一种p型太阳能电池片的制作方法

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一种p型太阳能电池片的制作方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及太阳能电池,尤其是一种P型太阳能电池片。
【背景技术】
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[0002]传统的太阳能电池通常是采用通过恒温,氧化,低温扩散,恒温扩散,高温扩散,降温等方法在硅片的正面和背面都制备银电极,然而这种太阳能电池仍然存在光电转换效率较低、生产效率低、成本高等缺点的问题。
[0003]因此,本实用新型在此提出一种改进的一种P型太阳能电池片。
【实用新型内容】:
[0004]针对现有技术中存在的缺陷,本实用新型的目的就是提供一种能够降低生产成本、转换效率高的一种P型太阳能电池片。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种P型太阳能电池片,P型硅片、PN结、N型硅片及电极,其特征在于:所述P型硅片具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上,所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米?200微米,所述PN结的厚度为0.3微米?0.5微米,所述N型硅片的厚度为50微米?70微米。
[0006]采用以上技术方案,本实用新型P型硅片的多晶绒面结构,并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结,由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高,致使少子载流子寿命高,提高了太阳能电池对长波段光的响应,且提高了光电转换效率、降低了生产成本。
[0007]所述多晶绒面结构的发射率为26% -27%。
[0008]采用以上技术方案,本实用新型多晶绒面结构的发射率为26% _27%,进一步提高光电转换效率。
【附图说明】
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[0009]图1是本实用新型结果示意图。
[0010]图标号说明:1-P型娃片,2-PN结,3-N型娃片,4_电极。
【具体实施方式】
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[0011]如图1所示,本实用新型提供一种P型太阳能电池片,P型硅片(1)、PN结(2)、N型硅片(3)及电极(4),其特征在于:所述P型硅片(I)具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结(2)和所述N型硅片(3)依次镀在所述P型硅片(I)正面上,所述电极⑷依次穿过P型硅片(1)、PN结⑵和N型硅片(3)形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米?200微米,所述PN结(2)的厚度为0.3微米?0.5微米,所述N型硅片(3)的厚度为50微米?70微米,本实用新型P型硅片(I)的多晶绒面结构,并在P型硅片(I)与N型硅片(3)之间形成一层PN结(2),由于多晶绒面结构的反射率的反射效率高,致使少子载流子寿命高,提高了太阳能电池对长波段光的响应,且提高了光电转换效率、降低了生产成本。
[0012]所述多晶绒面结构的发射率为26% -27%,本实用新型多晶绒面结构的发射率为26% -27%,进一步提高光电转换效率。
【主权项】
1.一种P型太阳能电池片,P型硅片(I)、PN结(2)、N型硅片(3)及电极(4),其特征在于:所述P型硅片(I)具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结⑵和所述N型硅片(3)依次镀在所述P型硅片⑴正面上,所述电极⑷依次穿过P型硅片(1)、PN结⑵和N型硅片(3)形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米?200微米,所述PN结⑵的厚度为0.3微米?0.5微米,所述N型硅片(3)的厚度为50微米?70微米。
2.根据权利要求1所述的P型太阳能电池片,其特征在于,所述多晶绒面结构的发射率为 26% -27% ο
【专利摘要】本实用新型提供一种P型太阳能电池片,P型硅片、PN结、N型硅片及电极,其特征在于:所述P型硅片具有正面和背面,正面上设有多晶绒面结构,背面为平面结构,所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上,所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路,所述P型硅片的厚度为150微米~200微米,所述PN结的厚度为0.3微米~0.5微米,所述N型硅片的厚度为50微米~70微米,本实用新型P型硅片的多晶绒面结构,并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结,由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高,致使少子载流子寿命高,提高了光电转换效率、降低了生产成本。
【IPC分类】H01L31-0236, H01L31-0368
【公开号】CN204558484
【申请号】CN201520138207
【发明人】陈德榜
【申请人】温州海旭科技有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年3月5日
再多了解一些
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