2、1?3、1?4特别优选代表氢（1、111、11和〇 = 0)，具有1至20个(：原子的直链烷基 或烷氧基基团，或具有3至20个C原子的支链的烷基或烷氧基基团。
[0231] 特别优选的溶解度促进结构要素 B尤其包括以下通式的结构要素：
[0232]
[0233] 其中虚线键表示与所述官能结构要素 A结合的键。
[0234] 非常特别优选如下的溶解度促进结构要素 B:
[0235]

[0237]
[0238] 其中虚线键表示与所述官能结构要素 A结合的键。
[0239] 具有5至60个环原子、在每种情况下也可以被任何希望的基团R取代以及可以通过 任何希望的位置与所述芳族或杂芳族环系连接的芳族或杂芳族环系特别是指衍生于如下 化合物的基团：苯、萘、蒽、菲、花、:駿、花、焚蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、偶苯、三联苯、 三亚苯、荷、螺二荷、二氢菲、二氢花、四氢花、顺式或反式茚并荷、三聚茚、异三聚茚、螺三聚 茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、硫 芴、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5，6-喹啉、苯并-6，7-喹 啉、苯并-7，8-喹啉、吩噻嗪、吩嗯嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶 并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、_唑、苯并驪唑、萘并嘰唑、蒽并嗯唑、菲并跚唑、异纏： 唑、1，2-噻唑、1，3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1，5-二氮杂 蒽、2，7_二氮杂芘、2，3_二氮杂芘、1，6_二氮杂芘、1，8_二氮杂芘、4,5_二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂茈、吡嗪、吩嗪、荧红环、二氮杂萘、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1，2,3_三唑、1，2,4-三唑、苯并三唑、1，2，3-_二唑、1，2，4-丨丨恶二唑、1，2，5-嗯二唑、1，3，4-_二唑、1，2，3-噻二 唑、1，2,4_ 噻二唑、1，2,5_ 噻二唑、1，3,4_ 噻二唑、1，3,5_ 三嗪、1，2,4_ 三嗪、1，2,3_ 三嗪、四 唑、1，2,4,5_四嗪、1，2,3,4_四嗪、1，2,3,5_四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪、苯并噻二唑、苯并蒽烯、 苯并蒽、玉红省和苯并菲。为了本发明的目的，特别优选芴、螺二芴、茚并芴、蒽、菲、二氢菲 和咔唑。
[0240]在本发明意义上的芳基包含5至60个C原子;在本发明意义上的杂芳基包含2至60 个C原子和至少一个杂原子，条件是C原子和杂原子的总和至少是5。所述杂原子优选选自N、 0和/或S。此处的芳基或者杂芳基认为是指简单的芳族环，即苯，或者简单的杂芳族环，例如 吡啶、嘧啶、噻吩，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉、苯并噻吩、苯 并呋喃和吲哚。
[0241]在通式(L-I)和(L-II)的结构要素中，此外优选，R1和R2，以及R\R 2、R3和R4分别在 每次出现时彼此独立地选自F，Cl，Br，I ,N(Ar)2，N(R'）2，CN，N02, Si (R'）3 3(01^ )2，C(=0) Ar，C(=0)R'，P( = 0)(Ar)2，P(=0)(R'）2，S(=0)Ar，S( = 0)R'，S(=0)2Ar，S(=0)2R'，_CR' = CR'Ar，0S02R'，具有I至40个C原子，优选I至20个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧 基基团，或具有3至40个C原子，优选3至20个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代 烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团f取代，其中一个或多个非相邻的CH 2基团可被 VC = Cf XeC'SUR' h'GeU' h'SnU' ^J = (KC = S)C = SeX = NR' 1(=0)(1^ )、S0、 SO2、NR\0、S或CONR7代替，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO 2代替，可交联的 基团，或具有5至60个环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基 团R'取代，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可被一个或多个基团R'取 代，或这些体系的组合，其中两个或更多个取代基R也可以彼此之间形成单或多环的脂族或 芳族环系，其中V在每种情况下彼此独立地是H，或具有1至20个C原子的脂族或芳族烃基 团，和Ar是具有2至30个C原子的芳基或杂芳基基团。
[0242] 如上所述的通式(L-I)和(L-II)的结构单元包含一个或多个可交联基团。"可交联 基团"是指能够不可逆反应的官能团。由此形成不溶的交联的材料。通常通过加热或通过 UV、微波、X-光或电子辐射支持交联。此处在交联期间基本不形成副产品。另外，可以存在于 所述官能化合物中的可交联基团非常容易交联，意味着对于交联需要更少量的能量(例如 在热交联情况下<200 °C)。
[0243] 可交联基团的例子是包含双键、三键、能够原位形成双或三键的前体或杂环的加 成可聚合基团的那些单元。可交联基团尤其包括乙烯基，烯基，优选乙烯基和丙烯基，C4-20-环烯基，叠氮化物，环氧乙烷，氧杂环丁烷，二(烃基)氨基，氰酸酯，羟基，缩水甘油醚，丙烯 酸心-^)烷基酯，甲基丙烯酸C 1-K)烷基酯，烯氧基，优选乙烯氧基，全氟烯氧基，优选全氟乙烯 氧基，炔基，优选乙炔基，马来酰亚胺，三(d-4)烷基甲硅烷氧基和三(&-4)烷基甲硅烷基。特 别优选乙烯基和烯基。
[0244] 为了本发明的目的，其中另外，单独的H原子或者CH2基团可被上述提到的基团或 基团R取代的具有1至40个C原子的烷基基团，优选被认为是指如下的基团：甲基、乙基、正丙 基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、 环戊基、正己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙 基、2,2,2_三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯 基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基和辛炔基。具有1 至40个C原子的烷氧基基团优选被认为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧 基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
[0245] 根据本发明的一个特别的方面，在通式（I)中的结构要素 A与结构要素 B的重量比 优选在2:1至1:20的范围内，特别优选在1:1至1:3的范围内。
[0246] 能够使用已知的方法制备本发明制剂中存在的通式（I)的官能化合物，其中使含 有活性基团的原料进行反应。这些活性原料包含上述通式的上述的结构单元和在每种情况 下的至少一种离去基团，例如，溴、碘、硼酸或硼酸酯。
[0247] 形成C-C连结的适当的反应是本领域普通技术人员熟知的并描述于文献中。所有 的导致C-C连结的特别适当的和优选的偶联反应是SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、 NEGISHI、S0N0GASHIRA 和 HIYAMA 偶联反应。
[0248] 根据本发明的优选实施方式，从本发明中排除通式(A-I)的化合物
[0249]
( \ I)
[0250] 特别优选通式(A-II)的化合物
[0251]
(A II)
[0252] 其中如下适用于使用的符号：
[0253] R5在每次出现时相同或者不同地是氢，具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族 环系，它们可被一个或多个基团R6取代，或N(Ar)2，Si (Ar)3,C(=0)Ar，0Ar，ArS0，ArS02，P (Ar)2，P(0)(Ar)2 或 B(Ar)2 基团；
[0254] R6在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CH0，N(Ar)2，C(=0)Ar，P(=0) (Ar )2，S( =0)Ar，S(=0)2Ar，CR7 = CR7Ar，CN，N〇2, Si (R8)3 ,B(OR8)2，B(R8)2, B(N(R8)2)2， OS〇2R8,具有I至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子 的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R 8取 代，其中一个或多个非相邻的 CH2 基团可被 R8C = CR8、C^c、Si(R8)2、Ge(R8) 2、Sn(R8)2、C = 0、C =3、〇 = 36、0 =冊8、？（=0)(妒）、30、302、顺8、0、3或0)冊 8代替，和其中一个或多个!1原子可被 F、C1、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情 况下可以被一个或多个基团R 8取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 它们可被一个或多个基团R8取代，或这些体系的组合；
[0255] R7在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，或具有1至20个C原子的直链烷基基团， 或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团；此处多个基团R7可以彼此形成环系；
[0256] R8在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或 杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F代替;和
[0257] Ar在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，它们可以被一个或多个非芳族基团R6取代;此处键合至同一氮、磷或硼原子的两个基团 Ar 也可以通过单键或选自 B(R8)、C(R8)2、Si(R8)2、C = 0、C = NR8、C = C(R8)2、0、S、S = 0、S02、N (R8)、P(R8)和P( =0)R8的桥连基彼此连接。
[0258] 根据特别优选的实施方式，从本发明中排除通式(A-III)的化合物：
[0259]
(A-III)
[0260] 其中如下适用于使用的符号：
[0261] γ 是 c = 〇 或 C(R7)2;
[0262] X在每次出现时相同或者不同地是CR9SN;
[0263] R5具有与通式(A-I)有关的以上给出的含义；
[0264] R7具有与通式(A-I)有关的以上给出的含义；
[0265] R9在每次出现时相同或者不同地是!1，0^1具有1至40个(：原子的直链烷基、烷 氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代 烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R 7取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被 R7C = CR7、C=C、0或S代替，和其中一个或多个H原子可被F代替。
[0267]
[0266] 根据本发明的其它优选实施方式，从本发明中排除通式(V-IVa)和/或通式（V-IVb)的官能化合物：
[0268]
[0269]
[0270] 其中如下适用于使用的符号和标记：
[0271] Ar5是如下通式(V-IVc)的基团：
[0272]
通式(V-IVc)
[0273] 其中虚线键表示与螺二芴结合的键；
[0274] Ar6是如下通式(V-IVd)的基团：
[0275]
通式(V-IVd)
[0276] 其中虚线键表示与螺二芴结合的键；
[0277] R28、R29在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，N(R 3Q)2，N(Ar7)2，B (Ar7)2, C( = 0)Ar7,P( = 0) (Ar7)2, S(=0)Ar7,S( = 0)2Ar7, CR30 = CR30Ar7,CN,NO2, Si (R30)3,B (〇妒°)2,8(1?3())2,80(1?3()) 2)2,〇3〇21?3()，分别具有1或2至4〇个(：原子的直链烷基、烯基、炔基、 烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烯基、炔基、 烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R 3t3取代，其中一个或多个非相 邻的 CH2 基团可被 R3<)C = CR3°、CEC、Si(R3°)2、Ge(R3°)2、Sn(R 3°)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR30、 P(=0) (R3q)、50、502、顺3()、0、3或0)顺3()代替，和其中一个或多个!1原子可被0、卩、(：1、8匕1、〇~ 或NO 2代替，可交联的基团，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情 况下可以被一个或多个基团R 3t3取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 它们可被一个或多个基团R3t3取代，或这些体系的组合;此处两个或更多个相邻的取代基R 28 也可以彼此之间形成单或多环的脂族或芳族环系；
[0278] Ar7在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，它们可被一个或多个基团R 3t3取代;此处键合至同一氮、磷或硼原子的两个基团Ar7也可 以通过单键或选自 B(R3q)、C(R3Q)2、Si(R3Q) 2、C = 0、C = NR3Q、C = C(R3Q)2、0、S、S = 0、S02、N (R3°)、P(R3°)和P( =0)R3°的桥连基彼此连接；
[0279] R3t3在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或 杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被D或F原子代替;此处两个或更多个相邻的取代基R 3t3也 可以彼此形成单或多环的脂族或芳族环系；
[0280] η是 0或 1;
[0281] m是〇、1、2或3;
[0282] 在同一环中如果n = 0则〇是0、1、2、3或4,在同一环中如果n = l则〇是0、1、2或3。
[0283] 特别优选的官能化合物包括通式(V-Ia)、（V-Ib)、（V-Ic)和(V-Id)的化合物
[0284]
通式(V-Ic) 通式(V-M)
[0285] 其中如下适用于使用的符号：
[0286] DCy在每次出现时相同或不同地是包含至少一种配位原子，优选氮、碳烯形式的碳 或磷的环状基团，所述环状基团经由所述配位原子键合到金属上，所述环状基团又可以带 有一个或多个取代基R 1t3;基团DCy和CCy经由共价键彼此连接；
[0287] CCy在每次出现时相同或不同地是包含碳原子的环状基团，所述环状基团经由所 述碳原子键合到金属上，而且所述环状基团又可以带有一个或多个取代基R 1Q;
[0288] A在每次出现时相同或不同地是单阴离子、二齿的螯合配体，优选酮酮化物配体；
[0289] Riq在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CH0，C(=0)Ar3，P(=0) (Ar 3)2, S(=0)Ar3,S(=0)2Ar3, CR11 = CR11Ar3, CN, NO2, Si (R11)3,B(OR11)2,B(R11)2,B(N (Rn)2)2,0S02Rn，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有2至 40个C原子的直链烯基或炔基基团，或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烯基、 炔基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R11取代，其中一个或多个 非相邻的 CH2 基团可被 = = = = = = 顺11、？（=0)(1?11)、30、302、冊11、0、3或(》冊 11代替，和其中一个或多个!1原子可被？、(：1』匕1、 CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被 一个或多个基团R 11取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可被一 个或多个基团R11取代，或这些体系的组合;此处两个或更多个相邻的取代基R 1t3也可以彼此 之间形成单或多环的脂族或芳族环系；
[0290] Ar3在每次出现时相同或者不同地是具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，它们可被一个或多个基团R11取代；
[0291] R11在每次出现时相同或者不同地是H，D，CN，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/ 或杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F代替;此处两个或更多个相邻的取代基R11也可以彼 此形成单或多环的脂族或芳族环系，
[0292] 其中所述的基团DCy、CCy和/或A的至少一个包含至少一个通式(L-I)和/或(L-II) 的基团。
[0293] 由于在多个基团R1t3之间形成环系，也可以在基团DCy和CCy之间存在桥连基。此外， 由于在多个基团R 1t3之间形成环系，也可以在两个或三个配体CCy-DCy之间或在一个或两个 配体CCy-Dcy与配体A之间存在桥连基，分别得到多齿或多足的配体体系。
[0294] 根据本发明的其它特别的实施方式，提供了可溶的官能化合物，特别是通式(V-II)的多并苯，
[0295]
[0296] 其中
[0297] 基团 1?12、1?13、1?14、1?15、1? 16、1?17、1?18、1?19、1?2()、1? 21、1?22和1?23各自独立地是氢，具有1至40 个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的 烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者是甲硅烷基基团，或具有1至40个C原子的取代的酮 基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基 团（-CN)，氨基甲酰基基团（_C(=0)NH 2)，卤代甲酰基基团（_C( = 0)_X，其中)(代表卤素原 子），甲酰基基团（_C( =0)-H)，异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基 团，氨基基团，羟基基团，硝基基团，CF3基团，Cl，Br，F，可交联的基团，或具有5至60个环原 子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 或这些体系的组合，其中基团R 12、R13、R14、R15、R16、R 17、R18、R19、R2t3、R21、R 22和/或R23中的一个 或多个可以彼此之间和/或与各个基团键合到其上的环形成单或多环的脂族或芳族环系； 和其中每一对R 12和R13，R13和R14，R14和R 15，R18和R19，R19和R2q，R 2q和R21可以独立地任选形成饱 和或不饱和的C4-C4q环，它们可以被一个或多个氧和/或硫原子或通式-N(R a)-的基团间断， 其中Ra代表氢原子或任选被取代的烃基团，其中所述环可以任选被取代;和
[0298] 其中所述多并苯骨架中的一个或多个碳原子可以任选被一个或多个选自N、P、As、 0、S、Se和Te的杂原子取代;和其中排列在所述多并苯相邻的环位置上的取代基R 12至R23中 的一个或多个可以一起形成另外的饱和或不饱和环，其可以被一个或多个氧和/或硫原子 或通式-N(R a)-的基团间断，其中Ra代表氢原子或任选被取代的烃基团，或键合到所述多并 苯的芳族环系;和
[0299] 其中η是0、1、2、3或4,优选0、1或2，特别优选0或2;
[0300] 其中基团 1?12、1?13、1?14、1?15、1? 16、1?17、1?18、1?19、1?2()、1? 21、1?22和/或1?23的至少一个包括至少 一个通式(L-I)或(L-II)的基团。
[0301] 如果在通式(V-II)中η等于2,则该化合物是并五苯化合物。对于η = 0,该合物可以 是"假并五苯化合物"。
[0302] 根据另外的实施方式，本发明提供了通式(V-IIIa)和/或(V-IIIb)的官能化合物
[0303]
[0304] 其中如下适用于所述符号和标记：
[0305]如果基团X2键合到基团Y上则Υ*为C，或如果没有基团X2键合到基团Y上，则Υ*在每 次出现时相同或者不同地是CRSN;
[0306] E在每次出现时相同或者不同地是共价单键或选自N(R25)、B(R25)、C(R25) 2、0、Si (尺25)2、〇=顺25、〇 = (：(1?25)2、3、3 = 0、302、？(1?25)和？（=0)1?1的二价桥连基；
[0307] X1在每次出现时相同或者不同地是选自N(R25)、B(R25)、0、C(R 25)2、Si (R25)2X = 顺25、0 = (：(1?25)2、3、3 = 0、302、？(1?25)和？（=0)1?25的二价桥连基；
[0308] X2在每次出现时相同或者不同地是选自N(R25)、B(R25)、C(R 25)2、Si(R25)2、C = 0、C = 顺25、〇 = (：(1?25)2、3、5 = 0、5〇2、0?25-〇?25、？(1?25)和？（=0)1? 25的二价桥连基；
[0309] X3在每次出现时相同或者不同地是选自IBXU1) Ai(R1)A和P(=0)的二价桥连 基；
[0310] L是具有5至40个芳族环原子的二价芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团 R1取代；
[0311] n、m是0 或1，条件是 n+m=l 或2;
[0312] q是1、2、3、4、5或6;
[0313] R24 在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(Ar)2，C(=0)Ar，P(=0) Ar2，S(=0)Ar，S( =0)2Ar ,CR26 = CR26Ar，CN，N〇2, Si (R26)3，B(0R26)2,0S02R 26,具有 1 至 40 个 C 原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷 基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R26取代，其中一个或多个非 相邻的 CH2 基团可被 R26C = CR26XeC, Si (R26)2、Ge(R26)2、Sn(R 26)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR26、P(= O) (R26)、SO、SO2、NR26、O、S或CONR26代替，和其中一个或多个H原子可被D、F、Cl、Br、 I、CN或NO2代替，可交联的基团，或具有5至40个环原子的芳族或杂芳族基团，它们每个可被 一个或多个基团R 26取代，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况 下可以被一个或多个基团R26取代，或具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它 们可被一个或多个基团R 26取代，或这些体系的组合;此处两个或更多个取代基R24也可以彼 此之间、与它们键合到其上的原子一起、或如果它们键合到Ar上则与Ar，形成单或多环的脂 族、芳族或杂芳族环系；
[0314] R25在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，C1，Br，I，CN，N02，CF3 ,B(OR26)2，Si (R26)3,具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子 的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R26取 代，其中一个或多个非相邻的CH 2基团可被-R26C = CR26-、-C^C-、Si(R26)2、Ge(R26) 2、Sn (妒6)2、〇 = 0、〇 = 3、〇 = 36、〇=冊26、-0-、-3-、-〇)0-或40冊26-代替，和其中一个或多个!1原 子可被〇、？、(：1、8^1、0~或^) 2代替，或芳基胺，或取代或未取代的咔唑，它们每个可被一个 或多个基团R26取代，或具有5至40个环原子的芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个芳族 或杂芳族或非芳族基团R 27取代，或具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可以 被一个或多个非芳族基团R26取代，或具有5至40个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它 们可以被一个或多个非芳族基团R 27取代，或这些体系的组合;此处两个或更多个取代基 R25,与它们键合到其上的原子一起，也可以彼此之间形成单或多环的脂族、芳族或杂芳族环 系；
[0315] R26在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族或芳族烃基 团；
[0316] Ar4在每次出现时相同或者不同地是具有5至40个环原子的芳族或杂芳族环系，它 们可被一个或多个基团R25取代；
[0317] 其中上述提到的基团中的至少一个包含通式(L-I)和/或(L-II)的基团。
[0318] 另外，优诜诵忒(V-V)的可溶官能化合物，
[0319]
通式(V-V)
[0320] 其中Riq具有如上所述的对于通式(V-Ia)、（V-Ib)、（V-Ic)和(V-Id)的相同的含义， 曲线表示与M构成5-或6-元环必要的两个或三个原子和键，其中这些原子也可以被一个或 多个基团R 1t3取代，其中上述提及基团的至少一个包含通式(L-I)和/或(L-II)的基团，和M代 表选自锂、钠、钾、钕和铯的碱金属。
[0321] 此处通式(V-V)的络合物可以是如以上描述的单体的形式，或可以是聚集体的形 式，例如包括两个碱金属离子和两个配体、四个碱金属离子和四个配体、六个碱金属离子和 六个配体的聚集体，或其它的聚集体形式。
[0322] 优选的通式(V-V)的化合物是如下通式(V-V1)和(V-V2)的化合物
[0323]
[0324] 其中使用的符号具有如上对于通式(V-Ia)、（V-Ib)、（V-Ic)和(V-Id)和以上对于 通式(V-V)描述的相同的含义，和m在每次出现时相同或不同地代表0、1、2或3，和〇在每次出 现时相同或不同地代表〇、1、2、3或4。
[0325] M外优诜的有机碱佘属化合物是如下通式(V-V3)的化合物：
[0326]
通式(V-V3)
[0327] 其中使用的符号具有如上对于通式(V-Ia)、（V-Ib)、（V-Ic)和(V-Id)和以上对于 通式(V-V)描述的相同的含义，其中上述提及的基团中的至少一个包括通式(L-I)和/或(L-II)的基团。
[0328] 所述碱金属优选选自锂、钠和钾，特别优选选自锂和钠，并且非常特别优选锂。
[0329] 特别优选通式(V-Vl)的化合物，特别是其中M=锂。此外，标记m非常特别优选=0。 因此所述化合物非常特别优选是未取代的8-羟基喹啉锂。
[0330] 特别优选使用的通式(I)的官能化合物尤其包括
















[0348]
[0349] 除所述的组分之外，本发明的制剂可以包含另外的添加剂和加工助剂。这些尤其 包括表面活性物质、表面活性剂、润滑剂和油脂、增加电导率的添加剂、分散剂、疏水剂、增 粘剂、流动性改进剂、消泡剂、脱气剂、活性或非活性的稀释剂、填料、助剂、加工助剂、染料、 颜料、稳定剂、敏化剂、纳米粒子和抑制剂。
[0350]包含本发明结构单元的化合物例如被用于制造 OLED或其它的电子器件，优选用作 空穴传输、空穴注入、发光体、电子传输、电子注入、电荷阻挡和/或电荷产生层。
[0351] 能够例如通过从溶液中涂覆，优选旋涂，或使用任何希望的印刷方法，例如，丝网 印刷、柔性版印刷或平版印刷，但特别优选LITK光引发热成像、热转印）或喷墨印刷制备所 述功能层。
[0352] 本发明同样涉及所述官能化合物在有机电子器件中的用途。
[0353] 所述有机电子器件优选是有机电致发光器件（OLED)、聚合物电致发光器件 (PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机 发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学探测器、有机光感受器、有机场猝熄 器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)或有机激光器二极管(Ο-laser)。
[0354] 为了本发明的目的，优选本发明的官能化合物在所述电子器件中为层的形式(或 存在于层中）。
[0355] 因此，本发明还涉及层，特别是有机层，其包括如上定义的一种或多种化合物。
[0356] 在本发明另外的实施方式中，所述器件包括多个层。此处本发明的化合物能够优 选存在于空穴传输、空穴注入、电子传输、电子注入和/或发光层中。特别优选在空穴传输 和/或发光层中使用本发明的化合物。
[0357] 因此，本发明还涉及包括至少三个层的电子器件，但在优选实施方式中，包括所有 所述的层，其来自空穴注入、空穴传输、发光、电子传输、电子注入、电荷阻挡和/或电荷产生 层，和其中至少一个层包括要使用的本发明的化合物。所述层的厚度，例如所述空穴传输 和/或空穴注入层的厚度，能够优选在1至500nm，特别优选在2至200nm的范围内。
[0358] 此外所述器件可以包括由另外的低分子量化合物或聚合物构成的层。这些也可以 通过在高真空中蒸发低分子量化合物制备。
[0359] 另外优选不作为纯物质使用本发明要使用的化合物，而是作为与另外的任何希望 类型的聚合物、低聚物、树枝状聚合物或低分子量物质的混合物(共混物)使用。这些例如可 以改进电子性能或其本身发光。因此，本申请同样涉及该类型的混合物。
[0360] 在本发明的优选实施方式中，本发明的化合物用作发光层中的主体材料或基质材 料。此处所述有机电致发光器件可以包括一个或多个发光层，其中至少一个发光层包括至 少一种如上定义的本发明的化合物。如果存在多个发光层，则优选这些具有多个在380nm和 750nm之间的发光峰值，导致总体上白色发光，即，能够发荧光或发磷光的多种发光化合物 用于该发光层中。非常特别优选三层体系，其中所述三个层显示蓝色、绿色和橙色或红色发 光(对于该基本结构，例如见WO 05/011013)。发白色光的器件例如适合作为LCD显示器的背 光，或适合于一般照明应用。
[0361] 除了这些层，所述有机电致发光器件也可以包括另外的层，例如在每种情况下包 括一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层 和/或电荷产生层（IDMC 2003，台湾；Session 210LED(5)，T ·Matsumoto，T ·Nakada，J · Endo， K.Mori?N.Kawamura?A.Yokoi?J.Kido ?Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer(具有电荷产生层的多光子有机EL器件））。同样，例如具有激子阻挡功能 的夹层可以引入两个发光层之间。然而，应当指出不必要含有这些层的每一个。这些层同样 可以包含如上定义的本发明的化合物。对于多个0LED，可以将一个布置在另一个上，能够进 一步实现光产额效率的增加。为改进光的耦合输出，在OLED中光输出侧上最后的有机层例 如也能够为纳米泡沫的形式，导致全反射比例的降低。
[0362] 此外优选其中通过升华方法施加一个或多个层的有机电致发光器件，其中通过在 真空升华装置中，在低于10-5毫巴，优选低于10- 6毫巴，特别优选低于10-7毫巴的压力下通过 气相沉积施加所述材料。
[0363] 同样优选如下有机电致发光器件，其特征在于通过ovro(有机气相沉积)方法或者 借助于载气升华施加一个或多个层，其中，在HT 5毫巴至1巴之间的压力下施加所述材料。
[0364] 此外优选如下有机电致发光器件，其特征在于从溶液中例如通过旋涂，或者通过 任何希望的印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷或者平版印刷但是特别优选LITI(光引发 热成像、热转印)或者喷墨印刷产生一个或多个层。
[0365] 所述器件通常包括阴极和阳极(电极）。为了本发明的目的以这样一种方法选择所 述电极（阴极、阳极）以使它们的带隙能尽可能接近地对应于相邻有机层的带隙能以确保高 效的电子或空穴注入。
[0366] 所述阴极优选包括金属络合物、具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，其包 含多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm 等）。在多层结构情况下，除所述金属之外，也可以使用具有相对高逸出功的其它金属例如 Ag，在这种情况下，通常使用金属的组合，例如Ca/Ag或者Ba/Ag。也可以优选在金属阴极和 所述有机半导体之间引入具有高介电常数材料的薄的夹层。适合于该目的的例如是碱金属 或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物(例如1^?、1^ 20、8&?2、1%0、似?等）。该层的层厚度优 选在1和I Onm之间，特别优选在2和8nm之间。
[0367] 所述阳极优选包括具有高逸出功的材料。优选所述阳极具有相对于真空大于 4.5eV的电势。适于该目的的一方面是具有高氧化还原电势的金属，例如Ag、Pt或者Au。另一 方面，也可以优选金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiO x、Al/PtOx)。对于一些应用，至少一 个电极必须是透明的，以促进有机材料的辐射（O-SC)，或光的耦合输出（0LED/PLED，0-Laser)。优选的结构使用透明阳极。此处优选的阳极材料是导电的混合的金属氧化物。特别 优选氧化锡铟（ITO)或氧化铟锌（ΙΖ0)。此外优选导电的掺杂的有机材料，特别是导电的掺 杂的聚合物，例如聚(聚亚乙基二氧基噻吩）（PEDOT)和聚苯胺(PANI)。
[0368] 本发明同样涉及制造电子器件的方法，其中将本发明的制剂施加到基底上并干 燥。
[0369] 优选能够在-50°C至300°C范围内，特别优选在20°C至250°C的范围内的温度下除 去所述溶剂。此处，能够在HT 3毫巴至1巴范围内，特别优选在HT2毫巴至100毫巴范围内的 压力下进行所述干燥。
[0370] 取决于应用，以本身已知的方式将所述器件相应地结构化，提供以电接触和最后 被密封，因为这种器件的寿命在水和/或空气存在下急剧缩短。
[0371] 以下参考实施例更详细地解释本发明，但不由此限制本发明。
[0372] 实施例
[0373] 实施例1:化合物3和4的合成
[0374]
[0375] 化合物3的合成
[0376] 将40.0g(146毫摩)3_二羟硼基-[3, ；5，1〃]三联苯(2)、18.8g(146毫摩H-碘代-3-溴苯基（1)和109.3g(730毫摩)碳酸钾悬浮在1350ml甲苯和1150ml水中。将844mg(0.73毫 摩）四（三苯基膦)钯(0)加入到该悬浮液中，并将该反应混合物加热回流16小时。冷却之后， 分离去有机相，用200ml水洗涤三次，使用硫酸钠干燥，随后蒸发至干。用乙醇洗涤残余物， 并从乙酸乙酯中重结晶，和最后在减压下干燥。产率是47.6g( 123毫摩），对应于理论值的 84·5%〇
[0377] 化合物4的合成
[0378] 将40.(^(104毫摩）1-溴代-3-([3，1/;5，1〃]三联苯-1-基)苯(3)、29.(^(114毫摩） 联硼酸频那醇酯、29.5g(301毫摩）乙酸钾悬浮在800ml二甲亚砜中。将4.24g(5.2毫摩）1，1-双(二苯基膦基)二茂铁二氯化钯(II)*DCM加入到该悬浮液中，将该反应混合物加热回流16 小时。冷却之后，加入600ml乙酸乙酯和400水，分离去有机相，用200ml水洗涤三次，使用硫 酸钠干燥，和然后蒸发至干。从庚烷中重结晶粗产物，和最后在减压下干燥。产率是34.5g (80毫摩），对应于理论值的46.1 %。
[0379] 实施例2:化合物5至8的合成
[0380] 化合物5的合成
[0381]
[0382] 将74.7g( 150毫摩）双（3，5_二溴苯基）酮、109.7g(900毫摩）苯基硼酸、267.5g (1162毫摩)磷酸三钾一水合物、5.5g(18毫摩)三邻甲苯基膦和673.5mg(3毫摩）乙酸钯（II) 悬浮在600ml甲苯、300ml二驪烷和750ml水的混合物中，并将其加热回流72小时。冷却之后， 分离去有机相，用水洗涤三次，用硫酸钠干燥。然后通过氧化铝过滤该混合物，蒸发到约 200ml，并加入500ml乙醇，因此沉淀出粗产物。用抽吸过滤去固体，并用100mL乙醇洗涤，然 后将其溶于沸腾的甲苯中，和通过加入热乙醇再沉淀。产率是44.0g(90毫摩），对应于理论 值的60.2%。
[0383] 化合物6的合成
[0384]
[0385] 类似于化合物5的合成进行该合成，其中由3-溴联苯代替苯基硼酸。产率是84.3g (89毫摩），对应于理论值的59.3%。
[0386] 化合物7的合成
[0387]
[0388] 类似于化合物5的合成进行该合成，其中由1-溴代-[3，1、5，1〃 ]_三联苯-1-基代 替苯基硼酸。产率是105.3g(96毫摩），对应于理论值的64.0%。
[0389] 化合物8的合成
[0390]
[0391] 类似于化合物5的合成进行该合成，其中由1-溴代;5，1〃]_三联苯-1-基)苯代替苯基硼酸。产率是123.2g(88毫摩），对应于理论值的58.7%。
[0392] 性能的比较
[0394] 如从结果中可见，本发明的化合物8具有与现有技术的可比化合物相同的能级，但 具有显著更高的Tg。
[0395] 实施例3:化合物9至12的合成
[0396] 化合物9的合成
[0397]
[0398] 将 28.0g(50.0 毫摩）螺-9,9/-二芴-2-硼酸、14.78(55.0毫摩）2-氯代-4,6-二苯 基-1，3，5-三嗪和44.6g(210.0毫摩）磷酸三钾悬浮在500ml甲苯、500ml二?烷和500ml水 中。将913mg(3.0毫摩)三邻甲苯基膦，和然后112mg(0.5毫摩）乙酸钯（II)加入到该悬浮液 中，将该反应混合物加热回流16小时。冷却之后，分离去有机相，通过硅胶过滤，用200ml水 洗涤三次，和随后蒸发至干。从甲苯中重结晶残余物，和最后在高真空中升华。产率是38g (41.5毫摩），对应于理论值的95.0%。
[0399] 化合物10的合成
[0400]
[04011 a)合成2-氯代_(4，6-双联苯-3-基)_1，3，5-三嗪
[0402] 将80.2ml正丁基锂在己烷中的2 . OM溶液逐滴缓慢加入到冷却到-78°C的37.3g (160毫摩)3-溴联苯在250ml无水四氢呋喃中的溶液中，将该混合物搅拌15分钟。将该反应 溶液逐滴缓慢加入到冷却到_78°C的10.0g(45毫摩)三聚氰氯在400ml无水四氢呋喃中的溶 液中，移去冷却。当达到室温时，过滤掉沉淀的产物。产率是14.7g(35毫摩），对应于理论值 的 77.8%。
[0403] b)2-(4，6-双联苯-3-基)-1，3，5-三嗪-2-基)螺-9，Y -二芴的合成 [0404]用10.2g( 28.3毫摩）螺-9，Y -二芴-2-硼酸，类似于化合物9进行该合成，其中由 10 · 5g(25 · 0_摩)2_氯代-4，6-双(联苯_3_基)_1，3，5-二嗪代替2-氯代-4，6_二苯基-1，3， 5-三嗪。产率是12.7g( 17.8毫摩），对应于理论值的71.3%。
[0405]化合物11的合成
[0406]
[0407] a)2-氯代-(4,6-双[3,1' ;5，1〃]_三联苯-1-基)-l，3,5-三嗪的合成
[0408]类似于化合物10(步骤1)进行该合成，其中由50.3g(163毫摩H-溴代[3,1' ;5，1〃] 三联苯-1-基代替3-溴联苯基。产率是21. lg(37毫摩），对应于理论值的67.9%。
[0409] b)2-(4,6-双-[3,1' ;5，1〃]_三联苯-1-基)-1，3,5_三嗪-2-基）螺-9,9:二芴的合 成
[0410] 用17.5g(48毫摩）螺-9，Y -二芴-2-硼酸，类似于化合物9进行该合成，其中由 21.068(37毫摩)2-氯代-(4,6-双-[3，1 /;5，1〃]三联苯-1-基)-1，3,5-三嗪代替2-氯代-4， 6-二苯基-1，3，5-三嗪。产率是20.2g(24毫摩），对应于理论值的64.4 %。
[0411] 化合物12的合成
[0412]
[0413] a)2-氯代-4，6-双-(3-( [3，V ; 5，1〃 ]-三联苯-1-基)苯-1-基)-1，3，5-三嗪的合成
[0414] 类似于化合物10(步骤1)进行该合成，其中由43.88g( 143毫摩H-溴代-3-( [3,1、 5，1〃]-三联苯-1-基)苯替代3-溴联苯。产率是6.38(9.0毫摩），对应于理论值的23.3%。
[0415] 13)2-(4,6-双-(3-([3，1/;5，1〃]-三联苯-1-基）苯-1-基)-1，3,5-三嗪-2-基）螺-9 ,Y-二芴的合成
[0416] 用4.07g( 11.3毫摩）螺-9，Y -二芴-2-硼酸，类似于化合物9进行该合成，其中由 6.38(9.0毫摩)2-氯代-4,6-双-(3-([3，1/;5，1〃]-三联苯-1-基)苯-1-基)-1，3,5-三嗪代 替2-氯代-4，6-二苯基-I，3，5-三嗪。产率是4.9g(4.8毫摩），对应于理论值的56.3 %。
[0417]性能的比较
[0419] 如从结果中可见，本发明的化合物12具有与现有技术的可比化合物相同的能级， 但具有显著更高的Tg。
[0420] 实施例4:化合物13至17的合成
[0421 ] ik合物1 3的合成
[0422]
[0423] 将8g(28.2毫摩）12,12-二甲基-10,12-二氢-10-氮杂茚并[2,1-b]芴在保护气体 气氛下溶解在225ml二甲基甲酰胺中，和加入1.5g在矿物油中60%的NaH(37.5毫摩）。在室 温下1小时之后，逐滴加入2-氯代-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(8.5g，31.75毫摩)在75ml二甲 基甲酰胺中的溶液。然后将该反应混合物在室温下搅拌12小时。此后，将该反应混合物倒到 冰上，并用二氯甲烷提取三次。将合并的有机相用硫酸钠干燥并蒸发。用热甲苯提取残余 物。产率是12g(23毫摩），对应于理论值的83%。
[0424] 化合物14的合成
[0425] 将18.6g(64.6毫摩）12,12-二甲基-10,12-二氢-10-氮杂茚并[2,1-b]芴在保护气 体气氛下溶解在400ml二甲基甲酰胺中，和加入3. Ig在矿物油中60%的NaH(77.5毫摩）。在 室温下1小时之后，逐滴加入2，4-双联苯-3-基-6-氯代-1，3，5-三嗪（32.6g，64.6毫摩)在 100mL四氢呋喃中的溶液。将该反应混合物在室温下搅拌12小时。此后，将该反应混合物倒 到冰上，并用二氯甲烷提取三次。将合并的有机相用硫酸钠干燥并蒸发。用热甲苯提取残余 物，从甲苯中重结晶，和最后在高真空中升华。产率是41.5g(61毫摩），对应于理论值的 80% 〇
[0426]
[0427]
[0428]
[0429] 将11.3g(40毫摩）12,12-二甲基-10,12-二氢-10-氮杂茚并[2,1-b]芴在保护气体 气氛下溶解在285ml二甲基甲酰胺中，和加入1.9g在矿物油中60 %的NaH(19毫摩）。在室温 下1小时之后，逐滴加入2-氯代-4，6-双-[I，V ; 3'，1〃 ]三联苯-5'-基-1，3，5-三嗪（25. Ig， 44毫摩)在315ml二甲基甲酰胺中的溶液。将该反应混合物在室温下搅拌12小时。此后，将该 反应混合物倒到冰上，并用二氯甲烷提取三次。将合并的有机相用硫酸钠干燥并蒸发。用热 甲苯提取残余物。产率是23g(28毫摩），对应于理论值的70%。
[0430] 化合物16的合成
[0431]
[0432] 将8.0g(28毫摩）12，12-二甲基-10，12-二氢-10-氮杂茚并[2，Ι-b]芴在保护气体 气氛下溶解在210ml二甲基甲酰胺中，和加入1.4g在矿物油中60 %的NaH(35毫摩）。在室温 下1小时之后，逐滴加入2-氯代-[4,6_双-57-(3-溴苯基ΜΙ,Ι' ，1〃]三联苯-5'-基]-1， 3，5-三嗪（22.5g，31毫摩)在250ml二甲基甲酰胺中的溶液。将该反应混合物在室温下搅拌 12小时。此后，将该反应混合物倒入冰上，并用二氯甲烷提取三次。将合并的有机相用硫酸 钠干燥并蒸发。从庚烷/甲苯中重结晶残余物。产率是12.2g(13毫摩），对应于理论值的 44% 〇
[0433] 化合物17的合成
[0434]
[0435] 将25.(^(42.1毫摩）7-溴代-10-(4,6-二苯基-1，3,5-三嗪-2-基）-12，12-二甲基-10，12-二氢-10-氮杂茚并[2，Ι-b]芴和19.9g 1-频那醇硼酸酯基-3-( [3，V ; 5，1〃 ]三联苯-1-基）苯(46.3毫摩)溶解在80ml甲苯中并脱气。加入281ml脱气的2M碳酸钾和2.4g(2.1毫 摩)Pd(PPh 3)4。随后在保护气体气氛下将反应混合物在80 °C下搅拌48小时。将甲苯加入到冷 却的溶液中，和用水多次洗涤该混合物，将其干燥并蒸发。从庚烷/甲苯中重结晶残余物。产 率是21.8g(26.6毫摩），对应于理论值的63.2%。
[0437] 如从结果中可见，本发明的化合物16和17具有与现有技术的可比化合物相同的能 级，但具有显著更高的Tg。
[0438] 实施例5:化合物18的合成
[0439]
[0440] 将 1.7g(2.0 毫摩)面式三[2-(2-吡啶基-κΝ)(5-溴苯基)kC]铱（III)、7.42g(17 毫 摩）1-频那醇硼酸酯基-3-([3，1/;5，1〃]三联苯-1-基）苯、2.54(12毫摩）磷酸钾悬浮在 100mL甲苯、100mL二!恶烷和Illml水中。将4mg(0.1毫摩）乙酸钯（II)和35mg(0.2毫摩)三邻 甲苯基膦加入到该悬浮液中，和将该反应混合物加热回流24小时。冷却之后，分离去有机 相，用200ml水洗涤三次，通过硅胶过滤，使用硫酸钠干燥，随后蒸发至干。从二f恶烧/乙醇中 重结晶残余物，和最后在减压下干燥。产率是2.42g(l.6毫摩），对应于理论值的80.9%。
L0442j 如从结采中η」见，本友明的化合物18具有与现有扠木的N比化合物（Ir(ppy)3)相 同的能级，但具有显著更高的Tg。
[0443] 实施例6:化合物20至29的合成
[0444]
[0445] 化合物20的合成
[0446] 将52ml(130毫摩）正丁基锂(在正己烷中2.5M)在强烈搅拌、-78°C下，逐滴加入到 30.7g( 100毫摩)4_溴代苯并[a]蒽（19)在1000 ml四氢呋喃中的悬浮液中，并将该混合物搅 拌另外的2小时。将16.7ml(150毫摩)硼酸三甲酯在强烈搅拌下一次性加入到所述红色溶液 中，将该混合物在-78°C下搅拌另外的30分钟，和然后在3小时的时间内温热到室温，加入 300ml水，并将该混合物搅拌30分钟。分离去有机相，和在真空下蒸发至干。将固体溶在 100mL正己烷中，用抽吸过滤，用100mL正己烷洗涤一次，并在真空下干燥。硼酸的产率： 23.7g(87.0毫摩），对应于理论值的87.0%，纯度为约90.0% (NMR)，其具有不同含量的硼酸 酐和硼酸。该硼酸能够以不用另外纯化的形式使用。
[0447] 化合物22的合成
[0448] 将 25. Og (97.2 毫摩）9_ 溴蒽（21)、27.0g( 99.2 毫摩）苯并[a]蒽-4-硼酸（20)和 44.58(210毫摩）磷酸三钾悬浮在5001111甲苯、6001111水和1001111二_烷中。将1.838(6.01毫 摩)三邻甲苯基膦，和然后225mg(I.O毫摩）乙酸钯（II)加入到该悬浮液中，并然后将该混合 物加热回流16小时。冷却之后，分离去有机相，用500ml水洗涤三次，使用硫酸钠干燥，随后 蒸发至干。从300ml甲苯中重结晶该固体，和最后在减压下干燥。产率是26.2g(64.8毫摩）， 对应于理论值的64.8%。
[0449]化合物23的合成
[0450] 将1.3g(8.02毫摩)氯化铁(III)，和然后13.3g(74.7毫摩)N-溴代琥珀酰亚胺加入 到冷却到0°C的26.0g(64.3毫摩)22在600ml氯仿中的悬浮液中，并将该混合物在0°C下搅拌 4小时。在将该混合物温热到室温之后，加入400ml水，和分离有机相，将其用300ml水洗涤三 次，用硫酸钠干燥，和随后蒸发至干。从甲苯中重结晶获得的橙色固体，并最后在减压下干 燥。产率是23.7g(49.0毫摩），对应于理论值的76.6%。
[0451 ]化合物25的合成
[0452] 将10.0g(20.7毫摩)23,2.80g(23.0毫摩)苯基硼酸(24)和8.5g(80.2毫摩)碳酸钠 悬浮在70ml甲苯、56ml水和21ml乙醇中。将240mg(0.208毫摩）四（三苯基膦)钯(0)加入到该 悬浮液中，并随后将该混合物加热回流16小时。冷却之后，用抽吸过滤掉沉淀的固体，将其 用50ml甲苯洗涤三次，用50ml乙醇：水（I: I，V: V)洗涤三次，用100mL乙醇洗涤三次，从DMF (约10ml/g)中重结晶三次，和随后升华两次。产率是6.07g(12.6毫摩），对应于理论值的 61.3%〇
[0453] 化合物27的合成
[0454]
[0455] 用6.0g( 12.4毫摩)化合物23，类似于化合物25进行该合成，其中由2.8g( 14.1毫 摩)联苯-3-硼酸(26)代替化合物24。产率是5.04g(9.05毫摩），对应于理论值的73.0%。
[0456] 化合物28的合成
[0457]
28
[0458] 用3.0g(6.21毫摩)化合物23，类似于化合物25进行该合成，其中由1.87g(6.82毫 摩)3_溴代-[3，ν ;5，1〃]三联苯(2)替代化合物24。产率是3.41g(5.39毫摩），对应于理论值 的 86.8%。
[0459] 化合物29的合成
[0460]
29
[0461] 用2.0g(4.14毫摩)化合物23,类似于化合物25进行该合成，其中由1-溴代-3-( [3， V ;5，1〃]_三联苯-1-基）苯(4)代替化合物24。产率是2.72g(3.84毫摩），对应于理论值的 93.8%〇
[0462] 性能的比较
[0464] 如从结果中可见，本发明的化合物29具有与现有技术的可比化合物相同的能级， 但具有显著更高的Tg。
[0465] 实施例7:有机电致发光器件的制造和表征
[0466] 从溶液中使用本发明的材料，其中它们导致简单然而具有良好性能的器件。基于 已经在文献中（例如在WO 2004/037887A2中）多次描述的聚合物发光二极管(PLED)的制造， 制造这样的组件。在本发明的情况中，将本发明的化合物溶解在甲苯或氯苯中。此处给出实 施例中使用的浓度是20重量％的发光体(T-1或化合物18)和80重量％的基质材料(化合物5 至17)。这种溶液典型的固体含量在16和25克/升之间，如果在所述的范围时，则通过旋涂能 实现对于器件典型的SOnm的层厚度。
[0467] 图1显示了该类型器件的典型结构。EML包括共同溶解的基质材料和形式为无定形 层的发光体。结构化的ITO基底和所谓的缓冲层材料(PED0T，实际上为PED0T:PSS)是市售可 得的（从Technoprint及其它地方获得ΙΤ0,从H.C. Starck获得作为Clevios P水分散体的 PED0T:PSS)。使用的夹层(Merck的HIL-012)用于空穴注入。在惰性气体气氛中，在本发明情 况下为氩气氛中，通过旋涂施加发光层，并通过在160 °C或180 °C下加热10分钟进行干燥。最 后，通过真空气相沉积施加包括钡和铝的阴极。用于上述提到例子中的HBL和ETL层也可以 通过气相沉积施加在EML和阴极之间，并且该夹层也可以由一个或多个层代替，这仅须满足 不被随后的从溶液中沉积EML的处理步骤再次去除的条件。
[0468] 通过标准方法表征所述溶液加工的器件，并且提及的OLED实施例没有被优化。表1 显示了结果。
[0469] 表1:显示于图1中的器件构造的结果
[0471] 从该结果中可见，本发明的化合物8、12、16、17和18代表了优于现有技术可比化合 物在工作电压、寿命和效率方面的明显改进。
[0472] 实施例8:有机电致发光器件的制造和表征_(化合物25、27、28、29)
[0473] 此处给出的实施例中使用的浓度是5重量％的发光体（SEB-095 ,Merck)和95重 量％的基质材料(化合物28和29)。这种溶液典型的固体含量在15克/升之间，如果在所述的 范围时，则通过旋涂能实现对于器件典型的50nm的层厚度。表2显示了器件的结果。
[0474] 表2:器件构造的结果
[0476]由于化合物25和27溶解度差，利用这些基质不可能制造器件。然而，由于溶解度改 进，能够很好地加工化合物28和29。从表2可见，本发明的化合物29代表了优于现有技术可 比化合物在寿命和效率方面的明显改进。
【主权项】
1.通式(I)的官能化合物 其中A是官能结构要素， B是溶解度促进结构要素，和 k是在1至20范围内的整数， 其特征在于 所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，和 所述溶解度促进结构要素 B符合通式(L-I)其中 ΑΛΑγ2各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型的基 团R取代， X在每种情况下彼此独立地是Ν或CR2，优选CH， R1、!?2各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基 团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者是甲硅 烷基，或具有1至40个C原子取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至 40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团（-CN)，氨基甲酰基基团（-C( = Ο)ΝΗ2)，卤代甲酰基 基团（_C(=0)_X，其中X代表卤素原子），甲酰基基团（_C(=0)_H)，异氰基基团，异氰酸酯基 团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF 3基团，Cl，Br，F，可交联的基 团或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳 氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R 1和/或R2中的一个或多个可以彼此之 间和/或与基团R1键合到其上的环形成单或多环的脂族或芳族环系;和 1 是0、1、2、3或4; 其中虚线键表示与所述官能结构要素 A结合的键； 其中通式(A-Ι)的化合物除外，其中以下适用于使用的符号： R5在每次出现时相同或者不同地是氢，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，它们可被一个或多个基团R6取代，或N(Ar)2、Si(Ar)3、C(=0)Ar、0Ar、ArS0、ArS0 2、P (Ar)2、P(0)(Ar)2 或 B(Ar)2 基团， R6在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CH0，N(Ar)2，C(=0)Ar，P(=0) (Ar)2，S(=0)Ar，S(=0)2Ar，CR7 = CR7Ar，CN，N02，Si(R8)3，B(0R8)2，B(R 8)2，B(N(R8)2)2， OS〇2R8,具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子 的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R 8取 代，其中一个或多个非相邻的 CH2 基团可被 R8C = CR8、C^c、Si(R8)2、Ge(R8) 2、Sn(R8)2、C = 0、C =3、〇 = 36、0 =冊8、？（=0)(妒）、30、302、顺8、0、3或0)冊 8代替，和其中一个或多个!1原子可被 F、C1、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情 况下可以被一个或多个基团R8取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团， 它们可被一个或多个基团R 8取代，或这些体系的组合； R7在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，或具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具 有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团；此处多个基团R7可以彼此形成环系； R8在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族 烃基团，其中另外，Η原子可被F代替;和 Ar在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它 们可以被一个或多个非芳族基团R6取代;此处键合至同一氮、磷或硼原子上的两个基团Ar 也可以通过单键或选自 B(R8)、C(R8)2、Si(R8)2、C = 0、C = NR8、C = C(R8)2、0、S、S = 0、S02、N (R8)、P(R8)和P( =0)R8的桥连基彼此连接。2. 根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于所述分子量至少为900g/摩尔。3. 根据权利要求1或2所述的有机化合物，其特征在于通式(I)中的标记k至少为3。4. 电子器件，其含有根据权利要求1至3中的一项或多项所述的有机化合物，或使用包 含至少一种溶剂和至少一种通式(I)官能化合物的制剂能够得到的有机化合物。5. 根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于所述有机化合物作为空穴传输、空穴注 入、发光体、电子传输、电子注入、电荷阻挡和/或电荷产生层存在于所述器件中。6. 根据权利要求4或5所述的电子器件，其特征在于所述电子器件是有机电致发光器件 (OLED)、聚合物电致发光器件(PLED)、有机集成电路(0-IC)、有机场效应晶体管(0-FET)、有 机薄膜晶体管(Ο-TFT)、有机发光晶体管(0-LET)、有机太阳能电池(Ο-SC)、有机光学探测 器、有机光感受器、有机场猝媳器件(0-FQD)、发光电化学电池(LEC)或有机激光二极管(〇-laser)〇7. -种用于制造根据权利要求4至6中的一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在 于将包含至少一种溶剂和至少一种通式(I)官能化合物的制剂施加到基底上，和然后干燥。
【文档编号】H01L51/46GK106058048SQ201610365619
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2010年9月15日
【发明人】雷米·马努克·安米安, 苏珊·霍伊恩, 托马斯·埃伯利, 菲利普·施特塞尔
【申请人】默克专利有限公司