太阳能硅片清洗环节用的清洗槽的制作方法

文档序号:8867476阅读:390来源:国知局
太阳能硅片清洗环节用的清洗槽的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及单晶硅行业技术领域,特别是太阳能硅片清洗环节用的清洗槽。
【背景技术】
[0002]单晶硅太阳能电池,是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池,是当前开发得最快的一种太阳能电池。将单晶硅棒切成片,厚度在180微米-220微米之间。硅片经过抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。现有的清洗槽都是碱性环境,需要将PH值保持在12.5?12.6范围内,当使用过一段时间后,都是凭工人的经验对清洗槽内的pH值进行调整,通过泵,使加药室内的碱液经连通管进入清洗槽内,但是人工经验有时不准确,并且操作繁琐,影响工作效率。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足,本实用新型设计了太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,增设了 PH仪表,准确控制清洗槽内环境,并实时做出调整。
[0004]本实用新型采用的技术方案是,太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,包括清洗槽和加药室,所述的清洗槽与加药室通过连通管相连通,所述的加药室与连通管的连接位置设置有加液泵,关键是:还包括PH仪表,所述的pH仪表设置在清洗槽的侧壁上,所述的清洗槽内设置有加热棒。
[0005]所述的清洗槽的侧壁上设置有温控系统。
[0006]所述的温控系统包括温度仪和感应开关。
[0007]所述的pH仪表为pH探头。
[0008]本实用新型的有益效果是,该装置增设了 pH仪表,pH仪表能直接显示药液的pH值,可以很直观地使工人看出是否需要加入碱液或加入多少碱液合适,温度仪感应清洗槽内的温度,并通过感应开关控制加热棒给液体加热,提高了工作效率和精确度。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
[0010]附图中,I是清洗槽,2是加药室,3是连通管,4是加热棒,5是加液泵,6是温控系统,7是pH仪表。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
[0012]具体实施例,如图1所示,太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,包括清洗槽I和加药室2,为了便于给清洗槽I加液,所述的清洗槽I与加药室2通过连通管3相连通,所述的加药室2与连通管3的连接位置设置有加液泵5,加液泵5为加液提供动力装置,为了实时监测清洗槽I内药液的PH值,该装置还包括pH仪表7,所述的pH仪表7为pH探头,可以直接显示药液的PH值,清洗槽I需要将pH值保持在12.5?12.6范围内,可以合理控制加药量,避免硅片表面的药物过多而出现药物残留,影响后期硅片植绒环节,所述的pH仪表7设置在清洗槽I的侧壁上,为了控制清洗槽I内药液的温度,所述的清洗槽I的侧壁上设置有温控系统6,所述的温控系统6包括温度仪和感应开关,所述的清洗槽I内设置有加热棒8,温度仪感应清洗槽I内的温度,当清洗槽I内温度低于40-50摄氏度时,通过感应开关控制加热棒8给液体加热。该装置增设了 pH仪表,pH仪表能直接显示药液的pH值,可以很直观地使工人看出是否需要加入碱液或加入多少碱液合适,温度仪感应清洗槽内的温度,并通过感应开关控制加热棒给液体加热,提高了工作效率和精确度。
【主权项】
1.太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,包括清洗槽(I)和加药室(2),所述的清洗槽(I)与加药室(2)通过连通管(3)相连通,所述的加药室(2)与连通管(3)的连接位置设置有加液泵(5),其特征在于:还包括pH仪表(7),所述的pH仪表(7)设置在清洗槽(I)的侧壁上,所述的清洗槽(I)内设置有加热棒(4)。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,其特征在于:所述的清洗槽(I)的侧壁上设置有温控系统(6)。
3.根据权利要求2所述的太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,其特征在于:所述的温控系统(6)包括温度仪和感应开关。
4.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,其特征在于:所述的PH仪表(7)为pH探头。
【专利摘要】太阳能硅片清洗环节用的清洗槽,包括清洗槽和加药室,所述的清洗槽与加药室通过连通管相连通,所述的加药室与连通管的连接位置设置有加液泵,关键是:还包括pH仪表,所述的pH仪表设置在清洗槽的侧壁上,所述的清洗槽内设置有加热棒。本实用新型涉及单晶硅行业技术领域,特别是太阳能硅片清洗环节用的清洗槽。本实用新型的有益效果是,该装置增设了pH仪表,pH仪表能直接显示药液的pH值,可以很直观地使工人看出是否需要加入碱液或加入多少碱液合适,温度仪感应清洗槽内的温度,并通过感应开关控制加热棒给液体加热,提高了工作效率和精确度。
【IPC分类】H01L21-66, H01L21-67
【公开号】CN204577406
【申请号】CN201520164350
【发明人】陈世杰, 朱琛浩, 田会藏, 陈旭, 王聪
【申请人】宁晋赛美港龙电子材料有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年3月23日
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