掩模框架组件、制造其的方法以及制造显示器的方法

文档序号:10698226阅读:384来源:国知局
掩模框架组件、制造其的方法以及制造显示器的方法
【专利摘要】本申请涉及掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法以及制造显示器的方法。掩模框架组件,包括框架和具有与框架接触的第一表面的掩模。掩模包括有效区域和形成在有效区域中的图案孔,其中图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模。掩模还包括布置在有效区域的外部并配置为阻挡沉积材料穿过掩模的肋部以及布置在肋部的一部分上的非磁性加强件。
【专利说明】掩模框架组件、制造其的方法以及制造显示器的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年4月23日提交的第10-2015-0057533号韩国专利申请的优先权及权益,该韩国专利申请按照本文中所述的全部目的通过引用并入本文。
技术领域
[0003]示例性实施方式涉及掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法以及制造显示设备的方法。
【背景技术】
[0004]由于有机发光二极管(OLED)显示器(例如,平板OLED显示器)的宽可视角度、高对比度、低驱动电压、轻薄设计、以及快速响应时间,所以许多研究人员将其看成下一代显示器。
[0005]根据用于形成发射层的材料,发光装置被分类为无机发光装置和有机发光装置。由于有机发光装置比无机发光装置具有更高的亮度和更快的响应时间并且可实现彩色显示,所以有机发光装置在近年来被活跃地研究。
[0006]有机发光显示器的典型的制造可包括经由真空沉积形成有机膜和/或电极。然而,在制造高分辨率有机发光显示器时使用典型的制造技术可导致具有大的阴影效应(即,由相对于法向角的高入射角度的分子而产生的不期望的过度的阴影)的低品质有机发光显示器。
[0007]该【背景技术】部分中所公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解,并因此,其可包含并不形成本国的本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0008]示例性实施方式包括掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法、以及制造显示器的方法。
[0009]附加的方面部分地将在随后的说明中被陈述,并且部分地,将通过本公开而变得显而易见,或者可通过本发明构思的实践而习得。
[0010]示例性实施方式公开了掩模框架组件,该掩模框架组件包括框架和具有与框架接触的第一表面的掩模。掩模包括有效区域和形成在有效区域中的图案孔,其中图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模。掩模还包括布置在有效区域的外部并且配置为阻挡沉积材料穿过掩模的肋部以及布置在肋部的一部分上的非磁性加强件。
[0011]示例性实施方式还公开了制造掩模框架组件的方法。该方法包括:在掩模的有效区域中形成图案孔;在掩模的有效区域的外部形成加强孔和加强槽中的至少一个;将非磁性加强件注入到加强孔和加强槽中的至少一个中;以及在框架上将掩模设置在框架中的开口上方。图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模,以及加强孔和加强槽中的至少一个限定出配置为阻挡沉积材料的传输的肋部。
[0012]示例性实施方式还公开了制造显示器的方法。该方法包括通过使用掩模框架组件对有机膜和第二电极中的至少一个进行沉积。掩模框架组件包括掩模,掩模包括图案孔、肋部以及非磁性加强件,其中图案孔形成在掩模的有效区域中并且配置为允许沉积材料穿过掩模,肋部布置在有效区域的外部并且配置为阻挡沉积材料的传输,以及非磁性加强件形成在肋部的至少一部分上。掩模框架组件还包括框架,其中框架包括位于框架的中心部分并且沉积材料穿过其的开口,并且框架配置为支承掩模的两个端部。
[0013]以上一般性描述和随后的详细描述是示例性的和说明性的,并且意在提供对所主张的主题的进一步解释。
【附图说明】
[0014]附图示出了发明构思的示例性实施方式,并且与说明书一起用作解释发明构思的原理,其中附图被包括来提供对发明构思的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
[0015]图1是根据示例性实施方式的掩模框架组件的分解立体视图。
[0016]图2是图1的掩模的平面视图。
[0017]图3是图2的部分E的放大视图。
[0018]图4是沿图2的线ΙΙ-ΙΓ取得的掩模的剖视图。
[0019]图5和图6是图4的掩模的根据其它示例性实施方式的剖视图。
[0020]图7是示出了加强槽形成在图4的掩模的肋部中的情况的剖视图。
[0021 ]图8、图9、图1O、和图11是图7的掩模的根据其它示例性实施方式的剖视图。
[0022]图12是通过使用图1的掩模框架组件制造的显示器的剖视图。
【具体实施方式】
[0023]在以下描述中,出于解释的目的陈述了许多具体细节以提供对各种示例性实施方式的全面理解。然而显而易见地,各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下实践或者可使用一个或多个等同布置来实践。在其它情况下,以框图形式示出了众所周知的结构和装置以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。
[0024]在附图中,为清晰和描述性的目的,层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸被夸大。另外,相同的附图标记表示相同的元件。
[0025]当元件或者层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接至(connectedto)”另一元件或层、或“联接至(coupled to)”另一元件或者层时,该元件或者层可直接在该另一元件或层上、直接连接至该另一元件或层,或者直接联接至该另一元件或者层,或者可存在中间元件或者层。然而,当元件或者层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至另一元件或层或者直接联接至另一元件或者层时,则不存在中间元件或层。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由Χ、Υ和Z构成的群组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Ζ、或者Χ、Υ、Ζ中两个或更多个的任意组合,例如,ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ΖΖ。在全文中,相同的附图标记指代相同的元件。如在本文中使用的用语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意或全部组合。
[0026]虽然用语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一元件、部件、区域、层和/或区段区分开。因此,以下讨论的第一元件、部件、区域、层和/或区段可在不背离本公开的教导的情况下称为第二元件、部件、区域、层和/或区段。
[0027]空间相对用语,如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等可在本文中用于描述性的目的,并由此描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除包括图中所描绘的定向以外,空间相对用语意在包含设备在使用、操作、和/或制造中的不同的定向。例如,如果附图中的设备被反转,则描述为在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向为在该其它元件或特征的“上方”。因此,示例性用语“在…下方”可包含上方和下方的两个定向。此外,设备可以其它方式定向(例如,旋转90度或在其它定向),并由此,本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。
[0028]本文中所使用的用语是出于描述特定实施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明确另有所指,否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”意在也包括复数形式。此外,用语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”当被用在本说明书中时,说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在,而不是排除一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或附加。
[0029]在本文中参照截面图示对各种示例性实施方式进行了描述,其中截面图示是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示。由此,因例如制造技术和/或公差而导致的图示形状上变化是意料之中的。因此,本文公开的示例性实施方式不应解释为受限于区域的特定图示形状,而是包括因例如制造而导致的形状上的偏差。例如,被示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆倒角的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度而非从注入区域至非注入区域的二元改变。同样地,通过注入而形成的埋入区域可在一些注入中产生位于埋入区域与发生注入的表面之间的区域。因此,图中所示的区域实质上是示意性的,并且其形状不意在示出装置区域的实际形状并且不意在进行限制。
[0030]除非另有限定,否则本文中所使用的全部用语(包括技术用语和科学用语)具有与本公开所属技术领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非本文中明确地如此限定,否则如在通常使用的字典中所定义的用语应被解释为具有与在相关技术领域的语境中的含义一致的含义,并且不应以理想化的或过于形式化的意义来解释。
[0031]图1是根据示例性实施方式的掩模框架组件10的分解立体视图。图2是图1的掩模200的平面视图。图3是图2的部分E的放大视图。
[0032]参照图1,掩模框架组件10可包括框架100和掩模200。框架100和掩模200可通过各种方法相互联接。在示例性实施方式中,框架100和掩模200可通过将掩模200的两端焊接至框架100而相互联接。
[0033]框架100可包括第一支承部分101、第二支承部分102、第三支承部分103和第四支承部分104。第一支承部分101和第二支承部分102可相互隔开以使得第一支承部分101和第二支承部分102在X轴方向上基本平行。第三支承部分103和第四支承部分104可被相互隔开以使得第三支承部分103和第四支承部分104在Y轴方向上基本平行。
[0034]第一支承部分101和第二支承部分102可通过连接至第三支承部分103和第四支承部分104而形成掩模框架组件10的外框架。虽然图1示出了具有矩形形状的一个开口 105可形成在图1中的框架100的中心部分,但示例性实施方式不限制于此。开口 105可具有如圆形形状、椭圆形形状、或者多边形形状的各种形状中的任意形状。框架100也可具有多于一个的开口 105。另外,框架100可由金属和合成树脂中的至少一种形成。
[0035]第三支承部分103和第四支承部分104可布置为平行于掩模200。在这种情况下,由于多个掩模200在第三支承部分103和第四支承部分104中的每个的纵向方向上延伸,所以框架100可由具有足够刚性并且具有预定弹力的材料形成。
[0036]参照图2,掩模200可以是棍型掩模。掩模200可包括供沉积材料穿过的有效区域210。掩模200可包括形成在有效区域210的外部并且阻挡沉积材料的传输的肋部220。掩模200也可包括形成在肋部220的至少一部分上并且为非磁性的加强件230。
[0037]参照图3,图案孔211可形成在掩模200的有效区域210中。在沉积工艺期间,穿过图案孔211的沉积材料可沉积在衬底上(未示出),并因此,沉积区域可由有效区域210和有效区域的图案孔211限定在衬底上。
[0038]掩模200可以是磁性薄膜。磁性薄膜可由镍或镍合金形成。例如,掩模200可由镍-钴合金形成,其中镍-钴合金具有极好的表面粗糙特性并且通过镍-钴合金能够容易形成精细图案。
[0039]掩模200可通过使用刻蚀法制造。通过使用光刻胶在薄膜上形成具有与图案孔211中每个的图案相同图案的光刻胶层或者通过将具有图案孔211的图案的膜附接至薄膜,并且对该薄膜进行蚀刻,可制造掩模200。掩模200可通过使用电铸、电镀或无电镀制造。
[0040]虽然图1、图2和图3示出了用以在有效区域210上形成掩模图案的具有矩形形状的图案孔211,但是示例性实施方式不限于此。换言之,图1、图2和图3的图案孔211的数量、位置和形状可以是任意适当的数量、位置和形状。例如,每个图案孔可具有点形状。在其它示例中,有效区域210上可形成有整体开放的掩模图案,或者有效区域210上可形成有具有条形状的掩模图案。为了便于参照而不作为限制,掩模200将被描述为包括五个有效区域210,并且二十五个图案孔211形成在五个有效区域210中每个中。
[0041 ]虽然未示出,但是掩模200可形成为一个大型构件。在这种情况下,因为由掩模200的重量所导致的弯曲可能变得严重,所以掩模200可制造为多个棍型构件,正如图1、图2和图3中所示。虽然为了便于参照,图1是示出了一个掩模200的分解立体视图,但是掩模200可在完成制造工艺之后布置成覆盖整个开口 105。为了便于参照,掩模200将被描述为如图1中所示的棍型构件。
[0042]参照图2和图3,在掩模200中布置在有效区域210外部(S卩,非有效区域R)的肋部220可防止沉积材料在肋部220中穿过掩模200并到达衬底。加强孔221可具有与有效区域210的图案孔211的截面相似的截面(或形状)。加强孔221可形成在肋部220中。加强孔221可如图案孔211那样形成为穿过掩模200,并且加强件230可被注入至加强孔221中。
[0043]参照图3,在呈阴影的加强孔221中可形成加强件230。未呈阴影的有效区域210的图案孔211形成为穿过掩模200。
[0044]现在将参照图4、图5和图6详细地描述根据各种示例性实施方式的形成在肋部220的加强孔221中的加强件230、230a和230b。
[0045]图4是沿图2的剖面线ΙΙ-ΙΓ取得的掩模200的剖视图。图5和图6是根据其它示例性实施方式的掩模200a和200b的剖视图。
[0046]参照图4、图5和图6,加强件230、230a和230b均可由非磁性材料形成。如图4中所示,加强件230可形成为具有与加强孔221的深度T1相等的厚度T2。如图5中所示,加强件230a可形成为具有比加强孔221的深度!^大的厚度T2。如图6中所示,加强件230b可形成为具有比加强孔221的深度IVh的厚度T2。
[0047]加强件230、230a和230b可具有各种形状。加强件230、230a和230b可具有各种厚度T2 ο加强件230、230a和230b的厚度T2在制造掩模200、200a和200b的工艺期间可以各种方式被改变。具体地,当基于通过使用静电吸盘将掩模200、200a和200b粘附至衬底来准备沉积工艺时,加强件230、230a和230b的厚度1~2可被改变。在准备过程期间,厚度T2可根据如掩模200、200a和200b的刚性以及施加至掩模200、200a和200b的磁力的因素而变化。
[0048]由于加强件230、230a或230b被注入至加强孔221中以关闭加强孔221,所以防止了喷射至肋部220的沉积材料到达衬底,因为该沉积材料不会穿过肋部220。换言之,从沉积源朝掩模200、200a、200b喷射的沉积材料仅可通过有效区域210的图案孔211沉积在衬底上,而朝肋部220喷射的沉积材料可被肋部220完全阻挡。
[0049]图案孔211和加强孔221可通过使用电镀或者无电镀来制造。更具体地,光刻胶PR可被涂覆在基础衬底(未示出)上,并且可通过使用光掩模执行曝光和显影。在显影期间,图案形成在光刻胶层上并且槽形成在光刻胶图案之间。在这种状态下,槽通过使用电镀和无电镀来填充。光刻胶图案被去除,由此在掩模200、200a、200b的整个表面上同时形成图案孔211和加强孔221。
[0050]在包括有图案孔211和加强孔221的掩模220、200a、200b被准备好后,加强件230、230a或230b可被注入至加强孔221中。加强件230、230a或230b可被注入至形成在肋部220中的加强孔221中,以增强掩模200、200a、200b的刚性。
[0051 ] 如果加强孔221未形成在肋部220中,则肋部220完全由用于形成掩模200、200a、200b的磁性材料形成。更具体地,掩模200、200a、200b由如镍或镍-钴合金的材料形成。由于该材料具有相对高的重量,如果多个棍型掩模200、200a和200b形成在框架100上,则掩模200、200a和200b可由于其重量而弯曲。
[0052]在这种情况下,在需要在沉积工艺期间被粘附以改善沉积工艺的精度的掩模200、200a和200b中的每个与衬底(未示出)之间形成间隙。由此,可能发生沉积材料被沉积在不期望的区域上的阴影效应。
[0053]当肋部220完全由用于形成掩模200、200a、200b的磁性材料形成时,在有效区域210与肋部220之间的边界部分处有效区域210与肋部220之间存在着磁性材料的体积上的很大差别。由于有效区域210与肋部220之间的磁性材料的体积上的很大差别,当在沉积工艺期间通过使用静电吸盘(未示出)将掩模200、200a、200b粘附至衬底时,在有效区域210与肋部220之间的边界部分处形成有将掩模200、200a、200b从衬底推开的排斥力。一旦静电吸盘推开掩模200、20(^、20013,而不是将掩模200、20(^、20013拉向衬底,则如上所述在掩模200、200a、200b与衬底之间形成间隙并且发生阴影效应。
[0054]然而,当加强孔221形成在肋部220中并且非磁性加强件230、230a或230b被注入至加强孔221中时,肋部220可在沉积工艺期间防止沉积材料到达衬底,掩模200、200a、200b的可能由于加强孔221而导致降低的刚性可被维持,并且形成在有效区域210与肋部220之间的边界部分处的排斥力可被去除,从而使将掩模200、200a、200b粘附至衬底成为可能。
[0055]详细地,当加强件230由非磁性材料形成并且被注入到加强孔221中时,施加于衬底与掩模200、200a、200b之间的磁力可被均匀地形成。更具体地,形成在肋部220中的加强孔221的形状和尺寸可与形成在有效区域210中的图案孔211的形状和尺寸基本相同。在这种情况下,由于磁性材料在掩模200、200a、200b的整个表面上均匀地形成为具有重复的图案,所以磁力被均匀地施加至掩模200、200a、200b整个表面上。
[0056]接下来,将参照图7、图8、图9、图10和图11解释根据其它示例性实施方式的掩模200c、200d、200e、200f、200g。
[0057]图7是示出了加强槽形成在掩模200c的肋部220中的情况的剖视图。图8、图9、图10和图11是根据其它示例性实施方式的掩模200(1、2006、20(^、20(^的剖视图。
[0058]参照图7,加强槽222可形成在掩模200c的肋部220中。与图4、图5和图6的穿过掩模200的加强孔221不同,加强槽222可在掩模200c的肋部220中具有预定的深度。
[0059]加强件230c、230d、230e、230f和230g可具有各种形状并且被注入到加强槽222中。加强件230c、230d、230e、230f和230g均可形成在加强槽222中的至少一个加强槽222中。加强件 230c、230d、230e、230f 和、230g 均可形成在掩模 200c、200d、200e、200f 和 200g 中的每个的与框架100接触的一个表面以及面对衬底的另一个表面中的至少一个表面中。更具体地,图7、图8和图9示出了加强槽222形成在掩模200c、200d和200e中的每个的与框架100接触的一个表面上的情况。图10和图11示出了加强槽222形成在掩模200f和200g中的每个的面对衬底的另一个表面上的情况。如图11所示,加强孔221和加强槽222可同时形成在一个掩模200g中。加强件230g可形成在加强孔221和加强槽222中的每个中。
[0060]均形成在加强槽222中的加强件230c、230d、230e、230f和230g可形成为具有各种厚度Τ4。如图7中所示,加强件230c可形成为具有与加强槽222的深度T3相等的厚度T4。如图8中所示,加强件230d可形成为具有比加强槽222的深度T3小的厚度T4。如图9中所示,加强件230e可形成为具有比加强槽222的深度T3大的厚度T4。
[0061 ]参照图9,当加强件230e形成为具有比加强槽222的深度T3大的厚度T4时,加强槽222可形成在掩模200e的与框架100接触的一个表面中。例如,加强槽222可形成在掩模200e的底表面中。
[0062]如果加强槽222形成在掩模200e的面对衬底的另一个表面中并且加强件(未示出)形成为具有比加强槽222的深度大的厚度时,有效区域210的图案孔211会未粘附至衬底并且会剥离与加强件从掩模200e的表面朝衬底凸出的厚度相对应的距离,从而未能防止阴影效应。
[0063]相应地,如图10中所示,当加强槽222形成在掩模200f的另一个表面(S卩,顶表面)中时,加强件230f可形成为具有与加强槽222的深度T3相等的厚度T4。
[0064]图11示出包括有如上所述在其中同时形成有图4的加强孔221和图10的加强槽222的肋部220的掩模200g。更具体地,加强件230g可在肋部220的至少一部分中形成为具有各种形状中的任一者。如图11中所示,形成在加强槽222中的加强件230g可具有与加强槽222的深度T3a相等的厚度T4a。形成在加强孔221中的加强件230g可具有与加强孔221的深度T3b相等的厚度T4b。虽然图11示出包括图4的加强孔221和图10的加强槽222在其中的肋部220的掩模200g,但是加强件230也可在肋部220中形成为具有除图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11的形状以外的各种形状中的任一者。
[0065]现在将解释根据示例性实施方式的制造掩模框架组件10的方法。
[0066]制造包括有框架100以及具有与框架100接触的一个表面和面对衬底(未示出)的另一个表面的掩模200的掩模框架组件10的方法可包括各种方法步骤。该方法可包括形成图案孔211中的至少一个。沉积材料可穿过图案孔211。该方法可包括在掩模200的肋部220中形成穿过掩模200的加强孔221。该方法可包括在掩模200的肋部220中形成加强槽222。加强槽222可具有预定深度。该方法可包括将非磁性加强件230注入到加强孔221中的至少一个中。该方法可包括将非磁性加强件230注入到加强槽222中的至少一个中。该方法可包括将掩模200布置在其中形成有开口 105的框架100上。
[0067]图案孔211可限定供沉积材料穿过的有效区域。加强孔221和/或加强槽222可限定阻挡沉积材料传输的肋部220。
[0068]加强件230可由膏型材料形成并且可被注入到加强孔221和/或加强槽222中。在加强件230被注入到加强孔221和/或加强槽222中之后,加强件230可被固化(例如通过紫外线辐射、通过热、通过化学反应)以增加掩模200的刚性。加强件230可由例如合成树脂和/或环氧树脂的非磁性材料形成。
[0069]掩模200可通过使用如静电吸盘(未示出)的具有磁力的装置来固定至衬底。为了防止衬底与掩模200之间的分离或弯曲,可在衬底与掩模200之间施加恒定的磁力。
[0070]当加强件230由非磁性材料形成时,磁力可被均匀地施加在衬底与掩模200之间。形成在掩模200中的图案孔211和加强孔221可形成为具有基本相同的截面形状。换言之,通过使用电镀或无电镀形成的图案孔211和加强孔221可被均匀地分布在掩模200的整个表面上。因为掩模200的施加有磁力的部分形成为具有重复图案,所以磁力可被均匀地施加至掩模200。
[0071 ]掩模200可通过焊接来固定至框架100 ο在这种情况下,掩模200可在纵向方向上延伸,并且随后掩模200的两端可被焊接至框架100,从而最小化由掩模200的重量导致的弯曲。
[0072]当掩模200通过一般的电铸制造时,基础材料被熔化并随后流入除供沉积材料穿过的图案以外的部分中。掩模200通过使用电镀或无电镀熔化基础材料并且将熔化的基础材料填充在除沉积材料穿过的图案以外的部分中而制造。
[0073]掩模200的形成图案的部分可与掩模200的不形成图案的部分具有不同的厚度。这是因为掩模200的刚性由于穿过掩模200的元件(例如,图案孔211)的存在而降低。掩模200的外部分(即,未形成图案孔211的部分)可形成为比掩模200的内部分厚,由此可增加掩模200的刚性。
[0074]然而,由于形成图案的部分和不形成图案的部分之间的厚度差异,当通过使用磁力将掩模200和衬底彼此固定时,施加至掩模200的整个表面的磁力的强度可能根据掩模200的部分而变化。因此,在衬底与掩模200之间可能发生局部分离。一旦掩模200未能粘附至衬底并且从衬底分离,则如上所述在沉积工艺期间阴影效应的风险增加。
[0075]在根据示例性实施方式的掩模框架组件10中,由于图案孔211和加强孔221和/或加强槽222可形成在掩模200的整个表面中,所以施加至掩模200的磁力可均勾地分布并且在衬底与掩模200之间的分离可被减少。
[0076]掩模200的刚性可能由于加强孔221和/或加强槽222的存在而降低。然而,掩模的刚性可通过在加强孔221和/或加强槽222中形成加强件230而增加。
[0077]图12是通过使用图1的掩模框架组件10制造的显示器300的剖视图。
[0078]参照图12,显示器300可包括衬底310和显示单元(未示出)。并且,显示器300可包括形成在显示单元上的薄膜封装层E或封装衬底(未示出)。在这种情况下,封装衬底可与用于一般显示器中的封装衬底相同或相似。因此,为了简洁起见,将不给出封装衬底的详情说明。并且,为了便于参照,显示器300将被描述为包括薄膜封装层E。
[0079]显示单元可形成在衬底310上。在这种情况下,显示单元可包括薄膜晶体管TFT^i化膜370可形成为覆盖薄膜晶体管TFT,以及有机发光二极管(OLED)器件380可形成在钝化膜370上。
[0080]在这种情况下,衬底310可包括玻璃材料。然而,示例性实施方式不限于包括玻璃材料的衬底310 ο衬底310可包括塑料材料。衬底可包括金属材料,如,不锈钢和/或钛(Ti),或者不锈钢和/或钛合金。并且,衬底310可包括聚酰亚胺(PI)。为了便于参照,显示器300将被描述为包括包含有玻璃材料的衬底310。
[0081]缓冲层320可包括有机化合物和/或无机化合物(例如,S1x(X)I)或SiNx(X) I))。缓冲层320可形成在衬底310的顶表面上。
[0082]有源层330可被布置为具有预定图案。有源层330可形成在缓冲层320上。有源层330可被栅绝缘层340覆盖。有源层330可包括源区331、漏区333和形成在源区331与漏区333之间的沟道区332。
[0083]有源层330可包括各种材料。例如,有源层330可包括无机半导体材料,如非晶硅或晶体硅。可替代地,有源层330可包括氧化物半导体。可替代地,有源层330可包括有机半导体材料。然而,为了便于参照,显示器300将被描述为包括由非晶硅形成的有源层330。
[0084]有源层330可通过在缓冲层320上形成非晶硅膜、将非晶硅膜结晶化成多晶硅膜、并且图案化多晶硅膜而形成。有源层330的源区331和漏区333可根据特定的薄膜晶体管而用杂质掺杂。例如,用于源区331和漏区333的特定掺杂可取决于该薄膜晶体管是驱动薄膜晶体管(未示出)还是开关薄膜晶体管(未示出)。
[0085]与有源层330对应的栅电极350可形成在栅绝缘层340上。中间绝缘层360可覆盖栅电极350,并且可形成在栅绝缘层340的顶表面上。
[0086]接触孔Hl可在源区331上方形成在中间绝缘层360和栅绝缘层340中。附加的接触孔Hl可在漏区333上方形成在中间绝缘层360和栅绝缘层340中。源电极371和漏电极372形成在中间绝缘层360上以通过相应的接触孔Hl分别与源区331和漏区333接触。
[0087]钝化膜370可形成在薄膜晶体管TFT上方,并且有机发光二极管(OLED)器件的像素电极381可形成在钝化膜370上方。像素电极381可通过形成在钝化膜370中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏电极372接触。钝化膜370可包括无机材料和/或有机材料。钝化膜370可具有单层结构或多层结构。钝化膜370可形成为具有平坦顶表面的平整化膜而与布置在钝化膜370下方的下薄膜的曲面形状无关,或者钝化膜370可随着下薄膜的曲面形状而呈曲面。钝化膜370可包括透明绝缘材料以实现共振效应。
[0088]在像素电极381形成在钝化膜370上后,像素限定膜390形成为覆盖像素电极381和钝化膜370,并且形成为允许像素电极381被暴露。像素限定膜390可包括有机材料和/或无机材料。
[0089]中间层382和相对电极383可至少形成在像素电极381上。中间层382和相对电极383可形成在像素限定膜390的一部分上。
[0090]像素电极381可用作阳极而相对电极383可用作阴极。可替代地,像素电极381和相对电极383的极性可被颠倒。
[0091]像素电极381和相对电极383可通过中间层382彼此绝缘。像素电极381和相对电极383可将具有不同极性的电压施加至中间层382以使有机发射层发光。
[0092]中间层382可包括有机发射层。可替代地,中间层382可包括有机发射层,并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴输运层(HTL)、电子输运层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
[0093]—个单元像素P可包括多个子像素。子像素可发出各种颜色的光。例如,子像素可包括分别发出红光、绿光和蓝光的子像素R、子像素G、和子像素B(未示出)。可替代地,子像素(未不出)可发出红光、绿光、蓝光,和白光。
[0094]薄膜封装层E可包括无机层,或者无机层和有机层。
[0095]薄膜封装层E的有机层可包括聚合物。薄膜封装层E的有机层可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的至少一个的单一膜或堆叠膜。有机层可包括聚丙烯酸酯。更具体地,有机层可包括通过聚合单体成分获得的物质,单体成分包括二丙烯酸酯系单体和三丙烯酸酯系单体。单丙烯酸酯系单体也可包括在单体成分内。并且,光引发剂,如,三甲基苯甲酰基二苯基氧化磷(trimethyIbenzoyIdiphenylphosphine oxide,ΤΡ0),也可包括在单体成分内,但本示例性实施方式不限制于此。
[0096]薄膜封装层E的无机层可以是单一膜或堆叠膜。无机层可包括金属氧化物和/或金属氮化物。更具体地,无机层可包括SiNx、Al203、Si02、和T12中的至少一个。
[0097]薄膜封装层E的暴露于外部的最上层可以是无机层以防止氧化或者防止湿气渗透到有机发光二极管器件380中。
[0098]在示例性实施方式中,薄膜封装层E可包括至少一个有机层插设在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。例如,薄膜封装层E可从有机发光二极管器件380的上部依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
[0099]在示例性实施方式中,薄膜封装层E可包括至少一个无机层插设在至少两个有机层之间的夹层结构。例如,薄膜封装层E可从有机发光二极管器件380的上部依次包括第一有机层、第一无机层和第二有机层。
[0100]在示例性实施方式中,薄膜封装层E可包括至少一个有机层插设在至少两个无机层之间的夹层结构和至少一个无机层插设在至少两个有机层之间的夹层结构。例如,薄膜封装层E可从有机发光二极管器件380的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。在另一个示例中,薄膜封装层E可从有机发光二极管器件380的上部依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
[0101]包括氟化锂(LiF)的卤化金属可被附加地包括在有机发光二极管器件380与第一无机层之间。该卤化金属层可在通过使用溅射方法形成第一无机层时防止有机发光二极管器件380受损。
[0102]第一有机层可具有比第二无机层小的面积,而第二有机层可具有比第三无机层小的面积。
[0103]根据一个或多个示例性实施方式,在沉积工艺期间,通过增加衬底与掩模框架装配体之间的粘附力,沉积材料可被精确地沉积在衬底上。然而,发明构思的范围不限于该效果O
[0104]—个或多个示例性实施方式公开了通过增加衬底与掩模之间的粘附力使衬底与掩模相互紧密粘附的制造工艺和掩模框架组件。根据一个或多个示例性实施方式,通过降低或去除在制造工艺期间由衬底与掩模的分离而产生的阴影效应,可制造出具有高显示品质的高分辨率有机发光显示器。
[0105]虽然本文中已描述了某些示例性实施方式和实现,但是其它实施方式和修改将通过本说明书而变得显而易见。相应地,发明构思不限于这些实施方式,而在于所提出的权利要求的较宽范围以及各种显而易见的修改和等同布置。
【主权项】
1.掩模框架组件,包括: 框架;以及 掩模,具有与所述框架接触的第一表面,其中,所述掩模包括: 有效区域和形成在所述有效区域中的图案孔,所述图案孔配置为允许沉积材料穿过所述掩模; 肋部,布置在所述有效区域的外部并且配置为阻挡所述沉积材料穿过所述掩模;以及 非磁性加强件,布置在所述肋部的一部分上。2.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中: 所述掩模还包括加强孔,所述加强孔形成在所述肋部中并且穿过所述肋部;以及 所述非磁性加强件通过被注入到所述加强孔中而形成。3.根据权利要求2所述的掩模框架组件,其中所述图案孔的截面与所述加强孔的截面相对应。4.根据权利要求2所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件布置为具有与所述加强孔的深度相等的厚度。5.根据权利要求2所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件布置为具有比所述加强孔的深度小的厚度。6.根据权利要求2所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件布置为具有比所述加强孔的深度大的厚度。7.根据权利要求6所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件布置为凸出至所述掩模的所述第一表面并且覆盖所述肋部的所述一部分。8.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中: 所述掩模还包括加强槽,所述加强槽具有形成在所述肋部中的预定深度;以及 所述非磁性加强件布置在所述加强槽中的至少一个中。9.根据权利要求8所述的掩模框架组件,其中所述加强槽形成在所述掩模的所述第一表面和所述掩模的与所述第一表面相对的第二表面中的至少一个表面中。10.根据权利要求8所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件布置为具有与所述加强槽的深度相等的厚度。11.根据权利要求8所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件具有比所述加强槽的深度小的厚度。12.根据权利要求8所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件具有比所述加强槽的深度大的厚度。13.根据权利要求12所述的掩模框架组件,其中所述加强槽形成在所述掩模的所述第一表面中。14.根据权利要求13所述的掩模框架组件,其中所述非磁性加强件凸出至所述掩模的所述第一表面并且覆盖所述肋部的所述一部分。15.制造掩模框架组件的方法,所述方法包括: 在掩模的有效区域中形成图案孔; 在所述掩模的所述有效区域的外部形成加强孔和加强槽中的至少一个; 将非磁性加强件注入到所述加强孔和所述加强槽中的所述至少一个中;以及 在所述掩模框架组件的框架上将所述掩模设置在所述框架中的开口上方, 其中所述图案孔配置为允许沉积材料穿过所述掩模,以及所述加强孔和所述加强槽中的所述至少一个限定出配置为阻挡所述沉积材料的传输的肋部。16.根据权利要求15所述的方法,其中所述非磁性加强件布置为具有与所述加强槽和所述加强孔中的所述至少一个的深度相等的厚度。17.根据权利要求15所述的方法,其中所述非磁性加强件具有比所述加强槽和所述加强孔中的所述至少一个的深度小的厚度。18.根据权利要求15所述的方法,其中所述非磁性加强件具有比所述加强槽和所述加强孔中的所述至少一个的深度大的厚度。19.根据权利要求18所述的方法,其中: 所述加强槽形成在所述掩模的与所述框架接触的第一表面中;以及 所述非磁性加强件凸出至所述掩模的与所述框架接触的所述第一表面并且覆盖所述肋部的至少一部分。20.制造显示器的方法,所述方法包括: 通过使用掩模框架组件对有机膜和第二电极中的至少一个进行沉积, 其中所述掩模框架组件包括: 掩模,所述掩模包括: 图案孔,形成在所述掩模的有效区域中并且配置为允许沉积材料穿过所述掩模; 肋部,布置在所述有效区域的外部并且配置为阻挡所述沉积材料的传输;以及 非磁性加强件,形成在所述肋部的一部分上;以及 框架,包括开口并且配置为支承所述掩模的两个端部,其中所述开口位于所述框架的中心部分中并且所述沉积材料穿过所述开口。
【文档编号】H01L51/56GK106067518SQ201610195748
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年3月31日 公开号201610195748.0, CN 106067518 A, CN 106067518A, CN 201610195748, CN-A-106067518, CN106067518 A, CN106067518A, CN201610195748, CN201610195748.0
【发明人】韩政洹
【申请人】三星显示有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1