发光二极管的制造方法
【专利摘要】发光二极管的制造方法，包括以下步骤：(1)在碳化硅衬底上依次生长红、绿和蓝光发光二极管芯片；(2)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；(3)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极；(4)去除保护层。相对于现有技术而言，本发明可减少工序，缩短制造时间，更适用于批量生产，降低制造成本。
【专利说明】
发光二极管的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种发光元件，特别是关于发光二极管的制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片通常是以蓝宝石为基底生长氮化镓形成，而红光发光二极管芯片通常是以砷化镓为基底来生长磷砷化镓形成。当采用红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)这三种颜色的发光二极管芯片进行混光的时候，这三种颜色会产生波长位移的现象，会导致该发光二极管可靠度不佳。
【发明内容】
[0003]为了解决以上技术问题，本发明提供发光二极管的制造方法，具体步骤如下:
[0004](I)在碳化硅衬底上依次生长一 η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铝来使该红光发光二极管芯片发红光；
[0005](2)在碳化硅衬底上依次生长一 η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的磷来使该绿光发光二极管芯片发绿光；
[0006](3)在碳化硅衬底上依次生长一 η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铟来使该蓝光发光二极管芯片发蓝光；
[0007](4)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；保护层的材料为光阻，采用旋布法及光学微影法形成保护层。
[0008](5)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，导电板通过晶片接合方法组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极，采用晶片剥离法来去除衬底，即采用激光剥离或湿式剥离，导电板由铜、铝或镍制成。
[0009](6)去除保护层。
[0010]该红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片以同一碳化石圭基底生长形成。
[0011]相对于现有技术而言，本发明无须吸附发光二极管芯片，减少工序，缩短制造时间，更适用于批量生产，降低制造成本。而且由于三种发光二极管芯片的制造工艺一致，使得该红光、绿光及蓝光发光二极管芯片的特征非常接近，从而该发光二极管100的RGB混光更为精确且具更佳的可靠度。
【具体实施方式】
[0012]下面结合具体实施例，对发明的【具体实施方式】作进一步的说明。
[0013]实施例
[0014](I)红光发光二极管芯片是以碳化硅为一基底，通过在该碳化硅基底上依次生长一 η型氮化镓(n-GaN)层、一发光层及一 P型氮化镓(n_GaN)层所形成，其中在制造该红光发光二极管芯片的过程中，通过向该发光层中参杂适量的铝来控制其能隙，使得该红光发光二极管芯片发红光。
[0015](2)该绿光发光二极管芯片同样以碳化硅为一基底，通过在该碳化硅基底上依次生长一 η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层所形成，其中在制造该绿光发光二极管芯片的过程中，通过向该发光层中参杂适量的磷来控制其能隙，使得该绿光发光二极管芯片发绿光。
[0016](3)该蓝光发光二极管芯片还是以碳化硅为一基底，通过在该碳化硅基底上依次生长一 η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层所形成，其中在制造该蓝光发光二极管芯片的过程中，通过向该发光层中参杂适量的铟来控制其能隙，使得该蓝光发光二极管芯片发蓝光。
[0017](4)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极；保护层的材料为光阻，采用旋布法形成保护层。
[0018](5)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，导电板通过晶片接合方法组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极，采用激光剥离法剥离衬底，导电板由铜、铝或镍制成。
[0019](6)去除保护层。
[0020]由试验可得，由实施例所得产品的RGB混光更为精确且具更佳的可靠度。
【主权项】
1.发光二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)在碳化硅衬底上依次生长一η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铝来使该红光发光二极管芯片发红光； (2)在碳化硅衬底上依次生长一η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的磷来使该绿光发光二极管芯片发绿光； (3)在碳化硅衬底上依次生长一η型氮化镓层、一发光层及一 P型氮化镓层，并通过向该发光层中参杂适量的铟来使该蓝光发光二极管芯片发蓝光； (4)于发光二极管晶粒的周围形成一保护层，于保护层上沉积一电极层，电极层与每一发光层进行电连接并作为每一发光二极管晶粒的第一电极； (5)提供一导电板，将该导电板组装于电极层上，去除发光二极管芯片的衬底，并于每一发光二极管晶粒上形成第二电极； (6)去除保护层。2.根据权利要求1所述发光二极管的制造方法，其特征在于:保护层的材料为光阻，采用旋布法及光学微影法形成保护层。3.根据权利要求1所述发光二极管的制造方法，其特征在于:导电板通过晶片接合方法组装于电极层上。4.根据权利要求1所述发光二极管的制造方法，其特征在于:采用晶片剥离法来去除衬底，即采用激光剥离或湿式剥离。5.根据权利要求1所述发光二极管的制造方法，其特征在于:该红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片以同一碳化娃基底生长形成。6.根据权利要求1所述发光二极管的制造方法，其特征在于:导电板由铜、铝或镍制成。
【文档编号】H01L33/08GK106067495SQ201410579430
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年10月24日 公开号201410579430.3, CN 106067495 A, CN 106067495A, CN 201410579430, CN-A-106067495, CN106067495 A, CN106067495A, CN201410579430, CN201410579430.3
【发明人】赵兵兵
【申请人】西安烨森电子科技有限责任公司