共模扼流圈及高频电子器件的制作方法
【专利说明】共模扼流圈及高频电子器件
[0001]本实用新型申请是国际申请号为PCT/JP2012/078122，国际申请日为2012年10月31日，进入中国国家阶段的申请号为201290000944.3，名称为“共模扼流圈及高频电子器件”的实用新型专利申请的分案申请。
技术领域
[0002]本实用新型涉及共模扼流圈及具备该线圈的高频电子器件。
【背景技术】
[0003]一直以来，USB (Universal Serial Bus:通用串行总线)、HDMI (High Definit1nMultimedia Interface:高清多媒体接口 )等高速接口使用由一对信号线路传输相位相差180°的信号的差动传输方式。由于差动传输方式利用平衡线路使福射噪声、外来噪声相互抵消，因此不易受这些噪声的影响。然而，在高速接口用的信号线路中，实际上会因信号线路的不对称性而产生共模噪声电流。因此，使用用于抑制这种共模噪声的共模扼流圈。
[0004]共模扼流圈通常如专利文献1、2所记载的那样，采用具有同向卷绕的2个线圈(初级线圈、次级线圈)的小型层叠式芯片元器件的结构。初级线圈和次级线圈在层叠坯体的内部沿着层叠方向对称地并排设置。
[0005]然而，这样的共模扼流圈由于初级线圈和次级线圈在层叠方向上重叠配置，因此由于制造工艺上的问题(线圈的位置偏差、层叠偏差等)、或结构上的问题(当安装到印刷布线板上时，各线圈与印刷布线板的接地之间的耦合量不相同)，对称性会被破坏。若初级线圈和次级线圈的对称性破坏，则会导致去除共模噪声的能力下降。
[0006]另一方面，现有的共模扼流圈多使用磁性体作为层叠坯体，但由于磁性体具有较大的频率特性，因此特别是高频带中正常模式信号的损耗容易变大。而且，在初级线圈和次级线圈之间无法得到足够的耦合值的情况下，正常模式信号的损耗也容易变大。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本专利特开2003-068528号公报
[0010]专利文献2:日本专利特开2008-098625号公报【实用新型内容】
[0011]实用新型所要解决的技术问题
[0012]本实用新型的目的在于提供一种正常模式信号的损耗较小、且高频带中共模噪声的去除能力较高的共模扼流圈及高频电子器件。
[0013]解决技术问题所采用的技术方案
[0014]本实用新型的第一方式的共模扼流圈具备初级线圈和次级线圈，其特征在于，
[0015]所述初级线圈包括:第Ia线圈图案，该第Ia线圈图案与第I输入输出端子相连接；以及第Ib线圈图案，该第Ib线圈图案与该第Ia线圈图案串联连接，且与第3输入输出端子相连接，
[0016]所述次级线圈包括:第2a线圈图案，该第2a线圈图案与第2输入输出端子相连接；以及第2b线圈图案，该第2b线圈图案与该第2a线圈图案串联连接，且与第4输入输出端子相连接，
[0017]所述第Ia线圈图案和所述第2a线圈图案在一个平面上作为平行线路、在第I卷绕轴的周围卷绕成环状，
[0018]所述第Ib线圈图案和所述第2b线圈图案在所述一个平面上，以与所述第Ia线圈图案和所述第2a线圈图案相邻的方式，作为平行线路在与所述第I卷绕轴不同的第2卷绕轴的周围卷绕成环状，
[0019]所述第Ia线圈图案、所述第Ib线圈图案、所述第2a线圈图案以及所述第2b线圈图案通过将分别设置于多个基材层的线圈图案进行层间连接而构成为层叠式线圈，
[0020]所述第Ia线圈图案与所述第Ib线圈图案在所述基材层的最上层串联连接，所述第2a线圈图案与所述第2b线圈图案在所述基材层的最上层串联连接，
[0021]在从所述多个基材层的层叠方向俯视时，将关于所述第I卷绕轴与所述第2卷绕轴的平分线的一侧区域设为第I区域，将另一侧区域作为第2区域的情况下，所述第Ia线圈图案及所述第2a线圈图案配置在所述第I区域，所述第Ib线圈图案及所述第2b线圈图案配置在所述第2区域，
[0022]所述第I输入输出端子和所述第2输入输出端子配置在所述基材层的最下层即安装面的所述第I区域，所述第3输入输出端子和所述第4输入输出端子配置在所述安装面的所述第2区域。
[0023]本实用新型的第二方式的高频电子器件的特征在于，具备所述第一方式的共模扼流圈。
[0024]在所述共模扼流圈中，第Ia线圈图案和第2a线圈图案在一个平面上作为平行线路、在第I卷绕轴的周围卷绕成环状，第Ib线圈图案和第2b线圈图案在所述一个平面上，以与第Ia线圈图案和第2a线圈图案相邻的方式，作为平行线路在与第I卷绕轴不同的第2卷绕轴的周围卷绕成环状，因此对称性不易被破坏。即，制造工艺中不易发生线圈图案的位置偏差、层叠偏差，而且在安装到印刷基板上时各线圈与接地之间的耦合量也不易产生偏差。另外，通过采用这种结构，能够提高初级线圈和次级线圈之间的耦合度，在共模下能够得到较大的电感值，从而增大阻抗。另一方面，由于正常模式下的电感值可以视作很小，因此，其阻抗可以视作很小。因而，正常模式信号的损耗较小，提高了高频带中共模噪声的去除能力。
[0025]实用新型效果
[0026]根据本实用新型，能够得到一种正常模式信号的损耗较小、且高频带中共模噪声的去除能力较高的共模扼流圈。
【附图说明】
[0027]图1是表示一实施例的共模扼流圈的等效电路图。
[0028]图2(A)和图2(B)是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，其中图2 (A)表示最底层，图2(B)表示倒数第I层。
[0029]图3(A)和图3(B)是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，其中图3 (A)表示倒数第2层，图3 (B)表示倒数第3层。
[0030]图4是表示所述共模扼流圈的层叠结构的俯视图，示出了倒数第4层(最上层)。
[0031]图5是所述共模扼流圈的制造工艺的说明图，在层叠体的长边方向中央部截取剖面。
[0032]图6是示意性地表示所述共模扼流圈的层叠结构的说明图。
[0033]图7是表示所述共模扼流圈中产生的线间电容的说明图。
[0034]图8是表示所述共模扼流圈的特性的曲线图。
[0035]图9是表示所述共模扼流圈的特性的史密斯圆图。
【具体实施方式】
[0036]下面，参照附图，对本实用新型所涉及的共模扼流圈及高频电子器件的实施例进行说明。另外，各图中，对公共的元器件、部分标注相同标号，并省略重复说明。
[0037]一实施例的共模扼流圈10如作为等效电路的图1所示，具备彼此通过电磁场耦合的初级线圈LI和次级线圈L2。初级线圈LI包括线圈图案Lla和与该线圈图案Lla串联连接的线圈图案Llb，次级线圈L2包括线圈图案L2a和与该线圈图案L2a串联连接的线圈图案 L2b0
[0038]线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b如图2 (B)、图3 (A)、图3 (B)、图4所示，分别设置为跨过基材层15?18这4层，并通过通孔导体进行层间连接，由此形成层叠式线圈的结构。详细而言，线圈图案Lla和线圈图案L2a在各基材层15?18的面上的区域Xl中作为平行线路同轴地卷绕成环状(平面双股)，线圈图案Llb和线圈图案L2b在各基材层15?18的面上的区域X2中和线圈图案Lla、L2a相邻，且作为平行线路同轴地卷绕成环状(平面双股)。即，线圈图案Lla、L2a的卷绕轴沿着层叠方向延伸，且基本重合。线圈图案Llb、L2b的卷绕轴沿着层叠方向延伸，且基本重合。
[0039]关于层间连接，最上层的线圈图案Lla、L2a的各端部21a、22a与第三层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体31a、32a连接，最上层的线圈图案Lib、L2b的各端部21b、22b与第三层的线圈图案Llb、L2b的各端部通过通孔导体31b、32b连接。并且，第三层的线圈图案Lla、L2a的各端部23a、24a与第二层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体33a、34a连接，第三层的线圈图案Llb、L2b的各端部23b、24b与第二层的线圈图案Llb、L2b的各端部通过通孔导体33b、34b连接。
[0040]并且，第二层的线圈图案Lla、L2a的各端部25a、26a与第一层的线圈图案Lla、L2a的各端部通过通孔导体35a、36a连接，第二层的线圈图案Llb、L2b的各端部25b、26b与第一层的线圈图案Llb、L2b的各端部通过通孔导体35b、36b连接。并且，第一层的线圈图案Lla、L2a的各端部27a、28a与最底层(基材层15的背面侧)的高电位侧输入电极Pl及低电位侧输入电极P2分别通过通孔导体37a、38a连接，第一层的线圈图案Llb、L2b的各端部27b,28b与最底层(基材层15的背面侧)的高电位侧输出电极P3及低电位侧输出电极P4分别通过通孔导体37b、38b连接。电极P1、P2为平衡输入端子，电极P3、P4为平衡输出端子。
[0041]而且，如图4所示，在最上层即基材层18上，线圈图案Lla和线圈图案Llb串联连接，线圈图案L2a和线圈图案L2b串联连接。另外，形成在各基材层15?18上的线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b配置为在俯视时不与形成在与其上下相邻的基材层上的线圈图案重叠。
[0042]形成在区域Xl中的线圈图案Lla及线圈图案L2a所构成的环形图案、与形成在区域X2中的线圈图案Llb及线圈图案L2b所构成的环形图案以沿着长边方向分隔开基材层15?18的线a为中心大致呈线对称。
[0043]另外，在第一层即基材层15上，形成有静电保护电路，该静电保护电路包含有由多对放电电极41a、41b、42a、42b构成的放电间隙El?E4。放电间隙El?E4的间隙约为5μπι。该静电保护电路如图2(B)所示，在俯视时，配置为包围线圈图案Lla、L2a、Llb、L2b，且通过通孔导体39与接地电极GND1、GND2 (参照图2 (A))连接。
[0044]这里，参照图5来说明初级线圈LI和次级线圈L2采用层叠式线圈结构的制造工艺。基材层