一种磁场调制器及其制备方法

文档序号:10727268阅读:664来源:国知局
一种磁场调制器及其制备方法
【专利摘要】一种磁场调制器及其制备方法涉及3D打印技术成型制造领域。磁场调制器包括表面具有图案凹槽的主体、填充在凹槽里的磁性粒子。一种基于3D打印的磁场调制器的制造方法,只要包括以下步骤:利用3D打印技术制作表面具有图案凹槽的磁场调制器的主体,向凹槽中填满磁性粒子之后在表面覆保护膜。所述磁场调制器能在且不局限在磁场图案化、制备导热图案、导电图案、导热板、硬质电路板、柔性电路板或电磁屏蔽电路板上的应用。
【专利说明】
-种磁场调制器及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明设及3的T印技术成型制造领域,尤其一种磁场调制及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 利用磁场制作图案的方法,在科学研究中已经被广泛的使用。磁场作为一种清洁、 高效的工具可W在磁场调制器的作用下,诱导磁性粒子在磁场中形成图案。磁场调制器由 高磁导率材料和低磁导率材料组成。如图1所示,当磁场沿竖直方向通过高磁导率材料时, 磁场倾向于从材料的内部穿过,导致了竖直方向上高磁导率材料表面附近区域的磁通密度 增大,而在水平方向上高磁导率材料表面附近区域的磁通密度减小。同样的,当磁场沿着竖 直方向通过低磁导率材料时,磁场倾向于绕过材料从材料的外部穿过,导致了竖直方向上 低磁导率材料表面附近区域的磁通密度减小,而在水平方向上低磁导率材料表面附近区域 的磁通密度增大。
[0003] 将高磁导率材料和低磁导率材料简单地交替排列,放入磁场中就可W使磁场的磁 通密度梯度变化。由高磁导率材料铁锥片(300WI1厚)和低磁导率材料侣锥片(300WI1厚)交替 排列组成的磁场调制器放入一个磁通密度为20mT的匀强磁场中,其在磁场调制器表面竖直 方向IOOwii平面的磁通密度分布如图2所示。若将磁场调制器表面设计特定的图案,图案使 用高磁导率的材料制作而成。磁场调制器放入竖直方向磁场中后,将在磁场中出现一个与 所设计图案相同的磁通密度梯度变化的区域,如图3所示。若图案使用低磁导率材料制作而 成,磁场调制器放入竖直方向的磁场中后,将在磁场中出现一个与所设计图案互补的磁通 密度梯度变化的区域,如图4所示。
[0004] 磁性粒子在磁场中主要受到磁场力的作丹 都是常数,可W用 (B . VB)来反应磁场力,磁场力的大小主要和磁场磁通密度的梯度有关。所W磁场中加入 的磁性粒子最终都会在磁场力的作用下,沉积到存在磁通密度梯度变化的区域。若图案部 分是高磁导率材料,则磁性粒子形成的图案和磁场调制器表面的图案一致;若图案部分是 低磁导率材料,则磁性粒子形成的图案和磁场调制器表面的图案为互补图案,如图5所示。
[0005] 3D打印技术可W克服传统打印的建模难题,对于传统制造业不能生产制造的任何 高端度,复杂的、个性化的制造,通过3D打印技术都能迎刃而解。利用磁场图案化的方法可 W制作各种不同的磁性粒子的图案,但是越精细的图案则对磁场调制器表面的图案的精细 度要求越高,利用3D打印的技术可W轻松克服运一困难,而且还可W根据不同的需求快速 的制作具有不同表面图案的磁场调制器。

【发明内容】

[0006] 本发明设及一种磁场调制器及其制作方法,主要包括W内容:
[0007] -种磁场调制器,主要由上表面具有图案凹槽或孔道的主体和填充在图案凹槽或 孔道里的填充物质组成,具有图案的主体上表面设有可填充物质的凹槽或孔道。磁场调制 器主体为低磁导率材料时,填充物质为高磁导率材料,磁场调制器主体为高磁导率材料时, 填充物质为低磁导率材料。
[000引还可W在磁场调制器上表面还可W覆保护膜。
[0009] 优选的,高磁导率材料为铁、钻、儀、低碳钢、铁系合金、钻系合金、儀系合金、软磁 铁氧体、各类软磁合金、各类软磁复合材料或其一种或几种的混合物。
[0010] 优选的,低磁导率物质为低磁导率金属、陶瓷、热固型高分子材料或(甲基)丙締 酸、(甲基)丙締酸醋类树脂或单体中一种或几种的混合物。
[0011] -种磁场调制器的制备方法,其特征在于,主要包括W下步骤:根据需要设计磁场 调制器主体的=维结构,利用3D打印技术得到磁场调制器的主体,向主体图案部分的凹槽 或孔道中加入填充物质。
[0012] 进一步,向凹槽中填满磁性粒子之后在表面覆保护膜。
[0013] 优选的,磁场调制器主体由烙融3D打印技术或光固化3D打印成型制作而成。
[0014] 优选的,基于烙融3D打印技术制作磁场调制器主体材料为金属材料、陶瓷、热塑型 树脂及其单体。
[0015] 优选的,基于光固化3D打印技术制作磁场调制器材料为各类(甲基)丙締酸、(甲 基)丙締酸醋树脂或单体中一种或几种的混合物。
[0016] 优选的,磁场调制器主体采用低磁导率材料时,填充物质为高磁导率材料;磁场调 制器主体为高磁导率材料时,填充物质为低磁导率物质。
[0017] 优选的,高磁导率材料为铁、钻、儀、低碳钢、铁系合金、钻系合金、儀系合金、软磁 铁氧体、各类软磁合金、各类软磁复合材料或其一种或几种的混合物。
[0018] 优选的,低磁导率物质为低磁导率的金属、陶瓷、热固型高分子材料或(甲基)丙締 酸、(甲基)丙締酸醋类树脂或单体中一种或几种的混合物。
[0019] 所述磁场调制器能在且不局限在磁场图案化、制备导热图案、导电图案、导热板、 硬质电路板、柔性电路板或电磁屏蔽电路板上的应用。
【附图说明】
[0020] 图1是高磁导率物质和低磁导率物质对磁场的作用示意图;
[0021] 图2是20mT的匀强磁场中厚度为300WI1的铁锥片和侣锥片交替组成的磁场调制器 表面上方lOOwn的磁通密度分布图;
[0022] 图3是在20mT竖直方向匀强磁场中,表面印制电路板图案是高磁导率物质的磁场 调制器上方IOOwii处的磁通密度分布图。
[0023] 图4是在20mT竖直方向匀强磁场中,表面印制电路板图案是低磁导率物质的磁场 调制器上方IOOwii处的磁通密度分布图。
[0024] 图5是磁通密度梯度捕获磁性粒子形成图案的机理图;
[0025] 图6是本发明中一种磁场调制器及其制备方法的实施实例示意图。
【具体实施方式】
[0026] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的实施 方式作进一步地详细描述。本领域技术人员可由本说明书所掲露的内容轻易地了解本发明 的其他优点与功效。本发明还可W通过另外不同的【具体实施方式】加W实施或应用。
[0027]上述及其它技术特征和有益效果,将结合实施例及附图对本发明方法进行详细说 明。
[002引实施例一
[0029] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,具体可W采用 醋酸乙締醋,但不局限于此,填充物质为铁纳米粉。
[0030] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0031] 实施例二
[0032] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为lOOwn,凹槽的深度为500WI1,间隔为 1 OOwh,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0033] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0034] 实施例S
[0035] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为50WH,凹槽的深度为lOOwn,间隔为 50WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0036] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0037] 实施例四
[0038] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为100皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0039] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0040] 实施例五
[0041] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。直线条纹的凹槽的宽度为300WI1,凹槽的深度为lOOwii, 间隔为300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物 质为铁纳米粉。
[0042] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0043] 实施例六
[0044] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。直线条纹的凹槽的宽度为1mm,凹槽的深度为1mm,间隔 为1mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0045] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0046] 实施例屯
[0047] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。直线条纹的凹槽的宽度为3mm,凹槽的深度为2mm,间隔 为3mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[004引本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0049] 实施例八
[0050] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。直线条纹凹槽的宽度为5mm,凹槽的深度为5mm,间隔为 5mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳 米粉。
[0051] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0052] 实施例九
[0053] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间 隔为300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质 为铁纳米粉。
[0054] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[00对实施例十
[0056] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为lOOwn,凹槽的深度为500WI1, 间隔为1 OOwh,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物 质为铁纳米粉。
[0057] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0化引实施例^^一
[0059]本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案的宽度为50WH,凹槽的深度为lOOwn,间隔 为50WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为 铁纳米粉。
[0060] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0061] 实施例十二
[0062] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案的宽度为lOOwn,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0063] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0064] 实施例十S
[0065] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为300WI1,凹槽的深度为lOOwii, 间隔为300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物 质为铁纳米粉。
[0066] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0067] 实施例十四
[0068] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为1mm,凹槽的深度为1mm,间隔 为1mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0069] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0070] 实施例十五
[0071] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为3mm,凹槽的深度为2mm,间隔 为3mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0072] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0073] 实施例十六
[0074] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的凹槽2。曲线图案凹槽的宽度为5mm,凹槽的深度为5mm,间隔 为5mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁 纳米粉。
[0075] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0076] 实施例十屯
[0077] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体I的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案凹槽的 宽度为300WH,凹槽的深度为1mm,间隔为300皿,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体 材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[007引本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0079] 实施例十八
[0080] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案凹槽的 宽度为1 OOwh,凹槽的深度为500皿,间隔为1 OOwh,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主 体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0081] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0082] 实施例十九
[0083] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案凹槽的 宽度为50WH,凹槽的深度为lOOwn,间隔为50皿,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体 材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0084] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[00化]实施例二十
[0086] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案凹槽的 宽度为1 OOwh,凹槽的深度为1mm,间隔为300皿,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体 材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0087] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0088] 实施例二^
[0089] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案条纹的 凹槽的宽度为300WH,凹槽的深度为lOOwn,间隔为300WI1,凹槽中充满填充物质3。磁场调制 器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0090] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0091 ] 实施例二十二
[0092] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案的凹槽 的宽度为1mm,凹槽的深度为1mm,间隔为1mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材 料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0093] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0094] 实施例二十S
[00M]本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案的凹槽 的宽度为3mm,凹槽的深度为2mm,间隔为3mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材 料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0096] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0097] 实施例二十四
[0098] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的凹槽2。印制电路板线路图案凹槽的 宽度为5mm,凹槽的深度为5mm,间隔为5mm,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料 为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0099] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0100] 实施例二十五
[0101] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的孔道2。孔道距离上表面的距离为10化m,条纹孔道的宽度为 300WH,孔道的深度为1mm,间隔为300WH,孔道中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为 热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0102] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的孔道中。
[0103] 实施例二十六
[0104] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的曲线图案的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置曲线图案的孔道2。孔道距离上表面的距离为lOOwn,曲线图案孔道的宽 度为300WH,孔道的深度为1mm,间隔为300WH,孔道中充满填充物质3。磁场调制器的主体材 料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[0105] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的孔道中。
[0106] 实施例二十屯
[0107] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的印制电路板线路图案的磁场调制器。 磁场调制器的主体1的表面设置印制电路板线路图案的孔道2。孔道距离上表面的距离为 100皿,印制电路板线路图案孔道的宽度为300皿,孔道的深度为1mm,间隔为300皿,孔道中 充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为热固型高分子材料,填充物质为铁纳米粉。
[010引本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的孔道中。
[0109] 实施例二十八
[0110] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为侣,填充物质为铁纳米粉。
[0111] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[0112] 实施例二十九
[0113] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为铜,填充物质为铁纳米粉。
[0114] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末填 充在主体表面的凹槽中。
[011引实施例S+
[0116] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为铁,填充物质为铜粉。
[0117] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铜粉填充在主 体表面的凹槽中。
[0118] 实施例^^
[0119] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为陶瓷,填充物质为铁纳米粉。
[0120] 本实施例中,采用烙融3D打印技术制作出磁场调制器的主体,经过烧结W后形成 陶瓷材料的磁场调制器主体,再将铁纳米粉末填充在主体表面的凹槽中。
[0121] 实施例S十二
[0122] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料环氧丙締酸树脂,填充物质为铁纳米 粉。
[0123] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0124] 实施例S十S
[0125] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为铁纳 米粉。
[0126] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0127] 实施例=十四
[0128] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚醋丙締酸醋,填充物质为铁纳米 粉。
[0129] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0130] 实施例S十五
[0131] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚酸丙締酸醋,填充物质为铁纳米 粉。
[0132] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0133] 实施例S十六
[0134] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋甲基丙締酸醋,填充物质为 铁纳米粉。
[0135] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0136] 实施例S十屯
[0137] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为环氧甲基丙締酸醋,填充物质为铁 纳米粉。
[013引本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0139] 实施例S十八
[0140] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚醋甲基丙締酸醋,填充物质为铁 纳米粉。
[0141] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将铁纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0142] 实施例S十九
[0143] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为儀纳 米粉。
[0144] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将儀纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[0145] 实施例四十
[0146] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为钻纳 米粉。
[0147] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将钻纳米粉末 填充在主体表面的凹槽中。
[014引实施例四
[0149] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为坡莫 合金粉末。
[0150] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将坡莫合金粉 末填充在主体表面的凹槽中。
[0151] 实施例四十二
[0152] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为软磁 性铁氧体粉末。
[0153] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将软磁性铁氧 体粉末填充在主体表面的凹槽中。
[0154] 实施例四十=
[0155] 本实施例中,磁场调制器的结构如图6所示的直线条纹的磁场调制器。磁场调制器 的主体1的表面设置直线型的凹槽2。条纹凹槽的宽度为300皿,凹槽的深度为1mm,间隔为 300WH,凹槽中充满填充物质3。磁场调制器的主体材料为聚氨醋丙締酸醋,填充物质为低碳 钢粉末。
[0156] 本实施例中,采用光固化3D打印技术制作出磁场调制器的主体,再将低碳钢粉末 填充在主体表面的凹槽中。
【主权项】
1. 一种磁场调制器,其特征在于:包括上表面具有图案凹槽或孔道的主体和填充在图 案凹槽或孔道里的填充物质; 当主体为低磁导率材料时,填充物质为高磁导率材料;当主体为高磁导率材料时,填充 物质为低磁导率材料;这里的高低是相对的,即主体和填充物质具有不同的磁导率即可。2. 根据权利要求1所述的磁场调制器,其特征在于:高磁导率材料为铁、钴、镍、低碳钢、 铁系合金、钴系合金、镍系合金、软磁铁氧体、各类软磁合金、各类软磁复合材料或其一种或 几种的混合物。3. 根据权利要求1所述的磁场调制器,其特征在于:低磁导率物质为低磁导率金属、陶 瓷、热固型高分子材料、或(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯类树脂或单体中一种或几种的混 合物。4. 制备如权利要求1-3任意一项所述磁场调制器的方法,其特征在于:利用3D打印技术 得到磁场调制器的主体,向图案凹槽或孔道里填充物质。5. 根据权利要求4所述的方法,其特征在于:3D打印为熔融3D打印技术或光固化3D打 印。6. 根据权利要求5所述的方法,其特征在于:熔融3D打印技术制作磁场调制器主体材料 为金属材料、陶瓷、热塑型树脂或其单体;光固化3D打印技术制作磁场调制器主体材料为各 类(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯树脂或单体中一种或几种的混合物。7. 根据权利要求4所述的方法,其特征在于:向图案凹槽或孔道里填充物质后表面覆盖 保护膜。8. 根据权利要求1-3任意一项所述磁场调制器在磁场图案化、制备导热图案、导电图 案、导热板、硬质电路板、柔性电路板或电磁屏蔽电路板上的应用。
【文档编号】H01F41/02GK106098292SQ201610607467
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月28日 公开号201610607467.1, CN 106098292 A, CN 106098292A, CN 201610607467, CN-A-106098292, CN106098292 A, CN106098292A, CN201610607467, CN201610607467.1
【发明人】朱晓群, 胡栋栋, 聂俊
【申请人】北京化工大学
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