宽频带微带贴片天线的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微波通信领域，特别是一种应用于卫星通信的L波段和S波段的微带天线，进一步地，是一种宽频带的同轴馈电微带贴片天线。
【背景技术】
[0002]微带天线是一块厚度远小于工作波长的介质基片的一面敷以金属辐射贴片、一面全部敷以金属薄层接地面而成，其中辐射贴片可以根据不同的要求设计成各种形状。微带天线具有体积小、重量轻、剖面低、馈电方式灵活、成本低、易于制造且易与飞行器共型等优点，现今，它已广泛应用于无线通信中。
[0003]但普通的微带天线有其固有的缺陷，因其材料的局限性，在常规的结构上无法做到宽频带，即其阻抗带宽较窄，一般的微带天线的带宽仅有5%左右，微带天线的窄频带特性成了限制其广泛应用的主要障碍，因此，展宽微带天线的带宽具有十分重要的意义。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种宽频带微带贴片天线。
[0005]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0006]一种宽频带微带贴片天线，包括介质基片和辐射贴片，所述介质基片内设置有同轴探针，所述同轴探针上端设置有平板电容。
[0007]平板电容可以对天线进行耦合馈电，从而增大了天线带宽。
[0008]优选地，所述介质基片的厚度为6-8_，适当的加大了介质基板的厚度，从而进一步地增大了天线带宽。
[0009]本实用新型的有益效果在于:
[0010]与原有技术相比，本实用新型在保证其体积小和重量轻等优点的前提下，展宽了天线的带宽，解决了微带天线固有的频带窄的缺陷，使其应用范围更大，且新的天线结构简单，易于加工，可以批量生产，具有较好的发展前景。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型所述宽频带微带贴片天线的主视结构示意图；
[0012]图2是本实用新型所述宽频带微带贴片天线的侧视结构示意图；
[0013]图中:1_介质基片，2-辐射贴片，3-同轴探针，4-平板电容。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0015]如图1和图2所示，本实用新型包括介质基片I和辐射贴片2，介质基片I内设置有同轴探针3，同轴探针3上端设置有平板电容4。
[0016]在现有技术中的介质基片I 一般为4mm，本实用新型将介质基片I的厚度增加为6-8_，适当的加大了介质基板I的厚度，从而进一步地增大了天线带宽。
[0017]图2中a代表介质基片I的厚度；b代表同轴探针3的直径；c代表平板电容4中的介质ε厚度；d代表辐射贴片2的边长；e代表平板电容4直径。
[0018]目前，展宽微带天线的带宽方法主要有以下几种:
[0019]1、采用较小的介电常数基板；
[0020]2、加阻抗匹配网络；
[0021]3、加变容管；
[0022]4、加无源贴片；
[0023]5、采用多层结构。
[0024]本实用新型所述宽频带微带贴片天线，在常规的微带天线结构上，通过在同轴探针3上端增加了一个平板电容4，改变了馈电方式，利用平板电容4补偿同轴探针3(即馈电探针)引起的电感，对微带天线进行耦合馈电，从而使微带天线带宽显著增宽。同时适当加大介质基板I的厚度，从而进一步增大了天线带宽，解决了微带天线带宽较窄的缺陷。
[0025]微带贴片天线在使用时要求其体积小和易于飞行器等载体共形，而常规增大天线带宽的方法一般会增大天线体积。本专利中的微带天线只是适当增加了介质基板I的厚度，其它外形尺寸没有改变，满足了体积小的基本要求。在改进后，而本专利的微带天线带宽可以达到45%，与原有技术的5%相比，显著的提高了天线的性能。
[0026]在实际制作时，为了更好的增大天线带宽，我们还可以采用在辐射贴片2上开槽的方式加大微带天线的带宽，这种结构未在权利要求书中体现，但也可作为本实用新型的附加技术点。
[0027]以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种宽频带微带贴片天线，包括介质基片和辐射贴片，所述介质基片内设置有同轴探针，其特征在于:所述同轴探针上端设置有平板电容。
2.根据权利要求1所述的宽频带微带贴片天线，其特征在于:所述介质基片的厚度为6_8mm0
【专利摘要】本实用新型公开了一种宽频带微带贴片天线，包括介质基片和辐射贴片，所述介质基片内设置有同轴探针，所述同轴探针上端设置有平板电容。与原有技术相比，本实用新型在保证其体积小和重量轻等优点的前提下，展宽了天线的带宽，解决了微带天线固有的频带窄的缺陷，使其应用范围更大，且新的天线结构简单，易于加工，可以批量生产，具有较好的发展前景。
【IPC分类】H01Q1-50
【公开号】CN204361280
【申请号】CN201520002819
【发明人】于宏健, 曹亮, 林前维
【申请人】成都盟升科技有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年1月4日