一种存储芯片的制作方法

文档序号:10119072阅读:377来源:国知局
一种存储芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于移动存储技术领域,尤其涉及一种存储芯片。
【背景技术】
[0002]芯片一般是指集成电路的载体,也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果,通常是一个可以立即使用的独立的整体。芯片也有它独特的地方,广义上,只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子,都可以叫做芯片,里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片;比如机械芯片,如MEMS陀螺仪;或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中,当把范围局限到硅集成电路时,芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。
[0003]众所周知,随着集成化电路的发展,现有技术中的存储芯片的尺寸越来越小,为了便于后续裂片工艺中芯片按既定位置破裂,芯片厚度需要通过研磨降低。厚度降低后芯片容易出现破片问题,降低了芯片的良品率,大大降低了芯片的使用寿命。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型为了克服现有技术中的不足,提供了一种存储芯片,通过在存储芯片的一侧设置有纤维薄膜层和黏胶层,能够防止研磨过程中芯片受损破裂,提高良品率和芯片的使用寿命。
[0005]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0006]—种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体,在所述存储芯片本体的正面焊接有电子元器件、引脚,所述存储芯片本体的背面设置有黏胶层,在所述黏胶层的下方设置有纤维薄膜层,且所述纤维薄膜层的外表面上分布有规则的凹坑,所述凹坑分布面积占纤维薄膜层的表面积的40%_60%。
[0007]进一步地,所述存储芯片本体研磨后的厚度为100 μ m _120 μ m,所述纤维薄膜层的厚度为 90 μπι-100 μπι。
[0008]进一步地,所述凹坑的形状为圆形或正多边形,凹坑的深度为35 μ m -50 μ m。
[0009]进一步地,所述黏胶层的厚度为40 μ m -50 μ m。
[0010]进一步地,所述存储芯片本体、黏胶层以及纤维薄膜层的长度和宽度相同。
[0011 ] 在加工时,首先使用研磨机将芯片研磨至厚度为120 μ m,并进行抛光,然后擦拭存储芯片本体的背面,以免影响黏胶层的粘性,然后将存储芯片本体的正面置于陶瓷加热板表面上进行加热,然后将黏胶层粘接在存储芯片本体的背面,然后将纤维薄膜层粘接在黏胶层的下表面,纤维薄膜层与黏胶层之间不能有气泡的存在,最后在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑。
[0012]与现有的技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理,通过设置有纤维薄膜层和黏胶层,能够防止研磨过程中芯片受损破裂,提高良品率和芯片的使用寿命,通过在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑,增大摩擦力,能够防止纤维薄膜层在安装时发生移动,影响存储芯片的安装精度。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的结构示意图;
[0014]图2为本实用新型纤维薄膜层的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0016]请参阅图1和图2,图1为本实用新型的结构示意图,图2为本实用新型纤维薄膜层的结构示意图。
[0017]所述一种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体1,在所述存储芯片本体1的正面焊接有电子元器件2、引脚3,所述存储芯片本体1的背面设置有黏胶层4,在所述黏胶层4的下方设置有纤维薄膜层5,所述存储芯片本体1、黏胶层4以及纤维薄膜层5的长度和宽度相同。所述存储芯片本体1研磨后的厚度为100 μ m -120 μ m,所述黏胶层4的厚度为40 μ m -50 μ m,所述纤维薄膜层5的厚度为90 μπι-100 μ m,所述凹坑6的形状为圆形或正多边形,凹坑6的深度为35 μ m -50 μ m。通过设置有纤维薄膜层和黏胶层,能够防止研磨过程中芯片受损破裂,提尚良品率和芯片的使用寿命。
[0018]所述纤维薄膜层5的外表面上分布有规则的凹坑6,所述凹坑6分布面积占纤维薄膜层5的表面积的40%-60%。通过在纤维薄膜层5的外表面加工有规则的凹坑6,增大摩擦力,能够防止纤维薄膜层5在安装时发生移动,影响存储芯片的安装精度。
[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体(1),在所述存储芯片本体(1)的正面焊接有电子元器件(2)、引脚(3),其特征在于:所述存储芯片本体(1)的背面设置有黏胶层(4),在所述黏胶层(4)的下方设置有纤维薄膜层(5),且所述纤维薄膜层(5)的外表面上分布有规则的凹坑(6),所述凹坑(6)分布面积占纤维薄膜层(5)的表面积的40%_60%。2.根据权利要求1所述的一种存储芯片,其特征在于:所述存储芯片本体(1)研磨后的厚度为100 μm -120 μm,所述纤维薄膜层(5)的厚度为90 μm-100 μm。3.根据权利要求2所述的一种存储芯片,其特征在于:所述凹坑(6)的形状为圆形或正多边形,凹坑(6)的深度为35 μm -50 μm。4.根据权利要求2所述的一种存储芯片,其特征在于:所述黏胶层(4)的厚度为40μm-50 μ m。5.根据权利要求1或3所述的一种存储芯片,其特征在于:所述存储芯片本体(1)、黏胶层(4)以及纤维薄膜层(5)的长度和宽度相同。
【专利摘要】本实用新型涉及一种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体,在所述存储芯片本体的正面焊接有电子元器件、引脚,所述存储芯片本体的背面设置有黏胶层,在所述黏胶层的下方设置有纤维薄膜层,且所述纤维薄膜层的外表面上分布有规则的凹坑,所述凹坑分布面积占纤维薄膜层的表面积的40%-60%。通过设置有纤维薄膜层和黏胶层,能够防止研磨过程中芯片受损破裂,提高良品率和芯片的使用寿命,通过在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑,增大摩擦力,能够防止纤维薄膜层在安装时发生移动,影响存储芯片的安装精度。
【IPC分类】H01L23/31, H01L23/29
【公开号】CN205028892
【申请号】CN201520805005
【发明人】肖辉强
【申请人】肖辉强
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年10月19日
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