表面贴装电子器件的制作方法
【专利说明】表面贴装电子器件
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求2014年12月24日提交的申请号为T02014A001106的意大利专利申请的优先权，所述申请的全部内容在法律允许最大范围内通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本实用新型涉及表面贴装电子器件。
【背景技术】
[0004]半导体器件，如集成电路和微电子机械系统(MEMS)器件密封在相应封装内，所述封装执行保护功能及与外部世界的交互功能。例如，现有的已知封装能够在印刷电路板(PCB)上实现所谓的表面贴装。
[0005]更详细地，例如表面贴装封装包括所谓的“方形扁平无引线”(QFN)类型封装，也称为“微型引线框架”(MLF)或“小外形无引线”(SON)封装。
[0006]例如关于QFN类型封装通常包括树脂区，树脂区内部是引线框架，引线框架依次形成至少一排端子，所述端子从封装底表面暴露出来和/或延伸出来。发明人为费利克斯(Felix)等人的公开号为2005/0116321的美国专利申请描述了包含引线框架的封装的制造方法示例，所述专利申请的全部内容通过引用合并于此。
[0007]传统上，引线框架被制成带材，随后在制造过程中使用这些带材。因此，尽管现在从引线框架带材开始生产封装的技术比较稳定，但是这些技术仍然相对成本昂贵。此外，利用这些技术获得的封装相对较重。
[0008]半导体器件封装需要至少部分地克服现有技术的缺陷。
【实用新型内容】
[0009]本公开的目的之一是提供一种表面贴装电子器件。
[0010]根据本公开的一个方面，提供一种表面贴装电子器件，包括半导体材料主体；以及引线框架，所述引线框架包括电连接到所述半导体材料主体的多个接触端子；以及所述多个接触端子由烧结材料制成。
[0011]优选地，表面贴装电子器件还包括由底表面界定的封装；以及其中所述多个接触端子延伸到所述底表面。
[0012]优选地，表面贴装电子器件中的所述封装还由至少一个侧表面界定；以及所述多个接触端子延伸到所述至少一个侧表面。
[0013]优选地，表面贴装电子器件中的所述封装还包括绝缘区和封装介电区，所述封装介电区覆盖在所述半导体材料主体、所述绝缘区和至少部分所述引线框架上；所述绝缘区形成界定相邻凹槽的多个横向齿部；以及所述多个接触端子中的每个接触端子都延伸到对应的凹槽中并部分地覆盖在所述绝缘区上。
[0014]优选地，表面贴装电子器件中的所述引线框架包括布置在所述绝缘区上的多个焊盘和多个迹线，所述多个迹线中的每个迹线将对应的焊盘电连接到所述多个接触端子中的对应的接触端子。
[0015]优选地，表面贴装电子器件还包括裸片焊盘，所述半导体材料主体布置在所述裸片焊盘上并通过焊线电连接到所述多个接触端子。
[0016]优选地，表面贴装电子器件还包括封装，所述封装包括绝缘区和封装介电区，所述封装介电区覆盖在所述半导体材料主体、所述绝缘区和至少部分所述引线框架上，并且其中所述绝缘区形成界定相邻凹槽的多个横向齿部；以及所述多个接触端子中的每个接触端子都延伸到对应的凹槽中并部分地覆盖在所述绝缘区上。
[0017]优选地，表面贴装电子器件中的封装介电区形成所述封装的前表面，并且其中所述多个接触端子延伸到所述前表面。
[0018]优选地，表面贴装电子器件中的所述多个接触端子中的每个接触端子都具有底表面，并且所述表面贴装电子器件还包括由底表面界定的封装，所述多个接触端子中的每个接触端子的底表面与所述封装的所述底表面共面。
[0019]优选地，表面贴装电子器件中的所述表面贴装电子器件为方形扁平无引线类型或焊区栅格阵列类型。
[0020]本公开的实施例提供了一种表面贴装电子器件，从而避免了从引线框架带材开始生产封装的技术相对成本昂贵且利用这些技术获得的封装相对较重的缺点。
【附图说明】
[0021]为了更好地理解本实用新型，现在参照附图并且仅以非限定的实例的方式描述本实用新型的优选实施例，其中:
[0022]图1至图3为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的截面图；
[0023]图4、图5和图7为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的顶视图；
[0024]图6为沿图5中示出的剖面线V1-VI绘制的图5所示中间结构的部分横截面的示意图；
[0025]图8A为所述制造方法的实施例的处理步骤中的中间结构的部分的侧视示意图；
[0026]图8B为图8A所示的同一步骤中的中间结构的部分的示意性的顶视图；
[0027]图9和图10为所述制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的侧视示意图；
[0028]图11至图14为所述制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的截面图；
[0029]图15和图16为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的顶视图；
[0030]图17和图18为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的顶视图；
[0031]图19至图25为所述制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的截面图；
[0032]图26和图34为半导体器件的示意性的截面图；
[0033]图27和图28为所述制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的截面图；
[0034]图29和图30为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的顶视图；
[0035]图31为三维电子结构的示意性的截面图；
[0036]图32和图33为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中的中间结构的各部分的示意性的顶视图；以及
[0037]图35和图36为本实用新型制造方法的实施例的连续处理步骤中中间结构的各部分的示意性的顶视图。
【具体实施方式】
[0038]图1示出了水溶性支承结构2，其包括第一层4和第二层6，在下文中分别称为第一支承层4和第二支承层6。各示意图都不是按比例绘制的。
[0039]第一支承层4和第二支承层6布置为彼此接触并形成已知类型的粘合带。第一支承层4例如由聚乙酸乙烯酯(PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的薄膜形成，其厚度例如可以介于10 μ??和30 μ??之间。第二支承层6例如由可溶于水的压敏粘附膜(PSA膜)形成，其厚度可以介于20 μ m和30 μ m之间。更具体地，第二支承层6例如可以由包含聚乙酸乙烯酯和硅酸钠混合物的凝胶形成。
[0040]如图1所示，按照本实用新型制造方法，支承结构2机械地耦合到作为加强构件的板8，板8例如由钢制成并且厚度例如可以介于0.2mm和0.5mm之间。
[0041]更具体地，支承结构2是叠层结构；即支承结构2以使第二支承层6接触板8的方式地布置在板8上。为了消除在加热第二支承层