一种刻蚀机托盘的真空测漏装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体设备制造及真空检漏领域，特别涉及一种LED刻蚀机托盘的真空测漏装置。
【背景技术】
[0002]托盘是LED刻蚀机中关键部件，在刻蚀、沉积等工艺过程作为晶片的载体，同时通过托盘上的气孔，引导氦气对晶片进行冷却及温度控制。托盘结构中对晶片的上表面的夹持区域、下表面的密封区域通常设计得非常小，以最大化晶片的利用率，从而增大了托盘的制造难度及氦气泄漏的可能性。氦气漏率的高低直接决定了冷却的效果，影响到工艺品质。通过严格控制托盘制造及产品尺寸，保证托盘装配的精度，可以大大降低氦气泄漏的概率，但仍不能百分之百避免托盘在使用过程发生泄漏的可能。需要寻求一套适用的真空测漏装置用来模拟托盘的装配和使用关系，让用户和制造者在托盘上机使用前了解其漏率情况。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，其结构简单，操作方便，制造成本低，用最直观的方法判断托盘的氦漏情况，杜绝托盘装机使用后发生氦漏的现象，提尚生广效率。
[0004]本实用新型是这样实现的:一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，包括配重块、真空室，其特征在于:所述的真空室内设置有装配好的托盘，托盘外圈上面设置有配重块，真空室与托盘之间设置有第一密封圈，真空室顶部通过螺钉固定有真空腔盖，真空室与真空腔盖之间设置有第二密封圈；真空室侧面连接有氦质谱检漏仪；所述的真空室底面中心设置有氦气接入口，侧面设置有抽气口。所述的真空室底面与托盘外圈对应处设置有第一密封沟槽，真空室顶面内圈设置有第二密封沟槽。
[0005]本实用新型结构简单，操作方便，制造成本低，有效判断托盘的漏率情况，提高了生产效率。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型的结构示意图；
[0007]图中1、配重块，2、真空室，3、托盘，4、氦气接入口，5、第一密封圈，6、第二密封圈，7、抽气口，8、真空腔盖。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明:
[0009]参照附图，一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，包括配重块1、真空室2，其特征在于:所述的真空室2内设置有装配好的托盘3，托盘3外圈上面设置有配重块1，真空室2与托盘3之间设置有第一密封圈5，真空室2顶部通过螺钉固定有真空腔盖8，真空室2与真空腔盖8之间设置有第二密封圈6 ;真空室2侧面连接有氦质谱检漏仪；所述的真空室2底面中心设置有氦气接入口 4，侧面设置有抽气口 7。所述的真空室2底面与托盘3外圈对应处设置有第一密封沟槽，真空室2顶面内圈设置有第二密封沟槽。
[0010]具体实施时，用不锈钢材质的配重块压在装配后的托盘外圈，托盘在配重块重力作用下压缩第一密封圈，形成密封区，氦气不会从托盘与真空室底面泄漏。真空腔盖在螺钉的作用下压缩第二密封圈，保持真空腔的密闭状态。氦质谱检漏仪从真空室侧面抽气口抽气，使腔内达到规定的真空度并读取、检测真空度变化；氦气从氦气接入口接入，进入托盘与真空室底面的密封区，若托盘内部有泄漏，则氦气从密封区泄漏进入真空腔，并引起氦质谱检漏仪检测数据的变化。操作时，氦质谱检漏仪先从真空室侧面抽气口抽气，使真空腔内达到规定的真空度要求后，从真空室的底部接入氦气，观察氦质谱检漏仪的示数变化情况，即可直观判断托盘是否发生氦漏。本实用新型操作简单，制造成本低，能有效检测托盘在使用过程中的泄漏情况，杜绝托盘装机使用后发生氦漏的现象，提高生产效率。
【主权项】
1.一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，包括配重块(1)、真空室(2)，其特征在于:所述的真空室(2 )内设置有装配好的托盘(3 )，托盘(3 )外圈上面设置有配重块(I)，真空室(2 )与托盘(3)之间设置有第一密封圈(5)，真空室(2)顶部通过螺钉固定有真空腔盖(8)，真空室(2)与真空腔盖(8)之间设置有第二密封圈(6);真空室(2)侧面连接有氦质谱检漏仪；所述的真空室(2 )底面中心设置有氦气接入口( 4)，侧面设置有抽气口( 7 )。2.根据权利要求1所述的一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，其特征在于:所述的真空室(2)底面与托盘(3)外圈对应处设置有第一密封沟槽，真空室(2)顶面内圈设置有第二密封沟槽。
【专利摘要】一种刻蚀机托盘的真空测漏装置，包括配重块、真空室，所述的真空室内设置有装配好的托盘，托盘外圈上面设置有配重块，真空室与托盘之间设置有第一密封圈，真空室顶部通过螺钉固定有真空腔盖，真空室与真空腔盖之间设置有第二密封圈；真空室侧面连接有氦质谱检漏仪；所述的真空室底面中心设置有氦气接入口，侧面设置有抽气口。本实用新型结构简单，操作方便，制造成本低，有效判断托盘的漏率情况，提高了生产效率。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN204857682
【申请号】CN201520658306
【发明人】游利
【申请人】靖江先锋半导体科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月28日