一种中小功率变频器用igbt功率组件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于电子技术领域，具体涉及到一种中小功率变频器用IGBT功率组 件。
【背景技术】
[0002] 中小功率（0. 4KW-5. 5KW)变频器领域目前使用的IGBT中，IGBT器件背面为镀锡 铜基板，在IGBT器件安装于变频器上时存在大电流经过后产生的背面基板高压放电破坏 器件及变频器的风险，同时散热方面由于存在较多的接触空洞极易导致IGBT器件散热性 能不佳。
[0003] 中国专利（公开号CN203774320U，公开日2014年8月13日）公开了一种多场效 晶体管集成模块，在散热器和陶瓷板之间涂导热硅脂层，加强散热效果。
[0004] 增加的导热硅脂层可以加强陶瓷板和散热器之间的热量交换，但场效应管和陶瓷 板之间的热量交换未得到改善。 【实用新型内容】
[0005] 本实用新型为克服上述缺陷，提供一种中小功率变频器用IGBT功率组件，进一步 改善散热效果，解决安装后的高压放电和散热性能不佳的问题。
[0006] 本实用新型的中小功率变频器用IGBT功率组件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶 瓷片两面涂导热硅脂，形成导热硅脂层。
[0007] 导热硅脂层厚度50微米，导热系数2W。
[0008] 组件外形与现有IGBT器件的外形基本相同，主要改变为在原有IGBT背面镀锡铜 基本后面焊接陶瓷片+两面硅脂。
[0009] 和目前常规无陶瓷片封装形式的性能比较：
[0010] 陶瓷片+两面硅脂的热阻分析：
[0011] 陶瓷片0.635mm厚度热阻值0.31°C/W，两面导热硅脂（导热系数3瓦，涂层厚度 30微米）热阻值1. 6*2 = 3. 0°C /W，整个绝缘层热阻值为彡3. 0°C /W。
[0012]
【附图说明】
[0013] 图1为本实用新型的中小功率变频器用IGBT功率组件结构示意图。
[0014] 图中：1. IGBT器件；2.陶瓷片；3.导热硅脂层。
【具体实施方式】
[0015] 下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
[0016] 实施例1
[0017] 参见图1，本实用新型的中小功率变频器用IGBT功率组件，在IGBT器件1背焊接 陶瓷片2,在陶瓷片两面涂导热硅脂，形成导热硅脂层3。
[0018] 导热硅脂层厚度50微米，导热系数2W。
[0019] 组件外形与现有IGBT器件的外形基本相同，主要改变为在原有IGBT背面镀锡铜 基本后面焊接陶瓷片+两面硅脂。
【主权项】
1. 一种中小功率变频器用IGBT功率组件，其特征在于：在IGBT器件背焊接陶瓷片，在 陶瓷片两面涂导热硅脂，形成导热硅脂层。2. 根据权利要求1所述的中小功率变频器用IGBT功率组件，其特征在于：导热硅脂层 厚度50微米，导热系数2W。
【专利摘要】本实用新型公开了一种中小功率变频器用IGBT功率组件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片两面涂导热硅脂，形成导热硅脂层；进一步改善散热效果，解决安装后的高压放电和散热性能不佳的问题。
【IPC分类】H01L23/373, H01L23/367, H01L29/739
【公开号】CN204946906
【申请号】CN201520528494
【发明人】王丕龙, 王新强, 李向坤
【申请人】青岛佳恩半导体有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年7月20日