一种像素bank及其制作方法、发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管，其中，像素bank的制作方法包括步骤：A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
【专利说明】
一种像素bank及其制作方法、发光二极管
技术领域
[0001]本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种像素bank及其制作方法、发光二极管。
【背景技术】
[0002]在信息社会时代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
[0003]有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点;量子点发光二极管(QLED)光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，上述两种发光二极管成为了目前显示领域发展的两个主要方向。
[0004]目前，不论是OLED还是QLED，用作显示面板的发光像素单元时，都需要在像素单元制作像素bank(像素界定层)，以定义发光区以及沉积各功能薄膜。
[0005]若采用传统的蒸镀工艺或者湿法工艺制作OLED或QLED，像素bank—般要求具有小角度倾斜结构，有利于后期膜层的沉积。像素bank—般采用光阻材料制备，负性光阻材料由于其成本相对于正性光阻材料要低，从降低成本的角度考虑，一般会采用负性光阻来制作像素bank。然而采用负性光阻制作像素bank时，容易形成倒角，如图1所示，先在基板100上依次沉积透明像素电极薄膜110和负性光阻薄膜120，然后依次进行曝光(结合曝光掩膜130进行曝光)、显影和后烘形成像素bank 140，其中，负性光阻曝光时，由于上层薄膜接收的曝光量相对要大于下层薄膜、因此曝光显影后容易形成倒角，经过后烘工艺后，与基板100接触的下层薄膜会软化重排，形成小角度倾斜结构，但上表面的倒角很难完全去除。而倒角的存在，在后期的薄膜沉积过程中，尤其是蒸镀顶电极时，容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低广品良率。
[0006]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0007]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，旨在解决现有像素bank上表面存在倒角、导致容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率的问题。
[0008]本发明的技术方案如下:
一种像素bank的制作方法，其中，包括步骤:
A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank;
D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角； E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
[0009]所述的像素bank的制作方法，其中，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。
[0010]所述的像素bank的制作方法，其中，所述导电金属氧化物薄膜为IT0、FT0或AZO薄膜。
[0011]所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。
[0012]所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜的厚度为20_40nm。
[0013]所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤A之前还包括:
对所述基板进行清洗。
[0014]所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤D中，后烘温度为220°0240°C。
[0015]一种像素bank，其中，采用如上所述的制作方法制成。
[0016]一种发光二极管，其中，采用如上所述的像素bank。
[0017]所述的发光二极管，其中，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管.有益效果:本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
【附图说明】
[0018]图1为现有技术中像素bank的制作流程图。
[0019]图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图。
[0020]图3为本发明一种像素bank的制作流程图。
【具体实施方式】
[0021]本发明提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0022]请参阅图2，图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤:
51、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
52、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
53、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank;
54、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
55、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
[0023]具体来说，如图3所示，首先在步骤SI中，在基板200上依次沉积透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220;
所述透明像素电极薄膜210优选为导电金属氧化物薄膜，例如，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜等。
[0024]所述反射金属薄膜220优选为Al或Ag薄膜等，其具有高光学反射特性，所述反射金属薄膜220的厚度优选为20-40nm，例如25nm。其中，反射金属薄膜220的沉积方式为热蒸镀或溅射，优选热蒸镀方式，蒸镀速度0.05?2 nm/s。
[0025]在沉积完上述透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220之后，进行图案化处理。
[0026]另外，在所述步骤SI之前还包括:
对所述基板100进行清洗。先依次置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，各步处理可持续15分钟左右。所述基板100可以是玻璃基板或柔性基板。
[0027]在所述步骤S2中，在图案化的反射金属薄膜220上沉积负性光阻薄膜230，所述负性光阻薄膜230用于后续制作像素bank。然后利用曝光掩膜240进行曝光。在曝光过程中，负性光阻薄膜230由于会吸收光子，因此，负性光阻薄膜230上表面经受的曝光量相对大于下表面经受的曝光量，但由于透明像素电极薄膜210上有一层反射金属薄膜220，所述反射金属薄膜220会反射未被负性光阻薄膜230完全吸收的光子，从而对负性光阻薄膜230进行第二次曝光，第二次曝光的方向是由下而上，这样在第二次曝光的过程中负性光阻薄膜230下表面的曝光量大于上表面的曝光量，这样既可实现弱化以致消除负性光阻薄膜230上下两表面曝光量的差异。
[0028]在所述步骤S3中，对负性光阻薄膜230进行显影，形成像素bank250。由于负性光阻薄膜230上下表面经受的曝光量差异较小，显影后形成的像素bank 250，其形成接近于90°的直角结构，而不会出现倒角现象。其中，显影用的显影液可以为标准的2.38%TMAH(四甲基氢氧化铵)，显影时间为30-90 S0
[0029]在所述步骤S4中进行后烘，由于后烘温度较高，接近基板100表面的像素bank250会软化重排，形成倾斜角。具体地，后烘温度为220°0240°(:，例如后烘温度为230°C，后烘时间为20?30 min，例如优选为30min，在上述条件下，像素bank 250重排后可形成开口扩张的倾斜角，且角度适宜。
[0030]在所述步骤S5中，以像素bank250为掩膜对反射金属薄膜220进行刻蚀，最终露出透明像素电极薄膜210。
[0031 ]本发明还提供一种像素bank，其采用如上所述的制作方法制成。
[0032]本发明还提供一种发光二极管，其采用如上所述的像素bank。
[0033]进一步，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管
综上所述，本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
[0034]应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种像素bank的制作方法，其特征在于，包括步骤: A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理； B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光； C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank; D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角； E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。2.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。3.根据权利要求2所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜。4.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。5.根据权利要求4所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜的厚度为20_40nm。6.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括: 对所述基板进行清洗。7.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述步骤D中，后烘温度为.220°0240°C。8.—种像素bank，其特征在于，采用如权利要求1?9任一项所述的制作方法制成。9.一种发光二极管，其特征在于，采用如权利要求8所述的像素bank。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管。
【文档编号】H01L51/56GK106058079SQ201610683398
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月18日
【发明人】陈亚文
【申请人】Tcl集团股份有限公司