红光led封装器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED封装器件，特别是涉及一种垂直结构的红光LED封装技术。
【背景技术】
[0002]现有红光LED芯片的两个电极分别位于芯片的上表面和下表面，其具有一个η型GaAs衬底，在衬底下面为一个负极欧姆接触电极，其上表面为一个正极欧姆接触电极，整个芯片为垂直结构。封装红光芯片的时候，需要在其上电极上进行打线。打线用的引线一般为金线，金线的端部截面面积小，焊接时会发生虚焊，且长时间使用后，端面容易被氧化，造成焊接点电阻增大，影响器件的使用寿命。具有金线结构的LED器件，其抗冲击、抗振动能力都较弱，在很多具有振动环境里，例如机车上，减少这种金线技术的使用，可以提高其安全稳定性。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型所要解决的技术问题是一种不使用金线的红光LED器件，用于提高器件的稳定性，使器件具有较好的抗振性能。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案如下:
[0005]—种红光LED封装器件，包括支架和支架上的槽，在槽内封装有芯片；所述槽的槽壁上包括台阶，台阶上设有延伸到支架外的第一电极导线；
[0006]所述芯片包括上电极和下电极，在槽的底部设有第二电极导线，所述下电极固定在槽的底部且与第二电极导线电性连接在一起；
[0007]在上电极和台阶上的第一电极导线之间设有将它们电连接在一起的电桥体；电桥体包括透明主体，在透明主体的表面上设有导电层，透明主体固定在上电极和台阶上，其上的导电层将上电极和台阶上的第一电极导线电性连接在一起。
[0008]优选地:所述芯片的高度与所述台阶的高度相同，所述电桥体置于芯片和台阶上保持水平。非水平结构也可以使用，但是两端的焊料使用量会有区别。水平结构更有利于操作和焊接。
[0009]优选地:所述透明主体为蓝宝石材质。在另一个实施例中，其可以为石英玻璃或透明树脂。
[0010]优选地:电桥体的导电层分布于透明主体的下表面边缘、侧面和上表面。
[0011]优选地:所述导电层为金锡材料。
[0012]优选地:所述芯片的上电极位于芯片的一侧，且呈条状；所述电桥体为片状，电桥体的一侧的下部置于所述条状的上电极上。
[0013]优选地:所述导电层为ITO材料。
[0014]相比现有技术，本实用新型的有益效果在于:
[0015]本实用新型在芯片的上电极上增加了一个电桥体，其用于将芯片的电极与支架的导线电连接在一起，为了配合这种结构，支架上设置了一个台阶。这种结构代替了焊线结构，且焊接面面积大，不容易松脱，且抗氧化能力强。具有本实用新型结构的器件，其抗振性能好。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的结构示意图。
[0017]图2是电桥体的结构示意图。
[0018]图3是芯片与电桥体连接的示意图。
[0019]图中标识说明:
[0020]1、芯片；2、上电极；3、电桥体；31、透明主体；4、焊料；5、导电层；51、导电层焊料部；6、第一电极导线；7、第二电极导线；8、槽；9、台阶；10、支架。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明。
[0022]参见图1至图3，该红光LED封装器件包括支架10和支架上的槽8，在槽8内封装有芯片I。槽的槽壁上包括台阶9，台阶9上设有延伸到支架外的第一电极导线6。芯片I包括上电极2和下电极(图中未示出)，在槽的底部设有第二电极导线7，下电极固定在槽的底部且与第二电极导线电性连接在一起。
[0023]在上电极2和台阶9上的第一电极导线6之间设有将它们电连接在一起的电桥体
3。电桥体3包括透明主体31，在透明主体31的表面上设有导电层5，透明主体固定在上电极2和台阶9上，其上的导电层将上电极2和台阶9上的第一电极导线电性连接在一起。
[0024]在一个优选的实施例中，芯片I的高度与台阶9的高度相同，电桥体3置于芯片和台阶上保持水平。透明主体31为蓝宝石材质。在另一个实施例中，其可以为石英玻璃或透明树脂。电桥体3的导电层5分布于透明主体的下表面边缘、侧面和上表面，其中下表面边缘的部位为导电层焊料部51，其下面为焊料4。焊料一般为金锡材料。
[0025]导电层5为镀在透明主体31表面的金锡材料。在另一个实施例中，导电层5为氧化铟锡材料。芯片的上电极2位于芯片I的一侧，且呈条状。电桥体3为片状，电桥体3的一侧的下部置于条状的上电极2上。
[0026]上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。
【主权项】
1.一种红光LED封装器件，包括支架和支架上的槽，在槽内封装有芯片；其特征在于:所述槽的槽壁上包括台阶，台阶上设有延伸到支架外的第一电极导线； 所述芯片包括上电极和下电极，在槽的底部设有第二电极导线，所述下电极固定在槽的底部且与第二电极导线电性连接在一起； 在上电极和台阶上的第一电极导线之间设有将它们电连接在一起的电桥体；电桥体包括透明主体，在透明主体的表面上设有导电层，透明主体固定在上电极和台阶上，其上的导电层将上电极和台阶上的第一电极导线电性连接在一起。2.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述芯片的高度与所述台阶的高度相同，所述电桥体置于芯片和台阶上保持水平。3.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述透明主体为蓝宝石材质。4.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述电桥体的导电层分布于透明主体的下表面边缘、侧面和上表面。5.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述导电层为金锡材料。6.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述芯片的上电极位于芯片的一侧，且呈条状；所述电桥体为片状，电桥体的一侧的下部置于所述条状的上电极上。7.根据权利要求1所述的红光LED封装器件，其特征在于:所述导电层为氧化铟锡ITO材料。
【专利摘要】本实用新型提供一种红光LED封装器件，用于提高器件的稳定性，使器件具有较好的抗振性能。该器件包括支架和支架上的槽，在槽内封装有芯片；槽的槽壁上包括台阶，台阶上设有延伸到支架外的第一电极导线；芯片包括上电极和下电极，在槽的底部设有第二电极导线，下电极固定在槽的底部且与第二电极导线电性连接在一起；在上电极和台阶上的第一电极导线之间设有将它们电连接在一起的电桥体；电桥体包括透明主体，在透明主体的表面上设有导电层，透明主体固定在上电极和台阶上，其上的导电层将上电极和台阶上的第一电极导线电性连接在一起。本实用新型的结构代替了焊线结构，其焊接面面积大，不容易松脱，且抗氧化能力强和抗振能力强。
【IPC分类】H01L33/62, H01L33/48
【公开号】CN204927331
【申请号】CN201520614715
【发明人】卢杨, 张月强, 蔡德晟
【申请人】福建天电光电有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月14日