高压大功率逆变器模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体混合集成电路器件，尤其涉及一种高压大功率逆变器模块。
【背景技术】
[0002]由于大部分逆变器功率较小，工作电压低，输出功率小，并且采用塑封工艺。因而，无法直接应用于某些工作电压较高、负载功率较大的环境，因此需要通过多个半导体分立功率器件组合使用来实现。通过半导体分立功率器件组合虽然可以实现高压大功率应用，但是占用空间大，重量重，组装繁琐。尤其是在空间要求小，重量要求轻，可靠性要求高的条件下，用多个半导体分立器件实现逆变器电路具有一定困难。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种可实现金属模块化封装、内部结构紧凑、占用空间极小、可降低芯片到管壳的热阻、可靠性高的高电压大功率逆变器模块。
[0004]本实用新型涉及的高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是:所述六个功率MOS芯片集成在一个由底板和边框经一体化封装构成的金属管壳内，在边框上设置外引线，在底板上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上通过高温合金焊料焊接有钼片和铜柱，所述铜柱与外引线位于管壳内部位连接，所述六个内设续流二极管的功率MOS芯片烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连，功率MOS器件的输入输出端通过硅铝丝连接至外引线。
[0005]本实用新型的有益效果是:将构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片集成在一体化封装的金属管壳内，内部结构紧凑，占用空间极小，特别是将功率MOS器件烧结焊接在钼片上，可实现低的空洞率，降低了芯片到管壳的热阻，提高了可靠性。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型的结构示意图。
[0007]图2是本实用新型的内部示意图。
[0008]图3是本实用新型的逻辑示意图。
[0009]图中:I 一金属化陶瓷基片，2 一钥片，3 —娃销丝，4 一功率MOS芯片，5 —外引线，6 一铜柱6，7 —底板，8 —边框，9 一绝缘子。
【具体实施方式】
[0010]如图所示，本实用新型包括由底板7和边框8经一体化封装构成的金属管壳，所述底板7为矩形，在边框8上设置外引线5且其间通过绝缘子9绝缘，在底板7上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板I，在金属化陶瓷基板I上通过高温合金焊料焊接有钼片2和铜柱6，本实施例中所述高温合金焊片为Pb92.5Sn5Ag2.5焊料，所述铜柱6与外引线5位于金属管壳内部位连接，在金属管壳内位于钼片2上通过焊料烧结焊接六个内设续流二极管的功率MOS芯片4，各个功率MOS器件4之间采用硅铝丝3互连，功率MOS器件4的输入输出端Gl?G6、SI?S6和LI?L3、L+、L_通过娃销丝3连接至外引线5，最后在氮气氛围内进行封装。
[0011]以上仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特征是:所述六个功率MOS芯片集成在一个由底板和边框经一体化封装构成的金属管壳内，在边框上设置外引线，在底板上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上通过高温合金焊料焊接有钼片和铜柱，所述铜柱与外引线位于管壳内部位连接，所述六个内设续流二极管的功率MOS芯片烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连，功率MOS器件的输入输出端通过硅铝丝连接至外引线。
【专利摘要】一种高压大功率逆变器模块，包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS芯片，其特殊之处是：所述六个功率MOS芯片集成在一个由底板和边框经一体化封装构成的金属管壳内，在边框上设置外引线，在底板上焊接有金属化陶瓷基板，在金属化陶瓷基板上通过高温合金焊料焊接有钼片和铜柱，所述铜柱与外引线位于管壳内部位，所述六个内设续流二极管的功率MOS芯片烧结焊接在钼片上，各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连，功率MOS器件的输入输出端通过硅铝丝连接至外引线。有益效果是：内部结构紧凑，占用空间极小，特别是将功率MOS器件烧结焊接在钼片上，可实现低的空洞率，降低了芯片到管壳的热阻，提高了可靠性。
【IPC分类】H01L27-12, H01L21-768, H01L23-34, H01L23-52
【公开号】CN204497227
【申请号】CN201520269965
【发明人】白会荣, 李阳, 冯洺予, 张元元
【申请人】锦州辽晶电子科技有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年4月27日