有机发光显示设备的制造方法

文档序号:10698187阅读:366来源:国知局
有机发光显示设备的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光显示设备。本发明的一个方面提供了一种有机发光显示设备,包括:在基板上的第一电极;在所述基板上的有机发光层;和在所述有机发光层上的包括至少两个层的第二电极,所述至少两个层包含具有不同组成的补偿材料。本发明的另一方面提供了一种有机发光显示设备,其中第一电极包括两个或更多层,所述两个或更多层包含具有不同组成的补偿材料的,使得在有机发光层的两个表面上形成薄双层的补偿层。
【专利说明】
有机发光显示设备
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求享有2015年4月23日递交的韩国专利申请No. 10-2015-0057471和2015 年9月24日递交的韩国专利申请No. 10-2015-0135682的优先权,这些专利申请文件为了所 有目的在此被并入以供参考,如同在此完全阐述一样。
技术领域
[0003] 本发明涉及包括异物补偿层(foreign body compensation layer)的有机发光显 示设备。
【背景技术】
[0004] 随着面向信息社会的发展,对于各种用于显示图像的显示设备的需要日益增加。 近来,已经使用了各种显示设备,比如LCD(液晶显示器)、rop(等离子体显示面板)、0LED(有 机发光显示设备)、或者有机电致发光显示设备。各种显示设备包括与之对应的显示面板。
[0005] 在显示面板中,在每一像素区域中形成薄膜晶体管,通过薄膜晶体管的电流来控 制特定像素区域。薄膜晶体管由栅极电极和源极/漏极电极组成。
[0006] 有机发光显示器包括在两个不同电极之间形成的发光层。当由一个电极产生的电 子和由另一个电极产生的空穴被注入到发光层中,注入的电子和空穴彼此结合,以产生激 子。然后,所产生的激子在从激发态跃迀到基态的同时发光,因此显示图像。
[0007] 然而,在有机发光显示设备的制造工艺期间,微小颗粒可能进入显示设备,这种颗 粒被称为异物。当在本应当保持绝缘状态的各电极之间存在异物时,在各电极之间可能发 生短路,这种短路可能损坏特定像素。因此,为了防止由于异物导致的短路,可以铺展厚的 材料。然而,铺展厚的材料可能降低有机发光显示设备的可见性。另外,由于需要额外工艺, 所以可能增加成本或者可能降低工艺效率。因此,需要一种能够在保持工艺效率的同时防 止异物的构造。

【发明内容】

[0008] 在这样的背景下,本发明的一个方面是为了防止由于有机发光显示设备或者显示 面板的异物导致的缺陷。
[0009] 本发明的另一方面是在阴极下方包括异物补偿层,该异物补偿层是用于防止当在 顶部发光结构中为了提高阴极的透射率而薄薄地形成阴极时由于阴极和阳极之间的异物 导致的短路。
[0010] 本发明的另一方面是为了降低由于阴极和阳极之间的短路导致的暗点的发生率, 并由此提尚显不面板的效率。
[0011] 本发明的又一方面是为了防止由于异物导致的短路,并且还防止由于在阴极下方 包括的用于补偿异物的补偿层导致的透射率降低。
[0012]根据本发明的一个方面,一种有机发光显不设备包括:在基本上的第一电极;有机 发光层,所述有机发光层在所述基板上;以及第二电极,所述第二电极在所述有机发光层 上,所述第二电极包括至少两个层,所述至少两个层包含具有不同组成的补偿材料。
[0013] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,使得第二电极包括补偿 层和电极层,所述补偿层和电极层是从有机发光层开始顺序地设置的,并且补偿层中包括 的补偿材料的组成比率大于电极层中包括的补偿材料的组成比率。
[0014] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,使得第二电极包括补偿 层,并且第一电极包括电极层和补偿层,所述电极层和补偿层是从基板开始顺序地设置的, 所述补偿层的补偿材料的组成比率大于所述电极层的补偿材料的组成比率。
[0015] 根据本发明的另一个方面,一种有机发光显示设备包括:基板;第一电极,所述第 一电极在所述基板上;有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及第二电极,所 述第二电极的补偿材料的组成在接近于所述有机发光层的第一界面处和在与所述第一界 面相对的第二界面处是不同的。
[0016] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,使得第二电极中的补偿 材料的组成比率在所述第一界面处最高,所述第二电极中的补偿材料的组成比率在所述第 二界面处最低。
[0017] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,包括:基板;第一电极,所 述第一电极在所述基板上;有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及第二电 极,所述第二电极在所述有机发光层上,所述第二电极包括至少两个层,所述至少两个层包 含具有不同组成的补偿材料。
[0018] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,包括:基板;第一电极,所 述第一电极在所述基板上;有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及第二电 极,所述第二电极在所述有机发光层上,其中所述第一电极和所述第二电极的至少之一包 括两个或更多层,所述两个或更多层包括具有彼此不同的组成的补偿材料。
[0019] 根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示设备,包括:基板;第一电极,所 述第一电极在所述基板上;有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及第二电 极,所述第二电极在所述有机发光层上,其中所述第一电极和所述第二电极的至少之一包 括接近于所述有机发光层的上表面的第一界面、和与所述第一界面相对的第二界面,所述 第一界面和所述第二界面的补偿材料具有彼此不同的组成。
[0020] 如上所述,根据本发明,可以实现一种有机发光显示设备,其中包括用于补偿异物 的补偿层。另外,可以通过在形成第二电极(比如阴极)的工艺期间区分包括用于形成补偿 层的补偿材料的气体的组成比率或者组成,来沉积补偿层。
[0021] 根据本发明的,通过包括补偿层和电极层的第二电极,可以防止由异物所引起的 阴极和阳极之间的短路。另外,形成了确保第二电极的透射率的补偿层,因此可以提高有机 发光显不设备的光效率。
[0022] 根据本发明,通过包括补偿层和电极层的第一电极,能够减薄第二电极的补偿层, 因此可以进一步提尚有机发光显不设备的光效率。
[0023]根据本发明,在形成用于补偿异物的层期间,由于可以在形成第二电极(比如阴 极)或者第一电极(比如阳极)期间仅仅控制补偿材料(比如氧和臭氧)的分压比而无需额外 的设备,因而可以提高工艺效率,并且可以降低工艺成本。
【附图说明】
[0024] 本发明的上述及其他目的、特征和优点将通过以下结合附图的详细说明而变得清 楚,其中:
[0025] 图1是示出根据本发明实施方式的显示设备的示意图;
[0026] 图2是示出可以应用本发明的有机发光层、第一电极和第二电极的结构的视图;
[0027] 图3是更详细示出图2的构造中的第二电极下方的构造的视图;
[0028] 图4至6是示出显示面板的横截面的视图,其中设置有包括根据本发明一个实施方 式的异物补偿层的第二电极;
[0029]图7至10是根据本发明第一实施方式的显示面板的剖视图;
[0030] 图11至13是示出用于形成图7至9中示出的第二电极的补偿材料的分压比、以及基 于分压比在第二电极中的补偿材料的组成比率的视图;
[0031] 图14是根据本发明第二实施方式的显示面板的剖视图;
[0032]图15至17是示出图14的构造中的Rep_Comp的组成比率的图表;
[0033]图18是根据本发明第三实施方式的显示面板的剖视图;
[0034]图19是示出根据本发明第三实施方式的包括两种材料的补偿层和第二电极的补 偿材料分布的视图;
[0035]图20至22是示出显示面板的横截面的视图,其中设置有包括根据本发明另一实施 方式的异物补偿层的第一电极;
[0036]图23至27是显示面板的剖视图,每一视图具体示出了包括异物补偿层的第一电极 的实施方式;
[0037]图28是示出作为用于形成第二电极的材料的Cath_Comp、与作为用于溅射形成补 偿层的材料的Rep_Comp之间的关系的图表;
[0038]图29是示出根据本发明的一实施方式的薄层电阻根据Rep_Comp的分压比而增加 的图表;
[0039] 图30是示出透射率根据包括补偿层的第二电极的厚度的增加而降低的图表;以及
[0040] 图31是示出在现有面板与其中包括了在本发明中提出的异物补偿层的面板之间 比较的视图。
【具体实施方式】
[0041] 在下文中,将参照【附图说明】本发明的实施方式。在通过附图标记表示图中元件时, 将通过相同的附图标记表示相同的元件,尽管它们是在不同的图中示出。进一步来讲,在本 发明的下文说明中,当对于此处涉及的已知功能和构造的详细说明可能导致本发明的主题 不清楚时,将省略这种详细说明。
[0042] 另外,当描述本发明的部件时可能使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等之类的术 语。这些术语中的每一个并不是用于限定相应部件的本质、等级或者顺序,而仅仅是用于将 相应部件与其他部件区分开。在描述到某一结构元件与另一结构元件"连接"、"耦接"或"结 合"的情形中,应当理解,另一结构元件可以通过中间元件与多个结构元件"连接"、"耦接〃 或〃结合〃,某一结构元件也可以与另一结构元件直接连接或者直接接触。
[0043] 图1是示出根据本发明实施方式的显示设备的示意图。
[0044] 参见图1,根据实施方式的显示设备100包括其中沿第一方向(例如垂直方向)形成 多条第一线VLl至VLm、和沿第二方向(例如水平方向)形成多条第二线HLl至HLn的显示面板 110,用于将第一信号提供到多条第一线VLl至VLm的第一驱动单元120,用于将第二信号提 供到多条第二线HLl至HLn的第二驱动单元130,和用于控制第一驱动单元120和第二驱动单 元130的时序控制器140。
[0045] 当沿第一方向(例如垂直方向)形成的多条第一线VLl至VLm和沿第二方向(例如水 平方向)形成的多条第二线HLl至HLn彼此交叉时,在显示面板110中限定了多个像素 P。
[0046] 上述的第一驱动单元120和第二驱动单元130中的每一个可以包括输出用于图像 显示的信号的至少一个驱动集成电路。
[0047] 在显示面板110中沿第一方向形成的多条第一线VLl至VLm例如可以是沿垂直方向 (第一方向)形成的用于将数据电压(第一信号)传送到垂直像素列的数据线,第一驱动单元 120可以是用于将数据电压提供到数据线的数据驱动单元。
[0048]另外,在显示面板110中沿第二方向形成的多条第二线HLl至HLn可以是沿水平方 向(第二方向)形成的用于将扫描信号(第一信号)传送到水平像素行的栅极线,第二驱动单 元130可以是用于将扫描信号提供到栅极线的栅极驱动单元。
[0049] 另外,为了接入第一驱动单元120和第二驱动单元130,在显示面板110中还组态了 焊盘部。当第一驱动单元120将第一信号提供到多条第一线VLl至VLm时,焊盘部将第一信号 传送到显示面板110。以相同的方式,当第二驱动单元130将第二信号提供到多条第二线HLl 至HLn时,焊盘部将第二信号传送到显示面板110。
[0050] 每一像素包括至少一个子像素。子像素表示其中可以形成一种具体滤色器的单 元,或者其中不形成滤色器而是由有机发光器件发射一种具体颜色的光的单元。在子像素 中限定的颜色可以包括红色、绿色和蓝色,并且可以选择性地包括白色。然而,本发明不限 于此。因为每一子像素包括额外的薄膜晶体管和与薄膜晶体管连接的电极,所以在下文中, 构成像素的子像素被称为一个像素区域。
[0051] 显示面板中的每一像素区域的与控制发光的薄膜晶体管连接的电极被称为第一 电极。设置在显示面板的前表面上或者设置为包括两个或更多像素区域的电极被称为第二 电极。当第一电极是阳极电极时,第二电极是阴极电极,反之亦然。在下文中,将以阳极电极 作为第一电极的实施方式并且阴极电极作为第二电极的实施方式为基础描述本说明书,但 是本发明不限于此。
[0052]同时,有机发光显示设备包括顶部发光、底部发光、双向发光等等。尽管可选择任 何发光类型,不过在增加了显示面板面积的大面积显示面板中,应当执行工艺的区域变宽, 因此增加了异物进入的可能性。特别是,当异物进入在工艺中本不应当发生短路的第一电 极和第二电极之间的区域时,可能发生短路,因此相应像素区域可能作为暗点(dark spot) 工作。
[0053]图2是示出可以应用本发明的有机发光层、第一电极和第二电极的结构的视图。有 机发光层设置在第一电极210和第二电极290之间。显示面板可以如附图标记201所示具有 一个有机发光层,可以如附图标记202所示具有两个有机发光层,也可以如附图标记203所 示具有三个有机发光层。
[0054]在附图标记201的情形中,有机发光层220发射白色光。
[0055]在附图标记202的情形中,第一发光层230可以发射蓝色光,第二有机发光层240可 以发射绿色光或者黄绿色光中的任一种。
[0056]在附图标记203的情形中,第一发光层250可以发射蓝色光,第二有机发光层260可 以发射绿色光或者黄绿色光中的任一种,第三发光层270可以发射红色光和蓝色光两者。 [0057]可以在图2的构造中掺杂具体颜色的掺杂剂,以便发射具体颜色的光。
[0058]可以根据本发明的实施方式而不同地选择附图标记201、202和203中的各发光层 的各种颜色的组合,并且本发明不限于此。
[0059] 在图2的构造中,第一电极210可以是作为具有高导电性和高功函数的透明导电材 料的氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(IZ0)、IGZ0、Sn0 2、Zn0等等。另外,当第一电极210包括具有 低功函数的金属时,第一电极210可以是41^8、1%、1^、0 &等等,但是不限于此。第二电极290 可以是上述的具有高功函数的透明导电材料1!'0、120、1620、5110 2、2110等等。另外,当第二电 极290包括具有低功函数的金属时,第二电极290可以是41^8、1%、1^、0 &等等,但是不限于 此。
[0060] 图3是更详细示出图2的构造中的第二电极下方的构造的视图。
[0061 ]上文所述的有机发光层可以被划分为发光层(EML)、电子注入层(EIL)、电子传输 层(ETL)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)等等。另外,当在有机发光层中包括两个或更 多EML时,可以设置电荷产生层(CGL),CGL用于将上下两个有机发光层之间的电荷控制为平 衡。
[0062] 而第二电极下方的发光层220、240和270的构造包括缓冲层318、EIL316、ETL314、 具体颜色的EML312和HIL310。
[0063] 在图2和3中,当异物进入第一电极210和第二电极290之间的区域、从而由于异物 而导致在第一电极210和第二电极290之间发生短路时,相应像素不发光。当为了防止这一 点而将第一电极210和第二电极290之间的区域形成得很厚时,例如增加了缓冲层318的厚 度,会发生光效率降低的问题。
[0064]在下文的本说明中,将描述在第二电极下方包括用于补偿异物的补偿层的有机发 光层。特别是,补偿层可以在形成第二电极的工艺期间使得构成补偿层的补偿材料中包括 的气体的组成比率或者组成量不同,从而不需要额外工艺。
[0065]根据本发明的一个实施方式,组成成分可以根据第二电极与缓冲层相距的距离而 不同。更具体地说,第二电极可以被划分为电极层和补偿层。作为另一实施方式,第二电极 可以被形成为使得邻近于缓冲层的界面处的第二电极的组成材料不同于远离缓冲层的界 面处的第二电极的组成材料。为此目的,在本发明中包括补偿材料,在第二电极的下部分中 形成高电阻区域,在第二电极的上部分中形成低电阻区域,其中下部分是接近于缓冲层的 区域,上部分是远离缓冲层的区域。因此,高电阻区域用作补偿异物的补偿层,低电阻区域 用作接收基础电力的电极层。
[0066]图4至6是示出显示面板的横截面的视图,其中设置有包括根据本发明一个实施方 式的异物补偿层的第二电极。图4的构造可以被应用于图2的附图标记201。图5的构造可以 被应用于图2的附图标记202。图6的构造可以被应用于图2的附图标记203。
[0067] 在图4至6中,分区段显示了每个层。上文所述的有机发光层可以包括ETUEML和 HTL,并且可以根据第一电极210和第二电极490的位置而选择性地包括EIL和HIL。另外,CGL 可以被设置在有机发光层之间。
[0068]在图4至6中,示出了其中有机发光层的数目是一个、两个或者三个的情形作为实 施方式,但是本发明不限于此。在图5中,第一发光层240可以发射黄绿色光或者绿色光,第 二发光层230可以发射蓝色光,并且通过组合这些颜色可以发射白色光。即使在图6中,也可 以通过组合三种发光层250、260和270的颜色来发射白色光。在图4至6的构造中,第二电极 被划分为包括补偿层的两个层。另外,即使在其中应当薄薄地铺展第二电极的情形中,第二 电极也包括防止由于异物导致的阴极-阳极短路的补偿层。另外,为了提高白色光的发光效 率,在本发明中,在第二电极下方形成确保第二电极的透射率的补偿层以提高光效率,而不 是形成具有低透射率的补偿层。
[0069]在图4至6中,第二电极400被划分为电极层490和补偿层480。上述的两个层可以根 据形成补偿层的补偿材料的组成比率来区分。因此,两个层之间的界面可能不是很清晰。 即,在第二电极400中,电极层490和补偿层480可能不是通过一个精确的界面来区分的。然 而,第二电极400可以包括作为两个区域的高电阻区域和低电阻区域,其中补偿材料的分布 较高的高电阻区域可以用作补偿异物的补偿层480,而补偿材料的分布较低的低电阻区域 可以用作接收电力的电极层490。
[0070]在图4至6中,补偿层480可以通过在形成第二电极400的工艺期间控制补偿气体的 注入量来形成。例如,在溅射用于形成第二电极400的材料的同时,初始地大量注入用于形 成补偿层480的补偿材料,然后可以逐渐地减少注入量。因此,在邻近于缓冲层318的区域中 形成高电阻区域的补偿层480。另外,在减少了补偿材料的注入量之后,可以在补偿层480上 形成电极层490。上文所述的补偿材料可以与形成电极层490的电极材料相组合。另外,作为 一个实施方式,上文所述的补偿材料可以是用于提高电极层490的电阻的材料。
[0071]第二电极400可以包括电极材料和补偿材料,它们是两种类型的材料。毫无疑问, 每种材料可以是另一种材料的化合物。在第二电极400中,补偿层或者高电阻区域480中的 电极材料和补偿材料之间的比率不同于电极层或者低电阻区域490中的电极材料和补偿材 料之间的比率。
[0072]在下文中,为了便于说明,电极材料表示为"Cath_Comp",补偿材料表示为"Rep_ Comp"。形成补偿层480和电极层490的"Rep_Comp"的组态可以随着"Rep_Comp"的组态接近 于第二电极400的上界面而增加。替代地,"Rep_Comp"的组成比率可以在补偿层480和电极 层490中清晰地区分开。
[0073] 作为电极材料的Cath_Comp可以是311〇2、11'0、120、1620等等,但是不限于此。另外, 当使用至少两种材料时,为了区分这些材料,可以添加序号,如Cath_Compl、Cath_Comp2、 Cath_Comp3 等等。
[0074]作为补偿材料的Rep_Comp与导电材料相组合,因而具有高电阻的性质。作为一个 实施方式,Rep_Comp可以是02、03、0)2、014、014〇、0:14、^)、吣、!1 23等等,但是不限于此。另外, 如果使用两种或更多种材料,为了区分这些材料,可以添加序号,如Rep_Compl、Rep_Comp2、 Rep_Comp3等等。
[0075]另外,当在诸如溅射之类的工艺中组合两种或更多种材料时,可以并列书写相应 材料。例如,如果Cath_Comp和Rep_Comp是在诸如派射之类的工艺中沉积的两种材料时, Cath_Comp和Rep_Comp的组合表示为Cath_Comp+Rep_Comp。当确定了每种材料的组成比率 时,可以使用括号并列书写组成比率,如Cath_Comp (90 % ) +Rep_Comp (IO % )。
[0076] 作为本发明的第一实施方式,描述了其中区分补偿层480和电极层490的实例。根 据补偿材料的分布或者组成比率,补偿层480可以包括两个或更多不同的层。
[0077] 图7至10是根据本发明第一实施方式的显示面板的剖视图。为了便于说明,没有示 出缓冲层318下方的EIL至第一电极210。
[0078]图7示出其中在根据本发明第一实施方式的电极层490a中不包括补偿材料的组态 411,以及其中补偿层和电极层中的补偿材料的组成比率不同的组态412。
[0079] 在图7中,可以在形成第二电极400a和400b的工艺中的溅射方法期间沉积一层 Cath_Comp。派射Cath_Comp和Rep_Comp,并且在其中增加了 Rep_Comp的分压比的状态下形 成补偿层480a和480b,然后降低Rep_Comp的分压比。替代地,可以仅仅派射Cath_Comp来进 行沉积,而不派射Rep_Comp。然而,即使在其中仅仅沉积Cath_Comp以形成电极层490a的情 形中,由于在处理室内保持的少量Rep_Comp,如由附图标记412所示,在电极层490b中仍可 能包括Rep_Comp。附图标记411示出其中在电极层490a中不包括作为补偿材料的Rep_Comp 的情形。
[0080] 作为附图标记412的一个实施方式,当Cath_Comp是IZO并且Rep_Comp是O2时,O 2的 分压比可以增加,以便形成作为InZnOy的补偿层480b。另外,可以用InZnOx形成电极层 490b。这里,形成"x〈y"的关系。由于〇2或者〇3的分压比在派射工艺中较低,因此InZnOx构成 低电阻膜,因而成为电极层。由于O 2或者O3的分压比在溅射工艺中较高,因此InZnOy构成高 电阻膜,因而成为补偿层。"X"可以具有值1至2, "y"可以具有值2至3。这里,作为一个实施方 式,在Ar和O2的比率中增加了O2分压的状态(例如,16 % )下形成补偿层480b之后,在Ar和O2 的比率中降低了 O2分压的状态(例如,9%)下形成电极层490b。因此,形成补偿层480b的O2的 比率(例如,A%)高于形成电极层490b的O 2的比率(例如,B%)。
[0081 ]分压比表示在溅射工艺中的处理室内的各种气体之中的Rep_Comp的比率,该比率 并不是绝对地等于补偿层480b中的Rep_Comp的组成比率。然而,由于分压比越高,Rep_Comp 的组成比率越高,因此可以执行溅射工艺,以使得补偿层中的Rep_Comp的分压比高于电极 层中的Rep_Comp的分压比。
[0082]图8示出其中包括根据本发明第一实施方式的补偿层的组态,这里,补偿层包括其 中Itep_Comp的组成比率不同的两个层。
[0083] 在缓冲层318上沉积〇81:11_(]〇11^1,以常规分压比沉积1^口_(]〇11^1。形成其中1^口_(]〇11^1 构成C%的第一补偿层480c。以降低的分压比在第一补偿层480c上设置Rep_Comp,以形成其 中Rep_Comp构成D %的第二补偿层480d。接下来,不派射Rep_Comp,仅仅沉积Cath_Comp。 [0084] 在图8中,第一补偿层480c和第二补偿层480d包括相同的Rep_Comp,在沉积工艺中 分压比存在差异,第一补偿层480c的Rep_Comp的组成比率变为C%,第二补偿层480d的Rep_ Comp的组成比率变为D%,因此第一补偿层480c和第二补偿层480d具有"C>D"的关系。
[0085]图9示出其中根据本发明第一实施方式的补偿层包括Rep_Comp的组成比率不同的 三个层的组态。与图7和8相同,在缓冲层318上沉积Cath_Comp。通过按三个阶段中的第一阶 段降低Rep_Comp的分压比来沉积Rep_Comp,形成第一补偿层480e。通过在第二阶段降低 Rep_Comp的分压比并且在第一补偿层480e上沉积Rep_Comp,来形成第二补偿层480f。通过 在第三阶段降低Itep_C〇mp的分压比,在第二补偿层480f上形成第三补偿层480g。接下来,不 派射Rep_Comp,仅仅沉积Cath_Comp。可以按照如下方式执行工艺:随着Rep_Comp接近于电 极层490d而降低分压比,并且每一补偿层中的Rep_Comp的组成比率的关系可以具有"E>F> G"的关系。
[0086]同时,由于尽管不派射Rep_Comp,但是Rep_Comp可能残留在处理室内,所以形成电 极层490d的材料可以是Cath_Comp+Rep_Comp(P% )。在这种情形下,P可以小于G。作为一个 实施方式,E、F、G和P可以具有〃P〈〈G〈F〈E 〃的关系。
[0087] 由于在图7至9中不同的补偿材料形成各个层中的第二电极400,所以在其中大量 地包含补偿材料的高电阻区域的补偿层480中防止了由于从外部进入的异物导致的阴极-阳极短路,从而阻止了暗点的可能性。
[0088] 在图4至9中以虚线的方式示出补偿层和电极层之间的界面或者补偿层之间的界 面,是为了显示在这些界面的前后区域处作为补偿材料的Rep_Comp的组成比率可能逐渐地 变化。参照图10描述在两个界面910和920处的补偿材料分布。
[0089] 在图10中,第二补偿层480f的Ref_Comp 1010由非常高的密度构成,即F%。同时, 第三补偿层480g中的Ref_Comp 1010的组成比率是G%,低于第二补偿层480f中的Ref_Comp 1010的组成比率。另外,电极层490d中的Ref_Comp 1010的组成比率是P%,是一个非常低的 比率。这里,Ref_Comp 1010的组成密度可以基于界面910和920而不同,但是组成密度可能 并不是清晰区分的,并且可能逐渐地降低。这是因为,即使在执行溅射工艺的处理室内不再 沉积Ref_Comp的情形中,仍然会由于处理室内残留的Ref_Comp,而导致Ref_Comp的组成比 率可能具有错误。本发明可应用于全部实施方式,比如基于第二电极的两个界面,在邻近于 缓冲层的界面和远离缓冲层的界面之间的用于补偿异物的补偿材料的实施方式,例如形成 高电阻膜的材料逐渐地降低组成比率或者以阶梯类型降低。
[0090]图11至13是示出用于形成图7至9中示出的第二电极的补偿材料的分压比、以及基 于分压比在第二电极中的补偿材料的组成比率的视图。
[0091 ]图11的附图标记1101是在形成第二电极400b的工艺中Rep_Comp的分压比,相当于 图7的附图标记412。附图标记1102示出以等于附图标记1101的分压比形成的第二电极400b 中的Rep_Comp的组成比率。在附图标记1102中,Rep_Comp的组成比率在第二电极400b中的 补偿层480b和电极层490b之间的界面处快速地降低。在与缓冲层318接触的界面和与第二 电极490b接触的界面之间,形成补偿层480b。在形成缓冲层318之后,溅射形成第二电极 490b的Cath_Comp材料,并且可以在Cath_Comp材料的派射工艺中派射作为用于形成补偿层 480b 的材料的 Rep_Comp。
[0092]图12的附图标记1201是在形成如图8所示的第二电极400 c的工艺期间的Rep_Comp 的分压比。附图标记1202示出以等于附图标记1201的分压比形成的第二电极400c中的Rep_ Comp的组成比率。在附图标记1202中,Rep_Comp的组成比率在第二电极400c中的第一补偿 层480c和第二补偿层480d之间的界面、以及第二补偿层480d和电极层490c之间的界面处快 速地降低。
[0093]图13的附图标记1301是在形成如图9所示的第二电极400d的工艺期间的Rep_Comp 的分压比。附图标记1302示出以等于附图标记1301的分压比形成的第二电极400d中的Rep_ Comp的组成比率。在附图标记1302中,Rep_Comp的组成比率在第二电极400d中的第一补偿 层480e和第二补偿层480f之间的界面、以及第二补偿层480f和电极层490d之间的界面处快 速地降低。
[0094] 在形成缓冲层318之后,派射1^口_(]〇11^1和〇31:11_(]〇11^1,通过如通过附图标记1301所 示分阶段降低分压比来沉积Rep_Comp,以形成第一、第二和第三补偿层480e、480f和480g。 然而,即使仅仅派射Cath_Comp以形成电极层490d,在电极层490d中可能包括残留物Rep_ Comp。因此,在第二电极490d中可能还残留了非常少量例如P%的Rep_Comp。
[0095] 在补偿层和电极层中分布的分压比对应于图11至13中的附图标记1101、1201和 1301。因此,作为形成补偿层的材料的Rep_Comp的分布(或者组成比率)在补偿层480b、 480(3、480(1、4806、48(^和48(^的区域中较高,而1^?_(:〇111?的分布(或者组成比率)在电极层 490b、490c 和490d 中较低。
[0096] 如上所述,根据本发明,由于可以不必单独地形成补偿层,并且可以选择性地输入 形成补偿层的材料,因此可以生产能够简化工艺并且能够在不需要额外材料或者工艺以及 设备投资的情况下补偿异物的显示面板和显示设备。另外,可以通过异物补偿层来降低由 于异物导致的发生暗点的缺陷率,因此可以改善显示面板的质量。
[0097] 作为本发明的第二实施方式,提供了一种其中在补偿层和电极层中逐渐地降低补 偿材料的分布或者组成比率的实例。在上文所述的第一实施方式中,在溅射工艺中分阶段 控制作为补偿材料的Rep_Comp的分压比。因此,在第二实施方式中,不形成其中构成补偿层 和电极层的化合物的组成比率具有急剧差异的界面,而是逐渐地降低Rep_Comp。因此,根据 第二实施方式,形成第二电极,而不是形成单独区分开的补偿层。第二电极可以被形成为使 得Rep_Comp的组成比率在接近于缓冲层的界面处较高,而Rep_Comp的组成比率在相对的界 面处较低。
[0098] 图14是根据本发明第二实施方式的显示面板的剖视图。为了便于说明,没有示出 缓冲层318下方的EIL至第一电极210。为了示出Rep_Comp的组成比率或者分布,构成Rep_ Comp的分子被显示为附图标记1410。在第二电极1490中,Rep_Comp 1410的组成比率在与缓 冲层318接触的界面1490a的区域中较高,并且Itep_Comp 1410的组成比率在与缓冲层318间 隔开并且远离缓冲层318的界面1490b的区域中较低。因此,在接近于缓冲层318的区域中形 成高电阻膜,因而为接近于缓冲层318的区域提供了补偿层的功能,而在远离缓冲层318的 区域中形成低电阻膜,因而为远离缓冲层318的区域提供了电极层的功能。因此,电极的导 电性在低电阻膜中提高,用于补偿异物的功能在高电阻膜中提高。更具体地说,在接近于有 机发光层的第一界面1490a处的补偿材料的组成不同于在与第一界面1490a相对的第二界 面1490b处的补偿材料的组成。如参照图10所描述的,补偿材料1010的组成比率在随机界面 910和920中不同的情形也反映了图14的实施方式。
[0099] 图15至17是示出图14的构造中的Rep_Comp的组成比率的图表。示出了通过在溅射 中逐渐地控制Rep_Comp的分压比而形成的第二电极的两个界面1490a和1490b之间的Rep_ Comp的组成比率。
[0?00]作为本发明的第三实施方式,可以使用至少两种Rep_Comp材料形成补偿层。例如, 可以使用Rep_Compl和Rep_Comp2形成补偿层,以提高异物补偿的性能。Rep_Compl可以与 Cath_Comp-起沉积,以形成高电阻膜。Rep_Comp2可以与Cath_Comp-起沉积以形成其电阻 低于Itep_Comp 1的电阻的低电阻膜。
[0101] 图18是根据本发明第三实施方式的显示面板的剖视图。附图标记1801是其中两种 补偿材料形成第二电极1800a的实施方式,第二电极1800a包括两层的补偿层1881和1882以 及电极层490。Rep_Comp 1形成其电阻高于Rep_Comp2的电阻的电阻膜。附图标记1802是其中 三种补偿材料形成第二电极1800b的实施方式,第二电极1800b包括三层的补偿层1883、 1884和1885以及电极层490 JepJ^ompS形成其电阻高于Rep_Comp4的电阻的电阻膜。Rep_ Comp4形成其电阻高于Rep_Comp5的电阻的电阻膜。如上所述,可以在电极层490中,以与补 偿层相比非常低的比率包括补偿材料。
[0102] 图19是示出根据本发明第三实施方式的包括两种材料的补偿层和第二电极的补 偿材料的分布的视图。构成图18的附图标记1801的第一补偿层1881的Rep_Comp 1被标记为 附图标记1910,构成图18的附图标记1801的第二补偿层1882的Rep_Comp2被标记为附图标 记1920。第一补偿层1881形成高电阻膜。第二补偿层1882形成其电阻低于高电阻膜的电阻 的电阻膜。电极层490形成低电阻膜,其电阻低于通过第二补偿层1882形成的电阻膜的电 阻。在电极层490中可以包括少量Rep_Comp2。在接近于缓冲层318的区域中形成高电阻膜, 因而为接近于缓冲层318的区域提供了补偿层的功能,而在远离缓冲层318的区域中形成低 电阻膜,因而为远离缓冲层318的区域提供了电极层的功能。因此,电极的导电性在低电阻 膜中提高,用于补偿异物的功能在高电阻膜中提高。更具体地说,在接近于有机发光层的第 一界面处的第一补偿层1881中的补偿材料的组成不同于在与第一界面相对的第二界面处 的第二补偿层1882中的补偿材料的组成。
[0103] 同时,当如上所述形成包括补偿层的第二电极时,透射率根据补偿层的厚度而降 低,因此有机发光显示设备的性能可能劣化。即,由于当在第二电极中形成的高电阻膜的厚 度增加以改善对于异物的补偿性能时,透射率降低,因此可减小高电阻膜的厚度,而这可能 又会导致防止异物进入的效果劣化。
[0104]因此,为了解决当形成单个补偿层时透射率降低的问题,本发明提供了一种更优 选的有机发光显示设备,其中在有机发光层的两个表面上形成双层的薄补偿层,从而既能 防止透射率降低,又能防止异物进入。
[0105] 图20至22是示出显示面板的横截面的视图,其中根据本发明的另一实施方式在有 机发光层的两个表面上形成薄的异物补偿层,以及示出显示面板的横截面的视图,其中设 置有包括异物补偿层的第二电极和包括异物补偿层的第一电极。图20的构造被应用于图2 的构造201,图21的构造被应用于图2的构造202,图22的构造被应用于图2的构造203。
[0106] 在图20至22中,示出了在第一电极2000和第二电极400之间设置的第一电极2000、 第二电极400和有机发光层。第二电极400被划分为电极层490和补偿层480。图20至22示出 其中有机发光层的数目是一个、两个或者三个的实例,但是本发明不限于此。
[0107] 在图20至22中,第一电极2000被划分为电极层2010和补偿层2020。第一电极2000 的电极层2010和补偿层2020基于构成其每个层的补偿材料的组成比率而彼此不同。即,电 极层2010和补偿层2020通过第一电极2000中的清晰界面而区分。然而,第一电极2000包括 高电阻区域和低电阻区域,其中补偿材料的分布较高的高电阻区域用作补偿异物的补偿层 2020,其中补偿材料的分布较低的低电阻区域用作被施加电力的电极层2010。
[0108]在图20至22中,通过在形成第一电极2000的工艺中控制补偿气体的注入量,形成 第一电极2000的补偿层2020。例如,当溅射用于形成第一电极2000的材料时,初始地注入用 于形成电极层2010的材料(在下文中,标示为"An_Comp"),然后逐渐地增加作为补偿材料的 Rep_Comp的注入量。结果,邻近于有机发光层的区域被形成为高电阻区域的补偿层2020。
[0? 09 ] AI、Ag、ITO等等被用作作为第一电极2 00 0的电极材料的An_Comp,但是An_Comp不 限于此。第一电极2000可以被形成为具有两个或更多层,并且包括反射电极层。
[0110]用于形成第一电极2000的补偿层2020的补偿材料是通过组合导电材料而具有高 电阻特性的〇2、〇3、0)2、014、014〇、(:(:14、^)、吣、!123等等,但是不限于此。用于形成第一电极 2000的补偿层2020的补偿材料可以等同于或者不同于用于形成第二电极400的补偿层480 的补偿材料。当第一电极2000的补偿材料是与第二电极400的补偿材料相同的材料时,提供 了可以在用于形成第一电极2000和第二电极400的溅射工艺中使用相同材料的优点。
[0111]因此,根据本发明的另一实施方式,通过形成具有彼此不同的组成比率的两个或 更多层,在第一电极2000上形成补偿层2020,因而能够在减薄第二电极400的补偿层480的 同时实现补偿异物的功能。
[0112]在下文中,将参照图23至25具体描述其中形成有补偿层2020的第一电极2000的实 施方式。为了便于说明,没有示出位于有机发光层220上方的缓冲层318至第一电极400。 [0113]图23示出其中在电极层2010中不包括补偿材料的组态2301,以及其中补偿层和电 极层的补偿材料的组成比率彼此不同的组态2302。
[0114] 在图23中,在形成第一电极2000a或者2000b的工艺中,以溅射的方式沉积An_ Comp。即,在派射An_Comp的同时,形成电极层2010a或者2010b,并且在增加 Rep_Comp的分压 比之后形成补偿层2020a或者2020b。
[0115] 在电极层2010中不包括1^口_(:〇11^1,但是在增加1^口_(:〇11^1的分压比以形成补偿层 2020的过程中,在电极层2010中可能部分地包括Itep_Comp。
[0116]图24示出其中第一电极2000包括两个层的组态,这两个层的补偿材料具有彼此不 同的组成比率。
[0?17]沉积An-Comp以形成电极层2010c,然后增加 Rep_Comp的分压比以形成补偿层 2020c和2020d。通过以恒定的分压比来沉积Rep_Comp,形成其中Rep_Comp具有组成比率 的第一补偿层2020c,并且通过增加 Rep_Comp的分压比来沉积Rep_Comp,形成其中Rep_Comp 具有组成比率K%的第二补偿层2020d。
[0118] 在图24中,第一补偿层2020c和第二补偿层2020d被形成为包括相同的Rep_Comp, 但是在沉积的过程中分压比存在差异,从而使得第一补偿层2020c包括具有组成比率J%的 Itep_C〇mp,第二补偿层2020d包括具有组成比率K%的Itep_C〇mp,J和K之间的关系是K>J。
[0119] 图25详细示出在图24的两个界面2410和2420中的补偿材料的分布。
[0120] 在图25中,第二补偿层2020d中包含的Itep_Comp 2510具有非常高的组成密度K%, 第一补偿层2020c中包含的Rep_Comp 2510具有与第二补偿层2020d相比相对较低的组成密 度J^t3RepJomp 2510的组成密度在界面2410和2420周围存在差异,但是这种差异并不是 清晰区分的,组成密度是逐渐地减小的。在电极层2010c中不包含Itep_C 〇mp 2510,但是在增 加 Rep_Comp 2510的分压比以形成补偿层的过程中可能包含少量的Itep_Comp 2510。
[0121] 即,根据本发明的另一实施方式,通过以类似于在第二电极上形成补偿异物的补 偿层的方式在第一电极上形成补偿异物的补偿层,在第二电极上形成薄的补偿层。因此,即 使在第二电极上形成补偿层,由于补偿层的厚度,也能够防止透射率的恶化。
[0122] 在上文所述的实施方式中,描述了其中当形成第一电极时逐步地(分阶段地)增加 一种补偿材料的分压比的情形。根据另一实施方式,通过逐渐地增加补偿材料的分压比形 成补偿层,并且通过使用两种或更多种补偿材料形成补偿层。
[0123] 图26是示出根据另一实施方式的在形成第一电极的过程中逐渐地增加补偿材料 的分压比的情形的视图。
[0124] 如图26所示,当逐渐地增加补偿材料时,形成了第一电极2600,在第一电极2600 中,从远离有机发光层220的界面2690a至邻近于有机发光层220的界面2690b,逐渐地增加 补偿材料2610。因此,在邻近于有机发光层220的区域中形成高电阻膜,以用作补偿层,并且 在远离有机发光层220的区域中形成低电阻膜,以用作电极层。
[0125] 图27示出其中通过两种或更多种补偿材料形成补偿层的第一电极,第一电极是通 过使用 Rep_Comp62710 和 Rep_Comp72720 形成的。Rep_Comp72720 形成电阻比 Itep_Comp62710 尚的尚电阻月旲。
[0126] 在图27中,通过派射An_Comp,形成电极层2010。通过派射An_Comp和Rep_ Comp62710,形成第一补偿层2020e,通过派射An_Comp和Rep_Comp72720,形成第二补偿层 2020f。第二补偿层2020f形成高电阻膜,第一补偿层2020e形成电阻低于第二补偿层2020f 的低电阻膜,电极层2010形成电阻低于第一补偿层2020e的低电阻膜。在邻近于有机发光层 220的区域中形成高电阻膜,以用作补偿层,并且在远离有机发光层220的区域中形成低电 阻膜,以用作电极层。
[0127] 因此,在本发明的另一实施方式中,在有机发光层上形成的具有薄双层的补偿层 用于防止异物进入,并且以各种方式形成包括补偿层的第一电极和第二电极。进一步来讲, 可以仅仅在第一电极中包括补偿层,因此防止了异物进入,并且确保了第二电极的高透射 率。
[0128] 图28是示出作为用于形成第二电极的材料的Cath_Comp、与作为用于溅射形成补 偿层的材料的Rep_Comp之间的关系的图表。如图28所示,可以根据形成第二电极的Cath_ Comp,不同地选择和形成作为形成补偿层的材料的Rep_Comp。另外,可以选择两种或更多种 Rep_Comp以形成补偿层,已参照图18和19说明了这一点。在这种情形下,在与缓冲层邻近地 沉积了用于形成电阻相对较高的高电阻膜的Rep_Comp 1的材料之后,可以在Rep_Comp 1上沉 积其电阻低于Rep_Comp 1的电阻的Rep_Comp 2的材料。
[0129]另外,如图28所示,由于甚至在作为电极材料的Cath_Comp和作为补偿材料的Rep_ Comp之间的关系方面形成了促进补偿层的形成的关系图表,因此可以选择这样的补偿材 料:可以根据具体电极材料的选择而更加容易沉积该补偿材料,或者该补偿材料的补偿功 能非常优秀。
[0130]图29是示出根据本发明的一实施方式的薄层电阻根据Rep_Comp的分压比而增加 的图表。如果当Rep_Comp是O2时分压比增加,则第二电极的补偿层中包括的O2量也增加。另 外,薄层电阻根据O 2的增加而增加。然而,根据厚度而产生的偏差不高。
[0131]图30是示出透射率根据包括补偿层的第二电极的厚度的增加而降低的图表。当包 括补偿层的第二电极被形成为具有某一厚度或更高厚度以防止异物进入时,证实透射率会 降低。本发明提供了其中形成单个高电阻膜以补偿异物的基础实施方式,但是如图30所示, 还提供了其中形成薄双层的补偿层来防止由于单个补偿层的厚度增加而导致的透射率降 低的实施方式。
[0132] 图31是示出在现有面板与其中包括了在本发明中提出的异物补偿层的面板之间 比较的视图。在图31中,附图标记3110表示在面板工艺中渗入的异物。在附图标记3101中, 当异物3110渗入其中不包括补偿层的第二电极290时,在第一电极210和第二电极290之间 发生短路。与此相对照,如通过附图标记3102所示,即使异物3110渗入包括补偿层480和电 极层490的第二电极400,通过补偿层480,也不会发生第一电极210和第二电极490之间的短 路。因此,不产生诸如暗点之类的缺陷。进一步来讲,如附图标记3103,第一电极2000包括补 偿层2020和电极层2010,使得在有机发光层220的两个表面上形成薄的补偿层480和2020。 例如,补偿层480和2020中的每一个被形成为具有在仅仅在第二电极400中形成补偿层480 的情形中的补偿层480的一半厚度。在这种情形下,通过在有机发光层220的两个表面上形 成的补偿层480和2020,防止了第一电极2000和第二电极400之间的短路,并且通过将第二 电极400的补偿层480形成为具有很薄的厚度,防止了由于补偿层480的厚度所导致的透射 率降低。
[0133] 表1是示出根据本发明的异物补偿性能的表格。
[0134] [表 1]
[0136] 如表1中所公开的,在未应用本发明的参考例1、参考例2和参考例3中,所产生的暗 点的平均数目是242.3,而在此之中,由于异物导致的暗点的数目是181.3。然而,根据本发 明,所产生的暗点的总数目是125,而由于异物导致的暗点的数目是93。因此,本发明具有将 暗点的数目减少一半乃至更多的效果。
[0137] 本发明的实施方式提供了在显示面板中包括补偿层以防止由于异物导致的电极 之间的短路的结构。特别是,在沉积诸如ΙΖ0、ΙΤ0和IGZO之类的透明导电氧化物(TCO)作为 第二电极的工艺中形成异物补偿层,异物补偿层形成高电阻膜。通过减少用作异物补偿层 的补偿材料(即,Rep_Comp)的分布,在不需要额外工艺或者额外设备的情况下,在一个处理 室内形成第二电极和异物补偿层。除TCO之外,还可以将可能变为OLED的透明阴极的氧化膜 (比如WO和MO)应用于第二电极,并且本发明不局限于第二电极的特定材料。
[0138] 根据本发明,因为当在电极上存在异物或者凸起的时候无需额外工艺便可形成高 电阻膜,因此防止了第一电极(例如阳极)和第二电极(例如阴极)之间的短路。因此,降低了 暗点发生概率,并且增加了面板产量。在本说明书中,通过在形成透明的第二电极的工艺中 控制用于形成高电阻膜的补偿材料的分布比率,可以在相同的工艺中或者同时地形成第二 电极和高电阻膜。上文所述的对于补偿材料的分布比率的控制可以包括逐渐地降低补偿材 料的分布比率的方法,离散地形成补偿材料分布使得异物补偿层与第二电极清晰区分的方 法,等等。另外,可以使用两种或更多种异物补偿材料形成异物补偿层的高电阻膜、具有大 致中间电阻的电阻膜以及第二电极。
[0139] 当在面板上溅射第二电极时,由于在将补偿材料溅射到第二电极之前或者在溅射 工艺中,根据预定分压比在面板上部分地挤压和沉积补偿材料,所以无需额外的和单独的 工艺和设备便可以在面板中包括异物补偿结构。
[0140] 上文所述的说明和附图仅仅用于说明的目的而提供了本发明的技术构思的实例。 本发明所属的技术领域中的普通技术人员可以理解的是,可以在不脱离本发明的实质特征 的情况下实现形式上的各种变型和变更,比如构造的组合、分离、置换和改变。因此,在本发 明中公开的实施方式仅仅是用以描述本发明的技术精神,而不是对其进行限制。进一步来 讲,本发明的技术精神的范围不受限于这些实施方式。本发明的范围应当视为以这样的方 式基于所附权利要求书:在等效于各权利要求的范围内包括的所有技术构思都属于本发 明。
【主权项】
1. 一种有机发光显不设备,包括: 基板; 第一电极,所述第一电极在所述基板上; 有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及 第二电极,所述第二电极在所述有机发光层上,所述第二电极包括至少两个层,所述至 少两个层包含具有不同组成的补偿材料。2. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二电极包括补偿层和电极层, 所述补偿层和电极层是从所述有机发光层开始顺序地设置的,以及 所述补偿层中包括的补偿材料的组成比率大于所述电极层中包括的补偿材料的组成 比率。3. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述有机发光层包括: 第一发光层,所述第一发光层在所述第一电极上; 传输层,所述传输层在所述第一发光层上;以及 第二发光层,所述第二发光层在所述传输层上, 其中从彼此组合的第一发光层和第二发光层发射的光对应于白色光。4. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二电极包括第一补偿层、第二 补偿层和电极层,所述第一补偿层、第二补偿层和电极层是从所述有机发光层开始顺序地 设置的, 其中所述第一补偿层中的补偿材料和所述第二补偿层中的补偿材料是不同的。5. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述补偿材料是02、03、C02、CH4、CH4〇、 CCl4、N0、fc或者H 2S中的任一种。6. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括具有彼此不同的 组成的两个或更多补偿层。7. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括电极层和补偿层, 所述电极层和补偿层是从所述基板开始顺序地设置的,所述补偿层的补偿材料的组成比率 大于所述电极层的补偿材料的组成比率。8. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括电极层、第一补偿 层和第二补偿层,所述电极层、第一补偿层和第二补偿层是从所述基板开始顺序地设置的, 所述第一补偿层中包括的补偿材料不同于所述第二补偿层中包括的补偿材料。9. 根据权利要求6所述的有机发光显示设备,其中所述第一补偿层中包括的补偿材料 等同于所述第二补偿层中包括的补偿材料。10. 根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括接近于所述有机 发光层的上表面的第一界面、和与所述第一界面相对的第二界面,所述第一界面和所述第 二界面的补偿材料具有彼此不同的组成。11. 一种有机发光显不设备,包括: 基板; 第一电极,所述第一电极在所述基板上; 有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及 第二电极,所述第二电极的补偿材料的组成在接近于所述有机发光层的第一界面处和 在与所述第一界面相对的第二界面处是不同的。12. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中所述第二电极中的补偿材料的组 成比率在所述第一界面处最高,所述第二电极中的补偿材料的组成比率在所述第二界面处 最低。13. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中第一补偿材料的组成比率在所述 第一界面处最高, 第二补偿材料的组成比率在所述第一界面和所述第二界面之间的区域处最高,以及 所述第一补偿材料和所述第二补偿材料的组成比率在所述第二界面处最低。14. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中形成所述第二电极的电极材料是 Sn02,所述补偿材料是02、03、C02和CH4之一。15. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中形成所述第二电极的电极材料是 ITO,所述补偿材料是CH4〇、CCl4和NO之一。16. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中形成所述第二电极的电极材料是 IZ0,所述补偿材料是〇2、〇3、N2和H2S之一。17. 根据权利要求11所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括具有两个或更 多补偿层,所述两个或更多补偿层包含具有彼此不同的组成的补偿材料。18. 根据权利要求17所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极包括电极层和补偿 层,所述电极层和补偿层是从所述基板开始顺序地设置的,所述补偿层的补偿材料的组成 比率大于所述电极层的补偿材料的组成比率。19. 一种有机发光显不设备,包括: 基板; 第一电极,所述第一电极在所述基板上; 有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及 第二电极,所述第二电极在所述有机发光层上,其中所述第一电极和所述第二电极的 至少之一包括两个或更多层,所述两个或更多层包括具有彼此不同的组成的补偿材料。20. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极和所述第二电极的 至少之一包括电极层和补偿层,所述电极层和补偿层是从所述有机发光层开始顺序地设置 的,所述补偿层的补偿材料的组成比率大于所述电极层的补偿材料的组成比率。21. 根据权利要求19所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极和所述第二电极的 至少之一包括电极层、第一补偿层和第二补偿层,所述电极层、第一补偿层和第二补偿层是 从所述有机发光层开始顺序地设置的,所述第一补偿层中包括的补偿材料不同于所述第二 补偿层中包括的补偿材料。22. -种有机发光显不设备,包括: 基板; 第一电极,所述第一电极在所述基板上; 有机发光层,所述有机发光层在所述第一电极上;以及 第二电极,所述第二电极在所述有机发光层上,其中所述第一电极和所述第二电极的 至少之一包括接近于所述有机发光层的上表面的第一界面、和与所述第一界面相对的第二 界面,所述第一界面和所述第二界面的补偿材料具有彼此不同的组成。
【文档编号】H01L27/32GK106067470SQ201511019279
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2015年12月29日 公开号201511019279.9, CN 106067470 A, CN 106067470A, CN 201511019279, CN-A-106067470, CN106067470 A, CN106067470A, CN201511019279, CN201511019279.9
【发明人】许峻瑛, 金英美, 朴容敏, 郑允燮
【申请人】乐金显示有限公司
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