一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法，该阵列基板上显示区域采用金属氧化物制作有源层，使得形成的开关晶体管的关态电流较低，且经过工艺处理的金属氧化物可以由非晶态变为微晶态，有利于提高开关晶体管的稳定性；同时周边区域采用多晶硅材料制作有源层，使得形成的开关晶体管具有较高的电子迁移率，使其具有较高的驱动能力，适用于搭建驱动电路，满足阵列基板周边区域的集成驱动电路设计的需求。综上，阵列基板的显示区域与周边区域分别采用金属氧化物和多晶硅制作开关晶体管的有源层，从而优化阵列基板的结构设计，保证显示产品的显示效果及提高产品良率。
【专利说明】
一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]目前，显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示。其中用于驱动显示装置进行显示的阵列基板的结构，如图1所示，主要包括:位于衬底基板上的遮光层1、缓冲层2、有源层3、栅绝缘层4、层间介质层5、栅极6、源极7和漏极8、公共电极9、像素电极10;其中，有源层采用多晶硅材料，遮光层用于遮挡外界光线对多晶硅材料的影响，防止有源层产生光生载流子，进而影响开关晶体管的开关特性。然而采用多晶硅材料作为有源层材料的开关晶体管，其关态电流较大，造成开关晶体管具有较大的漏电流，进而使得显示区域的像素开关特性不稳定，影响了显示装置的显示效果，降低了显示产品的良率;但其电子迀移率较高，使其具有较高驱动能力，因此采用多晶硅材料制作有源层的开关晶体管，适用于搭建阵列基板周边的驱动电路。
[0003]因此，如何优化阵列基板的结构设计，从而提高显示产品的显示效果及产品良率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法，用以优化阵列基板的结构设计，从而提高显示产品的显示效果及产品良率。
[0005]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0006]在衬底基板上形成位于周边区域的第一有源层的图形;其中所述第一有源层的材料为多晶娃；
[0007]在所述衬底基板上形成位于显示区域的第二有源层的图形;其中所述第二有源层的材料为金属氧化物；
[0008]对形成有所述第一有源层的图形和所述第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态。
[0009]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，对形成有所述第一有源层的图形和所述第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态，具体包括:
[0010]对形成有所述第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态;其中，所述高温活化处理的温度为400-700°C。
[0011]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述第一有源层的图形之后，在形成所述第二有源层的图形之前，还包括:
[0012]在形成有所述第一有源层的图形的衬底基板上，形成栅绝缘层、栅极和层间介质层的图形;其中，
[0013]所述栅极的图形包括位于所述显示区域的栅极的图形和位于所述周边区域的栅极的图形；
[0014]所述层间介质层的图形包括位于所述周边区域且贯穿所述栅绝缘层和所述层间介质层的过孔的图形。
[0015]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述层间介质层的图形之后，在形成所述第二有源层的图形之前，还包括:
[0016]采用缓冲蚀刻液对形成有所述层间介质层的图形的衬底基板进行清洗。
[0017]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，形成所述第二有源层的图形的过程，具体包括:
[0018]在采用缓冲蚀刻液进行清洗后的衬底基板上，沉积金属氧化物薄膜；
[0019]采用灰度掩模板进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域;其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述第二有源层的图形区域，所述光刻胶半保留区域对应所述层间介质层上的过孔区域，所述光刻胶完全去除区域为除与所述第二有源层和所述过孔对应的区域外的其他区域；
[0020]对所述光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述金属氧化物薄膜；
[0021]对所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄，所述光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除；
[0022]对未被光刻胶覆盖的所述金属氧化物薄膜进行等离子体表面处理，使所述金属氧化物薄膜变成导体；
[0023]剥离所述光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，形成所述第二有源层的图形。
[0024]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。
[0025]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，对形成有所述第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态之后，还包括:
[0026]对高温活化处理后的所述衬底基板进行氢化处理；
[0027]在氢化处理后的衬底基板上形成源极、漏极、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极的图形。
[0028]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在所述衬底基板上形成位于所述周边区域的第一有源层的图形，具体包括:
[0029]在所述衬底基板上沉积非晶硅，通过去氢工艺和结晶化工艺，使非晶硅转化为多晶硅，并通过构图工艺形成所述第一有源层的图形。
[0030]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成所述栅绝缘层和所述栅极的图形之后，还包括:
[0031]采用自对准工艺，对所述第一有源层进行掺杂，形成重掺杂区域和轻掺杂区域。
[0032]本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括本发明实施例提供的的上述阵列基板的制作方法。
[0033]本发明实施例提供了一种阵列基板，分为显示区域和周边区域，所述阵列基板包括:形成于衬底基板上的位于所述周边区域的第一有源层和位于所述显示区域的第二有源层;其中，
[0034]所述第一有源层的材料为多晶硅；
[0035]所述第二有源层的材料为至少包含部分微晶态结构的金属氧化物。
[0036]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属氧化物经过高温活化处理形成至少包含部分微晶态结构的金属氧化物，其中，所述高温活化处理的温度为400-700 °C。
[0037]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括:层间介质层、源极和漏极;其中，
[0038]所述周边区域的层间介质层具有多个过孔，所述过孔内具有金属氧化物薄膜;所述源极和所述漏极分别位于所述层间介质层之上，且分别通过所述过孔内的经过等离子体表面处理的金属氧化物薄膜与所述第一有源层电性相连；
[0039]所述显示区域的所述源极和所述漏极位于所述第二有源层之上。
[0040]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。
[0041]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板还包括:
[0042]栅绝缘层、栅极、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极;其中，
[0043]所述第二有源层位于所述显示区域的栅极之上，所述第一有源层位于所述周边区域的栅极之下。
[0044]本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0045]本发明实施例的有益效果包括:
[0046]本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法，该阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上形成位于周边区域的第一有源层的图形;其中第一有源层的材料为多晶硅;在衬底基板上形成位于显示区域的第二有源层的图形;其中第二有源层的材料为金属氧化物;对形成有第一有源层的图形第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使金属氧化物由非晶态转化为微晶态。这样阵列基板上显示区域采用金属氧化物制作有源层，使得形成的开关晶体管的关态电流较低，且经过工艺处理的金属氧化物可以由非晶态变为微晶态，有利于提尚开关晶体管的稳定性；同时周边区域米用多晶娃材料制作有源层，使得形成的开关晶体管具有较高的电子迀移率，使其具有较高的驱动能力，适用于搭建驱动电路，满足阵列基板周边区域的集成驱动电路设计的需求。综上，阵列基板的显示区域与周边区域分别采用金属氧化物和多晶硅制作开关晶体管的有源层，从而优化阵列基板的结构设计，保证显不广品的显不效果及提尚广品良率。
【附图说明】
[0047]图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
[0048]图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图；
[0049]图3为本发明实施例提供的制作第二有源层的方法流程图；
[0050]图4为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0051]下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法得【具体实施方式】进行详细的说明。
[0052]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，如图2所示，可以包括:
[0053]S101、在衬底基板上形成位于周边区域的第一有源层的图形；其中第一有源层的材料为多晶娃；
[0054]S102、在衬底基板上形成位于显示区域的第二有源层的图形；其中第二有源层的材料为金属氧化物；
[0055]S103、对形成有第一有源层的图形和第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使金属氧化物由非晶态转化为微晶态。
[0056]本发明实施例提供的上述阵列基板，其显示区域采用金属氧化物制作有源层，使得形成的开关晶体管的关态电流较低，且经过工艺处理的金属氧化物可以由非晶态变为微晶态，有利于提高开关晶体管的稳定性；同时周边区域采用多晶硅材料制作有源层，使得形成的开关晶体管具有较高的电子迀移率，使其具有较高的驱动能力，适用于搭建驱动电路，满足阵列基板周边区域的集成驱动电路设计的需求。综上，阵列基板的显示区域与周边区域分别采用金属氧化物和多晶硅制作开关晶体管的有源层，从而优化阵列基板的结构设计，保证显示产品的显示效果及提高产品良率。
[0057]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，步骤S103，可以具体包括:对形成有第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使金属氧化物由非晶态转化为微晶态；其中，高温活化处理的温度为400-700°C。具体地，金属氧化物可通过400-700°C的高温活化处理，使其由非晶态转化为微晶态，微晶态的金属氧化物作为开关晶体管的有源层材料，可以使得开关晶体管的性能更稳定。另外，高温活化处理还可以修复阵列基板制造过程中对多晶硅造成的晶格损伤。这样在阵列基板的显示区域的开关晶体管，采用金属氧化物作为有源层的材料，可以保证其关态电流较低，且通过高温活化后使得开关晶体管的开关性能更稳定，保证了像素开关的开关特性，有助于保证显不广品的显不效果，同时提尚显不广品的良率。
[0058]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成第一有源层的图形之后，在形成第二有源层的图形之前，还可以包括:在形成有第一有源层的图形的衬底基板上，形成栅绝缘层、栅极和层间介质层的图形；其中，栅极的图形包括位于显示区域的栅极的图形和位于周边区域的栅极的图形;层间介质层的图形包括位于周边区域且贯穿栅绝缘层和层间介质层的过孔的图形。具体地，在形成第一有源层的图形之后，在形成第二有源层的图形之前，还包括形成栅绝缘层、栅极和层间介质层的图形，这样显示区域的栅极的图形形成于第二有源层之前，因此显示区域形成的开关晶体管为底栅型，这样可以省去遮光层的制作；而周边区域的第一有源层形成在栅极的图形之前，但周边区域为不透光的区域，因此也可以省去遮光层的制作，同时在周边区域层间介质层的图形包括过孔的图形，该过孔用于第一有源层与后期形成的源极和漏极相连。
[0059]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成层间介质层的图形之后，在形成第二有源层的图形之前，还可以包括:采用缓冲蚀刻液对形成有层间介质层的图形的衬底基板进行清洗。具体地，为了防止过孔内的多晶硅表层形成的氧化层影响源极和漏极与多晶娃的接触，可以采用BOE(buffer oxide etch)清洗去除过孔的多晶硅表层的氧化层，即采用缓冲蚀刻液对阵列基板进行清洗，去除多晶硅表层的氧化层，且清洗工艺在形成第二有源层之前，因此可以避免清洗对第二有源层产生影响。
[0060]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，形成第二有源层的图形的过程，如图3所示，可以具体包括:
[0061 ] S201、在采用缓冲蚀刻液进行清洗后的衬底基板上，沉积金属氧化物薄膜；
[0062]S202、采用灰度掩模板进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域;其中，光刻胶完全保留区域对应第二有源层的图形区域，光刻胶半保留区域对应层间介质层上的过孔区域，光刻胶完全去除区域为除与第二有源层和过孔对应的区域外的其他区域；
[0063]S203、对光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除光刻胶完全去除区域对应的金属氧化物薄膜；
[0064]S204、对光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化，光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄，光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除；
[0065]S205、对未被光刻胶覆盖的金属氧化物薄膜进行等离子体表面处理，使金属氧化物薄膜变成导体；
[0066]S206、剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，形成第二有源层的图形。
[0067]具体地，采用上述构图工艺步骤，可以形成第二有源层的图形，同时保留过孔内的金属氧化物薄膜;还可以通过等离子体表面处理使得过孔内的金属氧化物薄膜导体化，这样在过孔内的多晶硅表面保留一层氧化物薄膜，可以防止暴漏在过孔内的多晶硅再一次被氧化;还可以通过等离子体表面处理使得金属氧化物由半导体转化为导体，从而可以减小源漏极金属与多晶硅的接触电阻。
[0068]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，金属氧化物可以为铟镓锌氧化物，也可以采用其他满足阵列基板设计需求的金属氧化物，在此不作限定。
[0069]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，对形成有第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使金属氧化物由非晶态转化为微晶态之后，还可以包括:对高温活化处理后的衬底基板进行氢化处理;在氢化处理后的衬底基板上形成源极、漏极、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极的图形。具体地，对高温活化后的衬底基板进行氢化处理，可以填补多晶硅的氢键，使其更加稳定，在氢化处理后形成后续阵列基板上的多个功能层，保证阵列基板的功能。
[0070]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，步骤SlOl可以具体包括:在衬底基板上沉积非晶硅，通过去氢工艺和结晶化工艺，使非晶硅转化为多晶硅，并通过构图工艺形成第一有源层的图形。具体地，通过在衬底基板上沉积一层非晶硅材料，进而通过去氢工艺和结晶化工艺，使非晶硅转化为多晶硅，在通过构图工艺形成第一有源层的图形，其中，构图工艺与现有技术中的构图工艺相同，包括光刻、刻蚀等工艺，在此不作详述。
[0071]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在形成栅绝缘层和栅极的图形之后，还可以包括:采用自对准工艺，对第一有源层进行掺杂，形成重掺杂区域和轻掺杂区域。具体地，可以采用自对准工艺对第一有源层进行掺杂工艺使其成为半导体。
[0072]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括本发明实施例提供的的上述阵列基板的制作方法。该显示面板的制作方法解决问题的原理与阵列基板的制作方法相似，因此该显示面板的制作方法的实施可以参见上述阵列基板的制作方法的实施，重复之处不再赘述。
[0073]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种阵列基板，分为显示区域和周边区域，如图4所示，阵列基板包括:形成于衬底基板上的位于周边区域的第一有源层01和位于显示区域的第二有源层02;其中，第一有源层01的材料为多晶硅;第二有源层02的材料为至少包含部分微晶态结构的金属氧化物。
[0074]本发明实施例提供的上述阵列基板，在显示区域采用至少包含部分微晶态结构的金属氧化物制作有源层，在周边区域采用多晶硅制作有源层。由于采用金属氧化物作为有源层的开关晶体管的关态电流较低，且微晶态的金属氧化物有利于提高开关晶体管的稳定性，可以保证像素区域的开关晶体管的稳定性，提高显示面板的显示效果及产品良率。同时周边区域采用多晶硅材料制作有源层的开关晶体管具有较高的电子迀移率，使其较高的驱动能力，适用于搭建驱动电路，满足周边区域的集成驱动电路设计需求。
[0075]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，金属氧化物经过高温活化处理形成至少包含部分微晶态结构的金属氧化物，其中，高温活化处理的温度为400-700°C。具体地，金属氧化物可通过400-700°C的高温活化处理，使其由非晶态转化为微晶态，微晶态的金属氧化物作为开关晶体管的有源层材料，可以使得开关晶体管的性能更稳定。这样在阵列基板的显示区域的开关晶体管，采用金属氧化物作为有源层的材料，可以保证其关态电流较低，且通过高温活化后使得开关晶体管的开关性能更稳定，保证了像素开关的开关特性，有助于保证显不广品的显不效果，同时提尚显不广品的良率。
[0076]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，阵列基板还可以包括:层间介质层03、源极04和漏极05;其中，周边区域的层间介质层03具有多个过孔，过孔内具有金属氧化物薄膜06;源极04和漏极05分别位于层间介质层03之上，且分别通过过孔内的经过等离子体表面处理的金属氧化物薄膜06与第一有源层01电性相连;显示区域的源极04和漏极05位于第二有源层02之上。具体地，在周边区域的过孔内的多晶硅表面保留一层金属氧化物薄膜，可以防止暴露在过孔内的多晶硅再一次被氧化;还可以通过等离子体表面处理使得金属氧化物由半导体转化为导体，从而可以减小源漏极金属与多晶硅的接触电阻。
[0077]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，金属氧化物可以为铟镓锌氧化物，也可以采用其他满足阵列基板设计需求的金属氧化物，在此不作限定。
[0078]在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，阵列基板还可以包括:栅绝缘层07、栅极08、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极(图4中未示出树脂层、公共电极、钝化层和像素电极)；其中，第二有源层02位于显示区域的栅极08之上，第一有源层01位于周边区域的栅极08之下。具体地，显示区域的栅极位于第二有源层之下，形成的开关晶体管为底栅型，这样可以省去遮光层的制作;而周边区域的第一有源层位于栅极之下，形成的开关晶体管为顶栅型，但周边区域为不透光的区域，因此也可以省去遮光层的制作。
[0079]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。该显示面板可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示面板解决问题的原理与阵列基板相似，因此该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
[0080]本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及其制作方法，该阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上形成位于周边区域的第一有源层的图形;其中第一有源层的材料为多晶硅;在衬底基板上形成位于显示区域的第二有源层的图形;其中第二有源层的材料为金属氧化物;对形成有第一有源层的图形和第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使金属氧化物由非晶态转化为微晶态。这样阵列基板上显示区域采用金属氧化物制作有源层，使得形成的开关晶体管的关态电流较低，且经过工艺处理的金属氧化物可以由非晶态变为微晶态，有利于提高开关晶体管的稳定性；同时周边区域采用多晶硅材料制作有源层，使得形成的开关晶体管具有较高的电子迀移率，使其具有较高的驱动能力，适用于搭建驱动电路，满足阵列基板周边区域的集成驱动电路设计的需求。综上，阵列基板的显示区域与周边区域分别采用金属氧化物和多晶硅制作开关晶体管的有源层，从而优化阵列基板的结构设计，保证显示产品的显示效果及提高产品良率。
[0081]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成位于周边区域的第一有源层的图形;其中所述第一有源层的材料为多晶娃； 在所述衬底基板上形成位于显示区域的第二有源层的图形;其中所述第二有源层的材料为金属氧化物； 对形成有所述第一有源层的图形和所述第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对形成有所述第一有源层的图形和所述第二有源层的图形的衬底基板进行工艺处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态，具体包括: 对形成有所述第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态;其中，所述高温活化处理的温度为400-700Γ。3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一有源层的图形之后，在形成所述第二有源层的图形之前，还包括: 在形成有所述第一有源层的图形的衬底基板上，形成栅绝缘层、栅极和层间介质层的图形;其中， 所述栅极的图形包括位于所述显示区域的栅极的图形和位于所述周边区域的栅极的图形； 所述层间介质层的图形包括位于所述周边区域且贯穿所述栅绝缘层和所述层间介质层的过孔的图形。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述层间介质层的图形之后，在形成所述第二有源层的图形之前，还包括: 采用缓冲蚀刻液对形成有所述层间介质层的图形的衬底基板进行清洗。5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二有源层的图形的过程，具体包括: 在采用缓冲蚀刻液进行清洗后的衬底基板上，沉积金属氧化物薄膜； 采用灰度掩模板进行曝光，形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域;其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述第二有源层的图形区域，所述光刻胶半保留区域对应所述层间介质层上的过孔区域，所述光刻胶完全去除区域为除与所述第二有源层和所述过孔对应的区域外的其他区域； 对所述光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除所述光刻胶完全去除区域对应的所述金属氧化物薄膜； 对所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶半保留区域的光刻胶进行灰化，所述光刻胶完全保留区域的光刻胶变薄，所述光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除； 对未被光刻胶覆盖的所述金属氧化物薄膜进行等离子体表面处理，使所述金属氧化物薄膜变成导体； 剥离所述光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，形成所述第二有源层的图形。6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对形成有所述第二有源层的图形的衬底基板进行高温活化处理，使所述金属氧化物由非晶态转化为微晶态之后，还包括: 对高温活化处理后的所述衬底基板进行氢化处理； 在氢化处理后的衬底基板上形成源极、漏极、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极的图形。8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成位于所述周边区域的第一有源层的图形，具体包括: 在所述衬底基板上沉积非晶硅，通过去氢工艺和结晶化工艺，使非晶硅转化为多晶硅，并通过构图工艺形成所述第一有源层的图形。9.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述栅绝缘层和所述栅极的图形之后，还包括: 采用自对准工艺，对所述第一有源层进行掺杂，形成重掺杂区域和轻掺杂区域。10.—种显示面板的制作方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板的制作方法。11.一种阵列基板，分为显示区域和周边区域，其特征在于，所述阵列基板包括:形成于衬底基板上的位于所述周边区域的第一有源层和位于所述显示区域的第二有源层;其中， 所述第一有源层的材料为多晶硅； 所述第二有源层的材料为至少包含部分微晶态结构的金属氧化物。12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物经过高温活化处理形成至少包含部分微晶态结构的金属氧化物，其中，所述高温活化处理的温度为400-700Γ。13.如权利要求11或12所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:层间介质层、源极和漏极;其中， 所述周边区域的层间介质层具有多个过孔，所述过孔内具有金属氧化物薄膜;所述源极和所述漏极分别位于所述层间介质层之上，且分别通过所述过孔内的经过等离子体表面处理的金属氧化物薄膜与所述第一有源层电性相连； 所述显示区域的所述源极和所述漏极位于所述第二有源层之上。14.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。15.如权利要求14所述的这列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 栅绝缘层、栅极、树脂层、公共电极、钝化层和像素电极;其中， 所述第二有源层位于所述显示区域的栅极之上，所述第一有源层位于所述周边区域的栅极之下。16.—种显示面板，其特征在于，包括如权利要求11-15任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/12GK106098699SQ201610466499
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月23日
【发明人】孙双, 彭宽军
【申请人】京东方科技集团股份有限公司