图像传感器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了图像传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。本发明制造方法简单，成本低，制造出的图像传感器信噪比高，成像质量好。
【专利说明】
图像传感器的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种传感器的制造方法，具体涉及图像传感器的制造方法。
【背景技术】
[0002]图像传感器在设计及制造过程中需要在硅片上制造像素单元，这些像素结构必须与其周围的器件或区域进行有效隔离，例如与周围的像素结构进行隔离。在现有技术的图像传感器制造方法中，需要一个附加掩膜来形成相邻像素区域之间的注入隔离区，由此增大了图像传感器的制造成本，并且增加了单独的制造注入隔离区的工艺步骤，增加了工艺复杂性。并且，在实际应用中发现，现有的图像传感器信噪比比较低，图像传感器成像质量较差。
【发明内容】
[0003]本发明针对现有技术的不足，提供一种制造方法简单，制造出的传感器信噪比高，成像质量好的图像传感器制造方法。
[0004]本发明技术方案如下:图像传感器的制造方法，包括如下步骤:
[0005](I)提供P型衬底，所述P型衬底包括外围区域和像素单元区域；
[0006](2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；
[0007](3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；
[0008](4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成η型埋层；
[0009](5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的η型隔离环；
[0010](6)在P型衬底和η型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。
[0011 ] 进一步地，步骤4中所述的离子为η型离子，η型离子为磷离子或者砷离子，所述η型隔离环的宽度为0.5-1微米，厚度为1.5-3微米。
[0012]本发明的有益效果在于:本发明制造方法简单，成本低，制造出的图像传感器信噪比高，成像质量好。
【具体实施方式】
[0013]图像传感器的制造方法，通过如下步骤完成:
[0014](I)提供P型衬底，P型衬底包括外围区域和像素单元区域；
[0015](2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；
[0016](3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；
[0017](4)利用沟槽掩膜对沟槽区域注入η型离子，在位于像素单元区域的衬底表面形成η型埋层；
[0018](5)在像素单元区域的边界处形成环绕像素单元区域的宽0.5-1微米、厚1.5-3微米的η型隔离环；
[0019](6)在p型衬底和η型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。
[0020]经检验，本发明制造方法生产的图像传感器信噪比高，成像质量好。
【主权项】
1.图像传感器的制造方法，其特征在于:包括如下步骤: (1)提供P型衬底，所述P型衬底包括外围区域和像素单元区域； (2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域； (3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化； (4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成η型埋层； (5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的η型隔离环； (6)在P型衬底和η型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。2.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于:所述图像传感器制造方法用于制造接触式图像传感器。3.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于:步骤4中所述的离子为η型离子。4.如权利要求3所述的η型离子，其特征在于:所述η型离子为磷离子或者砷离子。5.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于:所述η型隔离环的宽度为0.5-1微米。6.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其特征在于:所述η型隔离环的厚度为1.5-3微米。
【文档编号】H01L21/82GK106067445SQ201410624798
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年11月7日 公开号201410624798.7, CN 106067445 A, CN 106067445A, CN 201410624798, CN-A-106067445, CN106067445 A, CN106067445A, CN201410624798, CN201410624798.7
【发明人】张剑飞
【申请人】西安立伟电子科技有限责任公司