耦合结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及振子的耦合领域，具体来说，涉及一种耦合结构。
【背景技术】
[0002]目前，想要相邻的谐振子间发生耦合，普遍采用的方法是在两个谐振子所在的腔体的共壁上开设窗口，或者在窗口上增加一个横向金属杆的方式来加强振子之间的腔间耦合，但是现有的这种耦合方式只适用于介电常数为39?45的振子之间。
[0003]那么当介质振子的介电常数大于45以后，甚至是提高到80左右，那么现有的这种耦合结构就会使电场更加集中于介质振子中，从而无法实现能量从一腔的振子耦合到另一腔的振子。
[0004]针对相关技术中的上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【实用新型内容】
[0005]针对相关技术中的上述问题，本实用新型提出一种耦合结构，能够实现高介电常数的介质谐振子的耦合。
[0006]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0007]根据本实用新型的一个方面，提供了一种耦合结构。
[0008]该耦合结构包括:
[0009]多个谐振腔，其中，每个谐振腔内均设有一介质谐振子；
[0010]设于不同谐振腔内的介质谐振子之间连接有用于耦合的金属耦合弯折片，其中，金属耦合弯折片固定于不同谐振腔的侧壁上，其中，金属耦合弯折片与侧壁之间设有第一介电常数的垫片，垫片使金属耦合弯折片与侧壁无直接接触；
[0011]其中，介质谐振子为第二介电常数的介质谐振子。
[0012]其中，每个谐振腔内还设有一底座，介质谐振子固定于底座之上。
[0013]此外，每个谐振腔内还设有一介质谐振盘，其中，介质谐振盘安装在介质谐振子的上方。
[0014]优选的，每个谐振腔的侧壁上均设有台阶结构，金属耦合弯折片固定于不同谐振腔的侧壁的台阶结构上，其中，第一介电常数的垫片设于台阶结构上使金属耦合弯折片与侧壁的台阶结构无直接接触。
[0015]其中，优选的，金属耦合弯折片为Z字型，金属耦合弯折片的Z字型两端固定于不同谐振腔的侧壁上。
[0016]可选的，在金属耦合弯折片为弧型的情况下，设于不同谐振腔内的介质谐振子之间则连接有用于耦合的多个弧型的金属耦合弯折片，其中，每个谐振腔的侧壁上均固定有一个弧型的金属耦合弯折片。
[0017]其中，弧型的金属耦合弯折片的两端固定于所在谐振腔的侧壁的台阶结构上。
[0018]其中，相互耦合的两个介质谐振子所对应的两个弧型的金属耦合弯折片以所对应的两个谐振腔之间的对称轴为中心，对称的设置于两个谐振腔的侧壁上。
[0019]优选的，谐振腔为金属谐振腔。
[0020]优选的，谐振腔的数量为两个或两个以上。
[0021]本实用新型通过在第二介电常数的介质谐振子之间连接金属耦合弯折片，实现了第二介电常数的介质谐振子的腔间耦合，加强了第二介电常数的介质谐振子之间的能量传递。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是根据本实用新型实施例的耦合结构的俯视图；
[0024]图2是根据图1所示的耦合结构的截面图；
[0025]图3是根据本实用新型另一实施例的耦合结构的俯视图；
[0026]图4是根据本实用新型又一实施例的耦合结构的俯视图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0028]根据本实用新型的实施例，提供了一种耦合结构。
[0029]如图1所示，根据本实用新型实施例的耦合结构包括:
[0030]多个谐振腔Ila和11b，其中，每个谐振腔内均设有一介质谐振子12 ;
[0031]设于不同谐振腔Ila和Ilb内的介质谐振子12之间连接有用于耦合的金属耦合弯折片13，其中，金属親合弯折片13固定于不同谐振腔IIa和Ilb的侧壁14上，其中，金属耦合弯折片13与侧壁14之间设有低介电常数小于45(即第一介电常数，这里叫做低介电常数)的垫片(未示出)，垫片使金属耦合弯折片13与侧壁14无直接接触；
[0032]其中，介质谐振子12为介电常数大于或等于45(即第二介电常数，这里叫做高介电常数)的介质谐振子。
[0033]其中，在图2所示的耦合结构的截面图中还可以看出，根据本实用新型实施例的每个谐振腔Ila和Ilb内还设有一底座15，而介质谐振子12则固定于底座15之上，并且，从图2中还可以看出，每个谐振腔Ila和Ilb内还设有一介质谐振盘16，其中，介质谐振盘16安装在介质谐振子12的上方，这样就可使介质谐振子12和底座15以及介质谐振盘16均安装在谐振器Ila和Ilb内，其中，在实际应用中，可以将两个高介电常数的谐振子分别与对应的底座制作成一体，然后再将整体结构置于谐振腔内，使得本实用新型的耦合结构的装配更加简便。
[0034]优选的，从图1中可以看出，谐振腔Ila和Ilb的侧壁14上均设有台阶结构14a和14b，金属親合弯折片13则固定于谐振腔Ila和Ilb的侧壁14的台阶结构14a和14b上，其中，低介电常数的垫片(未示出)设于台阶结构14a和14b上使金属耦合弯折片13与侧壁14的台阶结构14a和14b无直接接触。
[0035]其中，在上述实施例中，从图1可以看出，金属耦合弯折片13为Z字型结构，金属耦合弯折片13的Z字型两端分别固定于谐振腔Ila和I