一种lvdt新型的线圈绕制结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于机械设计技术领域，涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。
【背景技术】
[0002]通常LVDT线位移传感器线性范围较小，线圈常规绕制结构磁场线性范围较小，因此为了得到较大的量程范围往往需要几十倍的线圈长度。在实际应用过程中，不能满足线位移传感器小型化、高精化的要求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的:提出一种结构简单、线性范围大、可靠性高的LVDT新型的线圈绕制结构。
[0004]本发明的技术方案:一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为:所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6 ;线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈I 1、次级线圈II 7组成；初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内；次级线圈I 1、次级线圈II 7绕制在初级线圈2上，且次级线圈I 1、次级线圈II 7以骨架3轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固；铁芯5通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架3中心孔内自由移动。
[0005]本发明的优点:本实用新型通过阶梯递增线圈绕制结构使LVDT线位移传感器磁路均匀，线性范围更大，这样在相同外部尺寸条件下具有更大的量程。其结构简单可靠、性能优良。
【附图说明】
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[0006]图1是本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构【具体实施方式】的剖视图；
[0007]其中，1-次级线圈1、2_初级线圈、3-骨架、4-壳体、5-铁芯、6-连杆、7-次级线圈I1、8_底盖。
【具体实施方式】
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[0008]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做进一步详细说明。
[0009]参见图1，其为本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构的一种【具体实施方式】。所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6 ;线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈I 1、次级线圈II 7组成；初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内；次级线圈I 1、次级线圈II 7绕制在初级线圈2上，且次级线圈I 1、次级线圈II 7以骨架3轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固；铁芯5通过螺纹与连杆6连接，可在骨架3中心孔内自由移动。
【主权项】
1.一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为:所述结构包括线圈组件、壳体(4)、底盖(8)、铁芯(5)、连杆(6);线圈组件包括骨架(3)、初级线圈(2)、次级线圈I (1)、次级线圈II (7)组成；初级线圈(2)均匀分布在骨架(3)每个线槽内；次级线圈I (I)、次级线圈II (7)绕制在初级线圈(2)上，且次级线圈I (1)、次级线圈II (7)以骨架(3)轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体(4)通过两端挤压变形的收口方式与底盖(8)、骨架(3)紧固；铁芯(5)通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架(3)中心孔内自由移动。
【专利摘要】本实用新型属于机械设计技术领域，涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。本实用新型包括线圈组件、壳体、底盖、铁芯、连杆；线圈组件包括骨架、初级线圈、次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ组成；初级线圈均匀分布在骨架每个线槽内；次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ绕制在初级线圈上，且次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ以骨架轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；骨架通过滚包的方式与底盖、壳体紧固。本实用新型解决了提高LVDT线位移传感器线性范围的线圈绕制结构，其结构简单可靠、性能优良。
【IPC分类】G01B7-02, H01F41-06, H01F5-02
【公开号】CN204332574
【申请号】CN201420751677
【发明人】刘彦君, 肖岸飞, 梁国栋, 王鲲鹏
【申请人】武汉航空仪表有限责任公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月3日