显示装置及其制备方法
【专利摘要】本发明提供一种显示装置及其制备方法。该显示装置包括：封装薄膜，用于将薄膜晶体管阵列与像素阵列封装在衬底基板上；保护膜，位于所述封装薄膜之上并且包含第一相位差片；触摸膜位于所述保护膜之上并且包含第二相位差片；以及偏光膜位于所述触摸膜之上。
【专利说明】
显不装置及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]在光电显示技术中，有机发光二极管(organic light emitting d1de，0LED)是一种自发光装置，具有高亮度和高对比度的特点。并且OLED器件是超薄和柔性的设备，具有低功耗和较宽的工作温度范围。
[0003]圆偏光片(Circular Polarizer)用于有效的避免在OLED显不装置反射环境光。所述圆偏光片包括偏光膜和相位差膜。所述相位差膜可以是四分之一波片。环境光，通过偏振层和所述四分之一波片后，即成为圆偏振光。再经过反射后，所述圆偏振光通过四分之一波片而成为与偏光层透过轴方向垂直的线偏振光。所述线偏振光被阻挡在偏光膜内，从而消除环境光对OLED发射光的影响。
[0004]基于触摸屏的触摸输入，具有响应快、空间小、人机交互模式直观的优点，而将触摸屏与OLED显示装置集成也是大势所趋。但目前，阻挡膜、圆偏光片加触摸屏的结构会导致显示器件厚度过厚，不利于器件轻薄化。同时，厚度也会导致柔性器件的弯曲和折叠性能受到影响。
[0005]本发明提供的显示装置及其制备方法，可以解决至少部分上述问题，以及其他的现存的技术问题。
【发明内容】
[0006]本发明提供了一种显示装置，包括:封装薄膜，用于将薄膜晶体管(TFT)阵列与像素阵列封装在衬底基板上;保护膜，位于所述封装薄膜之上并且包含第一相位差片；触摸膜，位于所述保护膜之上并且包含第二相位差片；以及偏光膜，位于所述触摸膜之上。
[0007]可选的，所述第一相位差片与所述第二相位差片都包括1/8λ相位差片。
[0008]可选的，所述触摸膜还包括X导电涂层与Y导电涂层，而所述第二相位差片位于所述X导电涂层与所述Y导电涂层之间。
[0009]可选的，所述X导电涂层是所述触摸膜的X电极，而所述Y导电涂层是所述触摸膜的Y电极。
[0010]可选的，所述保护膜还包括水氧隔离层，所述水氧隔离层覆盖住第一相位差片。[0011 ]可选的，所述水氧隔离层可由以下材料中的一种或多种制成:氧化铝、二氧化钛、氧化错、氧化氮化娃、氮化娃、碳氮化娃。
[0012]可选的，所述第一相位差片和所述第二相位差片的其中一种或多种包括聚合物波片。
[0013]可选的，所述封装薄膜包含以下结构中的一种或多种:无机结构膜、无机有机混合材料薄膜、无机/有机薄膜叠层、无机有机混合材料薄膜/有机薄膜叠层。
[0014]可选的，所述封装薄膜包含以下无机材料中的一种或多种:氧化铝、二氧化钛、氧化错、氧化娃、氮化娃、碳氮化娃。
[0015]可选的，所述封装薄膜包含以下有机材料中的一种或多种:聚甲基丙烯酸甲酯、六甲基二甲硅醚。
[0016]可选的，所述封装薄膜包括无机有机混合材料，所述无机有机混合材料为二氧化硅和硅-碳长链化合物的混合物。
[0017]可选的，所述封装薄膜的厚度范围为I微米到20微米。
[0018]可选的，所述偏光膜由聚合物构成，所述聚合物包括聚乙烯醇(PVA)。
[0019]可选的，所述衬底基板包括设置于阻挡膜之上的柔性基板。
[0020]可选的，所述柔性基板的厚度范围为5微米到20微米，而所述阻挡膜厚度范围为50微米到100微米。
[0021]可选的，粘合层，所述粘合层设置在:所述封装薄膜与所述保护膜之间、所述保护膜与所述触摸膜之间、以及所述触摸膜和所述偏光膜之间；以及所述粘合层由光敏胶(OCA)和压敏胶(PSA)中的至少一种制成。
[0022]本发明还提供一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:提供保护膜，置于衬底基板上，所述保护膜包含第一相位差片;在所述保护膜上制备触摸膜，所述触摸膜包含第二相位差片；以及在所述触摸膜上制备偏光膜。
[0023]可选的，所述第一相位差片与所述第二相位差片都包括1/8λ相位差片。
[0024]可选的，所述触摸膜还包括X导电涂层与Y导电涂层，而所述第二相位差片位于所述X导电涂层与事实Y导电涂层之间。
[0025]可选的，所述X导电涂层是所述触摸膜的X电极，而所述Y导电涂层是所述触摸膜的Y电极。
[0026]可选的，所述保护膜还包括水氧隔离层，所述水氧隔离层覆盖住第一相位差片。
[0027]可选的，所述水氧隔离层可由以下材料中的一种或多种制成:氧化铝、二氧化钛、氧化错、氧化氮化娃、氮化娃、碳氮化娃。
[0028]可选的，在所述衬底基板上制备薄膜晶体管(TFT)阵列以及像素阵列;在所述衬底基板上制备用于封装所述薄膜晶体管(TFT)阵列以及所述像素阵列的封装薄膜；以及在所述封装薄膜上制备所述保护膜。
[0029]本技术领域的一般技术人员可以通过说明书，权利要求，以及本发明的附图来理解本发明的其他方面。
【附图说明】
[0030]下列的图示用来说明本发明在此文公开的实施例，这些实施例并不局限本发明的范围。
[0031]图1为传统的柔性OLED显示装置的示意图；
[0032]图2为本发明的实施例所提供的柔性OLED显示装置的示意图；
[0033]图3为本发明的实施例所提供的衬底基板的示意图；
[0034]图4为本发明的实施例所提供的保护膜的示意图；
[0035]图5为本发明的实施例所提供的触摸膜的示意图。
【具体实施方式】
[0036]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。在可能的情况下，附图中的各个部分提到的相同或相似的部分将采用相似的附图标记。
[0037]本发明提供一种柔性有机发光二极管(0LED)结构及其制备方法。本发明提出的显示装置有效集成了各功能薄膜层，降低了显示器件厚度，减小了显示器件重量，并且提高了
生會K O
[0038]例如，所述显示装置包括位于衬底基板上的保护膜。所述保护膜包含第一相位差片。在所述保护膜上制备有触摸膜。所述触摸膜包含第二相位差片。在所述触摸膜上制备有偏光膜。在一个实施例中，所述第一相位差片与第二相位差片可以单独也可以共同实现所需要的四分之一波。比如，第一相位差片与第二相位差片可以各是一个1/8λ相位差片。
[0039]图1为传统的柔性OLED显示装置的示意图。如图所示，该柔性OLED显示装置包括衬底基板11。所述衬底基板包含聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)薄膜，以及置于PI薄膜上的阻挡膜。在所述衬底基板11上设置有薄膜晶体管(TFT)阵列12。在所述TFT阵列12上设置有OLED显示单元13。而所述TFT阵列12上设置有OLED显示单元13被薄膜封装(thin-fi Imencapsulat1n，简称TFE)薄膜14所封装。
[0040]为了保护所述显示装置以及封装薄膜14不受物理损伤，也为了实施接下来的与偏光片和触摸膜的粘结工艺，需要将阻挡膜16通过粘合层15叠加在封装薄膜14上。圆偏光片17通过压敏胶(pressure-sensitive adhesive，简称PSA)堆叠在阻挡膜16之上。触摸膜18位于圆偏光片17之上。
[0041]本发明提供的显示装置，比如一种柔性OLED显示装置，可以包括一个含有1/8λ相位差片的保护膜，以及含有另一个1/8λ相位差片的触摸膜，位于保护膜上。
[0042]图2为本发明的实施例所提供的柔性OLED显示装置的示意图。
[0043]如图2所示，所述柔性显示装置包括:衬底基板201、TFT阵列202、像素阵列203、封装薄膜204、粘合层205、包含有1/8λ相位差片的保护膜206、包含有1/8λ相位差片的触摸膜207、偏光膜208。
[0044]在一个实施例中，所述衬底基板201可以是一张柔性基板。图3为本发明的实施例所提供的衬底基板的示意图。
[0045]所示衬底基板201包括柔性基板301，以及设置于柔性基板301背面的阻挡膜302。换句话说，所述柔性基板301可制备在阻挡膜302上。
[0046]所述柔性基板301可由柔性材料制成，比如塑料、聚酰亚胺(PI)、聚酯、聚酯薄膜、不锈钢箔。在一些实施例中，所述柔性基板301是光学透明的，或具有一定的透光性。在一个实施例中，所述柔性基板301包括聚酰亚胺(PI)薄膜。
[0047]所述阻挡膜302，通过光敏胶(optical clear adhesive，简称OCA)或压敏胶(PSA)与柔性基板301对齐并键合，从而阻止水、氧通过柔性基板301进入显示装置，从而使显示装置中的各组件不被损坏。在一个实施例中，所述柔性基板301的厚度范围约为5微米到20微米。而所述阻挡膜302的厚度范围约为50微米到100微米。
[0048]如图2所示，所述TFT阵列202设置在衬底基板201上，为显示装置提供驱动电路。
[0049]所述像素阵列203设置在TFT阵列202上。所述像素阵列203包括该显示装置的发光结构。所述像素阵列203可以是一个顶发光OLED像素阵列。
[0050]所述封装薄膜204是薄膜封装(TFE)薄膜，用于封装位于衬底基板201上的TFT阵列202与像素阵列203。
[0051]例如，所述封装薄膜204包含以下结构中的一种或多种:无机结构膜、无机有机混合材料薄膜、无机/有机薄膜叠层、无机有机混合材料薄膜/有机薄膜叠层。
[0052]在以上材料中，所述封装薄膜204涉及以下无机材料中的一种或多种，例如:氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化硅、氮化硅、和碳氮化硅。所述封装薄膜204涉及以下有机材料中的一种或多种适合，例如:聚甲基丙烯酸甲酯、六甲基二甲硅醚。所述无机有机混合材料可以是，例如二氧化硅和硅-碳长链化合物的混合物。
[0053]在本发明中，所述封装薄膜204中的无机材料被用于实现水、氧的隔绝。而所述封装薄膜204中的有机材料被用于实现平坦化、颗粒包覆、以及空洞填充功能。从而可以有效阻隔水、氧对显示装置的损害，同时可以使显示装置更轻薄。
[0054]在一个实施例中，所述封装薄膜204的厚度范围约为I微米到20微米。
[0055]如图2所示，所述保护膜206设置在封装薄膜204上方，并通过中间的粘合层205相连。所述粘合层205是一层光敏胶(OCA)或压敏胶(PSA)。所述粘合层205—面与保护膜206贝占合，另一面与封装薄膜204贴合。所述粘合层205有助于将保护膜206与封装薄膜204表面平坦化之后将他们键合在一起。
[0056]图4为本发明的实施例所提供的保护膜的示意图。
[0057]如图4所示，所述保护膜206包括1/8λ相位差片401以及水氧阻隔层402。所述1/8λ相位差片401可设置在水氧阻隔层402上方，或者下方。
[0058]所述水氧阻隔层402可由氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅制成。所述1/8λ相位差片可以是一个聚合物波片。
[0059]如图2所示，所述触摸膜207设置在保护膜206上方，并通过中间的粘合层(未示出)相连。该粘合层是一层光敏胶(OCA)或压敏胶(PSA)。所述粘合层一面与触摸膜207贴合，另一面与保护膜206贴合。所述粘合层有助于将触摸膜207与保护膜206表面平坦化之后将他们键合在一起。
[0060]图5为本发明的实施例所提供的触摸膜207的示意图。在一个实施例中，所述触摸膜207是一个玻璃-薄膜-薄膜(glass-film-film，简称GFF)触摸膜。
[0061 ] 所述触摸膜207包括X导电涂层501，一个1/8λ相位差片502，以及Y导电涂层503。所述1/8λ相位差片502位于X导电涂层与Y导电涂层之间。作为优选，所述X导电涂层是所述触摸膜的X电极，而所述Y导电涂层是所述触摸膜的Y电极。
[0062]如图5所示，所述触摸膜207中的1/8λ相位差片502与保护膜206中的1/8λ相位差片401相加形成等效的1/4λ相位差片。所述1/8λ相位差片502与401可均为聚合物波片。而基于所述触摸膜207的触摸输入，具有响应快、空间小、人机交互模式直观的优点。
[0063]如图2所示，所述偏光膜208设置在触摸膜207上方。所述偏光膜208可由例如聚乙烯醇(PVA)之类的聚合物制成。
[0064]例如，在触摸膜207与偏光膜208之间可设置有粘合层(未示出)。该粘合层是一层光敏胶(OCA)或压敏胶(PSA)。所述粘合层一面与偏光膜208贴合，另一面与触摸膜207贴合。所述粘合层有助于将触摸膜207与偏光膜208表面平坦化之后将他们键合在一起。
[0065]在一个实施例中，在如图2所示的装置中，外界光线首先穿过偏光片208而成为线偏振光，再穿过触摸膜207之中的1/8λ相位差片与保护膜206中的1/8λ相位差片而成为圆偏振光。所述圆偏振光被反射后再次进入并穿过触摸膜207之中的1/8λ相位差片与保护膜206中的1/8λ相位差片。所述线偏振光与偏光膜208的透过轴方向垂直，被阻挡在偏光膜内，从而消除环境光对OLED发射光的影响。
[0066]这样，触摸膜207之中的1/8λ相位差片，保护膜206中的1/8λ相位差片，以及偏光膜208共同实现了一个圆偏光片。通过采用所述包含有1/8λ相位差片保护膜206，取代传统的不含有相位差片阻挡膜16，并且通过采用包含有1/8λ相位差片触摸膜207，取代传统GFF触摸膜中的PET薄膜，可降低生产成本，减小显示装置的厚度。
[0067]例如，如图1所示的传统柔性OLED显示装置包括:必须包含有一定厚度的基板的触摸膜18;必须包含有一定厚度基板的阻挡膜16;包含有偏光膜和1/4λ相位差片的圆偏光片17，以此来实现圆偏振光。相比之下，在本发明中，触摸膜207与保护膜206都包括1/8λ相位差片，取代传统装置中对应的基板，并且与偏光膜208共同形成一个圆偏光片。从而使本发明所提供的显示装置的厚度明显降低。
[0068]此外，柔性显示装置的弯曲和折叠性能能得到明显提升，并且更加轻薄。
[0069]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种显示装置，其特征在于，包括: 封装薄膜，用于将薄膜晶体管阵列与像素阵列封装在衬底基板上； 保护膜，位于所述封装薄膜之上并且包含第一相位差片； 触摸膜，位于所述保护膜之上并且包含第二相位差片；以及 偏光膜，位于所述触摸膜之上。2.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述第一相位差片与所述第二相位差片都包括1/8λ相位差片。3.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述触摸膜还包括X导电涂层与Y导电涂层，而所述第二相位差片位于所述X导电涂层与所述Y导电涂层之间。4.如权利要求3所述显示装置，其特征在于， 所述X导电涂层是所述触摸膜的X电极，而所述Y导电涂层是所述触摸膜的Y电极。5.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述保护膜还包括水氧隔离层，所述水氧隔离层覆盖住第一相位差片。6.如权利要求5所述显示装置，其特征在于， 所述水氧隔离层可由以下材料中的一种或多种制成:氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化氮化硅、氮化硅、碳氮化硅。7.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述第一相位差片和所述第二相位差片的其中一种或多种包括聚合物波片。8.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述封装薄膜包含以下结构中的一种或多种:无机结构膜、无机有机混合材料薄膜、无机有机薄膜叠层、无机有机混合材料薄膜和有机薄膜叠层。9.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述封装薄膜包含以下无机材料中的一种或多种:氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化硅、氮化硅、碳氮化硅。10.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述封装薄膜包含以下有机材料中的一种或多种:聚甲基丙烯酸甲酯、六甲基二甲硅醚。11.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述封装薄膜包括无机有机混合材料，所述无机有机混合材料为二氧化硅和硅-碳长链化合物的混合物。12.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述封装薄膜的厚度范围为I微米到20微米。13.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述偏光膜由聚合物构成，所述聚合物包括聚乙烯醇(PVA)。14.如权利要求1所述显示装置，其特征在于， 所述衬底基板包括设置于阻挡膜之上的柔性基板。15.如权利要求14所述显示装置，其特征在于， 所述柔性基板的厚度范围为5微米到20微米，所述阻挡膜厚度范围为50微米到100微米。16.如权利要求1所述显示装置，其特征在于，还包括: 粘合层，所述粘合层设置在:所述封装薄膜与所述保护膜之间、所述保护膜与所述触摸膜之间、以及所述触摸膜和所述偏光膜之间；以及所述粘合层由光敏胶和压敏胶中的至少一种制成。17.—种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供保护膜，置于衬底基板上，所述保护膜包含第一相位差片； 在所述保护膜上制备触摸膜，所述触摸膜包含第二相位差片；以及 在所述触摸膜上制备偏光膜。18.如权利要求17所述显示装置的制造方法，其特征在于， 所述第一相位差片与所述第二相位差片都包括1/8λ相位差片。19.如权利要求17所述显示装置的制备方法，其特征在于， 所述触摸膜还包括X导电涂层与Y导电涂层，而所述第二相位差片位于所述X导电涂层与所述Y导电涂层之间。20.如权利要求19所述显示装置的制备方法，其特征在于，所述X导电涂层是所述触摸膜的X电极，而所述Y导电涂层是所述触摸膜的Y电极。21.如权利要求17所述显示装置的制备方法，其特征在于， 所述保护膜还包括水氧隔离层，所述水氧隔离层覆盖住第一相位差片。22.如权利要求21所述显示装置的制备方法，其特征在于， 所述水氧隔离层可由以下材料中的一种或多种制成:氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化氮化硅、氮化硅、碳氮化硅。23.如权利要求17所述显示装置的制备方法，其特征在于，还包括: 在所述衬底基板上制备薄膜晶体管阵列以及像素阵列； 在所述衬底基板上制备用于封装所述薄膜晶体管阵列以及所述像素阵列的封装薄膜；以及 在所述封装薄膜上制备所述保护膜。
【文档编号】G09F9/33GK106068564SQ201580002627
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2015年10月29日 公开号201580002627.3, CN 106068564 A, CN 106068564A, CN 201580002627, CN-A-106068564, CN106068564 A, CN106068564A, CN201580002627, CN201580002627.3, PCT/2015/93192, PCT/CN/15/093192, PCT/CN/15/93192, PCT/CN/2015/093192, PCT/CN/2015/93192, PCT/CN15/093192, PCT/CN15/93192, PCT/CN15093192, PCT/CN1593192, PCT/CN2015/093192, PCT/CN2015/93192, PCT/CN2015093192, PCT/CN201593192
【发明人】王玉林, 王俊然
【申请人】京东方科技集团股份有限公司