半导体元件安装用封装体的制造方法以及脱模膜的制作方法

半导体元件安装用封装体的制造方法以及脱模膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供使用模具制造具备具有用于安装半导体元件的安装面的基材和具有由固化性树脂构成并围住所述安装面的框状部的封装体主体、由安装面和封装体主体形成了凹部的半导体元件安装用封装体时，不产生基材凹陷和损伤以及从模具脱模不良的情况、能够防止树脂飞边的制造方法，以及适用于该制造方法的脱模膜。在具有形状与半导体元件安装用封装体的凹部对应的凸部的上模具中配置整体厚度大致一定的脱模膜，在下模具中配置基材，将所述上模具和所述下模具合模，使所述凸部和所述基材的所述安装面通过所述脱模膜密合，在形成于所述上模具和所述下模具之间的空间内充满固化性树脂并使之固化，该固化物与基材同时从模具脱模。
【专利说明】
半导体元件安装用封装体的制造方法从及脱模膜
技术领域
[0001] 本发明设及半导体元件安装用封装体的制造方法、W及用于所述制造方法的脱模 膜。
【背景技术】
[0002] 近年来，已知为了实现低成本化，在搭载固体摄像元件和MEMS(微机电系统， Micro-Electro-Mechanical Systems)等半导体元件的中空结构的半导体封装体（W下称 作"中空封装体"）的封装体基底(封装体主体）中采用树脂。另外，作为封装体结构，DIP(双 列直插式封装，Dual Inline化ckage)为主流，但是近年来开始采用表面安装型的SOP(小 轮廓封装，Small Outline F*ackage)和QFP(四方形扁平封装，如ad Flat Package)，进一步 也开始了SON(小轮廓无引脚封装，Small Outline Non leaded Package)、QFN(四方形扁平 无引脚封装，如ad Flat Non Leaded化ckage)等无引脚化封装结构的探讨。运是由于针对 中空封装体具有小型化、薄型化的要求，中空封装体的面安装技术的探讨也正在进展。
[0003] 作为中空封装体，例如已知有在具有用于安装半导体元件的安装面的基材（印刷 电路基板、引脚框等)上形成具备用固化性树脂围住所述安装面的框状部的封装体主体，将 由所述安装面和框状部形成的凹部的开口用盖体覆盖的类型。
[0004] 作为所述中空封装体的制造方法，有如下方法:如图12所示，将在型腔面上具有与 所要形成中空的部分的形状对应的凸部200的上模具202的凸部200直接按压在配置于下模 具204的金属制的引脚框206的所要露出的部分，W该状态在上模具202和下模具204之间的 空间内填充树脂208来成形(传递成形）（例如专利文献1)。
[0005] 但是，该方法中，凸部200和引脚框206之间的密合性差，填充后的树脂208容易进 入凸部200和引脚框206之间，容易产生所谓的"树脂飞边"。特别地，由于引脚框206的厚度 存在偏差，可能会发生引脚框206上一部分部位不产生树脂飞边、但是其他部位容易产生飞 边的情况。如果为了防止树脂飞边而提高紧固压力，则会产生引脚框206发生凹陷、损伤等 其他问题。
[0006] 作为中空封装体的另一种制造方法，提出了使用型腔面平坦的上模具替代型腔面 具有凸部200的上模具202、在该型腔面上配置一体形成有与所要形成中空的部分的形状对 应的凸部的脱模膜、将所述凸部按压在引脚框的所要露出的部分来实施传递成形的方法 (专利文献2)。该方法中，脱模膜的凸部的弹性模量低于模具，因此能够轻度按压于引脚框， 能够防止树脂飞边和损伤。
[0007] 但是，该方法中由于需要在脱模膜上一体形成凸部的工序而较为繁杂。不仅如此， 由于凸部由树脂形成，凸部高度的偏差大，存在产生树脂飞边的部位和不产生树脂飞边的 部位。如果为了防止树脂飞边而提高紧固压力，则如图13所示，脱模膜210的凸部212的前端 变形，伸出至填充树脂208的空间一侧。如果在该状态下实施传递成形，则伸出的部分侵入 封装体主体，引起封装体主体的脱模不良。而且，封装体主体的形状也不良。
[000引作为中空封装体的另一种制造方法，提出了如下方法:如图14所示，在引脚框206 的所要露出的部分的周围预先用树脂形成拦截体214,将上模具202的凸部200按压于该拦 截体214来进行传递成形(专利文献3)。该方法中，利用拦截体214,则树脂208不会泄漏至引 脚框206的所要露出的部分一侧。
[0009] 但是，该方法中，在加工引脚框206时需要形成拦截体214的额外的工序，不仅工序 繁杂，而且如果拦截体214的高度存在偏差，则会形成产生树脂飞边的部位。
[0010] 现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1:日本专利特开2006-128354号公报
[0013] 专利文献2:日本专利特开2007-81307号公报
[0014] 专利文献3:日本专利特开2010-10227号公报

【发明内容】

[001引发明所要解决的技术问题
[0016] 本发明的目的在于提供使用模具制造具备具有用于安装半导体元件的安装面的 基材和包含由固化性树脂构成并围住所述安装面的框状部的封装体主体、由所述安装面和 所述封装体主体形成了凹部的半导体元件安装用封装体时，不产生基材凹陷和损伤W及从 模具脱模不良、能够防止树脂飞边的制造方法，W及适用于该制造方法的脱模膜。
[0017] 解决技术问题所采用的技术方案
[0018] 本发明提供使具有W下[1]~[10]的构成的半导体元件安装用封装体的制造方法 W及脱模膜。
[0019] [1]半导体元件安装用封装体的制造方法，它是使用具备上模具和下模具的模具 来制造具备具有用于安装半导体元件的安装面的基材和具有由固化性树脂的固化物构成 并围住所述安装面的框状部的封装体主体、且由所述安装面和所述封装体主体形成了凹部 的半导体元件安装用封装体的方法，其中，包括
[0020] 在具有形状与所述凹部对应的凸部的上模具中配置整体厚度大致一定的脱模膜、 在下模具中配置所述基材、将所述上模具和所述下模具合模、使所述凸部和所述基材的所 述安装面通过所述脱模膜密合的工序，和
[0021] 在形成于所述上模具和所述下模具之间的空间内充满固化性树脂、使所述固化性 树脂固化的工序，和
[0022] 使所述固化性树脂的固化物与所述基材同时从所述模具脱模的工序。
[0023] [2] [1]所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其中，所述脱模膜具有在所 述固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的第一层、和第二层，
[0024] 所述第一层的厚度为3~25μπι，且180°C时的拉伸储能模量为10~50MPa，
[00巧]所述第二层的180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为2000~13000。
[0026] [3][2]所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其中，所述第一层的厚度为5 ~1化m，
[0027] 所述第二层的180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为3,000~8,000。
[0028] [4][2]或[3]所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其中，所述脱模膜还具 有在所述固化性树脂的固化时与模具接触的第Ξ层，
[0029] 所述第Ξ层的厚度为3~25μπι，且25°C时的拉伸储能模量相对于第一层的25°C时 的拉伸储能模量之比（第Ξ层的25Γ时的拉伸储能模量/第一层的25Γ时的拉伸储能模量） 为0.5~2。
[0030] [5]脱模膜，它是用于[1]所述的半导体元件安装用封装体的制造方法的脱模膜， 其中，
[0031] 具有在所述固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的第一层、和第二层，
[0032] 所述第一层的厚度为3~25μπι，且180°C时的拉伸储能模量为10~50MPa，
[0033] 所述第二层的180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为2000~13000。
[0034] [6][引所述的脱模膜，其中，所述第一层的厚度为5~12皿，
[00巧]所述第二层的180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为3000~8000。
[0036] [7][5]或[6]所述的脱模膜，其中，还具有在所述固化性树脂的固化时与模具接触 的第Ξ层，
[0037] 该第Ξ层的厚度为3~25μπι，且25°C时的拉伸储能模量相对于第一层的25°C时的 拉伸储能模量之比（第Ξ层的25Γ时的拉伸储能模量/第一层的25Γ时的拉伸储能模量)为 0.5 ~2〇
[0038] [引[5]~[7]中任一项所述的脱模膜，其中，构成所述第一层的树脂选自氣树脂、 聚苯乙締、和烙点在200°CW上的聚締控中的至少一种。
[0039] [9][5]~[引中任一项所述的脱模膜，其中，构成所述第二层的树脂选自非拉伸聚 酷胺、双轴拉伸聚酷胺、聚对苯二甲酸下二醇醋、聚对苯二甲酸乙二醇醋、和易成形聚对苯 二甲酸乙二醇醋中的至少一种。
[0040] [10][引~[9]中任一项所述的脱模膜，其中，构成所述第Ξ层的树脂选自氣树脂、 氣树脂、丙締酸橡胶、热固化性有机娃、聚醋、聚酷胺、聚苯乙締、乙締/乙締醇共聚物和烙点 在200°CW上的聚締控中的至少一种。
[0041] 发明效果
[0042] 如果利用本发明，则在使用模具制造具备具有用于安装半导体元件的安装面的基 材和包含由固化性树脂构成并围住所述安装面的框状部的封装体主体、由所述安装面和所 述封装体主体形成了凹部的半导体元件安装用封装体时，即使配置于模具的下模具的基材 (引脚框等）的安装面的高度不同、或上模具的凸部的高度不同，也能通过配置于上模具的 凸部的脱模膜来抵消运些不同，能够抑制整个安装面上的树脂飞边。也能通过不在基材上 产生凹陷和损伤的程度的弱的紧固压力来充分抑制树脂飞边。
[0043] 因此，利用本发明，则能够简便且稳定地制造基材上无凹陷和损伤、基材的整个安 装面上无树脂飞边的半导体元件安装用封装体。
【附图说明】
[0044] 图1是通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法而得的半导体元件安装 用封装体的一个示例的简要剖视图。
[0045] 图2是图1所示的半导体元件安装用封装体的立体图。
[0046] 图3是通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法而得的半导体元件安装 用封装体的另一个示例的简要剖视图。
[0047] 图4是本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式中采用的模 具的一个示例的剖视图。
[0048] 图5是表示本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式的工序 (曰1)的示意剖视图。
[0049] 图6是表示本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式的工序 (曰2)的示意剖视图。
[0050] 图7是表示本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式的工序 (曰3)的示意剖视图。
[0051] 图8是表示本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式的工序 (曰4)的示意剖视图。
[0052] 图9是表示本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式的工序 (曰5)的示意剖视图。
[0053] 图10是表示本发明的脱模膜的第1实施方式的简要剖视图。
[0054] 图11是表示本发明的脱模膜的第2实施方式的简要剖视图。
[0055] 图12是说明W往的中空封装体的制造方法的一个示例的简要剖视图。
[0056] 图13是说明W往的中空封装体的制造方法的另一个示例W及问题点的简要剖视 图。
[0057] 图14是说明W往的中空封装体的制造方法的另一个示例的简要剖视图。
【具体实施方式】
[0058] 本说明书中，W下术语分别表示下述含义。
[0059] 树脂的"单元"表示构成该树脂的构成单元(单体单元）。
[0060] "氣树脂"表示结构中含有氣原子的树脂。
[0061] 脱模膜的厚度、构成多层结构的脱模膜的层(第一层、第二层等）的厚度、18(TC时 的拉伸储能模量分别通过实施例中记载的方法进行测定。
[0062] 算术平均粗糖度(Ra)是根据JIS B0601:2013(IS04287:1997，Amd. 1:2009)测定的 算术平均粗糖度。粗糖度曲线用的基准长度lr(截断值Ac)设定为0.8mm。
[0063] 〔半导体元件安装用封装体的制造方法）
[0064] 本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法是使用具备上模具和下模具的模 具来制造具备具有用于安装半导体元件的安装面的基材和具有由固化性树脂形成并围住 所述安装面的框状部的封装体主体、由所述安装面和所述封装体主体形成了凹部的半导体 元件安装用封装体的方法，其中，具有
[0065] 在具有形状与所述凹部对应的凸部的上模具中配置整体厚度大致一定的脱模膜、 在下模具中配置所述基材、将所述上模具和所述下模具合模、使所述凸部和所述基材的所 述安装面通过所述脱模膜密合的工序，和
[0066] 在形成于所述上模具和所述下模具之间的空间内充满固化性树脂、使所述固化性 树脂固化的工序，和
[0067] 使所述固化性树脂的固化物与所述基材同时从所述模具脱模的工序。
[0068] (半导体元件安装用封装体）
[0069] 通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法来而制造的半导体元件安装 用封装体不限于具备所述基材和所述封装体主体的半导体元件安装用封装体，可从公知的 半导体元件安装用封装体中进行适当选择。
[0070] 图1是通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法制造的半导体元件安装 用封装体的一个示例的简要剖视图。图2是图1所示的半导体元件安装用封装体的立体图。
[0071] 半导体元件安装用封装体110具备基材10、由固化性树脂形成的封装体主体12。基 材10是印刷电路基板，具有安装半导体元件的安装面10a。基材10在安装面10a上具有内引 脚(未图示），在与安装面10a侧相反一侧的表面具有外引脚(未图示），内引脚和外引脚电连 接。封装体主体12是围住安装面10a的框状部。
[0072] 半导体元件安装用封装体110中，通过基材10和封装体主体12形成有用于搭载半 导体元件的凹部14。将半导体元件配置于半导体元件安装用封装体110的凹部14的底面(安 装面10a)，将半导体元件与内引脚电连接，用盖体覆盖凹部14的开口，藉此得到具有中空部 的封装体的所述中空部中搭载了半导体元件的半导体装置。
[0073] 图3是通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法制造的半导体元件安装 用封装体的另一个示例的简要剖视图。
[0074] 半导体元件安装用封装体120具备基材16和由固化性树脂形成的封装体主体18。 基材16是引脚框，具有内引脚16a、外引脚16b、垫料片旧文：歹八、VK)16c，内引脚16a和 外引脚16b电连接。
[0075] 封装体主体18具有围住基材16的安装面（内引脚16a的上表面W及垫料片16c的上 表面)的框状部18a和底部18b。
[0076] 半导体元件安装用封装体120中，通过基材16的内引脚16a和垫料片16c W及封装 体主体18的底部18b和框状部18a形成了用于搭载半导体元件的凹部20。
[0077] 将半导体元件配置于半导体元件安装用封装体120的凹部20的底面(垫料片16c的 上表面），将半导体元件与内引脚16a电连接，用盖体覆盖凹部20的开口，藉此得到具有中空 部的封装体的所述中空部中搭载有半导体元件的半导体装置。
[0078] 作为安装于半导体元件安装用封装体的半导体元件，例如可例举各种传感器等。
[0079] (第1实施方式）
[0080] 作为本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的一种实施方式，针对通过传 递成形法制造图1所示的半导体安装用封装体110的情况进行详细说明。本发明的实施方式 的半导体元件安装用封装体的制造方法具有下述工序(α1)~(曰6)。
[0081] (α1)在具备具有型腔且型腔面具有多个凸部的上模具、和具有用于设置基材的基 材设置部的下模具的模具的所述上模具中配置整体厚度大致一定的脱模膜W覆盖所述上 模具的型腔的工序。
[0082] (α2)将所述脱模膜真空吸附于所述上模具的型腔面侧的工序。
[0083] (α3)在所述下模具的基材设置部中，将具有多个安装面的基材W与所述多个安装 面相反的一侧朝向下模具侧的方式进行配置，将上模具和下模具合模，所述基材的多个安 装面通过所述脱模膜分别与所述上模具的多个凸部密合的工序。
[0084] (α4)在所述上模具和所述下模具之间的空间内填充固化性树脂并使之固化，藉此 得到具备所述基材与所述固化性树脂的固化物的结构体的工序。
[0085] (α 5)从所述模具内取出所述结构体的工序。
[0086] (α6)将所述结构体的基材和固化物切割W使所述多个安装面分离，藉此得到半导 体元件安装用封装体110的工序。
[0087] 模具；
[0088] 作为第1实施方式中的模具，例如可例举如图4所示的具有上模具50和下模具52的 模具。上模具50中形成有型腔54和向型腔54中导入固化性树脂40的凹状的树脂导入部60。 型腔54的形状与工序(α4)中在基材上形成的固化物的形状对应，上模具50的型腔面形成有 多个形状与半导体元件安装用封装体110的凹部14的形状翻转的凸部56。
[0089] 下模具52中形成有设置基材的基材设置部58、和配置固化性树脂的树脂配置部 62。另外，在树脂配置部62内设置有将固化性树脂向上模具50的树脂导入部60挤出的柱塞 64。
[0090] 工序(α1):
[0091] 如图5所示，配置脱模膜30W覆盖上模具50的型腔54。脱模膜30优选W覆盖型腔54 和树脂导入部60的整体的方式进行配置。脱模膜30通过放卷漉（图示略)和收卷漉（图示略） 被拉伸，W被拉伸的状态配置来覆盖上模具50的型腔54。
[0092] 作为脱模膜30,使用整体厚度大致一定的膜。整体厚度大致一定是指，按照 IS04591:1992(利用JIS Κ7130:1999的A法、机械扫描法测定厚度的方法)进行测定的、在膜 的走向和与走向方向垂直的方向上在Im的长度内测定时的厚度的最大值和最小值的差值 相对于最大值和最小值各自的平均值在15% W内。关于脱模膜30在之后进行详细说明。
[0093] 工序(α2):
[0094] 如图6所示，通过在上模具50的型腔54的外部形成的沟（图示略)抽真空，对上模具 50和脱模膜30之间的空间（上模具50的型腔面及树脂导入部60的内壁和脱模膜30之间的空 间)进行减压，将脱模膜30拉伸而使之变形，从而真空吸附于上模具50的型腔面。
[00Μ]另外，根据高溫环境下的脱模膜30的机械强度、厚度及型腔54的形状，脱模膜30不 一定密合于型腔面。如图6所示，在工序(α2)的真空吸附阶段中，也可在脱模膜30和型腔面 之间残留少量的空隙。
[0096] 工序(α3):
[0097] 如图7所示，将具有多个安装面(未图示）的基材10Α设置于基材设置部58并将上模 具50和下模具52合模，基材10Α的多个安装面分别通过脱模膜30与上模具50的多个凸部56 密合。另外，在树脂配置部62的柱塞64上预先配置固化性树脂40。
[0098] 将上模具50和下模具52合模时的紧固压力为W下程度的压力:夹持于凸部56和基 材10Α之间的脱模膜30不会过度变形而伸入至型腔54侧。藉此，能够防止伸入至脱模膜30的 型腔54侧的部分呈现侵入固化性树脂40的固化物的状态并防止引起固化物的脱模不良。另 夕h能够防止基材10Α的安装面的凹陷和损伤。
[0099] 紧固压力具体优选为10~80吨，特别优选为20~70吨。单位面积的压力优选为25 ~200MPa，特别优选为50~175MPa。
[0100] 本发明所用的脱模膜30的整体厚度大致一定，因此与所述的专利文献2所示的使 用凸部为一体成形的脱模膜的情况相比，即使紧固压力高也不易发生上述的凸部伸入现 象。在基材10A不产生凹陷和损伤的范围内，如果紧固压力高，则防止树脂飞边的效果优良。
[0101] 作为固化性树脂40,使用半导体封装体的制造中所用的各种固化性树脂即可。优 选环氧树脂、有机娃树脂等热固化性树脂，特别优选环氧树脂。作为环氧树脂，例如可例举 住友电木株式会社（住友八一夕弓斗14王）审揃スミ3シEME G770H型F ver.GR、长懒凯姆泰 克斯株式会社（十方电ク厶テッ夕ス社）制的T693/R4719-SP10等。作为有机娃树脂的市售 品，可例举信越化学工业株式会社(信越化学工業社)制的LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
[0102] 固化性树脂40也可含有炭黑、烙融二氧化娃、结晶二氧化娃、氧化侣、氮化娃、氮化 侣等。
[0103] 工序(α4):
[0104] 如图8所示，上推下模具52的柱塞64,通过树脂导入部60向型腔54内填充固化性树 月旨40。接着，对模具加热，使固化性树脂40固化。
[0105] 工序(α4)中，通过向型腔54内填充固化性树脂40,利用树脂压力进一步将脱模膜 30推向上模具50的型腔面侧，通过拉伸变形而密合于型腔面56。因此，形成的固化物的形状 是与型腔54的形状对应的形状。
[0106] 使固化性树脂40固化时的模具的加热溫度、即固化性树脂40的加热溫度优选为 100~185°C，特别优选140~175°C。如果加热溫度在上述范围的下限值W上，则半导体元件 安装用封装体110的生产性得到提高。如果加热溫度在上述范围的上限值W下，则固化性树 脂40的劣化得到抑制。从抑制由固化性树脂40的热膨胀率引起的其固化物的形状变化的方 面考虑，在特别要求半导体元件安装用封装体110的保护的情况下，优选W上述范围内的尽 量低的溫度进行加热。
[0107] 填充固化性树脂40时的树脂压力优选2~30MPa，特别优选3~lOMPa。树脂压力如 果在上述范围的下限值W上，则不容易产生固化性树脂40的填充不足等缺点。如果树脂压 力在所述范围的上限值W下，则容易获得品质优良的半导体元件安装用封装体110。固化性 树脂40的树脂压力可通过柱塞64进行调整。
[010引 工序(α5):
[0109] 如图9所示，将工序(α4)中形成的结构体110Α从模具中取出。
[0110] 结构体110Α具备基材10Α和在型腔54内固化的固化性树脂40的固化物12Α。将结构 体110Α从模具取出时，结构体110Α的固化物12Α附着有在树脂导入部60内固化的固化性树 脂40的固化物19。从模具取出结构体110Α后，将该固化物19切除。
[0111] 工序(α4)中填充固化性树脂40时，基材10Α的安装面与脱模膜30密合，因此不与固 化性树脂40接触。因此，W分别围住基材10Α的多个安装面的方式形成固化物12Α，基材10Α 的多个安装面分别露出。因此，结构体110Α中，通过基材10Α和分别围住其多个安装面的固 化物12Α形成有多个凹部14。
[0112] 工序(α6):
[011引将工序(α5)中所得的结构体110Α的基材10Α和固化物12Α切割(单片化），W使结构 体110A的多个凹部14分离。藉此，得到具备具有至少一个安装面10a的基材10和围住所述安 装面10a的框状的封装体主体12的半导体元件安装用封装体110。
[0114]单片化可通过公知的方法实施，例如可例举切割法（日文：歹斗シシ少法）。切割法 是使切割刀片旋转的同时将对象物切断的方法。作为切割刀片，典型的是使用将金刚石粉 烧结在圆盘的外周而得的旋转刀片(金刚石切割器）。利用切割法的单片化例如可通过W下 方法实施:通过夹具将切断对象物(结构体IlOA)固定在处理台上，W切断对象物的切断区 域与所述夹具之间具有切割刀片的插入空间的状态使切割刀片行进。
[0115] 工序(α6)中也可包含如下工序:在如前所述将切断对象物切断的工序(切断工序） 之后，从配置于远离覆盖所述切割刀片的壳体的位置的喷嘴向所述切断对象物供给液体的 同时使所述处理台移动而除去异物的工序。
[0116] W上，针对本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的第1实施方式进行了 说明，但是本发明不限于上述实施方式。上述实施方式中的各种构成及其组合等是一种示 例，只要在不脱离本发明的思想的范围内，可进行构成的增加、省略、替换W及其他变更。
[0117] 例如，将结构体110Α从脱模膜30剥离的时机不限于从模具取出结构体110Α时，也 可W同时从模具取出脱模膜和结构体110Α，之后再从结构体110Α剥离脱模膜。
[0118] 设置于下模具52的基材10所具有的安装面的数量也可W是一个。运种情况下，也 可不实施工序(曰6)。
[0119] 基材10具有多个安装面的情况下，多个安装面各自之间的距离既可均一也可不均 一。另外，多个安装面各自的形状可相同也可不同。
[0120] 工序(α6)之后(或工序(α6)之前且在在工序(α5)之后），也可实施在封装体主体12 (或固化物12Α)的表面涂布油墨、形成油墨层的工序W表示任意信息。
[0121] 作为通过油墨层表示的信息，无特别限制，可例举序列号、制造商相关信息和零件 的类别等。作为油墨无特别限制，可从公知的油墨中适当选择。
[0122] 油墨的涂布方法无特别限制，例如可使用喷墨法、丝网印刷、从橡胶版转印等各种 印刷方法。
[0123] 作为油墨层的形成方法，从固化速度快且封装体上的渗漏少、或未施W热风而封 装体的位置偏移少等观点考虑，优选使用光固化性油墨、通过喷墨法使该油墨附着于封装 体主体12的表面、利用光照使该油墨固化的方法。
[0124] 典型的光固化性油墨是使用含有聚合性化合物(单体、低聚物等）的材料的油墨。 根据需要，油墨也可含有颜料和染料等着色材料、液体介质（溶剂或分散介质）、阻聚剂、光 聚合引发剂、其他各种添加剂等。作为其他添加剂，例如可例举增滑剂、聚合促进剂、浸透促 进剂、润湿剂(保湿剂）、定影剂、防霉剂、防腐剂、抗氧化剂、福射吸收剂、馨合剂、抑调整剂、 增粘剂等。
[0125] 作为使光固化性油墨固化的光，可例举紫外线、可见光、红外线、电子射线、放射线 等。
[0126] 作为紫外线的光源，可例举灭菌灯、紫外线用巧光灯、碳弧灯、氣灯、复印用高压水 银灯、中压或高压水银灯、超高压水银灯、无电极灯、金属面化物灯、紫外线发光二极管、紫 外线激光二极管、自然光等。
[0127] 光照可在常压下进行，也可在减压下进行。此外，可在空气中进行，也可在氮气气 氛、二氧化碳气氛等惰性气体气氛中进行。
[0128] 另外，通过本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法制造的半导体元件安装 用封装体不限于半导体元件安装用封装体110。例如也可W是半导体元件安装用封装体 120。
[0129] 除了使用基材16代替基材10、使凸部56的形状与凹部20吻合之外，能够与第1实施 方式同样地制造半导体元件安装用封装体120。
[0130] 〔脱模膜）
[0131] 本发明的脱模膜30可W是单层结构的脱模膜，也可W是多层结构的脱模膜。
[0132] 对于本脱模膜30,要求具备脱模性、能够耐受成形时的模具的溫度(通常是150~ 180°C)的耐热性、能够耐受密封树脂的流动及加压力的机械强度。
[0133] 在单层结构的膜的情况下，作为脱模膜30,从脱模性、耐热性、机械强度、高溫时的 伸长率的方面考虑，优选是由选自氣树脂和烙点在20(TCW上的聚締控中的至少一种构成 的膜，特别优选由氣树脂构成的膜。在之后分别针对氣树脂和烙点在20(TCW上的聚締控进 行详细说明。
[0134] 作为多层结构的膜，例如可例举具备在固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的 第一层、和其它层的膜。其它层可W是一层，也可W是两层W上。
[0135] 作为多层结构的膜，从针对脱模不良和树脂飞边的防止效果优良的观点考虑，优 选W下的脱模膜(I)。
[0136] 脱模膜(I):具有在固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的第一层、和第二层，
[0137] 所述第一层的厚度为3~25μπι，且180°C时的拉伸储能模量为10~50MPa，
[013引所述第二层在180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为2000~13000。
[0139] 在使用脱模膜(I)实施所述本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法的情况 下，优选在使所述上模具的凸部和所述基材的安装面通过脱模膜密合的工序中，W所述第 一层侧的表面朝向基材侧(安装面侧)的方式将脱模膜(I)配置于上模具。
[0140] 与安装面直接接触的第一层是18(TC时的拉伸储能模量在一定值W下的柔软的 层，且具有一定值W上的厚度，藉此，将凸部按压于安装面时，即便是在基材不产生凹陷和 损伤的程度的轻紧固压力下，第一层也会适度变形。另外，通过使第二层在180°C时的拉伸 储能模量和厚度之积在一定值W下，脱模膜(I)充分顺应上模具。因此，即使基材的安装面 的高度和凸部的高度存在偏差，通过第一层可将所述偏差抵消，上模具的凸部通过脱模膜 (I)与基材的安装面整体充分密合。因此，固化性树脂不易进入凸部和安装面之间，安装面 整体上不易产生树脂飞边。
[0141] 另外，第二层优选是18(TC时的拉伸储能模量与厚度之积大于第一层、比第一层硬 度更高的层。通过使第一层在180°C时的拉伸储能模量在一定值W上且厚度在一定值W下、 W及使硬度比第一层高的第二层相比于第一层更靠近上模具侧，将上模具的凸部按压于基 材的安装面时，不会产生第一层过度变形并伸入型腔侧而引起脱模不良和脱模膜（I)破裂 的问题。
[0142] 所述第一层在180°C时的拉伸储能模量特别优选为10~40MPa。所述第一层的厚度 更优选为5~12μπι，特别优选7~12皿。
[0143] 所述第二层在180°C时的拉伸储能模量(Μ化）与厚度(皿)之积特别优选为3000~ 8000。
[0144] 所述第二层在18(TC时的拉伸储能模量与厚度分别可W是使所述积在所述范围内 的任意的值，无特别限定。其中，180°C时的拉伸储能模量优选90~eOOMPa，特别优选110~ SOOMPa。厚度优选为6~50μπι，特别优选12~3祉m。
[0145] 根据W上内容，脱模膜(I)中优选所述第一层的厚度为5~12μπι，所述第二层在180 °C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积为3000~8000。其中，特别优选所述第一层的厚 度为7~12皿，所述第二层的180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为3000~8000。
[0146] 第一层、第二层各自的拉伸储能模量能够通过调整分别构成第一层和第二层的树 月旨下也分别称作第一层用树脂、第二层用树脂)的结晶度来进行调整。具体而言，树脂的 结晶度越低，则由该树脂构成的层的拉伸储能模量越低。树脂的结晶度可根据公知的方法 调整。例如，在乙締/四氣乙締共聚物的情况下，可通过调整基于四氣乙締和乙締的单元的 比例、基于四氣乙締和乙締之外的其他单体的单元的种类和含量来进行调整。
[0147] (第1实施方式的脱模膜）
[0148] 图10是表示脱模膜(I)的第1实施方式的简要剖视图。
[0149] 本实施方式的脱模膜第一层2、第二层3的顺序层叠而成。在所述固化性树脂的 固化时，脱模膜1的第一层2与固化性树脂接触（即表面2a与固化性树脂接触），第二层3与模 具的上模具接触(即表面3a与模具的上模具接触）。
[0150] <第一层〉
[0151] 第一层是用于平滑地剥离固化的固化性树脂和脱模膜1的脱模层。第一层2在180 °C时的拉伸储能模量和厚度的范围W及它们的优选范围分别如上所述。
[0152] 作为构成第一层2的树脂下也称作第一层用树脂），满足所述拉伸储能模量即 可，可从公知的热塑性树脂、橡胶等树脂中进行适当选择。
[0153] 第一层2优选具有如下脱模性:在制造所述半导体元件安装用封装体时，能够将W 与脱模膜1的第一层2接触的状态固化的固化性树脂(封装体主体)从脱模膜1平滑地剥离。 另外，优选具有能够耐受成形时模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐热性。从所述观点出 发，作为第一层用树脂，优选是选自氣树脂、聚苯乙締、烙点在20(TCW上的聚締控中的至少 一种。运些可W单独使用1种，也可W2种W上组合使用。
[0154] 作为第一层用树脂，从脱模性优良的观点出发，特别优选氣树脂。第一层2由氣树 脂构成时，固化性树脂的固化物从模具的脱模性优良。另外，脱模膜1充分具有能够耐受成 形时模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐热性、能够承受固化性树脂的流动和加压压力的 强度等，在高溫时的伸长率也优良。
[0155] 作为氣树脂，从脱模性及耐热性优良的观点出发，优选氣化締控类聚合物。氣化締 控类聚合物是具有基于氣化締控的单元的聚合物。作为氣化締控，可例举四氣乙締、氣乙 締、偏氣乙締、Ξ氣乙締、六氣丙締、Ξ氣氯乙締等。氣化締控可单独使用1种，也可W2种W 上组合使用。
[0156] 作为氣化締控类聚合物，可例举乙締/四氣乙締共聚物下也称作ETFE)、聚四氣 乙締、全氣(烷基乙締基酸)/四氣乙締共聚物等。氣化締控类共聚物可单独使用巧巾，也可W 2种W上组合使用。
[0157] 作为聚苯乙締，从脱模性及耐热性优良的观点出发，优选间规聚苯乙締。聚苯乙締 可被拉伸，也可含有添加剂。聚苯乙締可单独使用1种，也可W2种W上组合使用。
[0158] 烙点在200°C W上的聚締控的烙点优选在200°CW上300°CW下。
[0159] 作为烙点在20(TCW上的聚締控，从脱模性及模具顺应性优良的角度考虑，优选聚 甲基戊締。聚締控可单独使用1种，也可W 2种W上组合使用。
[0160] 作为第一层用树脂，优选是选自所述树脂中的氣化締控类聚合物和聚甲基戊締中 的至少一种，更优选氣化締控类聚合物。其中，从高溫时的伸长率大的角度考虑，特别优选 ET阳。ET阳可单独使用1种，也可W2种W上组合使用。
[0161] ETFE是具有基于四氣乙締下也称作TFE)的单元和基于乙締下也称作E)的 单元的共聚物。
[0162] 作为ETFE，优选具有基于TFE的单元、基于E的单元、基于TFE和E之外的第3单体的 单元。根据基于第3单体的单元的种类和含量容易调整ETFE的结晶度，即第1热塑性树脂膜 层2的拉伸储能模量。另外，通过具有基于第3单体(特别是具有氣原子的单体)的单元，高溫 (特别是180°C左右)时的拉伸强度得到提高。
[0163] 作为第3单体，可例举含有氣原子的单体和不含氣原子的单体。
[0164] 作为含有氣原子的单体，可例举下述单体(al)~(a5):
[0165] 单体(al):碳数在3W下的氣化締控类；
[0166] 单体(曰2): WX(CF2)nCY = C出（其中，X和Y分别独立地是氨原子或氣原子，η是2~8 的整数。）表示的全氣烷基乙締；
[0167] 单体(曰3):氣化乙締基酸类；
[0168] 单体(a4):含有官能基的氣化乙締基酸类；
[0169] 单体(a5):具有脂肪族环结构的含氣单体。
[0170] 作为单体(al)，可例举氣化乙締类(Ξ氣乙締、偏氣乙締、氣乙締、Ξ氣氯乙締等）、 氣化丙締类(六氣丙締下也称作HFPJ、2-氨五氣丙締等)等。
[0171] 作为单体(a2)，优选η为2~6的单体，特别优选η为2~4的单体。另外，特别优选X为 氣原子、Υ为氨原子的单体，即（全氣烷基)乙締。
[0172] 作为单体(a2)的具体例可例举下述化合物。
[0173] CF3CF2CH=C出、
[0174] CF3CF2CF2CF2CH=师（(全氣T基)乙締。W下也称作PF邸。）、
[01 巧]CF3CF2CF2CF2CF = C出、
[0176] CF 抽CF2CF2CF = C出、
[0177] CF 抽 CF2CF2CF2CF = C 出等。
[0178] 作为单体(a3)的具体例可例举下述化合物。另外，下述化合物中作为二締的单体 是能够环化聚合的单体。
[0179] CF2 = CF0CF3、
[0180] CF2 = CF0CF2CF3、
[0181 ] CF2 = CF(CF2)2CF3(全氣(丙基乙締基酸）。W下也称作PPVE。）、
[0182] CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 2C 的、
[0183] CF2 = CF0(CF2)30(CF2)2C 的、
[0184] CF2 = CF0 (CF2CF (CF3) 0) 2 (CF2) 2CF3、
[0185] CF2 = CF0CF2CF (CF3) 0 (CF2) 2C 的、
[0186] CF2 = CF0CF2CF = CF2、
[0187] CF2 = CF0(CF2)2CF = CF2 等。
[0188] 作为单体(a4)的具体例可例举下述化合物。
[01 例 CF2 = CF0(CF2)3C02C 出、
[0190] CF2 = CF0CF2CF ( CF3 ) 0 ( CF2 ) 3CO2CH3、
[0191] CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 2SO2F 等。
[0192] 作为单体(a5)的具体例，可例举全氣(2,2-二甲基-1，3-间二氧杂环戊締）、2,2,4- Ξ氣-5-Ξ氣甲氧基-1,3-间二氧杂环戊締、全氣(2-亚甲基-4-甲基-1,3-二氧戊环)等。
[0193] 作为不含氣原子的单体，可例举下述单体(bl)~化4)。
[0194] 单体(bl):締控类。
[01巧]单体化2):乙締基醋类。
[0196] 单体化3):乙締基酸类。
[0197] 单体化4):不饱和酸酢。
[0198] 作为单体(bl)的具体例，可例举丙締、异下締等。
[0199] 作为单体化2)的具体例，可例举乙酸乙締醋等。
[0200] 作为单体(b3)的具体例，可例举乙基乙締基酸、下基乙締基酸、环己基乙締基酸、 径基下基乙締基酸等。
[0201] 作为单体化4)的具体例，可例举马来酸酢、衣康酸酢、巧康酸酢、纳迪克酸酢(5-降 冰片締-2,3-二簇酸酢)等。
[0202] 第3单体可W单独使用1种，也可W2种W上组合使用。作为第3单体，从容易调整结 晶度、即容易调整拉伸储能模量的观点、从通过具有基于第3单体(特别是含氣原子的单体） 的单元而在高溫时(特别是180°C左右）的拉伸强度优良的观点出发，优选单体(a2)、HFP、 PPVE、乙酸乙締醋，更优选HFP、PPVE、C的CF2CH=C出、PFBE，特别优选PF邸。即，作为ET阳，特 别优选具有基于TFE的单元、基于E的单元、基于PF邸的单元的共聚物。
[0203] ETFE中的基于??Ε的单元与基于E的单元的摩尔比（TFE/E)优选80/20~40/60,更 优选70/30~45/55,特别优选65/35~50/50dTFE/E如果在上述范围内，贝IJEWE的耐热性W 及机械物性优良。
[0204] ETFE中的基于第3单体的单元相对于构成ETFE的所有单元的合计（100摩尔％ )的 比例优选0.01~20摩尔％，更优选0.10~15摩尔％，特别优选0.20~10摩尔％。基于第3单 体的单元的比例如果在所述范围内，贝化TFE的耐热性和机械物性优良。
[0205] 基于第3单体的单元含有基于PFBE的单元的情况下，基于PFBE的单元相对于构成 ET阳的所有单元的合计（100摩尔％ )的比例优选0.5~4.0摩尔％，更优选0.7~3.6摩尔％， 特别优选1.0~3.6摩尔％。基于PF邸的单元的比例如果在所述范围内，则能够将脱模膜在 18(TC时的拉伸模量调整至所述范围内。另外，高溫(特别是18(TC左右)时的拉伸强度和伸 长率得到提高。
[0206] ETFE的烙体流动速率(MFR)优选2~40g/10分钟，更优选5~30g/10分钟，特别优选 10~20g/10分钟。ETFE的MFR如果在所述范围内，贝化TFE的成形性得到提高，脱模膜的机械 特性优良。
[0207] Ε??Ε的MFR是按照ASTM D3159在负荷49N、297°C的条件下测定的值。
[0208] 第一层2可W仅由第一层用树脂构成，也可渗入无机类添加剂、有机类添加剂等添 加物。作为无机类添加剂，可例举炭黑、二氧化娃、玻璃纤维、碳纤维、氧化铁等无机填料。作 为有机类添加剂，可例举硅油、金属皂等。
[0209] <第二层〉
[0210] 第二层3的18(TC时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积的范围、所述积、拉伸储 能模量和厚度的优选范围分别如上所述。
[0211] 作为构成第二层3的树脂下也称作第二层用树脂），所述拉伸储能模量与厚度 之积在所述范围内即可，可从公知的热塑性树脂、橡胶等树脂中进行适当选择。
[0212] 第二层3优选具有如下程度的脱模性:在制造所述半导体元件安装用封装体时，脱 模膜1能够从上模具平顺地剥离。另外，优选具有能够耐受成形时模具的溫度(通常是150~ 18(TC)的耐热性。从所述观点出发，作为第二层用树脂，优选为选自非拉伸聚酷胺、双轴拉 伸聚酷胺、聚对苯二甲酸下二醇醋下也称作PBT)、聚对苯二甲酸乙二醇醋下也称作 PET) W及易成形PET中的至少一种。
[0213] 作为聚酷胺，从耐热性、强度、阻气性的方面考虑，优选尼龙6和尼龙MXD6。
[0214] 易成形PET是指将乙二醇和对苯二甲酸(或对苯二甲酸二甲醋）与其他单体共聚而 改良了成形性的聚合物。具体而言，是用W下方法测定的玻璃化溫度Tg在105°CW下的PET。
[0215] Tg是按照ISO 6721-4:1994QIS K7244-4:1999)测定的储能模量E'和损耗模量护 之比tanS化"/E'）取最大值时的溫度。在频率为10化、静力为0.98N、动态位移为0.035%时 W 2 °C /分钟的速率将溫度从20°C升溫至180°C来测定Tg。
[0216] 运些第二层用树脂可W单独使用巧巾，也可W2种W上组合使用。
[0217] 作为第二层用树脂，特别优选所述树脂中的PBT或易成形PET。
[0218] 第二层3可W仅由第二层用树脂构成，也可渗入无机类添加剂、有机类添加剂等添 加物。作为无机类添加剂和有机类添加剂可分别例举与前述相同的添加剂。
[0219] 脱模膜1中，第一层2和第二层3既可直接层叠，也可通过未在图中示出的粘接层进 行层叠。
[0220] <脱模膜的表面形状〉
[0221] 脱模膜1的在固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的面、即第一层2侧的表面2a 可W是平滑的，也可形成有用于提高脱模性的凹凸。另外，脱模膜1的在固化性树脂的固化 时与模具的上模具接触的面、即第二层3侧的表面3a可W是平滑的，也可形成有用于提高脱 模性的凹凸。
[0222] 平滑情况下的表面的算术平均粗糖度(Ra)优选0.01~0.2皿，特别优选0.05~0.1 皿。成形有凹凸时的表面的Ra优选1.5~2.1皿，特别优选1.6~1.9皿。
[0223] 形成有凹凸时的表面形状可W是多个凸部和/或凹部随机分布的形状，也可W是 多个凸部和/或凹部规则排列的形状。另外，多个凸部和/或凹部的形状和大小既可相同也 可不同。作为凸部，可例举在脱模膜的表面延伸的长条状的凸条、散布的突起等。作为凹部， 可例举在脱模膜的表面延伸的长条状的沟、散布的孔等。
[0224] 作为凸条或沟的形状，可例举直线、曲线、弯折形状等。在脱模膜表面，多条凸条或 沟也可平行存在来形成条纹状。作为凸条或沟的与长边方向正交的方向的截面形状，可例 举Ξ角形(V字形)等多边形、半圆形等。
[0225] 作为突起或孔的形状，可例举Ξ角锥形、四角锥形、六角锥形等多角锥形，圆锥形、 半球形、多面体形、其他各种不定形等。
[0226] 脱模膜1中，表面2a和表面3a可W两者都平滑，也可W表面2a和表面3a两者都形成 有凹凸，还可W表面2a和表面3a中一方平滑、另一方形成有凹凸。表面2a和表面3a两者都形 成有凹凸时，各表面的Ra和表面形状可相同也可不同。
[0227] 从防止树脂飞边的角度考虑，第一层2侧的表面2a的Ra越小越好，特别优选是平滑 的。
[0228] 从脱模膜1从模具的脱模性优良的角度考虑，优选第二层3侧的表面3a形成有凹 凸。
[0229] <脱模膜的厚度〉
[0230] 脱模膜1的厚度优选为15~75μπι，更优选为17~62μπι，特别优选为19~50μπι。如果 厚度在所述范围的下限值W上，则脱模膜1容易操作，W拉伸脱模膜1的同时使其覆盖上模 具的型腔的方式进行配置时，不易产生權皱。如果厚度在所述范围的上限值W下，则脱模膜 1容易变形，针对上模具的型腔形状的顺应性提高，因此脱模膜1能够牢固地密合于型腔面。 因此，能够稳定地形成高品质的封装体主体。
[0231] 上模具的型腔越大，脱模膜1的厚度在上述范围内越是W薄为宜。此外，越是具有 多个型腔的复杂的模具，脱模膜的厚度在上述范围内越是W薄为宜。
[0232] <脱模膜1的制造方法〉
[0233] 脱模膜1的制造方法无特别限定，可利用公知的多层膜的制造方法。作为具体例， 可例举W下的（1)、（2)等，考虑各层的材质、厚度等可进行适当选择。
[0234] (1)将由第一层用树脂形成的树脂膜和由第二层用树脂形成的树脂膜层叠的方 法。
[0235] (2)将第一层用树脂和第二层用树脂共挤出成形的方法。
[0236] 作为脱模膜1的制造方法，从生产性优良的方面考虑，优选(1)的方法。
[0237] (1)的方法中，作为将各树脂膜层叠的方法，可采用公知的各种层叠方法，例如挤 出层叠法、干式层叠法和热层叠法等。
[0238] 干式层叠法中使用粘接剂将各树脂膜层叠。作为粘接剂，可使用作为干式层叠用 的粘接剂的公知的粘接剂。例如可使用聚乙酸乙締醋类粘接剂；由丙締酸醋（丙締酸乙醋、 丙締酸下醋、丙締酸2-乙基己醋等）的均聚物或共聚物，或丙締酸醋与其他单体（甲基丙締 酸甲醋、丙締腊、苯乙締等）的共聚物等形成的聚丙締酸醋类粘接剂;氯基丙締酸醋类粘接 剂；由乙締与其他单体（乙酸乙締醋、丙締酸乙醋、丙締酸、甲基丙締酸等）的共聚物等形成 的乙締共聚物类粘接剂;纤维素类粘接剂;聚醋类粘接剂;聚酷胺类粘接剂;聚酷亚胺类粘 接剂；由尿素树脂或Ξ聚氯胺树脂等形成的氨基树脂类粘接剂;酪醒树脂类粘接剂;环氧类 粘接剂;多元醇(聚酸多元醇、聚醋多元醇等)与异氯酸醋和/或异氯脈酸醋交联的聚氨醋类 粘接剂;反应型（甲基)丙締酸类粘接剂；由氯下橡胶、下腊橡胶、苯乙締-下二締橡胶等构成 的橡胶类粘接剂;有机娃类粘接剂；由碱金属娃酸盐、低烙点玻璃等形成的无机类粘接剂； 其他粘接剂等。
[0239] (1)的方法中的层叠树脂膜可使用市售的树脂膜，也可使用由公知的制造方法制 造的树脂膜。也可对树脂膜实施电晕处理、大气压等离子体处理、真空等离子体处理、底涂 料涂布处理等表面处理。
[0240] 作为树脂膜的制造方法，无特别限定，可利用公知的制造方法。
[0241] 作为两面平滑的热塑性树脂膜的制造方法，例如可例举使用具备具有规定的缝隙 宽度的Τ模具的挤出机进行烙融成形的方法等。
[0242] 作为单面或双面上形成有凹凸的热塑性树脂膜的制造方法，例如可例举在热加工 时在热塑性树脂膜的表面转印母模（日文:元型）的凹凸的方法，从生产性的角度考虑，优选 下述方法(i)、（ii)等。方法(i)、（ii)中，通过使用漉状的母模能够进行连续加工，形成了凹 凸的热塑性树脂膜的生产性显著提高。
[0243] (i)使热塑性树脂膜从母模漉和压印漉之间通过、将形成于母模漉的表面的凹凸 连续转印于热塑性树脂膜的表面的方法。
[0244] (ii)使从挤出机的模具挤出的热塑性树脂从母模漉和压印漉之间通过、将该热塑 性树脂成形为膜状的同时、把形成于母模漉的表面的凹凸连续转印于该膜状的热塑性树脂 的表面的方法。
[0245] 方法中，作为压印漉如果使用表面形成有凹凸的漉，则能得到双面形成 有凹凸的热塑性树脂膜。
[0246] (第2实施方式的脱模膜）
[0247] 图11是表示脱模膜(I)的第2实施方式的简要剖视图。
[0248] 本实施方式的脱模膜5W第一层6、第二层7和第Ξ层8的顺序层叠而成。在所述固 化性树脂固化时，脱模膜5的第一层6与固化性树脂接触，第Ξ层8与模具的上模具接触。
[0249] 第一层6与第1实施方式的第一层2相同。
[0250] 第二层7与第1实施方式的第二层3相同。
[0巧1] <第^层〉
[0252] 第Ξ层8是用于防止脱模膜5发生卷曲的层。
[0253] 如第1实施方式所示的2层结构（第二层/第一层）中，在第一层和第二层的材质不 同时，根据第二层的厚度和拉伸储能模量等存在脱模膜发生卷曲的情况。脱模膜如果卷曲， 则使脱模膜吸附于模具时，存在脱模膜因卷曲而无法充分吸附于模具的情况。特别是将预 先剪切为与模具的大小吻合的短的脱模膜供给于模具时，卷曲的问题显著。如果使用不发 生卷曲的高拉伸储能模量的或厚的第二层，则模具顺应性变差，不适用于要求具有模具顺 应性的脱模膜。
[0254] 通过在第二层的与第一层侧相反一侧设置第Ξ层，则即便不使用高拉伸储能模量 的或厚的第二层，也能够抑制卷曲。
[0255] 第Ξ层8的25°C时的拉伸储能模量与第一层6既可相同也可不同，优选它们的比 (第Ξ层8的25Γ时的拉伸储能模量/第一层6的25Γ时的拉伸储能模量)为0.5~2。
[0256] 25Γ时的拉伸储能模量之比如果在所述范围内，则能够良好地抑制卷曲。
[0257] 第Ξ层8的厚度与第一层6的厚度既可相同也可不同，优选其差值在扣mW内。第Ξ 层8的厚度如果在所述范围内，则能够良好地抑制卷曲。第Ξ层8的厚度例如优选为3~25μ m，更优选为5~12皿，特别优选为7~12皿。
[0258] 作为构成第Ξ层8的树脂下也称作第Ξ层用树脂），从脱模膜1从模具的脱模 性、能够耐受成形时模具的溫度(通常是150~18(TC)的耐热性等方面考虑，优选是选自氣 树脂、丙締酸橡胶、热固化性有机娃、聚醋、聚酷胺、聚苯乙締、乙締/乙締醇共聚物W及烙点 在200°CW上的聚締控中的至少一种。
[0259] 作为氣树脂、聚苯乙締、烙点在200°CW上的聚締控，可分别例举与所述相同的成 分。
[0260] 作为聚醋，从耐热性和强度方面考虑，优选PET、易成形PET、PBT、聚对苯二甲酸糞 二醇醋（日文：求リナフ夕レシテレフ夕レ一H。
[0261] 作为聚酷胺，从耐热性、强度、阻气性的方面考虑，优选尼龙6和尼龙MXD6。聚酷胺 可W是被拉伸的，也可W是未被拉伸的。
[0262] 运些可W单独使用巧巾，也可W2种W上组合使用。
[0263] 作为第Ξ层用树脂，优选是选自所述树脂中的氣树脂和烙点在20(TCW上的聚締 控中的至少一种。
[0264] 第Ξ层8可W仅由第Ξ层用树脂构成，也可渗入无机类添加剂、有机类添加剂等添 加物。作为无机类添加剂和有机类添加剂可分别例举与前述相同的添加剂。
[0265] 脱模膜5中，第一层6和第二层7既可直接层叠，也可通过未在图中示出的粘接层进 行层叠。同样地，第二层7和第Ξ层8既可直接层叠，也可通过未在图中示出的粘接层进行层 叠。
[0266] <脱模膜的表面形状〉
[0267] 脱模膜5的在固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的面、即第一层6侧的表面6a 可W是平滑的，也可形成有用于提高脱模性的凹凸。另外，脱模膜5的在固化性树脂的固化 时与模具的上模具接触的面、即第Ξ层8侧的表面8a可W是平滑的，也可形成有用于提高脱 模性的凹凸。平滑情况下的表面的算术平均粗糖度(Ra)优选0.01~0.2μπι，特别优选0.05~ 0. ：1皿。
[0%引形成有凹凸时的表面的Ra优选1.5~2. Ιμπι，特别优选1.6~1.9μπι。形成有凹凸时 的表面形状可W是多个凸部和/或凹部随机分布的形状，也可W是多个凸部和/或凹部规则 排列的形状。另外，多个凸部和/或凹部的形状和大小既可相同也可不同。作为凸部、凹部、 凸条、突起或孔的具体示例，可例举与前述相同的示例。
[0269] 脱模膜5中，表面6a和表面8a可W两者都平滑，也可W表面6a和表面8a两者都形成 有凹凸，还可W表面6a和表面8a中一方平滑、另一方形成有凹凸。表面6a和表面8a两者都形 成有凹凸时，各表面的Ra和表面形状可相同也可不同。
[0270] 从脱模膜5从模具的脱模性优良的角度考虑，优选第Ξ层8侧的表面8a形成有凹 凸。
[0271] <脱模膜的厚度〉
[0272] 脱模膜5的厚度优选为18~100μπι，特别优选30~75μπι。厚度的所述范围的下限值 和上限值各自的优选理由与脱模膜1的情况相同。
[0273] <脱模膜5的制造方法〉
[0274] 脱模膜5的制造方法无特别限定，可利用公知的多层膜的制造方法。例如，除了将2 层结构变更为3层结构W外，可与脱模膜1同样地制造。
[0275] W上，针对脱模膜(I)示出第1和第2实施方式并进行了说明，但是本发明不限于上 述实施方式。上述实施方式中的各种构成及其组合等是一种示例，只要在不脱离本发明的 思想的范围内，可进行构成的增加、省略、替换W及其他变更。
[0276] 例如，第1实施方式的脱模膜1的第一层2和第二层3之间，根据需要也可进一步设 置粘接层W外的其它层。同样地，第2实施方式的脱模膜5的第一层6和第二层7之间，W及第 二层7和第Ξ层8之间，根据需要也可进一步设置粘接层W外的其它层。作为其他层，例如可 例举阻气层等。作为阻气层，例如可例举金属层、金属蒸锻层、金属氧化物蒸锻层等。
[0277]从本发明的效果方面考虑，与固化性树脂接触的第一层和第二层之间优选不具有 粘接层W外的其它层。即，优选第一层和第二层直接层叠，或者通过粘接层进行层叠。
[027引实施例
[0279] W下示出实施例对本发明进行详细说明。但是，本发明不限于W下的记载。后述的 例1~18中，例1~16是实施例，例17~18是比较例。各例中使用的材料和评价方法在W下示 出。
[0280] [使用材料]
[0281] ETFE(1):制造例1中制造的四氣乙締/乙締/PF邸= 52.5/46.3/1.2(摩尔比）的共 聚物(MW为12g/10分钟）。
[0282] ETFE(2):制造例2中制造的四氣乙締/乙締/PF邸= 56.3/40.2/3.5(摩尔比）的共 聚物(MW为12.5g/10分钟）。
[0283] <制造例1:ETFE(1)的制造〉
[0284] 对内容积为1.化的具有揽拌机的聚合槽进行排气，在其中加入881.9g的1-氨十Ξ 氣己烧、335.5g的1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氣丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子株式会社(旭硝 子社）制，W 下称作AK225cb。）、7. Og的C出=CHCF2CF2CF2C的（PF邸），压入 165.2g的T阳、9.8g 的乙締下称作E。），将聚合槽内升溫至66°C，加入7.7ml的过氧化新戊酸叔下醋下称 作PBPV。）的1质量％的41(225(^溶液作为聚合引发剂溶液，开始聚合。
[0285] W聚合中压力达到一定值的条件，连续添加 TFE/E = 54/46摩尔比的单体混合气 体。另外，与单体混合气体的添加相应，连续添加了相当于TFE与E的合计摩尔数的1.4摩 尔％的量的PFBE。聚合开始2.9小时后，在添加了 lOOg的单体混合气体的时间点，将聚合槽 内溫度降至室溫的同时将聚合槽的压力排气至常压。
[0286] 之后，用玻璃过滤器对获得的浆料抽滤，回收固体成分并通过在150°C下干燥15小 时而得到了 105g的ET阳（1)。
[0287] <制造例2:ETFE(2)的制造〉
[0288] 将聚合槽的内容积变更为1.化，聚合开始前向其中加入的1-氨十Ξ氣己烧的量从 881.9g变更为0g、AK225cb的量从335.5g变更为291.6g、PF邸的量从7. Og变更为16.0g、TFE 的量从165.2g变更为186.6g、E的量从9.8g变更为6.4g、PBPV的1质量％的41(225诚溶液的量 从5.8mL变更为5.3血，聚合中连续添加的单体混合气体TFE/E的摩尔比从54/46变更为58/ 42，PF邸的量从(相对于TFE和E总摩尔数)0.8摩尔％变更为3.6摩尔％，聚合开始3小时后， 在添加90g的单体混合气体的时间点将聚合槽内的溫度降溫至室溫，除此W外与制造例1相 同，得到了 90g 的 ETFE(2)。
[0289] <热塑性树脂膜〉
[0290] ETFE膜（1-1):厚度16皿。单面具有凹凸，单面的Ra为0.5，相反面的Ra为0.1。按W 下步骤制造了 ETFE膜(1-1)。
[0291] 通过缝隙开度调整后的挤出机在320°C下将ETFE(l)烙融挤出，使膜厚为16μπι。调 整母模漉、制膜速度、挤压压力，制造了 ETFE膜。
[0292] ETFE膜（1-2):厚度12μπι。两面平滑，两面的Ra为0.1。除了调整了各条件之外，与 ETFE膜（1 -1)同样地制造了ETFE膜（1 -2)。
[0293] ETFE膜（1-3):厚度2扣m。两面平滑，两面的Ra为0.1。除了调整了各条件之外，与 ETFE膜（1 -1)同样地制造了ETFE膜（1 -3)。
[0294] ETFE膜（1-4):厚度50μπι。两面平滑，两面的Ra为0.1。除了调整了各条件之外，与 ET阳膜（1 -1)同样地制造了ET阳膜（1 -4)。
[02M] ETFE膜（1-5):厚度3皿。两面平滑，两面的Ra为0.1。在调整了各条件的基础上，使 来自T模具的烙融后的ETFE( 1)在母模漉上与PET膜接触，与PET膜共同被收卷来进行制膜， 除此W外，与ETFE膜(1 -1)同样地制造了ETFE膜(1 -5)。
[0巧6] ETFE膜（2-1):厚度12μπι。两面平滑，两面的Ra为0.1。除了使用ETFE(2)代替ETFE (1)并调整了各条件之外，与ETFE膜(1-1)同样地制造了 ETFE膜(2-1)。
[0297]阳T膜（1):厚度12皿。使用了气Mクシテb口 シNS"(帝人杜邦膜株式会社(帝人尹 二求シ厶社）制）的厚度为12μπι的膜。玻璃化溫度：118°C。两面平滑，两面的Ra为0.2。 [029引阳T膜（2):厚度16皿。使用了 "歹^了木^瓜册00" (Ξ菱树脂株式会社（Ξ菱樹脂 社)制）的厚度为16μπι的膜。玻璃化溫度:118°C。两面平滑，两面的Ra为0.2。
[0299] 阳T膜(3):厚度25皿。使用了 "夕'V7木人レ册00"(Ξ菱树脂株式会社制）的厚度 为25皿的膜。玻璃化溫度：118°C。两面平滑，两面的Ra为0.2。
[0300] 易成形阳T膜:厚度25μπι。使用的帝人杜邦膜株式会社制的"テフレッ夕乂尸了3口护。 玻璃化溫度:86 °C。两面平滑，两面的Ra为0.2。
[0301] 非拉伸尼龙膜:厚度20μπι。使用了"ク^アミ口シC-Z"(Ξ菱树脂株式会社制）。两面 平滑，两面的Ra为0.1。
[0302] 双轴拉伸尼龙膜:厚度12μπι。使用了 "八一テ'シN1100"(东洋纺株式会社（東洋纺 社)制）。两面平滑，两面的Ra为0.2。
[0303] PTFE膜:厚度50皿。使用了 "二bフ口シPTFE 900U1；'（日东电工株式会社（日東電工 社)制）。两面平滑，两面的Ra为0.2。
[0304] 聚甲基戊締膜:厚度12μπι。两面平滑，两面的Ra为0.1。按W下步骤制造了聚甲基戊 締膜。
[0305] 通过设置有缝隙开度调整后T模具的挤出机在28(TC下将聚甲基戊締树脂"TPX ΜΧ004"(Ξ井化学株式会社(Ξ井化学社)制)烙融挤出，使膜厚为12μπι。调整母模漉、制膜速 度、挤压压力，得到了聚甲基戊締膜。
[0306] ΡΒΤ膜（1):厚度3祉m。单面的Ra为1.2,相反面的Ra为0.1。通过设置有缝隙开度调 整后T模具的挤出机在28(TC下将"7八尹'二弓シ5020" (Ξ菱工程塑料株式会社(Ξ菱工シ ク二アリシクククステッ夕社）制)烙融挤出，使膜厚为38μπι，调整母模漉、制膜速度、挤压压 力，得到了 ΡΒΤ膜(1)。
[0307] ΡΒΤ膜(2):厚度3祉m。单面的Ra为1.2,相反面的Ra为0.1。通过设置有缝隙开度调 整后T模具的挤出机在28(TC下将八尹二弓シ5505"(立菱工程塑料株式会社制)烙融挤 出，使得厚度为3祉m，调整母模漉、制膜速度、挤压压力，制造了PBT膜(2)。
[0308] 各膜中，将Ra小的面作为干式层叠中的贴合面。另外，各膜在干式层叠中的贴合面 的基于IS08296:1987(JIS Κ6768:1999)的湿润张力在40mN/mW下时，实施电晕处理W使湿 润张力在40mN/n拟上。
[0309] <粘接层〉
[0310] 作为在将各膜贴合的干式层叠工序中使用的粘接剂，使用了 W下的氨基甲酸醋类 粘接剂A。
[0311] [氨基甲酸醋类粘接剂A]
[0312] 主剂：夕リス乐シNT-258(DIC株式会社(DIC社）制）固化剂：3 口幸一b2096(日本聚 氨醋工业株式会社（日本求リクレ夕シ工業社）制）。主剂和固化剂W固体成分的质量比（主 剂:固化剂)为10:1的方式混合，使用乙酸乙醋作为稀释剂。
[0313] 〔评价方法）
[0314] <厚度〉
[0315] 在接触式厚度仪DG-525H(株式会社小野测器(小野測器社）制）上使用测定头八八- 026( Φ 10mm SR7)，W宽度方向上距离相等的方式测定10处片料（日文：原反）的厚度，将其 平均值作为厚度。
[0316] <180°C拉伸储能模量〉
[0317] 使用动态粘弹性装置ッリッKレ1(东洋精机株式会社（東洋精機）制），按照ISO 6721-4:1994(JIS K7244-4:1999)测定了储能模量E'。使样品测定尺寸为宽8mmX长20mm、 频率为10化、静力为0.98N、动态位移为0.035%，^2°(：/分钟的速度将溫度从20°(：升至180 °C，将18(TC的值时测定的E'作为18(TC拉伸储能模量。
[0318] <引脚框的损伤?凹陷〉
[0319] 针对各例中制造的封装体的引脚框，W目视确认与突起接触的部分是否有凹陷和 损伤，按W下标准进行了评价。
[0320] 0(良好）：未观察到损伤和凹陷。
[0321] X(不良）：观察到了损伤和凹陷。
[0322] <树脂飞边〉
[0323] 针对各例中制造的封装体的引脚框，用光学显微镜观察与突起接触的部分(接触 部位），对该接触部位拍摄照片后，用网格分割照片，由观察到了树脂飞边的网格的数量求 出了树脂飞边的发生比例（％)。其结果按照W下标准进行了评价。
[0324] 〇(良好）：10%W 下。
[0325] Δ(尚可）：30%W下且超过10%。
[0326] X(不良）：超过30%。
[0327] <脱模膜的侵入〉
[0328] 针对各例中制造的封装体的封装体主体，W目视确认是否有脱模膜侵入的迹象， 按W下标准进行了评价。
[0329] 〇(良好）：未观察到脱模膜的侵入。
[0330] Δ(尚可）：观察到了若干脱模膜的侵入，引脚框和封装体主体的界面观察到了凹 陷。
[0331 ] X (不良）：脱模膜完全侵入封装体主体，未能脱模。
[0332] [例1]
[0333] (脱模膜的制造）
[0334] 在PBT膜（1)的Ra为0.1的面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋类粘接剂 A，通过干式层叠与ETFE膜（1-2)的电晕处理面贴合，得到了脱模膜。干式层叠的条件为:基 材宽度1000mm，输送速度20m/分钟，干燥溫度80~100°C，层叠棍溫度25°C，漉压力3.5MPa。
[0335] (利用传递成形法的封装体的制造）
[0336] 将具有500个〇5mm的圆形形状的凸部的上模具和安装固定了引脚框的下模具在 18(TC下加热进行准备，将脱模膜设置于上模具之后，通过真空累将上模具和脱模膜之间的 空气抽真空排出，使脱模膜吸附于上模具。之后，移动下模具来进行紧固，直至上模具的凸 部和引脚框的所要露出的部分通过脱模膜接触，使树脂进行了流动。藉此，在上模具和下模 具之间的空间填充了树脂并使之固化，从而形成封装体主体，得到了由引脚框和封装体主 体构成的封装体。该封装体具有500个Φ 5mm的圆形形状的凹部，引脚框的一部分在凹部的 底面露出。另外，树脂的注塑压力是在各个脱模膜中转印中空封装体的形状所需的最小注 塑压力，紧固压力是使树脂飞边减少的最小压力。作为树脂，使用了スミ3シEME G770H型F ver.GR(住友电木株式会社(住友八一夕弓王)制）。
[0337] [例2~6、8]
[0338] 除了选定材料W形成表1的膜的构成之外，与例1同样地得到了脱模膜。
[0339] 使用所得的脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[0340] [例7]
[0341] 在PBT膜（1)的Ra为0.1的面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋类粘接剂 A，W与PET膜（1-1)层叠的状态与ETFE膜（1-5)的电晕处理面贴合，将PET膜（1-1)剥离而得 到了脱模膜。
[0342] 使用所得的脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[0；343][例9]
[0344] 在PET膜（1)的单面上用凹版涂布法涂布0.5g/m2的氨基甲酸醋类粘接剂A，与ETFE 膜（1-2)的电晕处理面进行了贴合。进一步在相反面也同样地贴合了 ETFE膜（1-2)，得到了 脱模膜。
[0345] 使用所得的脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[0；346][例10 ~14]
[0347] 除了选定材料W形成表2的膜的构成之外，与例9同样地得到了脱模膜。
[0348] 使用所得的脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[0349] [例15]
[0350] 使用Ε??Ε膜（1-4)作为脱模膜。
[0351] 使用该脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[03W][例 16]
[0353] 使用Ρ??Ε膜(1)作为脱模膜。
[0354] 使用该脱模膜与例1同样地制造了封装体。
[03对[例17]
[0356] 不使用脱模膜，与例1同样地制造了封装体。
[0357] [例18]
[0358] 通过蚀刻等对具有与封装体下面部的高度相同的厚度的平坦形状的PTFE膜进行 加工，在与封装体下面部对应的位置使凸部残留，藉此得到了脱模膜(凸部形成脱模膜）。
[0359] 使用不具有凸部的上模具，W与所得脱模膜的凸部和引脚框接触的例1同样的方 式制造了封装体。
[0360] 例1~16和18的脱模膜的膜构成、第二层的18(TC拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι) 之积(18(TC拉伸储能模量X厚度）、第一层和第Ξ层的18(TC拉伸储能模量、评价结果（引脚 框的损伤?凹陷、树脂飞边、脱模膜侵入)示于表1~3。
[0361] [表1]
[0362]
[0363] [表 2]
[0364]
[0365] [表 3]
[0366]
[0367] 如上述结果所示，例1~16中，未观察到引脚框的损伤和凹陷，也充分防止了树脂 飞边。另外，也防止了脱模膜对封装体主体的侵入。另一方面，未使用脱模膜且上模具的凸 部与引脚框直接接触的例17中，所得的封装体的引脚框中观察到了损伤和凹陷，还存在大 量的树脂飞边。
[0368] 使用了一体形成有凸部的脱模膜的例18中，脱模膜侵入的评价中脱模膜完全侵入 了封装体主体，封装体无法脱模。
[0369] 例1~16中、例5、8、12、15中观察到了若干脱模膜的侵入，例1~4、6~7、9~11、13 ~14、16在脱模膜侵入的评价中未观察到脱模膜的侵入，结果良好。
[0370] 认为例1~4、6~7、9~11、13~14、16的结果比例5、12更为优良的原因在于，第二 层的18(TC拉伸储能模量X厚度大于例5、12,脱模膜较硬，紧固时不易变形。
[0371] 认为例1~4、6~7、9~11、13~14、16的结果比例8更为优良的原因在于，第一层的 厚度薄于例8,紧固时第一层变形时的厚度变化率相对较小。
[0372] 认为例1~4、6~7、9~11、13~14、16的结果比例15更为优良的原因在于，由于脱 模膜具有第二层，与仅具有第一层巧TFE的单层膜)的例15相比更硬，紧固时不易变形，且第 一层的厚度比例15更薄，因此变形时的厚度变化率相对较小。
[0373] 例1~16中，例7、11、16的树脂飞边发生比例在30% W下且超过10%，例1~6、8~ 10、12~15(8、10、13~14、12、15)中，树脂飞边发生比例在10% W下。
[0374] 认为例1~6、8~10、12~15的结果比例7更为优良的原因在于，第一层的厚度比例 7更厚，紧固时存在容易变形的倾向。
[03巧]认为例1~6、8~10、12~15的结果比例11更为优良的原因在于，第二层的18(TC拉 伸储能模量X厚度小于例11，脱模膜相对柔软，紧固时存在容易变形的倾向。
[0376] 认为例1~6、8~10、12~15的结果比例16更为优良的原因在于，与接触部位接触 的第一层比PTFE膜更为柔软，因此在紧固时脱模膜容易变形，存在脱模膜与接触部位的密 合性变高的倾向。
[0377] 由W上结果可确认，作为上述封装体的制造时使用的脱模膜，特别优选如例1~4、 6、9~10、13~14中所用的具备180°C时的拉伸储能模量为10~50M化且厚度为5~12皿的第 一层、180°C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(皿)之积为3000~8000的第二层的脱模膜。
[0378] 产业上利用的可能性
[0379] 本发明的半导体元件安装用封装体的制造方法作为搭载固体摄像元件、MEMS等半 导体元件、特别是中空结构的半导体元件安装用封装体的制造方法，可在广泛的领域内使 用。
[0380] 另外，运里引用2014年3月7日提出申请的日本专利申请2014-045466号的说明书、 权利要求书、附图和摘要的全部内容作为本发明的说明书的掲示。
[0381] 符号说明
[0382 ] 1脱模膜、2第一层、2a表面、3第二层、3a表面、5脱模膜、6第一层、6a表面、7第二层、 8第Ξ层、8a表面、10基材、10a安装面、10A基材、12封装体主体、12A固化物、14凹部、16基材、 16a内引脚、1化外引脚、16c垫料片、18封装体主体、18a框状部、18b底部、19固化物、20凹部、 30脱模膜、40固化性树脂、50上模具、52下模具、54型腔、56凸部、58基材设置部、60树脂导入 部、62树脂配置部、64柱塞、110半导体元件安装用封装体、120半导体元件安装用封装体、 200凸部、202上模具、204下模具、206引脚框、208树脂、210脱模膜、212凸部、214拦截体。
【主权项】
1. 半导体元件安装用封装体的制造方法，它是使用具备上模具和下模具的模具来制造 具备具有用于安装半导体元件的安装面的基材和具有由固化性树脂的固化物构成并围住 所述安装面的框状部的封装体主体、且由所述安装面和所述封装体主体形成了凹部的半导 体元件安装用封装体的方法，其特征在于，包括 在具有形状与所述凹部对应的凸部的上模具中配置整体厚度大致一定的脱模膜、在下 模具中配置所述基材、将所述上模具和所述下模具合模来使所述凸部和所述基材的所述安 装面通过所述脱模膜密合的工序，和 在形成于所述上模具和所述下模具之间的空间内充满固化性树脂并使所述固化性树 脂固化的工序，和 使所述固化性树脂的固化物与所述基材同时从所述模具脱模的工序。2. 如权利要求1所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其特征在于，所述脱模膜 具有在所述固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的第一层、和第二层， 所述第一层的厚度为3~25μπι，且180°C时的拉伸储能模量为10~50MPa， 所述第二层在180 °C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积为2000~13000。3. 如权利要求2所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其特征在于，所述第一层 的厚度为5~12μηι， 所述第二层在180 °C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积为3000~8000。4. 如权利要求2或3所述的半导体元件安装用封装体的制造方法，其特征在于，所述脱 模膜还具有在所述固化性树脂的固化时与模具接触的第三层， 所述第三层的厚度为3~25μπι，且25°C时的拉伸储能模量相对于第一层在25°C时的拉 伸储能模量之比（第三层在25°C时的拉伸储能模量/第一层在25°C时的拉伸储能模量)为 0 · 5~2〇5. 脱模膜，它是用于权利要求1所述的半导体元件安装用封装体的制造方法的脱模膜， 其特征在于， 具有在所述固化性树脂的固化时与固化性树脂接触的第一层、和第二层， 所述第一层的厚度为3~25μπι，且180°C时的拉伸储能模量为10~50MPa， 所述第二层在180 °C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积为2000~13000。6. 如权利要求5所述的脱模膜，其特征在于，所述第一层的厚度为5~12μπι， 所述第二层在180 °C时的拉伸储能模量(MPa)与厚度(μπι)之积为3000~8000。7. 如权利要求5或6所述的脱模膜，其特征在于，还具有在所述固化性树脂的固化时与 模具接触的第三层， 该第三层的厚度为3~25μπι，且25°C时的拉伸储能模量相对于第一层在25°C时的拉伸 储能模量之比（第三层在25°C时的拉伸储能模量/第一层在25°C时的拉伸储能模量)为0.5 ~2〇8. 如权利要求5~7中任一项所述的脱模膜，其特征在于，构成所述第一层的树脂是选 自氟树脂、聚苯乙烯、和熔点在200°C以上的聚烯烃中的至少一种。9. 如权利要求5~8中任一项所述的脱模膜，其特征在于，构成所述第二层的树脂是选 自非拉伸聚酰胺、双轴拉伸聚酰胺、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、和易 成形聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。10.如权利要求5~9中任一项所述的脱模膜，其特征在于，构成所述第三层的树脂是选 自氟树脂、氟树脂、丙烯酸橡胶、热固化性有机硅、聚酯、聚酰胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共 聚物和熔点在200°C以上的聚烯烃中的至少一种。
【文档编号】B29C45/14GK106062947SQ201580012262
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年3月6日 公开号201580012262.2, CN 106062947 A, CN 106062947A, CN 201580012262, CN-A-106062947, CN106062947 A, CN106062947A, CN201580012262, CN201580012262.2, PCT/2015/56733, PCT/JP/15/056733, PCT/JP/15/56733, PCT/JP/2015/056733, PCT/JP/2015/56733, PCT/JP15/056733, PCT/JP15/56733, PCT/JP15056733, PCT/JP1556733, PCT/JP2015/056733, PCT/JP2015/56733, PCT/JP2015056733, PCT/JP201556733
【发明人】笠井涉
【申请人】旭硝子株式会社