一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构的制作方法

文档序号:8715637阅读:1015来源:国知局
一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种变压器铁芯,具体的说是一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,属于变压器制造技术领域。
【背景技术】
[0002]变压器制造业至今已有一百多年的发展历史,但就其基本原理和总体结构来说变化都不大。随着硅钢片的发明及不断地改进,硅钢片的性能得到了很大的提高。目前广泛应用的低损耗高导磁晶粒取向冷轧硅钢片,改进了硅钢片材料的晶粒结构对降低磁滞损耗有显著的效果。有了好材料却受制于叠片工艺,传统的交错叠片技术在接缝处存在大气隙,磁通易出现磁饱和状态,给空载损耗及铁芯噪声带来较大影响。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的在于克服上述不足之处,从而提供一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,采用步进阶梯状契合结构进行连接,构成完整的磁路通道,避免了铁芯交错式接缝结构在接缝截面形成大量气隙,造成局部磁饱和带来的损耗和噪音的增加。
[0004]按照本实用新型提供的技术方案,一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构包括多个铁芯叠装级,多个铁芯叠装级依次叠装成一体,其特征是:每个铁芯叠装级包括多个铁芯叠装组叠装形成,每个铁芯叠装组包括铁芯上轭、铁芯下轭、铁芯中柱和铁芯旁柱,铁芯上轭和铁芯下轭由多个轭片硅钢片上下堆叠而成,铁芯上轭和铁芯下轭中部内侧设有V字形接缝,构成铁芯上轭和铁芯下轭的多个轭片硅钢片在V字形接缝处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构;铁芯中柱由多个中柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯中柱上下两端设有倒V字形接缝端面,构成铁芯中柱的多个中柱硅钢片在倒V字形接缝端面处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭、铁芯下轭契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭、铁芯下轭与铁芯中柱通过V字形接缝和倒V字形接缝端面契合连接;
[0005]铁芯上轭和铁芯下轭两端设有轭片接缝斜面,构成铁芯上轭和铁芯下轭的多个轭片硅钢片在轭片接缝斜面处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构;铁芯旁柱由多个旁柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯旁柱两端设有旁柱接缝斜面,构成铁芯旁柱的多个旁柱硅钢片在旁柱接缝斜面处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭、铁芯下轭的轭片接缝斜面契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭、铁芯下轭与铁芯旁柱通过轭片接缝斜面和旁柱接缝斜面契合连接。
[0006]进一步的,每个铁芯叠装级中的多个铁芯叠装组宽度尺寸相同。
[0007]进一步的,多个铁芯叠装级中位于中间的一个的宽度尺寸最大,多个铁芯叠装级中位于两侧的从中间向两侧宽度逐渐变小,使得多个叠装成一体的铁芯叠装级的侧边形成步进式阶梯状结构。
[0008]进一步的,铁芯旁柱在旁柱接缝斜面端部处的斜角伸出铁芯上轭和铁芯下轭的外表面,铁芯上轭和铁芯下轭在轭片接缝斜面端部处的斜角伸出铁芯旁柱的外表面。
[0009]本实用新型与已有技术相比具有以下优点:
[0010]本实用新型结构简单、紧凑、合理,铁芯成组叠装,提高了铁芯的叠装速度;铁芯采用阶梯状契合结构进行连接,构成完整的磁路通道,避免了同一截面大量气隙的聚集,造成局部磁通饱和,给空载损耗和噪声水平带来不利影响;铁芯上、下轭与铁芯中柱的接缝在上轭的插拔过程中更加方便,易于操作;每片硅钢片上都设计冲制了工艺孔,在叠装台上使用定位销,操作更加方便,尺寸精度得到有效保障。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型结构图。
[0012]图2为铁芯叠装级叠装截面图。
[0013]图3为铁芯中柱叠装结构图。
[0014]图4为铁芯旁柱叠装结构图。
[0015]图5为铁芯上轭叠装结构图。
[0016]附图标记说明:1-铁芯上轭、2-铁芯下轭、3-铁芯中柱、4-铁芯旁柱、5-V字形接缝、6-倒V字形接缝端面、7-旁柱接缝斜面、8-轭片接缝斜面、9-铁芯叠装级。
【具体实施方式】
[0017]下面本实用新型将结合附图中的实施例作进一步描述:
[0018]如图1~5所示,本实用新型主要包括多个铁芯叠装级9,多个铁芯叠装级9依次叠装成一体。多个铁芯叠装级9中位于中间的一个的宽度尺寸最大,多个铁芯叠装级9中位于两侧的从中间向两侧宽度逐渐变小,使得多个叠装成一体的铁芯叠装级9的侧边形成步进式阶梯状结构。
[0019]每个铁芯叠装级9包括多个铁芯叠装组叠装形成,每个铁芯叠装级中的多个铁芯叠装组宽度尺寸相同。
[0020]每个铁芯叠装组包括铁芯上轭1、铁芯下轭2、铁芯中柱3和铁芯旁柱4,铁芯上轭I和铁芯下轭2由多个轭片硅钢片上下堆叠而成,铁芯上轭I和铁芯下轭2中部内侧设有V字形接缝5,构成铁芯上轭I和铁芯下轭2的多个轭片硅钢片在V字形接缝5处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构。
[0021]铁芯中柱3由多个中柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯中柱3上下两端设有倒V字形接缝端面6,构成铁芯中柱3的多个中柱硅钢片在倒V字形接缝端面6处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭1、铁芯下轭2契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭1、铁芯下轭2与铁芯中柱3通过V字形接缝5和倒V字形接缝端面6契合连接。
[0022]铁芯上轭I和铁芯下轭2两端设有轭片接缝斜面8,构成铁芯上轭I和铁芯下轭2的多个轭片硅钢片在轭片接缝斜面8处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构。
[0023]铁芯旁柱4由多个旁柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯旁柱4两端设有旁柱接缝斜面7,构成铁芯旁柱4的多个旁柱硅钢片在旁柱接缝斜面7处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭1、铁芯下轭2的轭片接缝斜面8契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭1、铁芯下轭2与铁芯旁柱4通过轭片接缝斜面8和旁柱接缝斜面7契合连接。
[0024]所述铁芯旁柱4在旁柱接缝斜面7端部处的斜角伸出铁芯上轭I和铁芯下轭2的外表面,铁芯上轭I和铁芯下轭2在轭片接缝斜面8端部处的斜角伸出铁芯旁柱4的外表面。
[0025]所述中柱硅钢片、轭片硅钢片和旁柱硅钢片上设有工艺孔,中柱硅钢片、轭片硅钢片和旁柱硅钢片之间通过工艺孔内的定位销连接,操作更加方便,尺寸精度得到有效保障。
[0026]本实用新型的铁芯上轭、铁芯下轭和铁芯中柱之间,铁芯上轭、铁芯下轭和铁芯旁柱之间,均采用步进阶梯状契合结构进行连接,构成完整的磁路通道。本实用新型避免了铁芯交错式接缝结构在接缝截面形成大量气隙,造成局部磁饱和带来的损耗和噪音的增加。铁芯成组叠装,提高了铁芯的叠装速度。铁芯上、下轭与铁芯中柱的接缝在上轭的插拔过程中更加方便,易于操作。每片硅钢片上都设计冲制了工艺孔,在叠装台上使用定位销,操作更加方便,尺寸精度得到有效保障。
【主权项】
1.一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,包括多个铁芯叠装级(9),多个铁芯叠装级(9)依次叠装成一体,其特征是:每个铁芯叠装级(9)包括多个铁芯叠装组叠装形成,每个铁芯叠装组包括铁芯上轭(I)、铁芯下轭(2 )、铁芯中柱(3 )和铁芯旁柱(4),铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)由多个轭片硅钢片上下堆叠而成,铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)中部内侧设有V字形接缝(5 ),构成铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2 )的多个轭片硅钢片在V字形接缝(5 )处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构;铁芯中柱(3)由多个中柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯中柱(3)上下两端设有倒V字形接缝端面(6),构成铁芯中柱(3)的多个中柱硅钢片在倒V字形接缝端面(6)处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭(I)、铁芯下轭(2)契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭(1)、铁芯下轭(2)与铁芯中柱(3)通过V字形接缝(5)和倒V字形接缝端面(6)契合连接; 铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)两端设有轭片接缝斜面(8),构成铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)的多个轭片硅钢片在轭片接缝斜面(8)处从上到下依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成步进式阶梯状结构;铁芯旁柱(4)由多个旁柱硅钢片上下堆叠而成,铁芯旁柱(4)两端设有旁柱接缝斜面(7),构成铁芯旁柱(4)的多个旁柱硅钢片在旁柱接缝斜面(7)处从下到上依次向内收缩一个单位距离的深度,从而形成与铁芯上轭(I)、铁芯下轭(2)的轭片接缝斜面(8)契合的步进式阶梯状结构,铁芯上轭(1)、铁芯下轭(2)与铁芯旁柱(4)通过轭片接缝斜面(8)和旁柱接缝斜面(7)契合连接。
2.如权利要求1所述的一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,其特征是:所述每个铁芯叠装级(9)中的多个铁芯叠装组宽度尺寸相同。
3.如权利要求1所述的一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,其特征是:所述多个铁芯叠装级(9)中位于中间的一个的宽度尺寸最大,多个铁芯叠装级(9)中位于两侧的从中间向两侧宽度逐渐变小,使得多个叠装成一体的铁芯叠装级(9)的侧边形成步进式阶梯状结构。
4.如权利要求1所述的一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,其特征是:所述铁芯旁柱(4)在旁柱接缝斜面(7)端部处的斜角伸出铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)的外表面,铁芯上轭(I)和铁芯下轭(2)在轭片接缝斜面(8)端部处的斜角伸出铁芯旁柱(4)的外表面。
【专利摘要】本实用新型涉及一种变压器铁芯,具体的说是一种变压器铁芯步进式阶梯接缝结构,属于变压器制造技术领域。其包括多个铁芯叠装级,每个铁芯叠装级包括多个铁芯叠装组叠装形成,每个铁芯叠装组包括铁芯上轭、铁芯下轭、铁芯中柱和铁芯旁柱,铁芯上轭和铁芯下轭由多个轭片硅钢片上下堆叠而成。铁芯上轭、铁芯下轭与铁芯中柱通过V字形接缝和倒V字形接缝端面契合连接。铁芯上轭、铁芯下轭与铁芯旁柱通过轭片接缝斜面和旁柱接缝斜面契合连接。本实用新型铁芯采用阶梯状契合结构进行连接,构成完整的磁路通道,避免了同一截面大量气隙的聚集,造成局部磁通饱和,给空载损耗和噪声水平带来不利影响。
【IPC分类】H01F27-26, H01F41-02, H01F27-245
【公开号】CN204424052
【申请号】CN201520151083
【发明人】许晓敏, 许秋良
【申请人】无锡市中兴铁芯有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月17日
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