用于提花机的电磁铁的制作方法

文档序号:9995813阅读:569来源:国知局
用于提花机的电磁铁的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及纺织设备领域,尤其是一种用于提花机的电磁铁。
【背景技术】
[0002]现有的电磁铁主要由磁铁芯和线圈组成,在外部包裹壳体,这种电磁铁产生磁力时消耗的电能相对较高;而且磁场相对不稳定,造成吸力不稳定。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种结构简单,能耗相对较低的用于提花机的电磁铁。
[0004]为了达到上述目的,本实用新型所设计的用于提花机的电磁铁,它包括上磁片、下磁片及设置在上磁片、下磁片之间的磁铁芯和线圈,所述的上磁片与下磁片均为导磁材料,所述的磁铁芯设置在上磁片和下磁片的中间位置,所述的线圈设置在磁铁芯的外围;在上磁片、下磁片的两侧朝磁铁芯方向弯折形成侧壁,上磁片上的侧壁与下磁片上的侧壁的宽度相同,且线圈的厚度大于侧壁宽度的两倍;在线圈的引线上设置有两个电极。
[0005]作为优化,所述的上磁片和下磁片为梯形结构,且形状尺寸一致。该结构可配合提花机电磁阀组件,使得吸片弯转时与其贴合,使用性能更好。
[0006]上磁片、下磁片及线圈安装后,上磁片上的侧壁与下磁片上的侧壁之间的间隙为2-3mm0
[0007]在与侧壁相对应的线圈的两侧形状为平面结构。
[0008]所述的磁铁芯的厚度略大于或者等于线圈的厚度,则磁铁芯单独与上磁片、下磁片之间进行支撑或者磁铁芯、线圈均与下磁片、上磁片之间进行支撑。
[0009]本实用新型所得到的用于提花机的电磁铁,利用具有导磁性能的上磁片和下磁片及导磁板的设置,可以将线圈产生的磁场屏蔽在内部,能有效的避免部分磁场的浪费,及相互之间的干涉;同时在使用时侧边的侧壁之间的间距与提花机电磁阀组件上的吸片的位置对应,从而产生较大的磁力对吸片产生作用;极大程度的降低了能耗。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图;
[0011]图2为本实用新型的结构爆炸图。
【具体实施方式】
[0012]下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0013]实施例1:
[0014]如图1、图2所示,本实施例描述的用于提花机的电磁铁,它包括上磁片1、下磁片2及设置在上磁片1、下磁片2之间的磁铁芯4和线圈3,所述的磁铁芯4设置在上磁片I和下磁片2的中间位置,所述的线圈3设置在磁铁芯4的外围;在上磁片I相对的两侧朝磁铁芯4方向弯折形成侧壁5,在下磁片2的两侧朝磁铁芯4方向弯折形成侧壁5,上磁片I上的侧壁5与下磁片2上的侧壁5的宽度相同,且线圈3的厚度大于侧壁5宽度的两倍,即如图1所示,侧壁的宽度为a,线圈的厚度为b,b > 2a ;在线圈3的引线上设置有两个电极6。
[0015]所述的上磁片I和下磁片2为梯形结构,且形状尺寸一致。
[0016]上磁片1、下磁片2及线圈3安装后,上磁片I上的侧壁5与下磁片2上的侧壁5之间的间隙为3mm。
[0017]在与侧壁5相对应的线圈3的两侧形状为平面结构。
【主权项】
1.一种用于提花机的电磁铁,它包括上磁片、下磁片及设置在上磁片、下磁片之间的磁铁芯和线圈,其特征是:所述的上磁片与下磁片均为导磁材料,所述的磁铁芯设置在上磁片和下磁片的中间位置,所述的线圈设置在磁铁芯的外围;在上磁片、下磁片的两侧朝磁铁芯方向弯折形成侧壁,上磁片上的侧壁与下磁片上的侧壁的宽度相同,且线圈的厚度大于侧壁宽度的两倍;在线圈的引线上设置有两个电极。2.根据权利要求1所述的一种用于提花机的电磁铁,其特征是:所述的上磁片和下磁片为梯形结构,且形状尺寸一致;所述的侧壁设置在上磁片、下磁片的两侧倾斜侧边上。3.根据权利要求1或2所述的一种用于提花机的电磁铁,其特征是:上磁片、下磁片及线圈安装后,上磁片上的侧壁与下磁片上的侧壁之间的间隙为2-3mm。4.根据权利要求1所述的一种用于提花机的电磁铁,其特征是:在与侧壁相对应的线圈的两侧形状为平面结构。
【专利摘要】本实用新型涉及纺织设备领域,尤其是一种用于提花机的电磁铁,它包括上磁片、下磁片、磁铁芯和线圈,所述的磁铁芯设置在上磁片和下磁片的中间位置,所述的线圈设置在磁铁芯的外围;在上磁片、下磁片的两侧朝磁铁芯方向弯折形成侧壁,上磁片上的侧壁与下磁片上的侧壁的宽度相同,且线圈的厚度大于侧壁宽度的两倍;在线圈的引线上设置有两个电极。该用于提花机的电磁铁,利用具有上磁片、下磁片的设置,可以将线圈产生的磁场屏蔽在内部,能有效的避免部分磁场的浪费,及相互之间的干涉;同时在使用时侧边的侧壁之间的间距与提花机电磁阀组件上的吸片的位置对应,从而产生较大的磁力对吸片产生作用;极大程度的降低了能耗。
【IPC分类】D03C3/26, H01F7/08
【公开号】CN204904958
【申请号】CN201520750257
【发明人】孙善林
【申请人】浙江慧林智能设备有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年9月25日
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