一种介质分立式交叉耦合滤波器的制造方法

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一种介质分立式交叉耦合滤波器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通讯领域,尤其涉及一种介质分立式交叉耦合滤波器。
【背景技术】
[0002]随着通信业的不断发展,频谱资源越来越稀缺,导致系统处理信号时,要获得高边或低边的带外抑制。
[0003]目前市面上常规的介质分立式滤波器是均为电容耦合,如图所示I;该滤波器为4腔谐振,C1、C2、C3、C4和C5为耦合电容;DR1、DR2、DR3和DR4为谐振器。图2为传统介质分立式滤波器的结构示意图,从图2可以看出,传统介质分立式滤波器无法获得高边或低边的带外抑制,以及高边和低边同时获得带外抑制。
[0004]因此,为了解决上述问题,需要设计一种介质分立式交叉耦合滤波器,以实现获得高边或低边的带外抑制。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种介质分立式交叉耦合滤波器,以解决传统滤波器无法获得带外抑制的技术问题。
[0006]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种介质分立式交叉耦合滤波器,包括:五个串联的耦合电容、四个谐振器,且所述四个谐振器分别对地连接于两耦合电容之间的相应节点处,即第一、第二、第三和第四节点;并且相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感或电容。
[0007]进一步,为了实现在通带高边形成一个陷波点,以获得较高的带外抑制,第一、第三节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感。
[0008]进一步,为了实现在通带低边形成一个陷波点,以获得较低的带外抑制,第一、第三节点之间连接有用于实现交叉耦合的电容。
[0009]进一步,为了实现在通带低边和高边各形成一个陷波点,以获得较高和较低的带夕卜抑制第一、第四节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感。
[0010]本实用新型的有益效果是,本介质分立式交叉耦合滤波器通过在相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感或电容,实现了通带高边或低边形成一个陷波点,或者同时在通带低边和高边各形成一个陷波点,以获得较高和/或较低抑制,提高了陶瓷介质分立式滤波器的带外抑制能力。
【附图说明】
[0011]图1是传统介质分立式滤波器的结构示意图;
[0012]图2是传统介质分立式滤波器的仿真曲线图;
[0013]图3是本介质分立式交叉耦合滤波器的第一种实施方式;
[0014]图4是本介质分立式交叉耦合滤波器的第一种实施方式的仿真曲线图;
[0015]图5是本介质分立式交叉耦合滤波器的第一种实施方式的产品测试曲线图;
[0016]图6是本介质分立式交叉耦合滤波器的第二种实施方式;
[0017]图7是本介质分立式交叉耦合滤波器的第二种实施方式的仿真曲线图;
[0018]图8是本介质分立式交叉耦合滤波器的第三种实施方式;
[0019]图9是本介质分立式交叉耦合滤波器的第三种实施方式的仿真曲线图。
[0020]图中:
[0021]耦合电容C1、C2、C3、C4、C5 ;
[0022]第一谐振器DR1、第二谐振器DR2、第三谐振器DR3、第四谐振器DR4 ;
[0023]电容C13 ;
[0024]电感L13、L14;
[0025]第一节点1、第二节点2、第三节点3、第四节点4。
【具体实施方式】
[0026]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0027]实施例1
[0028]本实用新型提供了一种介质分立式交叉耦合滤波器,包括:五个串联的耦合电容,分别是耦合电容Cl、耦合电容C2、耦合电容C3、耦合电容C4和耦合电容C5 ;四个谐振器,分别是第一谐振器DR1、第二谐振器DR2、第三谐振器DR3、第四谐振器DR4;且所述四个谐振器分别对地连接于两耦合电容之间的相应节点处,如图1中第一节点1、第二节点2、第三节点3、第四节点4所示,且相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电容或电感。
[0029]本介质分立式交叉耦合滤波器的第一种实施方式如下:
[0030]如图3所示,在实施例1基础上,为了实现在通带高边形成一个陷波点,以获得较高的带外抑制,所述介质分立式交叉耦合滤波器的第一节点1、第三节点3之间连接有用于实现交叉耦合的电感L13。如图4和图5的仿真曲线和测试曲线,本介质分立式交叉耦合滤波器能很好的在通带高边形成一个陷波点。
[0031]本介质分立式交叉耦合滤波器的第二种实施方式如下:
[0032]如图6所示,在实施例1基础上,为了实现在通带低边形成一个陷波点,以获得较低的带外抑制,所述介质分立式交叉耦合滤波器的第一节点1、第三节点3之间连接有用于实现交叉耦合的电容C13。如图7所示,本介质分立式交叉耦合滤波器能很好的在通带低边形成一个陷波点。
[0033]本介质分立式交叉耦合滤波器的第三种实施方式如下:
[0034]如图8所示,在实施例1基础上,为了实现在通带低边和高边各形成一个陷波点,以获得较高和较低的带外抑制,所述介质分立式交叉耦合滤波器的第一节点1、第四节点4之间连接有用于实现交叉耦合的电感L14。如图9所示,本介质分立式交叉耦合滤波器能在通带低边和高边各形成一个陷波点。
[0035]因此,作为本实用新型的介质分立式交叉耦合滤波器的三种实施方式均能在通带低边和/或高边形成相应陷波点,满足带外抑制的要求。
[0036]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种介质分立式交叉耦合滤波器,包括:五个串联的耦合电容、四个谐振器,且所述四个谐振器分别对地连接于两耦合电容之间的相应节点处,即第一、第二、第三和第四节点;其特征在于,相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感或电容。2.如权利要求1所述的介质分立式交叉耦合滤波器,其特征在于,第一、第三节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感。3.如权利要求1所述的介质分立式交叉耦合滤波器,其特征在于,第一、第三节点之间连接有用于实现交叉耦合的电容。4.如权利要求1所述的介质分立式交叉耦合滤波器,其特征在于,第一、第四节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感。
【专利摘要】本实用新型公开了一种介质分立式交叉耦合滤波器,本介质分立式交叉耦合滤波器包括:五个串联的耦合电容、四个谐振器,且所述四个谐振器分别对地连接于两耦合电容之间的相应节点处;并且相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感或电容;本介质分立式交叉耦合滤波器通过在相应两节点之间连接有用于实现交叉耦合的电感或电容,实现了通带高边或低边形成一个陷波点,或者同时在通带低边和高边各形成一个陷波点,以获得较高和/或较低抑制,提高了陶瓷介质分立式滤波器的带外抑制能力。
【IPC分类】H01P1/208
【公开号】CN204651447
【申请号】CN201520365956
【发明人】李俊杰, 查毅
【申请人】南京赛格微电子科技股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月29日
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