一种新型lte天线的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及移动终端的天线领域，特别涉及一种新型LTE天线。
【背景技术】
[0002]近年来，随着移动通信终端的不断发展，人们对移动终端的要求也越来越高，手机功能越来越多，但是手机的尺寸确改变不多，甚至越来越薄，这样留给天线的空间就越来越小。天线网络由原来的2G、3G逐渐迈向4G，天线的宽带要求也越来越宽，国内的LTE网络宽带已经要求覆盖1.8GHz?1.95GHz、2.3GHz?2.4GHz以及2.5GHz?2.62GHz，新型LTE天线的设计就显得非常重要。
[0003]目前，市面上较多的LTE天线都是采用天线辐射主体和天线寄生辐射体相耦合的方式，天线寄生福射体与馈地点连接，和天线福射体产生親合作用来调节LTE天线宽带。但是随着天线环境的变化，与馈地点相连的天线寄生辐射体也无法最优化的调节天线宽带。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型针对上述现有技术中存在的问题，提出一种新型LTE天线，运用悬空的天线耦合辐射体的调节方式，在空间比较小的情况下，最优化的调节天线的带宽，解决了现有技术中无法达到理想带宽的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型是通过如下技术方案实现的:
[0006]本实用新型提供一种新型LTE天线，其包括:
[0007]PCB板及天线福射体，PCB板上设置有馈电点、馈地点，所述馈地点与所述PCB板的地相连；所述天线辐射体包括天线辐射主体和天线耦合辐射体；所述天线辐射主体包括第一天线部、第一触点以及第二触点，所述第一触点和所述第二触点分别与所述第一天线部相连，所述第一触点和所述第二触点之间形成第一耦合缝隙，所述第一触点与所述馈电点相连，所述第二触点与所述馈地点相连；所述天线耦合辐射体包括第二天线部及第三触点，所述第三触点与所述第一触点之间形成第二耦合缝隙；所述第一耦合缝隙和所述第二耦合缝隙位于所述馈电点的两侧。
[0008]传统的天线寄生辐射体的第三触点需与PCB板上的另一馈地点相连产生天线辐射效应，本实用新型的天线耦合辐射体不与馈地点相连，其是通过设置第一耦合缝隙和第二耦合缝隙，改变其宽度，使天线耦合辐射体即使不与馈地点相连，也能与天线辐射体之间产生耦合作用，通过调节悬空的天线辐射体以及PCB板上的匹配电路来进行天线频率和宽带的调节。
[0009]较佳地，所述天线辐射体设置在柔性基材上。
[0010]较佳地，所述柔性基材位于所述PCB板的上方，天线辐射体位于柔性基材不与PCB板相对的一面。
[0011]较佳地，所述柔性基材与所述PCB板之间绝缘。
[0012]较佳地，所述第一親合缝隙的宽度在0.5mm?Imm之间，通过改变所述第一親合缝隙的宽度和深度来调节天线覆盖频带的宽度，宽度在0.5mm?Imm之间时，天线的親合作用强。
[0013]较佳地，所述第二耦合缝隙的宽度在0.5mm?2mm之间，通过改变所述第二耦合缝隙的宽度来调节天线的频率偏移，宽度在0.5mm?2_之间时，天线的親合作用强。
[0014]较佳地，所述LTE天线覆盖的高频频段为1850MHz?2650MHz，所述LTE天线的带
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见见O
[0015]相较于现有技术，本实用新型具有以下优点:
[0016]本实用新型提供的新型LTE天线，通过调节悬空的天线耦合辐射体，能够最优化的调节天线的带宽，能够得到比较宽的带宽。
【附图说明】
[0017]下面结合附图对本实用新型的实施方式作进一步说明:
[0018]图1为本实用新型的新型LTE天线的天线辐射体的结构示意图；
[0019]图2为本实用新型的新型LTE天线的PCB板的示意图；
[0020]图3为本实用新型的新型LTE天线与PCB板的结合图；
[0021]图4为本实用新型的新型LTE天线的回波损耗图；
[0022]图5为本实用新型的新型LTE天线的效率图。
[0023]标号说明:11_馈电点，12-馈地点；
[0024]21-第一天线部，22-第二天线部；
[0025]31-第一触点，32-第二触点，33-第三触点；
[0026]101-第一耦合缝隙，102-第二耦合缝隙。
【具体实施方式】
[0027]下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
[0028]本实用新型的新型LTE天线包括PCB板和天线辐射体，如图1所示为天线辐射体的结构示意图，其包括天线辐射主体和天线耦合辐射体，天线辐射主体包括第一天线部21、第一触点31和第二触点32，第一触点31和第二触点32与第一天线部21为一个整体，第一触点31和第二触点32平行排布，第一触点31和第二触点32之间留有空隙，为第一耦合缝隙101 ;天线耦合辐射体包括第二天线部22和第三触点33，第三触点33和第二天线部22为一个整体，第三触点33和第一触点31平行排布，第三触点33和第二触点32之间留有空隙，为第二耦合缝隙102。如图2所示为PCB板的示意图，其包括馈电点11和馈地点12。
[0029]本实施例的天线辐射体设置在柔性基材上，位于PCB板的上方，其与PCB板的连接示意图，第一触点31和馈电点11相连，第二触点32和馈地点12相连，第三触点33悬空，第一耦合缝隙101和第二耦合缝隙102位于馈电点11的两侧。天线信号由PCB板上的芯片产生，经由馈电点11输出至与其相连的第一触点31上，一部分天线信号通过第一触点31流向第一天线部21，利用四分之一波长原理从第一天线部21辐射出去，改变第一天线部21的长度和宽度可以起到调节天线频率偏移的目的；另一部分天线信号从第一触点31经过第一耦合缝隙流向第二触点32，通过与第二触点32相连的馈地点12流向PCB板，通过改变第一耦合缝隙的宽度和深度来改变第一触点31和第二触点32之间的电容效应和电感效应，从而起到调节天线带宽的目的。悬空状态的天线耦合辐射体通过第二耦合缝隙102将PCB板以及天线辐射主体上的能量进行二次耦合，再利用四分之一波长原理从第二天线部22上辐射出去，调节第二天线部22的长度和宽度可以改变高频部分前半段频率的谐振偏移。
[0030]本实施例中第一耦合缝隙的宽度为0.8mm，第二耦合缝隙的宽度为1mm，本实施例的LTE天线的性能如图4-5所示，图4为天线的回波损耗图，图5为天线的效率图。
[0031]较佳实施例中，第一耦合缝隙101的宽度在0.5mm?Imm之间，改变第一耦合缝隙101的宽度可以调节高频部分后半段频率的带宽；第二天线耦合缝隙的宽度在0.5_?2_之间，改变第二耦合缝隙102的宽度可以调节高频部分前半段频率的带宽。利用本实用新型的新型LTE天线可覆盖1850MHz?2650MHz的高频频段，天线的带宽非常宽，天线性能好。
[0032]一般，PCB板的馈电点11和馈地点12都有与之相匹配的匹配电路，通过改变匹配电路上的电容电感值可以起到辅助调节带宽的作用，从而使天线性能获得比较理想的状
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[0033]此处公开的仅为本实用新型的优选实施例，本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，并不是对本实用新型的限定。任何本领域技术人员在说明书范围内所做的修改和变化，均应落在本实用新型所保护的范围内。
【主权项】
1.一种新型LTE天线，其特征在于，包括: PCB板，其上设置有馈电点、馈地点； 天线辐射体，包括天线辐射主体和天线耦合辐射体； 所述天线辐射主体包括第一天线部、第一触点以及第二触点，所述第一触点和所述第二触点分别与所述第一天线部相连，所述第一触点和所述第二触点之间形成第一耦合缝隙，所述第一触点与所述馈电点相连，所述第二触点与所述馈地点相连； 所述天线耦合辐射体包括第二天线部及第三触点，所述第三触点与所述第一触点之间形成第二耦合缝隙； 所述第一耦合缝隙和所述第二耦合缝隙位于所述馈电点的两侧。
2.根据权利要求1所述的新型LTE天线，其特征在于，所述天线辐射体设置在柔性基材上。
3.根据权利要求2所述的新型LTE天线，其特征在于，所述柔性基材位于所述PCB板的上方。
4.根据权利要求3所述的新型LTE天线，其特征在于，所述柔性基材与所述PCB板之间绝缘。
5.根据权利要求1所述的新型LTE天线，其特征在于，所述第一耦合缝隙的宽度在0.5mm?Imm之间。
6.根据权利要求1所述的新型LTE天线，其特征在于，所述第二耦合缝隙的宽度在0.5mm?2mm之间。
7.根据权利要求1所述的新型LTE天线，其特征在于，所述LTE天线覆盖的高频频段为1850MHz ?2650MHz。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型LTE天线，其包括：PCB板及天线辐射体，PCB板上设置有馈电点、馈地点；天线辐射体包括天线辐射主体和天线耦合辐射体；天线辐射主体包括第一天线部、第一触点以及第二触点，第一触点和第二触点分别与第一天线部相连，第一触点和所述第二触点之间形成第一耦合缝隙，第一触点与馈电点相连，第二触点与馈地点相连；天线耦合辐射体包括第二天线部及第三触点，第三触点与第一触点之间形成第二耦合缝隙；第一耦合缝隙和第二耦合缝隙位于馈电点的两侧。本实用新型提供的新型LTE天线能够最优化的调节天线的带宽，所得到的天线带宽宽。
【IPC分类】H01Q1-36, H01Q13-10, H01Q1-38
【公开号】CN204375932
【申请号】CN201520102165
【发明人】黄飞, 牛俊伟
【申请人】乐清海通通讯电子有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年2月12日