在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法
【专利摘要】本发明公开了一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98?102nm的SiO2或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8?1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4?1.6微米，再将氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，通过采用降低MOCVD反应室压力，提高V/III比的方式，控制氮化镓外延层的生长模式，外延层会在接续垂直生长的同时在掩膜图形层上侧向外延生长，制备出高亮度氮化镓基发光二极管。本发明制备的氮化镓基发光二极管散热性好。
【专利说明】
在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体光电子技术领域，一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备高亮度氮化镓发光二极管的方法。
【背景技术】
[0002]LED的散热现在越来越为人们所重视，这是因为LED的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10°C寿命会延长2倍。根据光衰和结温的关系，结温假如能够控制在65° C，那么其光衰至70%的寿命可以高达10万小时!但是，限于实际的LED灯的散热性能，LED灯具的寿命变成了一个影响其性能的主要问题。而且，结温不但影响长时间寿命，也还直接影响短时间的发光效率。比如结温为25度时的发光量为100%，那么结温上升至60度时，其发光量就只有90%;结温为100度时发光量就下降到80%;结温升至140度时发光量就只有70%。由此可见，改善LED灯的散热，控制结温是十分重要的事情。除此以外，LED的发热还会使得其光谱移动，色温升高，正向电流增大(恒压供电时)，反向电流也增大，热应力增高，荧光粉环氧树脂老化加速等等种种问题。因此，LED的散热是LED灯具的设计中最为重要的一个问题。
[0003]LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量。由于LED本身的热容量很小，所以必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温。为了尽可能地把热量引出到芯片外面，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热性更好的衬底材料。早期的LED只是采用Si(硅)作为衬底。后来就改为蓝宝石作衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不太好。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种散热性能好的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法。
[0005 ]为了解决上述技术问题，本发明采取以下方案:
一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤:
步骤I，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98-102nm的S12或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8-1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4-1.6微米；
步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、950-1050°C下，MOCVD反应室的压力为200-300torr、V/III摩尔比为1000-1300，三维生长厚度为150-200纳米的η型GaN三维生长层；
步骤3，在Η2气氛、1050-1100°C下，MOCVD反应室的压力为60-100torr、V/III摩尔比为1300-3000，二维生长厚度为1-3微米的η型GaN 二维合并层；
步骤4，在Ν2气氛、820-850°C下，V/III摩尔比为5000-10000，M0CVD反应室的压力为300torr，生长厚度为150nm的η型GaN低温应力释放层； 步骤5，在N2气氛、750-850°C下，V/III摩尔比为5000-10000，M0CVD反应室的压力为300torr，生长5-10周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区，其中，0〈x彡0.3，InxGapxN阱层的厚度范围在2-4nm，GaN皇层的厚度为8-20nm;
步骤6，在N2气氛、850-950°C下，V/III摩尔比为5000-10000、M0CVD反应室的压力为100-300torr，生长5-10个周期的P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层，其中，Al组分OSy1彡0.2，P型AlylGa1-ylN的厚度为2-5nm，GaN层厚度为2-5nm;
步骤7，在H2气氛、950-1050 °C下，V/III摩尔比为2000-5000、MOCVD反应室的压力为10torr,生长 100_300nm 的高温 p 型 GaN 层；
步骤8，在H2气氛、650-750°C下，V/III摩尔比为5000_10000、M0CVD反应室的压力为300torr,生长2_4nm的p型InGaN接触层；
步骤9，将MOCVD反应室的温度降至20-30 V，结束生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的GaN基发光二极管外延层。
[0006]所述步骤I中采用化学气相沉积方式制备掩膜图形层。
[0007]所述步骤2中采用1-3微米/小时的生长速率进行三维生长η型GaN三维生长层，该η型GaN三维生长层的Si掺杂浓度为1018-1019cm—3。
[0008]所述步骤3中采用恒定生长速率进行生长η型GaN 二维合并层，该η型GaN 二维合并层的Si掺杂浓度为118-1O19Cnf3。
[0009]所述步骤6中P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层的Mg掺杂浓度相应的空穴浓度为2X1017cm—3，其中Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而减少。
[0010]所述Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而减少时呈阶梯式减少。
[0011]所述步骤7中的高温P型GaN层的Mg掺杂浓度为1017-1018cnf3。
[0012]所述步骤8中的P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度大于1018cnf3。
[0013]所述步骤9中将MOCVD反应室的温度先降至700-750°C，然后采用纯氮气气氛进行退火处理5-20分钟，再降至20-30 °C。
[0014]本发明通过优化氮化镓单晶衬底生长初期的载气、生长温度以及生长速率等参数，控制氮化镓外延层的生长模式，制备出高晶体质量氮化镓外延层，在此基础上制备出高亮度的GaN基LED外延层，具有良好的散热性能。
【附图说明】
[0015]附图1为本发明方法制备得到的氮化镓发光二极管的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的描述。
[0017]本发明利用紧耦合垂直反应室MOCVD生长系统，在金属有机化合物气相外延反应室MOCVD反应室内进行二次生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，如附图1所示，该氮化镓发光二极管外延层的结构由下往上依次包括制备有掩膜图形层的GaN单晶衬底101、n型GaN三维生长层102、n型GaN二维合并层103、η型GaN层低温应力释放层104、InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区105、p型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层106、高温p型GaN层107及p型InGaN接触层108。在氮化镓发光二极管外延层的生长过程中，以三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基铝(TMAl)作为III族源，氨气(NH3)分别作为Ga、Al、In和N源，以硅烷(SiH4)作为η型掺杂剂，二茂镁(Cp2Mg)作为P型掺杂剂。
[0018]下面以实施例对本发明的具体制备方法进行详细阐述。
[0019]实施例1
一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤:
步骤I，采用化学气相沉积方式(PECVD)在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为10nm的S12或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.9微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.5微米。
[0020]步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底101清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、1000°C下，MOCVD反应室的压力为250torr、V/III摩尔比为1200，采用I微米/小时的生长速率三维生长厚度为175纳米的η型GaN三维生长层102，其中该η型GaN三维生长层的Si掺杂浓度为1018cnf3。
[0021]步骤3，在H2气氛、1075°C下，MOCVD反应室的压力为80torr、V/III摩尔比为2150，采用恒定生长速率二维生长厚度为2微米的η型GaN 二维合并层103;其中该η型GaN 二维合并层的Si掺杂浓度为118Cnf3。
[0022]步骤4，在N2气氛、830°C下，V/III摩尔比为8000，]?000)反应室的压力为30(^0^生长厚度为150nm的η型GaN低温应力释放层104。
[0023]步骤5，在N2气氛、800°C下，V/III摩尔比为8000，]?000)反应室的压力为30(^0^生长8周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区105，其中，x为0.1，InxGa1-XN阱层的厚度范围为2nm，GaN皇层的厚度为8nm。
[0024]步骤6，在N2气氛、900°C下，V/III摩尔比为8000、M0CVD反应室的压力为200torr,生长8个周期的P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层106，其中，Al组分71为0.1，该Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而阶梯式减少，P型AlylGa1-yl_^厚度为2nm，GaN层厚度为2nm，p型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层的Mg掺杂浓度相应的空穴浓度为2XlO17Cnf30
[0025]步骤7，在H2气氛、1000°C下，V/III摩尔比为3500、M0CVD反应室的压力为10torr,生长200nm的高温P型GaN层107，该高温P型GaN层的Mg掺杂浓度为117Cnf3。
[0026]步骤8，在H2气氛、700°C下，V/III摩尔比为8000、M0CVD反应室的压力为300torr，生长2nm的P型InGaN接触层108，该P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度大于1018cnf3。
[0027]步骤9，将MOCVD反应室的温度先降至700°C，然后采用纯氮气气氛进行退火处理5分钟，再降至20°C，结束生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的GaN基发光二极管外延层。
[0028]实施例二
步骤I，采用化学气相沉积方式(PECVD)在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98nm的S12或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4微米。
[0029]步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底101清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、950°C下，MOCVD反应室的压力为200torr、V/III摩尔比为1000，采用2微米/小时的生长速率三维生长厚度为150纳米的η型GaN三维生长层102，其中该η型GaN三维生长层的Si掺杂浓度为1019cnf3。
[0030]步骤3，在H2气氛、1050°C下，MOCVD反应室的压力为60torr、V/III摩尔比为1300，采用恒定生长速率二维生长厚度为2微米的η型GaN 二维合并层103;其中该η型GaN 二维合并层的Si掺杂浓度为119Cnf3。
[0031]步骤4，在N2气氛、820°C下，V/III摩尔比为5000，]?000)反应室的压力为30(^0^生长厚度为150nm的η型GaN低温应力释放层104。
[0032]步骤5，在N2气氛、750°C下，V/III摩尔比为5000，]?000)反应室的压力为30(^0^，生长5周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区105，其中，x为0.2，InxGa1-XN阱层的厚度范围为3nm，GaN皇层的厚度为15nm。
[0033]步骤6，在N2气氛、850°C下，V/III摩尔比为5000、M0CVD反应室的压力为10torr,生长5个周期的P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层106，其中，Al组分71为0，该Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而阶梯式减少，P型AlylGan1N的厚度为3nm，GaN层厚度为4nm，p型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层的Mg掺杂浓度相应的空穴浓度为2XlO17Cnf30
[0034]步骤7，在H2气氛、950°C下，V/III摩尔比为2000、M0CVD反应室的压力为10torr,生长10nm的高温P型GaN层107，高温P型GaN层的Mg掺杂浓度为118Cnf3。
[0035]步骤8，在H2气氛、650°C下，V/III摩尔比为5000、M0CVD反应室的压力为300torr，生长3nm的P型InGaN接触层108，该P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度大于1018cnf3。
[0036]步骤9，将MOCVD反应室的温度先降至720°C，然后采用纯氮气气氛进行退火处理10分钟，再降至25°C，结束生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的GaN基发光二极管外延层。
[0037]实施例三
步骤I，采用化学气相沉积方式(PECVD)在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为102nm的S12或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.6微米。
[0038]步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底101清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、1050°C下，MOCVD反应室的压力为300torr、V/III摩尔比为1300，采用3微米/小时的生长速率三维生长厚度为200纳米的η型GaN三维生长层102，其中该η型GaN三维生长层的Si掺杂浓度为1019cnf3。
[0039]步骤3，在H2气氛、1100°C下，MOCVD反应室的压力为100torr、V/III摩尔比为3000，采用恒定生长速率二维生长厚度为2微米的η型GaN 二维合并层103;其中该η型GaN 二维合并层的Si掺杂浓度为119Cnf3。
[0040]步骤4，在N2气氛、850°C下，V/III摩尔比为10000，]\?)00)反应室的压力为300切^，生长厚度为150nm的η型GaN低温应力释放层104。[0041 ] 步骤5，在N2气氛、850°C下，V/III摩尔比为10000，]\?)00)反应室的压力为300切^，生长10周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区105，其中，x为0.3，InxGa1-XN阱层的厚度范围为4nm，GaN皇层的厚度为20nm。
[0042]步骤6，在N2气氛、950°C下，V/III摩尔比为10000、M0CVD反应室的压力为300torr,生长10个周期的P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层106，其中，Al组分71为0.2，该Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而阶梯式减少，P型AlylGa1-yl_^厚度为5nm，GaN层厚度为5nm，p型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层的Mg掺杂浓度相应的空穴浓度为2XlO17Cnf30
[0043]步骤7，在H2气氛、1050°C下，V/III摩尔比为5000、M0CVD反应室的压力为10torr,生长300nm的高温P型GaN层107，该高温P型GaN层的Mg掺杂浓度为118Cnf3。
[0044]步骤8，在H2气氛、750°C下，V/111摩尔比为10000、M0CVD反应室的压力为300torr,生长4nm的P型InGaN接触层108，该口型11^财妾触层的1%掺杂浓度大于1018011—3。
[0045]步骤9，将MOCVD反应室的温度先降至750°C，然后采用纯氮气气氛进行退火处理20分钟，再降至30°C，结束生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的GaN基发光二极管外延层。
[0046]以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其描述较为具体和详细，其目的在于使本领域的普通技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，因此不能仅以此来限定本发明的专利保护范围，并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，即凡依据本发明所揭示的精神所作的变化，仍应涵盖在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤: 步骤I，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98-102nm的S12或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8-1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4-1.6微米； 步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、950-1050°C下，MOCVD反应室的压力为200-300torr、V/III摩尔比为1000-1300，三维生长厚度为150-200纳米的η型GaN三维生长层； 步骤3，在H2气氛、1050-1100°C下，MOCVD反应室的压力为60-100torr、V/III摩尔比为1300-3000，二维生长厚度为1-3微米的η型GaN 二维合并层； 步骤4，在N2气氛、820-850°C下，V/III摩尔比为5000-10000，M0CVD反应室的压力为300torr，生长厚度为150nm的η型GaN低温应力释放层； 步骤5，在N2气氛、750-850°C下，V/III摩尔比为5000-10000，M0CVD反应室的压力为300torr，生长5-10周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱有源区，其中，0〈x彡0.3，InxGapxN阱层的厚度范围在2-4nm，GaN皇层的厚度为8-20nm; 步骤6，在N2气氛、850-950°C下，V/III摩尔比为5000-10000、M0CVD反应室的压力为100-300torr，生长5-10个周期的P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层，其中，Al组分O彡0.2, P型AlylGa1-ylN的厚度为2-5nm，GaN层厚度为2-5nm； 步骤7，在H2气氛、950-1050 °C下，V/III摩尔比为2000-5000、M0CVD反应室的压力为10torr,生长 100_300nm 的高温 p 型 GaN 层； 步骤8，在H2气氛、650-750°C下，V/III摩尔比为5000-10000、M0CVD反应室的压力为300torr,生长2_4nm的p型InGaN接触层； 步骤9，将MOCVD反应室的温度降至20-30 °C，结束生长，完成氮化镓发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的GaN基发光二极管外延层。2.根据权利要求1所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤I中采用化学气相沉积方式制备掩膜图形层。3.根据权利要求2所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤2中采用1-3微米/小时的生长速率进行三维生长η型GaN三维生长层，该η型GaN三维生长层的Si掺杂浓度为1018-1019cm—3。4.根据权利要求3所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤3中采用恒定生长速率进行生长η型GaN 二维合并层，该η型GaN 二维合并层的Si掺杂浓度为118-1O19Cnf3。5.根据权利要求4所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤6中P型AlylGa1-ylN/GaN超晶格电子阻挡层的Mg掺杂浓度相应的空穴浓度为2X1017cm—3，其中Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而减少。6.根据权利要求5所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述Al组分随着超晶格电子阻挡层中超晶格周期数的增加而减少时呈阶梯式减少。7.根据权利要求6所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤7中的高温P型GaN层的Mg掺杂浓度为117-1O18Cnf3。8.根据权利要求7所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤8中的P型InGaN接触层的Mg掺杂浓度大于1018cm—3。9.根据权利要求8所述的在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，其特征在于，所述步骤9中将MOCVD反应室的温度先降至700-750°C，然后采用纯氮气气氛进行退火处理5-20分钟，再降至20-30 °C。
【文档编号】H01L33/00GK106067492SQ201610631795
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年8月4日
【发明人】贾传宇
【申请人】东莞市中镓半导体科技有限公司