一种单晶硅片的制作方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及单晶硅片，尤其是一种单晶硅片。
【背景技术】
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[0002]随着太阳能电池市场的快速成长，太阳能电池板主要是由晶体硅片制作而成，而影响电池片的发射率及电性能是由硅片表面的绒面决定。
[0003]因此，本实用新型在此提出一种在晶体硅表面绒面改进一种单晶硅片。
【实用新型内容】:
[0004]针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的就是提供一种能够提高晶体硅发射率及电性能的一种单晶硅片。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于:所述硅片本体具有正面和背面，正面为数条均匀设置的绒面结构，背面设有为平面结构，所述绒面结构的厚度为0.3-0.5纳米，所述绒面结构为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构。
[0006]通过以上技术方案，本实用新型的绒面结构厚度为0.3-0.5纳米，其结构由现有技术中条形绒面改进为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构绒面，使得其绒面更加均匀，从而降低电池片的反射率，电池片的电性能明显提升。
【附图说明】
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[0007]图1是本实用新型结果示意图；
[0008]图标号说明:1-硅片本体，2-绒面结构，3-平面结构。
【具体实施方式】
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[0009]如图1所示，本实用新型提供一种单晶硅片，包括硅片本体(I)，其特征在于:所述硅片本体(I)具有正面和背面，正面为数条均匀设置的绒面结构(2)，背面设有为平面结构
(3)，所述绒面结构(2)的厚度为0.3-0.5纳米，所述绒面结构(2)为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构，本实用新型的绒面结构(2)厚度为0.3-0.5纳米，其结构由现有技术中条形绒面改进为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构绒面，使得其绒面更加均匀，从而降低电池片的反射率，电池片的电性能明显提升。
【主权项】
1.一种单晶硅片，包括硅片本体(I)，其特征在于:所述硅片本体(I)具有正面和背面，正面为数条均匀设置的绒面结构(2)，背面设有为平面结构(3)，所述绒面结构(2)的厚度为0.3-0.5纳米，所述绒面结构(2)为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构。
【专利摘要】本实用新型提供一种单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于：所述硅片本体具有正面和背面，正面为数条均匀设置的绒面结构，背面设有为平面结构，所述绒面结构的厚度为0.3-0.5纳米，所述绒面结构为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构，本实用新型的绒面结构厚度为0.3-0.5纳米，其结构由现有技术中条形绒面改进为由弧形凸起单元横向连续设置构成的花形结构绒面，使得其绒面更加均匀，从而降低电池片的反射率，电池片的电性能明显提升。
【IPC分类】H01L31-0236
【公开号】CN204558483
【申请号】CN201520138206
【发明人】陈德榜
【申请人】温州海旭科技有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年3月5日