复合薄膜封装设备的制造方法
【专利摘要】复合薄膜封装设备，包括基底存放腔、基底中转腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔、原子层沉积反应腔。所述基底中转腔具有一个基底传送装置和多个闸门阀，闸门阀分别与基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔密封连接。所述基底存放腔内的存放架分为上下两层，上层为掩膜放置架，下层为基底放置架，通过控制马达实现存放架的升降移动，基底传送装置通过闸门阀可完成对基底和掩膜的取放。本发明采用单个基底传送装置，可完成基底在多个模块间的循环传递，且基底和掩膜存放在同一腔内，减少了设备的单元模块。本发明可广泛地应用于有机发光二极管薄膜封装技术领域。
【专利说明】
复合薄膜封装设备
技术领域
[0001]本发明涉及有机发光二极管薄膜封装技术领域，特别是涉及一种复合薄膜封装设备。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)因其可自发光、省能源、显示对比度高、色彩准确丰富、响应速度快、尺寸小且更轻薄等优势正快速发展，逐步应用于显示领域。采用OLED薄膜封装相对传统封装技术，可降低显示荧幕的厚度，对封装模块可同型、均匀覆盖，更有利于柔性显示、透明显示的实现。降低薄膜封装的制造成本是OLED薄膜封装走向量产化的主要途径，而生产设备的价格、产能和占地面积则是影响产品成本最主要的因素。
[0003]由于OLED器件受水、氧的破坏性较大，现有薄膜封装技术多采用多层复合膜对OLED进行封装，其优势在于即使某层薄膜产生孔洞，由于多层膜的原因，孔洞与大气连接的机率大大降低，水、氧渗透的路径因此阻断。多层复合膜因每层膜的材料和结构常常不同，其生产设备需要具有更多的加工模块，现有薄膜封装设备加工模块多、占地面积大、设备结构复杂且成本高、维修困难。
【发明内容】
[0004]为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种复合薄膜封装设备。本发明所采用的技术方案是:复合薄膜封装设备，包括基底存放腔、基底中转腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔、原子层沉积反应腔。所述基底中转腔具有一个基底传送装置和多个闸门阀，闸门阀分别与基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔密封连接。
[0005]进一步地，基底传送装置可以通过闸门阀，从基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔内进行基底取放。所述等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔根据需求可在基底上进行不同材料和厚度的薄膜沉积，基底通过基底传送装置在等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔之间的循环传递，以实现在基底上沉积多层材料结构的复合膜。基底存放腔设有基底进出窗口，基底通过基底进出窗口放入和取出。
[0006]进一步地，基底存放腔内还设有马达，马达与滑动导轨连接，滑动导轨固定在基底存放腔上，升降支架固定在滑动导轨上，升降支架上端连接存放架，存放架分为上下两层，上层为掩膜放置架，下层为基底放置架，通过控制马达实现存放架的升降移动，基底传送装置通过闸门阀可完成对基底和掩膜的取放。
[0007]本发明与现有技术相比，其有益效果包括等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔，理论上可实现任意无机薄膜材料的沉积。采用单个基底传送装置，可完成基底在多个模块间的循环传递，且基底和掩膜存放在同一腔内，减少了设备的单元模块。本设备结构简单、紧凑、占地面积小及易于维护，可实现薄膜沉积的全部功能，大大降低制造成本。
【附图说明】
[0008]图1为薄膜封装设备结构示意图；
[0009]图2为基底存放腔结构示意图；
[0010]图3为三层复合薄膜结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0012]实施例
[0013]如图1所示，复合薄膜封装设备，包括基底存放腔101、基底中转腔105、掩膜对正腔102、等离子体化学沉积反应腔103和原子层沉积反应腔104。所述基底中转腔105是设备的中转模块，具有一个基底传送装置107，在其前后左右四个方向分别设有闸门阀106a、106b、106c及106d，通过上述4个闸门阀分别与基底存放腔101、掩膜对正腔102、等离子体化学沉积反应腔103和原子层沉积反应腔104分别密封连接。
[0014]如图2所示，基底存放腔101，包括基底进出窗口 201、马达202、滑动导轨203、升降支架204和存放架205，基底通过基底进出窗口 201放入存放腔101和取出。所述马达202与滑动导轨203连接，滑动导轨203上固定有升降支架204，升降支架204上端连接存放架205，所述滑动导轨203固定在基底存放腔101上。
[0015]进一步地，存放架205分为上下两层，上层为掩膜放置架205b，下层为基底放置架205a，通过马达202控制实现存放架205的升降移动，基底传送装置107通过闸门阀106a可完成对基底和掩膜的取放。
[0016]在此实施例中，一般操作时，基底通过基底存放腔101的基底进出窗口201，放在基底放置架205a上，马达202工作，通过滑动导轨203和升降支架204控制存放架205上升，升至基底放置架205a与闸门阀106a对齐;基底存放腔101的闸门阀106a开启，此时基底中转腔105处于大气压力状态下，基底传送装置107通过闸门阀106a进入基底存放腔101，马达202控制存放架205下降，基底落在基底传送装置107上，基底传送装置107携带基底回到基底中转腔105;掩膜对正腔102的闸门阀106b开启，基底传送装置107传递基底至掩膜对正腔102，基底传送装置107退回至基底中转腔105;基底存放腔101内马达202控制存放架205再次上升，升至掩膜放置架205b与闸门阀106a对齐，基底传送装置107再次进入基底存放腔101，马达202控制存放架205下降，掩膜落在基底传送装置107上，基底传送装置107携带掩膜至掩膜对正腔102的对正平台上，基底存放腔101的闸门阀106a关闭，基底传送装置107退回到基底中转腔105，对正平台对掩膜位置进行对正后将掩膜放置在基底上。
[0017]基底传送装置107进入掩膜对正腔102取出基底后，回到基底中转腔105，掩膜对正腔102的闸门阀106b关闭；基底中转腔105开始抽真空至一定压力；等离子体化学沉积反应腔103的闸门阀106c开启，基底传送装置107传递基底至等离子体化学沉积反应腔103，基底传送装置107退回，闸门阀106c关闭，进行第一层薄膜沉积;完成后，闸门阀106c开启，基底传送装置107取基底至基底中转腔105，闸门阀106c关闭；原子层沉积反应腔104的闸门阀106d开启，基底传送装置107传递基底至原子层沉积反应腔104，基底传送装置107退回，闸门阀1Sd关闭，进行第二层薄膜沉积;完成后，闸门阀1Sd开启，基底传送装置107取基底至基底中转腔105，闸门阀1Sd关闭；等离子体化学沉积反应腔103的闸门阀106b再次开启，基底传送装置107传递基底至等离子体化学沉积反应腔103进行第三次薄膜沉积;完成后，基底传送装置107取基底至基底中转腔105，闸门阀关闭106b;如不再进行薄膜沉积，基底中转腔105开始回填气体至大气压状态。
[0018]基底存放腔101的闸门阀106a开启，基底传送装置107传递覆有掩膜的基底至基底存放腔101，马达202控制存放架205上升，取下掩膜(掩膜轮廓尺寸大于基底轮廓尺寸)，基底传送装置107携基底退回至基底中转腔105，马达212控制存放架205上升至基底放置架205a略低于闸门阀106a;基底传送装置107携基底再次进入基底存放腔101，马达202控制存放架205上升，取下基底，基底传送装置107退回至基底中转腔105，马达202控制存放架205，然后打开基底进出窗口 203将基底取出，完成复合膜沉积。
[0019]沉积的复合膜结构如图3所示，复合膜可以为一层SiN薄膜层301、一层Al2O3薄膜层302及一层SiN薄膜层303。还可根据不同的工艺要求使用该复合薄膜封装设备制备不同材质的复合膜。
[0020]以上所述，仅为本发明的优选实施例，本发明的保护范围不局限于此，任何熟悉该技术的人员在本发明基础上的任何变换或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.复合薄膜封装设备，其特征在于:该设备包括基底存放腔、基底中转腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔及原子层沉积反应腔，所述基底中转腔具有一个基底传送装置和多个闸门阀，闸门阀分别与基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔密封连接。2.如权利要求1所述的复合薄膜封装设备，其特征在于:所述基底传送装置通过闸门阀，从基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔内进行基底取放。3.如权利要求1所述的复合薄膜封装设备，其特征在于:所述等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔，根据需求在基底上进行不同材料和厚度的薄膜沉积，基底通过基底传送装置在等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔之间的循环传递，以实现在基底上沉积多层材料结构的复合膜。4.如权利要求1所述的复合薄膜封装设备，其特征在于:所述基底存放腔设有基底进出窗口，基底通过基底进出窗口放入和取出。5.如权利要求1所述的复合薄膜封装设备，其特征在于:所述基底存放腔内设有马达，马达与滑动导轨连接，滑动导轨固定在基底存放腔上，升降支架固定在滑动导轨上，升降支架上端连接存放架。6.如权利要求1所述的复合薄膜封装设备，其特征在于:所述存放架分为上下两层，上层为掩膜放置架，下层为基底放置架，通过控制马达实现存放架的升降移动，基底传送装置通过闸门阀完成对基底和掩膜的取放。
【文档编号】H01L21/67GK106098600SQ201610711523
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月23日
【发明人】吕光泉, 刘忆军, 吴凤丽, 王亮
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司