一种高压mosfet器件的终端结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体器件技术领域，特别涉及一种高压MOSFET器件的终端结构。
【背景技术】
[0002]高压MOSFET器件对耐压终端结构和电场分布有较高要求。目前的技术，高压MOSFET器件的终端结构一般是采用平面结，击穿电压只有平行平面结的50%左右，使得现有的MOSFET器件终端结构耐压低，稳定性较差，电场分布不均匀。图1所示是现有技术中平面结终端的剖面示意图。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种高压MOSFET器件的终端结构，以提高MOSFET器件的终端结构的击穿电压。
[0004]本实用新型的技术方案是，一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。
[0005]所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。
[0006]所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。
[0007]靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。
[0008]本实用新型提出一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95%左右。改善电场分布，提供终端稳定性和可靠性。
【附图说明】
[0009]图1是现有技术中平面结终端的剖面示意图。
[0010]图2是本实用新型实施例中的终端剖面示意图。
[0011]图3是本实用新型实施例中的终端俯视示意图。
[0012]其中，I为离子注入掩蔽层，
[0013]2为离子注入区域，
[0014]3 为 P+区域，
[0015]4为EPI N型区域，
[0016]5为P-低浓度区域，
[0017]6为终端外围，
[0018]7为终端内侧。
【具体实施方式】
[0019]现有技术中，终端结构的表面电场较强。如图2所示的本实用新型的高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。
[0020]本实用新型通过距离变化的掺杂，杂质经过离子注入到掩蔽窗口后再进行扩散，杂质分布是渐变的，来降低表面峰值电场，理论上可以得到最佳的表面电场。该终端的掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔，在离终端内侧是通过条状的掩蔽注入扩散得到高浓度P+区域，在终端外侧通过一些小孔注入扩散得到低浓度P-区域，从终端内侧到外侧P型浓度是逐渐降低的。
[0021]如图3所示，随距离变化的掩蔽窗口高压MOSFET终端排布结构。掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔。掩蔽窗口条状或者小孔的数量不限，依据最终器件参数要求而变化。掩蔽窗口条状或者小孔的大小和间距是变化的，依据最终器件参数要求而变化。掺杂浓度经过扩散后从终端内侧到外侧是逐渐降低的。
[0022]本实用新型可以大大降低表面电场，提高终端结构的稳定性和调高终端耐压。
【主权项】
1.一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，其特征在于，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。2.如权利要求1所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。3.如权利要求1所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。4.如权利要求3所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本实用新型是一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95％左右。改善电场分布，提高终端稳定性和可靠性。
【IPC分类】H01L29/06
【公开号】CN204696121
【申请号】CN201520429714
【发明人】陆怀谷
【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月19日