半导体发光芯片级封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体发光芯片级封装。
【背景技术】
[0002]快速降低LED照明发光系统成本的方法之一是采用芯片级封装。但是，现有的半导体发光芯片级封装的光取出效率较低。因此，需要提高光取出效率。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的和达到的有益效果是提供能提高光取出效率的半导体发光芯片级封装。在下文中，半导体发光芯片级封装简称芯片级封装(Chip Scale Package，简称:CSP) ο
[0004]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:一种半导体发光芯片级封装，其特征在于，半导体发光芯片级封装包括，至少一个半导体外延层和覆盖物；其中，外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得外延层在通电后发光；覆盖物覆盖在所外延层的第一外延层上，并且覆盖外延层的四个侧面；第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上；第一金属电极与第二金属电极在外延层的同一面上；覆盖物具有单层或多层结构。
[0005]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:第一外延层与覆盖物接触的表面带有粗化结构。第一外延层的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括:(I)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从第一外延层的表面向覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从第一外延层的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从第一外延层的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从第一外延层的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从第一外延层的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从第一外延层的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从第一外延层的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
[0006]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:覆盖物的表面带有粗化结构。覆盖物的表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括:(I)从覆盖物的表面向外部突起的金字塔阵列结构；(2)从覆盖物的表面向外部突起的圆锥阵列结构；(3)从覆盖物的表面向外部突起的圆柱阵列结构；(4)从覆盖物的表面向外部突起的部分球体阵列结构；(5)从覆盖物的表面向外部突起的多面体锥型阵列结构；(6)从覆盖物的表面向外部突起的不规则尖型阵列结构；(7)从覆盖物的表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从覆盖物的表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从覆盖物的表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；
(10)从覆盖物的表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从覆盖物的表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从覆盖物的表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
[0007]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:覆盖物的每一层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括:量子点、透明物质、混有荧光粉的透明物质、混有磷光粉的透明物质、混有荧光粉和磷光粉的透明物质、和混有量子点的透明物质。透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括:硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸；混有荧光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括:硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括:硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有荧光粉和磷光粉的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括:硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。混有量子点的透明物质是从一组材料中选出，该组材料包括:硅胶、树脂、环氧树脂、氧化硅、氮化硅、玻璃上硅、聚酰亚胺、玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸。
[0008]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:进一步包括透明的生长衬底衬。生长衬底层叠在覆盖物和第一外延层之间，生长衬底的第二主表面层叠在第一外延层上，覆盖物层叠在生长衬底的第一主表面上。覆盖物覆盖生长衬底的第一主表面和四个侧面。
[0009]实用新型的芯片级封装的一个实施例:生长衬底包括，蓝宝石、碳化硅、氮化镓、玻璃。
[0010]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:生长衬底的与覆盖物接触的表面带有粗化结构；生长衬底的第一主表面的粗化结构是从一组粗化结构中选出，该组粗化结构包括:
(I)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的金字塔阵列结构；(2)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的圆锥阵列结构；(3)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的圆柱阵列结构；(4)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的部分球体阵列结构；(5)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的多面体锥型阵列结构；(6)从生长衬底的第一主表面向覆盖物方向突起的不规则尖型阵列结构；(7)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的金字塔阵列结构；(8)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆锥阵列结构；(9)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的圆柱阵列结构；(10)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的部分球体阵列结构；(11)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的多面体锥型阵列结构；(12)从生长衬底的第一主表面向内部凹陷的不规则尖型阵列结构。
[0011]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:进一步包括金属化支持衬底；支持衬底的第一主表面上包括第一电极和第二电极，支持衬底的第二主表面上包括第一电极和第二电极，第一主表面上的第一电极和第二电极分别与第二主表面上的第一电极和第二电极电连接；第一金属电极和第二金属电极分别与支持衬底的第一主表面上的第一电极和第二电极电连接。
[0012]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:金属化支持衬底包括，金属化硅衬底、金属化氮化铝陶瓷衬底、金属化氧化硅陶瓷衬底、金属化PCB衬底
[0013]本实用新型的芯片级封装的一个实施例:半导体发光芯片是从一组半导体发光芯片中选出，该组半导体发光芯片包括，GaN基半导体发光芯片，GaP基半导体发光芯片，GaNP基半导体发光芯片。
【附图说明】
[0014]图1a和图1b展示本实用新型的芯片级封装中的倒装芯片的截面图。
[0015]图2展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0016]图3展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0017]图4展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0018]图5展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0019]图6展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0020]图7展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0021]图8展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0022]图9展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0023]图10展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0024]图11展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0025]图12展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0026]图13展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0027]图14展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0028]图15展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0029]图16展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0030]图17展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0031]图18展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0032]图19展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0033]图20展示本实用新型的芯片级封装的金属化支持衬底的一个实施例的截面图。
[0034]图21展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0035]图22展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0036]图23展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0037]图24展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0038]图25展示本实用新型的芯片级封装的一个实施例的截面图。
[0039]图26展示本实用新型的芯片级封装