一种恒流二极管结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种恒流二极管结构，属于二极管制造技术领域。
【背景技术】
[0002]恒流二极管早就出现在人们生活中，但并没有引起人们的关注，只是用于某些仪器仪表中作为电流的标准。近来随着LED产业的蓬勃发展，此类二极管引起了广泛关注。常见恒流二极管，电流或多或少会随电压而有所增加，温度特性也会影响恒流效果。
【实用新型内容】
[0003]目的:为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种恒流二极管结构。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:
[0005]一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N讲、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。
[0006]还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。
[0007]所述N+注入区数量设置为两个。
[0008]还包括电极，所述电极设置在N+注入区、N讲、P阱的顶部。
[0009]作为优选方案，所述电极数量设置为两个。
[0010]作为优选方案，所述阳极、电极均采用铝材质。
[0011]有益效果:本实用新型提供的一种恒流二极管结构，本设计直流等效阻抗低、低启动电压、交流等效阻抗高、负温度系数。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
[0014]如图1所示，一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。
[0015]还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。
[0016]所述N+注入区数量设置为两个。
[0017]还包括电极，所述电极设置在N+注入区、N讲、P阱的顶部。
[0018]作为优选方案，所述电极数量设置为两个。
[0019]作为优选方案，所述阳极、电极均采用铝材质。
[0020]具体使用方式如下:当一个反向偏压加到PN结的阴极和阳极时，此时恒流二极管开始导通，当反向偏压增加，其电流也增加，当电流增加到拐点时，N阱区和P型栅之间形成一个耗尽层P+注入区，这个耗尽层减小了 N阱区中电流的路径也减慢了电流的增加速度。
[0021]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种恒流二极管结构，包括P型衬底，其特征在于:还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。2.根据权利要求1所述的一种恒流二极管结构，其特征在于:还包括P阱，所述P阱设置在N+注入区内。3.根据权利要求1或2所述的一种恒流二极管结构，其特征在于:所述N+注入区数量设置为两个。4.根据权利要求2所述的一种恒流二极管结构，其特征在于:还包括电极，所述电极设置在N+注入区、N阱、P阱的顶部。5.根据权利要求4所述的一种恒流二极管结构，其特征在于:所述电极数量设置为两个。6.根据权利要求1所述的一种恒流二极管结构，其特征在于:所述阳极、电极均采用铝材质。
【专利摘要】本实用新型公开了一种恒流二极管结构，包括P型衬底，还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极，所述P型衬底顶部设置有P+注入区，所述P+注入区上方设置有N阱，所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区；所述P型衬底底部设置有阳极，所述N阱顶部中心位置设置有阴极。本实用新型提供的一种恒流二极管结构，直流等效阻抗低、低启动电压、交流等效阻抗高、负温度系数。
【IPC分类】H01L29/861, H01L29/06
【公开号】CN204966509
【申请号】CN201520794808
【发明人】傅立铭
【申请人】苏州汉克山姆照明科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月15日