一种双层氮化硅薄膜电池结构的制作方法
【技术领域】
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[0001 ] 本实用新型涉及太阳能电池结构，尤其是一种双层氮化硅薄膜电池结构。
【背景技术】
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[0002]现有技术在制作氮化硅薄膜电池时候，一般采用的是单层膜工艺结构，而采用该结构生产出来的薄膜电池，测量其电性能参数发现，在单层膜上太阳光反射率在短波段有明显增加，测量的外量子效率在短波段相对也较低。
[0003]因此，本实用新型在此提出一种改进的一种双层氮化硅薄膜电池结构。
【实用新型内容】:
[0004]针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的就是提供一种能够效率高、反射率高的双层氮化硅薄膜电池结构。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于:包括电池基底(I)，电池基底(I)为硅片，所述电池基底(I)依次镀上厚度不一的第二折射层(2)、第一折射层(3)，所述第二折射层(2)及所述第一折射层(3)均为氮化硅膜，所述第二折射层(2)比所述第一折射层(3)的厚度薄；所述第一折射层(3)的厚度为55nm，所述第二折射层(2)的厚度为30nmo
[0006]通过以上技术方案，本实用新型的电池基底为硅片，能提高本产品的电性能，本实用新型通过两步淀积完成制作，即在电池基底表面先镀一层高折射率厚度较薄的氮化硅膜，增加其钝化效果，然后在镀一层低折射率厚度稍后的氮化硅膜增强光学匹配性以减少光的反射。而且由于本实用新型的第一折射层的厚度为55nm，其折射率η= 1.9，所述第二折射层的厚度为30nm，其折射率η = 2.15，该双层结构的反射率较单层膜在短波段有明显降低，测量的外量子效率在短波段比单层膜要高。
【附图说明】
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[0007]图1是本实用新型结果示意图
[0008]图标号说明:1-电池基底，2-第二折射层，3-第一折射层。
【具体实施方式】
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[0009]如图1所示，本实用新型提供一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于:包括电池基底(1)，电池基底(I)为硅片，所述电池基底(I)依次镀上厚度不一的第二折射层(2)、第一折射层(3)，所述第二折射层(2)及所述第一折射层(3)均为氮化硅膜，所述第二折射层(2)比所述第一折射层(3)的厚度薄；所述第一折射层(3)的厚度为55nm，所述第二折射层(2)的厚度为30nm，由于本实用新型的第一折射层(3)的厚度为55nm，其折射率η = 1.9，所述第二折射层(2)的厚度为30nm，其折射率η = 2.15，该双层结构的反射率较单层膜在短波段有明显降低，测量的外量子效率在短波段比单层膜要高，本实用新型通过大批量测试分选统计得出的数据显示，双层氮化硅膜太阳能电池的要比单层膜的效率要高出0.2个百分点，开路电压要高出2mV，短路电流比单层膜高出0.039A，其他电性能参数均优于单层氮化硅膜太阳能电池。
【主权项】
1.一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于:包括电池基底(I)，电池基底(I)为硅片，所述电池基底(I)依次镀上厚度不一的第二折射层(2)、第一折射层(3)，所述第二折射层(2)及所述第一折射层(3)均为氮化硅膜，所述第二折射层(2)比所述第一折射层(3)的厚度薄；所述第一折射层(3)的厚度为55nm，所述第二折射层(2)的厚度为30nm。
【专利摘要】本实用新型提供一种双层氮化硅薄膜电池结构，其特征在于：包括电池基底，电池基底为硅片，所述电池基底依次镀上厚度不一的第二折射层、第一折射层，所述第二折射层及所述第一折射层均为氮化硅膜，所述第二折射层比所述第一折射层的厚度薄；所述第一折射层的厚度为55nm，所述第二折射层的厚度为30nm。本实用新型通过两步淀积完成制作，即在电池基底表面先镀一层高折射率厚度较薄的氮化硅膜，增加其钝化效果，然后在镀一层低折射率厚度稍后的氮化硅膜增强光学匹配性以减少光的反射。
【IPC分类】H01L31/0216
【公开号】CN204696127
【申请号】CN201520138035
【发明人】陈德榜
【申请人】温州海旭科技有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年3月5日