一种采用倒装芯片的高光效高显指led灯管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管。
【背景技术】
[0002]目前市面上的LED灯管是将贴有LEDSMD光源的线路板固定在半塑半铝铝材中或者全塑或者透明玻璃或者带有涂层的玻璃圆形或者椭圆形管中，再加上驱动电源以达到发光效果。这里使用的光源一般是业界所称之为2835、30145730等封装光源。
[0003]另一种形式的现有技术为:将正装芯片通过固晶机台固定在设计好的线路板上，常规采用的线路板长度在0.3m,再烘烤-焊线-点胶-烘烤-测试，这样制作产品工序多而繁杂，从而加工成本高，这是目前封装厂采用的技术。灯具厂再将0.3m的COB条形光源经过叠加组成0.6米或0.9m或1.2m或1.5m的LED灯管。此灯管光效低，显指目前最高达到80%,成本高，但显指提高的同时也造成光效损失大，光衰大，封装、引线框架等成本较高。
[0004]现有的产品中，为了得到高光效高显指只能通过增加灯珠的数量，使用高功率的灯珠降电流来提高灯管的光效，这样的方案成本高，毫无新颖，各家灯具厂苦于受封装厂封装形式以及现有技术局限性的困扰，灯具产品无法突破目前现有技术。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，既能实现高光效高显指，而且光衰小，成本低。
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，包括灯管外壳，所述灯管外壳内置有基板，所述基板上固定有多个蓝光芯片和红光芯片，所述蓝光芯片和红光芯片均为倒装芯片形式，所述红光芯片为双电级或单电级芯片，所述蓝光芯片的蓝光波长:440?470nm，所述红光芯片的红光波长:600?650nm。
[0007]进一步地，所述蓝光芯片和红光芯片整体通过封装工艺涂有荧光胶，或者，所述蓝光芯片或红光芯片的芯片单体上涂有荧光胶。
[0008]进一步地，所述蓝光芯片和红光芯片的数量比例为3:1，每三个蓝光芯片依次排列，每个红光芯片排在每三个蓝光芯片旁侧。
[0009]进一步地，所述蓝光芯片或红光芯片的上表面涂有在室温下即固化的封装胶水。
[0010]进一步地，所述蓝光芯片或红光芯片包括宝石层，所述宝石层下表面设有n-GaN层；所述n-GaN层下表面分为第一接触段和第二接触段，所述第一接触段下表面设有第一P-GaN层，所述第一 P-GaN层下表面设有第一反光层，所述第一 P-GaN层和第一反光层外包有第一绝缘层，LED倒装芯片的P电极位于第一绝缘层下表面并与第一反光层接触；
[0011]所述n-GaN层的第二接触段下表面设有至少一个第二 Ρ-GaN层，所述第二 P-GaN层下表面设有第二反光层，所述第二 P-GaN层和第二反光层外包有第二绝缘层，LED倒装芯片的N电极位于第二绝缘层下表面并与n-GaN层接触；
[0012]所述蓝光芯片或红光芯片的P电极、N电极与基板采用共晶焊方式固定。
[0013]进一步地，所述n-GaN层的第二接触段下表面设有两个间隔设置的第二 P-GaN层，各第二 P-GaN层下表面均设有第二反光层，各第二 P-GaN层和第二反光层外包均有第二绝缘层。
[0014]进一步地，所述灯管外壳内设有与基板连接的驱动电源。
[0015]进一步地，所述基板长度为0.6米或0.9米或1.2米或1.5米。
[0016]本实用新型的有益效果是:本实用新型中固定在基板上的倒装芯片有两种:1)蓝光芯片，2)红光芯片，优选蓝光:红光=3:1，蓝光芯片波长:440?470nm ;红光芯片波长为600?650nm，这样会形成一个特殊的波段，使得所形成的LED灯在提高显指的同时，光效损失小，光衰小，成本低。
[0017]采用室温条件下即固化的封装胶水，解决了因基板过长需另添置烤箱的问题，灌胶之前将基板进行水平调整，使之保持在水平的状态下进行操作，也使得封装胶水覆盖均匀性较好。
[0018]本实用新型的蓝光芯片或红光芯片与基板采用共晶焊方式固定，无需固晶后烘烤以及焊线这两道工序。
【附图说明】
[0019]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0020]图1是本实用新型的结构示意图；
[0021]图2是本实用新型中蓝光芯片或红光芯片的结构示意图。
[0022]其中:2、灯管外壳，3、基板，4、蓝光芯片，5、红光芯片，7.P电极，8.N电极，9.n-GaN层，10.第一 P-GaN层，11.第一反光层，12.宝石层，13、第一绝缘层，14、第二 P-GaN层，15、第二反光层，16、第二绝缘层。
【具体实施方式】
[0023]现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0024]如图1、图2所示，一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，包括灯管外壳2，所述灯管外壳2内置有基板3，所述基板3上固定有多个蓝光芯片4和红光芯片5，所述蓝光芯片4和红光芯片5均为倒装芯片形式，所述红光芯片5为双电级或单电级芯片，所述蓝光芯片的蓝光波长:440?470nm，所述红光芯片的红光波长:600?650nm。
[0025]所述蓝光芯片4和红光芯片5整体通过封装工艺涂有荧光胶，或者，所述蓝光芯片4或红光芯片5的芯片单体上涂有荧光胶。
[0026]所述蓝光芯片4和红光芯片5的数量比例为3:1，每三个蓝光芯片4依次排列，每个红光芯片5排在每三个蓝光芯片4旁侧。
[0027]所述蓝光芯片4或红光芯片5的上表面涂有在室温下即固化的封装胶水。
[0028]所述蓝光芯片4或红光芯片5包括宝石层12，所述宝石层12下表面设有n-GaN层9 ;所述n-GaN层9下表面分为第一接触段和第二接触段，所述第一接触段下表面设有第一P-GaN层10，所述第一 P-GaN层10下表面设有第一反光层11，所述第一 P-GaN层10和第一反光层11外包有第一绝缘层13，LED倒装芯片的P电极7位于第一绝缘层13下表面并与第一反光层11接触；
[0029]所述n-GaN层9的第二接触段下表面设有至少一个第二 Ρ-GaN层14，所述第二P-GaN层14下表面设有第二反光层15，所述第二 P-GaN层14和第二反光层15外包有第二绝缘层16，LED倒装芯片的N电极8位于第二绝缘层16下表面并与n_GaN层9接触。
[0030]所述蓝光芯片4或红光芯片5的P电极7、N电极8与基板3采用共晶焊方式固定。
[0031]所述n-GaN层9的第二接触段下表面设有两个间隔设置的第二 Ρ-GaN层14，各第二P-GaN层14下表面均设有第二反光层15，各第二 P-GaN层14和第二反光层15外包均有第二绝缘层(16)。
[0032]所述灯管外壳2内设有与基板3连接的驱动电源。
[0033]所述基板长度为0.6米或0.9米或1.2米或1.5米。
[0034]本实用新型中固定在基板上的倒装芯片有两种:1蓝光芯片，2)红光芯片，优选蓝光:红光=3:1，蓝光芯片波长:440?470nm ;红光芯片波长为600?650nm，这样会形成一个特殊的波段，使得所形成的LED灯在提高显指的同时，光效损失小，光衰小，成本低。
[0035]采用室温条件下即固化的封装胶水，解决了因基板过长需另添置烤箱的问题，灌胶之前将基板进行水平调整，使之保持在水平的状态下进行操作，也使得封装胶水覆盖均匀性较好。
[0036]本实用新型的蓝光芯片或红光芯片与基板采用共晶焊方式固定，无需固晶后烘烤以及焊线这两道工序。
[0037]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，包括灯管外壳(2)，所述灯管外壳(2)内置有基板(3)，其特征在于:所述基板(3)上固定有多个蓝光芯片(4)和红光芯片(5)，所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)均为倒装芯片形式，所述红光芯片(5)为双电级或单电级芯片，所述蓝光芯片的蓝光波长:440?470nm，所述红光芯片的红光波长:600?650nmo2.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)整体通过封装工艺涂有荧光胶，或者，所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的芯片单体上喷涂有荧光胶。3.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述蓝光芯片(4)和红光芯片(5)的数量比例为3:1，每三个蓝光芯片(4)依次排列，每个红光芯片(5)排在每三个蓝光芯片(4)旁侧。4.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的上表面涂有在室温下即固化的封装胶水。5.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)包括宝石层(12)，所述宝石层(12)下表面设有n-GaN层(9);所述n-GaN层(9)下表面分为第一接触段和第二接触段，所述第一接触段下表面设有第一 P-GaN层(10)，所述第一 P-GaN层(10)下表面设有第一反光层(11)，所述第一 P-GaN层(10)和第一反光层(11)外包有第一绝缘层(13)，LED倒装芯片的P电极(7)位于第一绝缘层(13)下表面并与第一反光层(11)接触； 所述n-GaN层(9)的第二接触段下表面设有至少一个第二 P-GaN层(14)，所述第二P-GaN层(14)下表面设有第二反光层(15)，所述第二 P-GaN层(14)和第二反光层(15)外包有第二绝缘层(16)，LED倒装芯片的N电极(8)位于第二绝缘层(16)下表面并与n_GaN层(9)接触； 所述蓝光芯片(4)或红光芯片(5)的P电极(7)、N电极(8)与基板(3)采用共晶焊方式固定。6.根据权利要求5所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述n-GaN层的第二接触段下表面设有两个间隔设置的第二 P-GaN层，各第二 P-GaN层下表面均设有第二反光层，各第二 P-GaN层和第二反光层外包均有第二绝缘层。7.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述灯管外壳(2)内设有与基板(3)连接的驱动电源。8.根据权利要求1所述的一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，其特征在于:所述基板长度为0.6米或0.9米或1.2米或1.5米。
【专利摘要】本实用新型公开了一种采用倒装芯片的高光效高显指LED灯管，包括灯管外壳，灯管外壳内置有基板，基板上固定有多个蓝光芯片和红光芯片，蓝光芯片和红光芯片均为倒装芯片形式，红光芯片为双电级或单电级芯片，蓝光芯片的蓝光波长：440～470nm，红光芯片的红光波长：600～650nm。本实用新型所形成的LED灯在提高显指的同时，光效损失小，光衰小，成本低。本实用新型的蓝光芯片或红光芯片与基板采用共晶焊方式固定，无需固晶后烘烤以及焊线这两道工序。
【IPC分类】H01L25/075, H01L33/48, H01L33/00, H01L33/54
【公开号】CN204927326
【申请号】CN201520277352
【发明人】赵兴, 陆利兵, 邵丽娟
【申请人】苏州百奥丽光电科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年5月4日